CN109713052A - 一种柔性薄膜太阳能电池用背电极的制备方法 - Google Patents

一种柔性薄膜太阳能电池用背电极的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109713052A
CN109713052A CN201811613001.8A CN201811613001A CN109713052A CN 109713052 A CN109713052 A CN 109713052A CN 201811613001 A CN201811613001 A CN 201811613001A CN 109713052 A CN109713052 A CN 109713052A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film layer
film
back electrode
flexible
top surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811613001.8A
Other languages
English (en)
Inventor
彭寿
马立云
姚婷婷
李刚
沈洪雪
彭赛奥
金克武
王天齐
杨扬
甘治平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CNBM Bengbu Design and Research Institute for Glass Industry Co Ltd
Original Assignee
CNBM Bengbu Design and Research Institute for Glass Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CNBM Bengbu Design and Research Institute for Glass Industry Co Ltd filed Critical CNBM Bengbu Design and Research Institute for Glass Industry Co Ltd
Priority to CN201811613001.8A priority Critical patent/CN109713052A/zh
Publication of CN109713052A publication Critical patent/CN109713052A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开一种柔性薄膜太阳能电池用背电极的制备方法,包括以下步骤:选取聚合物基板或金属柔性基板作为柔性基底;通过离子源溅射,对柔性基底进行清洗;通过磁控溅射,依次生长合金膜层、ZnAl膜层、降阻膜层、防腐蚀膜层、Mo膜层;最后将得到的膜层结构放入真空炉中退火,得到所述柔性薄膜太阳能电池用背电极;方法制备得到的背电极具有质量轻、可弯曲、便于携带、后期高温硒化不变形、抗腐蚀、低电阻率、薄膜应力小等优点,且多层膜结构与基底附着强度高,能够避免基底中Na+向吸收层的扩散且与CIGS有良好的欧姆接触。

