CN109712902A - 一种自动扫描缺陷的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种自动扫描缺陷的方法，应用于缺陷扫描工艺中，包括步骤S1，确定多个预设的缺陷扫描策略，并根据扫描精度由上至下对多个缺陷扫描策略进行排列；步骤S2，根据扫描精度最大的缺陷扫描策略对晶圆进行扫描，并持续监控以得到晶圆上晶粒的已扫描数量以及缺陷数量；步骤S3，根据缺陷数量和已扫描数量，依照一预设的计算策略计算得到于本次选择的缺陷扫描策略下的预测缺陷数量；步骤S4，判断预测缺陷数量是否超出一预设的对应于本次选择的缺陷扫描策略的缺陷数量阈值；步骤S2‑S4循环进行，直至对晶圆上所有晶粒均扫描完毕为止。本发明的有益效果在于：通过进行实时预测来更换缺陷扫描策略来得到完整的缺陷晶圆缺陷分布图，从而降低人力物力。
Description
技术领域
本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种自动扫描缺陷的方法。
背景技术
随着集成电路生产工艺过程的复杂程度不断提高，与此同时器件尺寸不断缩小，晶圆表面图形的复杂程度也越来越高，因此晶圆缺陷扫描的难度也越来越高。例如在进行晶圆缺陷扫描的过程中，当晶圆表面缺陷数量过多或者缺陷扫描程式过于灵敏时，都会造成扫描缺陷数量过高，从而导致造成扫描结果文件过大，进而无法得到完整的晶圆缺陷分布图或者降低信息读取速度，由此可见，合理的晶圆缺陷扫描方法能提高生产的效率，缺陷判断的精确度及文件管理的方便性。
现有技术中，缺陷扫描机台的缺陷扫描程式(scan recipe)中只设置一个晶圆缺陷扫描覆盖区域(Coverage Strategy)，即整个扫描过程只用一个晶圆缺陷扫描覆盖区域来进行，然而现有的缺陷扫描机台往往设置精度过于灵敏缺陷扫描程序，因此会导致扫描缺陷数量过高，从而无法得到完整晶圆缺陷分布图，进而需要人为进行调整，提高扫描成本。
发明内容
针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种旨在通过设置多个不同精度的缺陷扫描策略对晶圆进行扫描，并进行实时预测来更换缺陷扫描策略，从而得到完整的缺陷晶圆缺陷分布图，进而降低人力物力的自动扫描缺陷的方法。
具体技术方案如下：
一种自动扫描缺陷的方法，应用于缺陷扫描工艺中，其中，包括以下步骤：
步骤S1，确定多个预设的缺陷扫描策略，并根据扫描精度由上至下对多个缺陷扫描策略进行排列；
步骤S2，根据扫描精度最大的缺陷扫描策略对晶圆进行扫描，并持续监控以得到晶圆上晶粒的已扫描数量以及缺陷数量；
步骤S3，根据缺陷数量和已扫描数量，依照一预设的计算策略计算得到于本次选择的缺陷扫描策略下的预测缺陷数量；
步骤S4，判断预测缺陷数量是否超出一预设的对应于本次选择的缺陷扫描策略的缺陷数量阈值；
若是，则选择下一个缺陷扫描策略继续扫描晶圆，同时返回步骤S2；
若否，则直接返回步骤S2，以继续采用当前的缺陷扫描策略继续扫描晶圆；
步骤S2-S4循环进行，直至对晶圆上所有晶粒均扫描完毕为止。
优选的，自动扫描缺陷的方法，其中，各个缺陷扫描策略中，分别提供多个扫描图形，并采用各个扫描图形扫描晶圆上对应的图形单元，被扫描的各个图形单元相邻；
各个扫描图形相互之间不重叠；
各个扫描图形叠加能够覆盖晶圆上的所有晶粒。
优选的，自动扫描缺陷的方法，其中，步骤S1具体包括以下步骤：
根据晶圆的制程选择对应的多个预设的缺陷扫描策略，并根据预设的缺陷扫描策略的精度进行排列；
当晶圆的制程为与图形相关的制程时，预设的缺陷扫描策略为隔行扫描策略；
当晶圆的制程为与无图形相关的制程时，预设的缺陷扫描策略为晶粒数扫描策略。
优选的，自动扫描缺陷的方法，其中，隔行扫描策略根据扫描图形中每行之间的间距来确定隔行扫描策略的扫描精度。
优选的，自动扫描缺陷的方法，其中，晶粒数扫描策略根据扫描区域的缺陷晶粒数量来确定晶粒数扫描策略的扫描精度。
优选的，自动扫描缺陷的方法，其中，步骤S2-S4循环的次数超出一预设循环次数时，判断缺陷扫描失败。
优选的，自动扫描缺陷的方法，其中，预设循环次数为2次。
优选的，自动扫描缺陷的方法，其中，预设的计算策略具体包括以下步骤：
步骤C1，获得当前扫描的扫描晶粒的数量和当前扫描的缺陷数量；