Description

一种柔性薄膜太阳能电池用背电极的制备方法
技术领域
本发明涉及薄膜太阳能电池技术领域,具体是一种柔性薄膜太阳能电池用背电极的制备方法。
背景技术
目前铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池正迅速发展,但多数为玻璃基底,柔性CIGS薄膜太阳能电池刚刚开始,由于其质量轻,可折叠,可弯曲,便于携带,因此可以采用环绕式溅射沉积,有利于实现大规模生产,且显著的降低成本,可大量应用于便携式应急充电背包,光伏帐篷,光伏窗帘,光伏屋顶,太阳能汽车等具有广阔的应用空间,提高柔性CIGS薄膜太阳能电池效率及寿命有利于我国光伏产业的持续健康发展。
传统背电极为Si3N4+Mo复合膜的结构,由于传统Mo背电极中Mo膜较厚,导致薄膜应力大,与基板附着强度较低,且Mo膜制备成本较高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种柔性薄膜太阳能电池用背电极的制备方法,该方法制备得到的背电极具有质量轻、可弯曲、便于携带、后期高温硒化不变形、抗腐蚀、低电阻率、薄膜应力小等优点,且多层膜结构与基底附着强度高,能够避免基底中Na+向吸收层的扩散且与CIGS有良好的欧姆接触。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种柔性薄膜太阳能电池用背电极的制备方法,包括以下步骤:
S1、选取聚合物基板或金属柔性基板作为柔性基底;
S2、通过离子源溅射,对柔性基底进行清洗;
S3、通过磁控溅射,在柔性基底顶面溅射生长60~120 nm厚度的合金膜层,合金膜层为CuAl、CuZn、TiAl或TiCu;
S4、通过磁控溅射,在合金膜层顶面溅射生长40~80 nm厚度的ZnAl膜层;
S5、通过磁控溅射,在ZnAl膜层顶面溅射生长20~40 nm厚度的降阻膜层,降阻膜层为Ti、Al、Ag或Cu膜层;
S6、通过磁控溅射,,在降阻膜层顶面溅射生长15~60 nm厚度的防腐蚀膜层,防腐蚀膜层为MoN、MoO、Al2O3、TixNy或TiOxNy等膜层;
S7、通过磁控溅射,在防腐蚀膜层顶面溅射生长55~75 nm厚度的Mo膜层;
S8、将步骤S7得到的膜层结构放入真空炉中退火,得到所述柔性薄膜太阳能电池用背电极。
进一步的,步骤S8所述退火温度为600℃。
进一步的,将步骤S5得到的膜层结构进行300℃的合金化再进行步骤S6。
本发明的有益效果是:
一、采用聚合物基板或金属柔性基板作为柔性基底,质量轻,可折叠,可弯曲,便于携带,因此可以采用环绕式溅射沉积,有利于实现大规模生产,且显著的降低成本。
二、背电极采用多层膜结构,合金膜层以及降阻膜层的加入可以有效提高背电极导电性能。
三、 ZnAl膜层使合金膜层至降阻膜层有较好的结合力,减小整体背电极的薄膜内应力。
四、降阻膜层可相对降低ZnAl膜层至防腐蚀膜层的电阻率,防腐蚀膜层能够防止后期硒化过程中硒对合金膜层的腐蚀,保障顶层Mo膜在硒化时与Se反应均匀,吸收层和顶层Mo膜保持元素分布均匀。
五、Mo膜层使得硒与Mo反应适量并可控,并与作为吸收层的CIGS薄膜形成良好的欧姆接触,有益CIGS薄膜太阳能电池效率的提高。
六、背电极减少了阻挡层和Mo的层数,并降低了Mo的厚度,背电极整体厚度降低,成本降低。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明:
图1是本发明的流程示意图;
图2是本发明方法得到背电极的结构示意图。
具体实施方式
实施例一
结合图1与图2所示,本发明提供一种柔性薄膜太阳能电池用背电极的制备方法,包括以下步骤:
S1、选取金属柔性基板作为柔性基底1;金属柔性基板采用铝箔;
S2、通过离子源溅射,对柔性基底进行清洗,同时使柔性基底带有粒子,增强其与上层薄膜的结合力;
S3、通过磁控溅射,在柔性基底1顶面溅射生长合金膜层2,合金膜层为CuAl;
具体为:采用直流磁控溅射,CuAl合金靶,在柔性基底1顶面沉积CuAl膜层,工作压强为0.5Pa,功率为150W,CuAl膜层厚度为80nm;
S4、通过磁控溅射,在合金膜层2顶面溅射生长ZnAl膜层3;
具体为:采用直流磁控溅射,ZnAl合金靶,在合金膜层2顶面沉积ZnAl膜层3,工作压强为0.5Pa,功率为70W,ZnAl膜层3厚度为50nm,然后将步骤S4得到的膜系在300℃合金化,提高电导率;
S5、通过磁控溅射,在ZnAl膜层3顶面溅射生长降阻膜层4,降阻膜层4为Ti膜层;
具体为:采用直流磁控溅射,Ti靶,工作压强为0.5Pa,功率为40W,在ZnAl膜层3顶面沉积Ti膜层,Ti膜层厚度为25nm;
S6、通过磁控溅射,在降阻膜层4顶面溅射生长防腐蚀膜层5,防腐蚀膜层5为MoN膜层;
具体为:采用直流磁控溅射,Mo靶,N2流量为6sccm,工作压强为0.5Pa,功率为70W,在降阻膜层4顶面沉积MoN膜层,MoN膜层厚度为30nm;
S7、通过磁控溅射,在防腐蚀膜层5顶面溅射生长Mo膜层6;
具体为:采用直流磁控溅射,Mo靶,工作压强为0.4Pa,功率为80W,在防腐蚀膜层5顶面沉积Mo膜层6,Mo膜层厚度为55nm;
S8、将步骤S7得到的膜层结构放入600℃真空炉中退火,得到所述柔性薄膜太阳能电池用背电极。
将本实施例得到的柔性薄膜太阳能电池用背电极分别进行方阻测试、耐摩擦测试,耐腐蚀测试,方阻1.3Ω/□,采用刮膜器进行实验后发现没有脱模,并进行双85耐腐蚀测试,发现整体背电极曝露在高湿度下能够抵抗湿气长期渗透。
实施例二
结合图1与图2所示,本发明提供一种柔性薄膜太阳能电池用背电极的制备方法,包括以下步骤:
S1、选取聚合物基板作为柔性基底1;聚合物基板采用聚酰亚胺;
S2、通过离子源溅射,对柔性基底进行清洗,同时使柔性基底带有粒子,增强其与上层薄膜的结合力;
S3、通过磁控溅射,在柔性基底1顶面溅射生长合金膜层2,合金膜层为CuZn;
具体为:采用直流磁控溅射,CuZn合金靶,在柔性基底1顶面沉积CuZn膜层,工作压强为0.4Pa,功率为180W,CuZn膜层厚度为90nm;
S4、通过磁控溅射,在合金膜层2顶面溅射生长ZnAl膜层3;
具体为:采用直流磁控溅射,ZnAl合金靶,在合金膜层2顶面沉积ZnAl膜层3,工作压强为0.4Pa,功率为60W,ZnAl膜层3厚度为60nm,然后将步骤S4得到的膜系在300℃合金化,提高电导率;
S5、通过磁控溅射,在ZnAl膜层3顶面溅射生长降阻膜层4,降阻膜层4为Cu膜层;
具体为:采用直流磁控溅射,Cu靶,工作压强为0.5Pa,功率为40W,在ZnAl膜层3顶面沉积Ti膜层,Ti膜层厚度为30nm;
S6、通过磁控溅射,在降阻膜层4顶面溅射生长防腐蚀膜层5,防腐蚀膜层5为TiN膜层;
具体为:采用直流磁控溅射,Ti靶,N2流量为6sccm,工作压强为0.4Pa,功率为90W,在降阻膜层4顶面沉积TiN膜层,TiN膜层厚度为40nm;
S7、通过磁控溅射,在防腐蚀膜层5顶面溅射生长Mo膜层6;
具体为:采用直流磁控溅射,Mo靶,工作压强为0.4Pa,功率为100W,在防腐蚀膜层5顶面沉积Mo膜层6,Mo膜层厚度为70nm;
S8、将步骤S7得到的膜层结构放入600℃真空炉中退火,得到所述柔性薄膜太阳能电池用背电极。
将本实施例得到的柔性薄膜太阳能电池用背电极分别进行方阻测试、耐摩擦测试,耐腐蚀测试,方阻0.8Ω/□,采用刮膜器进行实验后发现没有脱模,并进行双85耐腐蚀测试,发现整体背电极曝露在高湿度下能够抵抗湿气长期渗透。
实施例三
结合图1与图2所示,本发明提供一种柔性薄膜太阳能电池用背电极的制备方法,包括以下步骤:
S1、选取金属柔性基板作为柔性基底1;金属柔性基板采用铁镍合金;
S2、通过离子源溅射,对柔性基底进行清洗,同时使柔性基底带有粒子,增强其与上层薄膜的结合力;
S3、通过磁控溅射,在柔性基底1顶面溅射生长合金膜层2,合金膜层为TiCu;
具体为:采用直流磁控溅射,TiCu合金靶,在柔性基底1顶面沉积TiCu膜层,工作压强为0.5Pa,功率为150W,TiCu膜层厚度为90nm;
S4、通过磁控溅射,在合金膜层2顶面溅射生长ZnAl膜层3;
具体为:采用直流磁控溅射,ZnAl合金靶,在合金膜层2顶面沉积ZnAl膜层3,工作压强为0.5Pa,功率为90W,ZnAl膜层3厚度为70nm,然后将步骤S4得到的膜系在300℃合金化,提高电导率;
S5、通过磁控溅射,在ZnAl膜层3顶面溅射生长降阻膜层4,降阻膜层4为Ag膜层;
具体为:采用直流磁控溅射,Ag靶,工作压强为0.5Pa,功率为40W,在ZnAl膜层3顶面沉积Ag膜层,Ag膜层厚度为35nm;
S6、通过磁控溅射,在降阻膜层4顶面溅射生长防腐蚀膜层5,防腐蚀膜层5为MoO膜层;
具体为:采用直流磁控溅射,Mo靶,O2流量为6sccm,工作压强为0.5Pa,功率为70W,在降阻膜层4顶面沉积MoO膜层,MoO膜层厚度为20nm;
S7、通过磁控溅射,在防腐蚀膜层5顶面溅射生长Mo膜层6;
具体为:采用直流磁控溅射,Mo靶,工作压强为0.4Pa,功率为120W,在防腐蚀膜层5顶面沉积Mo膜层6,Mo膜层厚度为75nm;
S8、将步骤S7得到的膜层结构放入600℃真空炉中退火,得到所述柔性薄膜太阳能电池用背电极。
将上述得到的柔性薄膜太阳能电池用背电极分别进行方阻测试、耐摩擦测试,耐腐蚀测试,方阻0.5Ω/□,采用刮膜器进行实验后发现没有脱模,并进行双85耐腐蚀测试,发现整体背电极曝露在高湿度下能够抵抗湿气长期渗透。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制;任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例。因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰,均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (3)