步骤C2，通过以下公式计算得到每个扫描晶粒的平均缺陷数量；
a＝x÷y；
其中，a用于表示每个扫描晶粒的平均缺陷数量；
x用于表示当前扫描的缺陷数量；
y用于表示当前扫描的扫描晶粒的数量；
步骤C3，获取当前晶圆的晶粒的数量，将平均缺陷数量结合晶粒的数量通过以下公式计算得到预测缺陷数量；
b＝ac；
其中，b用于表示预测缺陷数量；
c用于表示当前晶圆的晶粒的数量。
优选的，自动扫描缺陷的方法，其中，步骤S5中的预设的缺陷数量阈值为100000颗。
上述技术方案具有如下优点或有益效果：通过设置多个不同精度的缺陷扫描策略对晶圆进行扫描，并进行实时预测来更换缺陷扫描策略，从而得到完整的缺陷晶圆缺陷分布图，进而降低人力物力。
附图说明
参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。
图1为本发明自动扫描缺陷的方法实施例的流程图；
图2A为本发明自动扫描缺陷的方法实施例的隔行扫描策略覆盖图A；
图2B为本发明自动扫描缺陷的方法实施例的隔行扫描策略覆盖图B；
图3A为本发明自动扫描缺陷的方法实施例的晶粒数扫描策略覆盖图A；
图3B为本发明自动扫描缺陷的方法实施例的晶粒数扫描策略覆盖图B；
图3C为本发明自动扫描缺陷的方法实施例的晶粒数扫描策略覆盖图C。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
一种自动扫描缺陷的方法，应用于缺陷扫描工艺中，如图1所示，包括以下步骤：
步骤S1，确定多个预设的缺陷扫描策略，并根据扫描精度由上至下对多个缺陷扫描策略进行排列；
步骤S2，根据扫描精度最大的缺陷扫描策略对晶圆进行扫描，并持续监控以得到晶圆上晶粒的已扫描数量以及缺陷数量；
步骤S3，根据缺陷数量和已扫描数量，依照一预设的计算策略计算得到于本次选择的缺陷扫描策略下的预测缺陷数量；
步骤S4，判断预测缺陷数量是否超出一预设的对应于本次选择的缺陷扫描策略的缺陷数量阈值；
若是，则选择下一个缺陷扫描策略继续扫描晶圆，同时返回步骤S2；
若否，则直接返回步骤S2，以继续采用当前的缺陷扫描策略继续扫描晶圆；
步骤S2-S4循环进行，直至对晶圆上所有晶粒均扫描完毕为止。
进一步地，作为优选的实施方式，首先设置多个不同精度的缺陷扫描策略，其次根据扫描精度最大的缺陷扫描策略对晶圆的晶粒进行扫描，通过实时监控以得到当前扫描的扫描晶粒的数量和缺陷数量，然后机台根据计算策略计算得到预测缺陷数量，再将预测缺陷数量和缺陷数量阈值进行比较，选择是否更换精度低于当前精度的缺陷扫描策略，继续扫描晶圆，其中进行更换扫描策略时，一定要保证能得到完整的缺陷晶圆缺陷分布图，即晶圆的每个晶粒都要进行扫描，从而得到完整的缺陷晶圆缺陷分布图，进而降低人力物力。
进一步地，在上述实施例中，各个缺陷扫描策略中，分别提供多个扫描图形，并采用各个扫描图形扫描晶圆上对应的图形单元，被扫描的各个图形单元相邻；
各个扫描图形相互之间不重叠；
各个扫描图形叠加能够覆盖晶圆上的所有晶粒。
上述实施例中，通过多个不重叠扫描图形，并且各个扫描图形叠加能够覆盖晶圆上的所有晶粒来对晶圆进行扫描以实现对晶圆的每个晶粒都进行扫描，从而得到完整的缺陷晶圆缺陷分布图，进而降低人力物力。
进一步地，在上述实施例中，步骤S1具体包括以下步骤：
根据晶圆的制程选择对应的多个预设的缺陷扫描策略，并根据预设的缺陷扫描策略的精度进行排列；
当晶圆的制程为与图形相关的制程时，预设的缺陷扫描策略为隔行扫描策略；
当晶圆的制程为与无图形相关的制程时，预设的缺陷扫描策略为晶粒数扫描策略。
在上述实施例中，通过根据当前晶圆的不同制程来选择对应的缺陷扫描策略，从而实现针对不同制程的晶圆进行不同的扫描，进而更方便地获得不同制程下的晶圆对应的缺陷晶圆缺陷分布图。
进一步地，在上述实施例中，隔行扫描策略根据扫描图形中每行之间的间距来确定隔行扫描策略的扫描精度。
进一步地，作为优选的实施方式，针对图形相关的制程，如图2A所示(图中的阴影部分表示扫描图形的覆盖区域)，先提供两个扫描图形，并且扫描图形中每行之间的间距为一行，即扫描图形为隔行的扫描图形，接着采用两个扫描图形同时扫描晶圆上对应的图形单元，被扫描的两个图形单元相邻，而且两个扫描图形相互之间不重叠以及各个扫描图形叠加能够覆盖晶圆上的所有晶粒，从而保证通过两个扫描图形可以扫描到晶圆上的所有晶粒，即实现得到完整的缺陷晶圆缺陷分布图，进而避免由于光罩问题所造成的缺陷无法被扫描的问题。