1.一种柔性薄膜太阳能电池用背电极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、选取聚合物基板或金属柔性基板作为柔性基底;
S2、通过离子源溅射,对柔性基底进行清洗;
S3、通过磁控溅射,在柔性基底顶面溅射生长60~120 nm厚度的合金膜层,合金膜层为CuAl、CuZn、TiAl或TiCu;
S4、通过磁控溅射,在合金膜层顶面溅射生长40~80 nm厚度的ZnAl膜层;
S5、通过磁控溅射,在ZnAl膜层顶面溅射生长20~40 nm厚度的降阻膜层,降阻膜层为Ti、Al、Ag或Cu膜层;
S6、通过磁控溅射,,在降阻膜层顶面溅射生长15~60 nm厚度的防腐蚀膜层,防腐蚀膜层为MoN、MoO、Al2O3、TixNy或TiOxNy等膜层;
S7、通过磁控溅射,在防腐蚀膜层顶面溅射生长55~75 nm厚度的Mo膜层;
S8、将步骤S7得到的膜层结构放入真空炉中退火,得到所述柔性薄膜太阳能电池用背电极。
2.根据权利要求1所述的一种柔性薄膜太阳能电池用背电极的制备方法,其特征在于,步骤S8所述退火温度为600℃。
3.根据权利要求1所述的一种柔性薄膜太阳能电池用背电极的制备方法,其特征在于,将步骤S5得到的膜层结构进行300℃的合金化再进行步骤S6。
CN201811613001.8A 2018-12-27 2018-12-27 一种柔性薄膜太阳能电池用背电极的制备方法 Pending CN109713052A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811613001.8A CN109713052A (zh) 2018-12-27 2018-12-27 一种柔性薄膜太阳能电池用背电极的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811613001.8A CN109713052A (zh) 2018-12-27 2018-12-27 一种柔性薄膜太阳能电池用背电极的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109713052A true CN109713052A (zh) 2019-05-03

Family

ID=66258766

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811613001.8A Pending CN109713052A (zh) 2018-12-27 2018-12-27 一种柔性薄膜太阳能电池用背电极的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109713052A (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013162780A2 (en) * 2012-04-25 2013-10-31 Guardian Industries Corp. Back contact for photovoltaic devices such as copper-indium-diselenide solar cells
CN104335357A (zh) * 2012-04-02 2015-02-04 罗伯特·博世有限公司 用于光伏薄层太阳能电池的多层背电极、用于制造薄层太阳能电池和薄层太阳能模块的多层背电极的应用、包含多层背电极的光伏薄层太阳能电池和模块及制造方法
CN105164815A (zh) * 2013-05-03 2015-12-16 法国圣戈班玻璃厂 用于光伏电池或模块的背接触式基板
US20160276521A1 (en) * 2010-07-15 2016-09-22 First Solar, Inc. Back contact for a photovoltaic module
CN207116444U (zh) * 2017-09-06 2018-03-16 蚌埠玻璃工业设计研究院 一种薄膜太阳能电池用多层膜结构的光伏背板玻璃

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160276521A1 (en) * 2010-07-15 2016-09-22 First Solar, Inc. Back contact for a photovoltaic module
CN104335357A (zh) * 2012-04-02 2015-02-04 罗伯特·博世有限公司 用于光伏薄层太阳能电池的多层背电极、用于制造薄层太阳能电池和薄层太阳能模块的多层背电极的应用、包含多层背电极的光伏薄层太阳能电池和模块及制造方法
WO2013162780A2 (en) * 2012-04-25 2013-10-31 Guardian Industries Corp. Back contact for photovoltaic devices such as copper-indium-diselenide solar cells
CN105164815A (zh) * 2013-05-03 2015-12-16 法国圣戈班玻璃厂 用于光伏电池或模块的背接触式基板
CN207116444U (zh) * 2017-09-06 2018-03-16 蚌埠玻璃工业设计研究院 一种薄膜太阳能电池用多层膜结构的光伏背板玻璃

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101752454B (zh) 具有陷光结构的超薄铜铟镓硒薄膜太阳电池的制备方法
CN103456802B (zh) 一种用于聚酰亚胺衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极
CN101165923A (zh) 柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池及其制备方法
WO2009006910A3 (en) Photovoltaic cell based on zinc oxide nanorods and method for making the same
CN105449010A (zh) 不锈钢衬底柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池阻挡层制备方法
CN105355676A (zh) 一种柔性cigs薄膜太阳电池的背电极结构
CN206364022U (zh) 一种太阳能薄膜电池
TWI456772B (zh) 用於太陽能電池之透明電極及其製造方法
CN103354246A (zh) 铜铟镓硒太阳电池背电极Mo薄膜及其制备工艺
CN104396020A (zh) 用于类似铜铟亚盐酸太阳能电池的光伏器件的后接触结构
CN107768453A (zh) 一种具有复合背电极的碲化镉薄膜电池及其制备方法
CN205900560U (zh) 一种有效阻挡铁扩散的不锈钢柔性衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池
CN106784151B (zh) 一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池制备方法
CN104377261B (zh) 一种制备CdTe薄膜太阳能电池板方法
CN101497992A (zh) 用等离子体轰击制备绒面氧化锌透明导电镀膜玻璃的方法
CN103367479A (zh) 一种柔性太阳能电池绒面导电衬底及其制备方法
CN105322035A (zh) 不锈钢箔太阳能电池及其制备方法
CN209056508U (zh) 一种柔性可弯曲cigs薄膜太阳能电池
CN109713052A (zh) 一种柔性薄膜太阳能电池用背电极的制备方法
CN208674138U (zh) 一种柔性cigs太阳能电池组件
CN109494304A (zh) 一种太阳能电池高透高导薄膜电极的制备方法
Liu et al. Effect of vacuum thermal annealing on a molybdenum bilayer back contact deposited by radio-frequency magnetron sputtering for chalcogenide-and kesterite-based solar cells
Lee et al. Highly transparent and flexible TiN doped In2O3 (ITON)/Ag-Ti/ITON multilayer electrodes coated on polyethylene terephthalate substrate
CN208284484U (zh) 一种cigs光伏叠瓦组件
CN109545869A (zh) 一种双面三端子的柔性碲化镉太阳电池

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190503