实时监控上述隔行扫描策略对晶圆进行扫描的过程，并实时计算预测缺陷数量，如果预测缺陷数量超出预设的缺陷数量阈值，如图2B(图中的阴影部分表示扫描图形的覆盖区域)所示，则选择三个扫描图形，并且扫描图形中每行之间的间距为两行，即扫描图形为隔两行的扫描图形，接着采用各个扫描图形同时扫描晶圆上对应的图形单元，继续扫描当前晶圆的晶粒。
需要说明的是，被扫描的三个图形单元相邻，而且三个扫描图形相互之间不重叠以及各个扫描图形叠加能够覆盖晶圆上的所有晶粒，从而保证通过三个扫描图形可以扫描到晶圆上的所有晶粒，即实现得到完整的缺陷晶圆缺陷分布图，进而避免由于光罩问题所造成的缺陷无法被扫描的问题。
以此类推，在保证得到即实现得到完整的缺陷晶圆缺陷分布图的前提下，选择数量不同和结构也不同的扫描图形来完成整片晶圆的缺陷扫描。
需要说明的是，在上述通过相邻的三个扫描图形同时对晶圆进行扫描时，通过计算得到的预测缺陷数量还是超出预设的缺陷数量阈值时，最好及时确认晶圆自身是否出现异常，如果晶圆自身出现异常时判定为扫描失败。
进一步地，在上述实施例中，晶粒数扫描策略根据扫描区域的缺陷晶粒数量来确定晶粒数扫描策略的扫描精度。
进一步地，作为优选的实施方式，针对无图形相关的制程，根据当前的缺陷数量自动选择适合的晶粒数扫描策略，如图3A(图中的阴影部分表示扫描图形的覆盖区域)所示，按照晶粒数扫描策略的最大精度进行扫描，并实时计算预测缺陷数量，当预测缺陷数量超出预设的缺陷数量阈值，如图3B-3C(图中的阴影部分表示扫描图形的覆盖区域)所示，选择精度低于当前精度的晶粒数扫描策略继续扫描晶圆的晶粒，以此类推，在保证得到即实现得到完整的缺陷晶圆缺陷分布图的前提下，选择精度不同的晶粒数扫描策略来完成整片晶圆的缺陷扫描。
需要说明的是，在更换多次晶粒数扫描策略对晶圆进行扫描后通过计算得到的预测缺陷数量还是超出预设的缺陷数量阈值时，最好及时确认晶圆自身是否出现异常，如果晶圆自身出现异常时判定为扫描失败。
进一步地，在上述实施例中，步骤S2-S4循环的次数超出一预设循环次数时，判断缺陷扫描失败。
进一步地，在上述实施例中，预设循环次数为2次。
进一步地，在上述实施例中，预设的计算策略具体包括以下步骤：
步骤C1，获得当前扫描的扫描晶粒的数量和当前扫描的缺陷数量；
步骤C2，通过以下公式计算得到每个扫描晶粒的平均缺陷数量；
a＝x÷y；
其中，a用于表示每个扫描晶粒的平均缺陷数量；
x用于表示当前扫描的缺陷数量；
y用于表示当前扫描的扫描晶粒的数量；
步骤C3，获取当前晶圆的晶粒的数量，将平均缺陷数量结合晶粒的数量通过以下公式计算得到预测缺陷数量；
b＝ac；
其中，b用于表示预测缺陷数量；
c用于表示当前晶圆的晶粒的数量。
上述实施例中，仅仅通过简单的计算就得到预测缺陷数量，方法简单有效。
进一步地，在上述实施例中，步骤S5中的预设的缺陷数量阈值为100000颗。
综上，通过设置多个不同精度的缺陷扫描策略对晶圆进行扫描，并进行实时预测来更换缺陷扫描策略，从而减少由于晶圆缺陷数量过于巨大而造成文件过大，数据传输困难以及数据传输中断的问题，进而得到完整的缺陷晶圆缺陷分布图，并且降低人力物力。
以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。
Claims (9)
1.一种自动扫描缺陷的方法，应用于缺陷扫描工艺中，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1，确定多个预设的缺陷扫描策略，并根据扫描精度由上至下对多个所述缺陷扫描策略进行排列；
步骤S2，根据扫描精度最大的所述缺陷扫描策略对晶圆进行扫描，并持续监控以得到晶圆上晶粒的已扫描数量以及缺陷数量；
步骤S3，根据所述缺陷数量和所述已扫描数量，依照一预设的计算策略计算得到于本次选择的所述缺陷扫描策略下的预测缺陷数量；
步骤S4，判断所述预测缺陷数量是否超出一预设的对应于本次选择的所述缺陷扫描策略的缺陷数量阈值；
若是，则选择下一个所述缺陷扫描策略继续扫描所述晶圆，同时返回所述步骤S2；
若否，则直接返回所述步骤S2，以继续采用当前的所述缺陷扫描策略继续扫描所述晶圆；
所述步骤S2-S4循环进行，直至对晶圆上所有晶粒均扫描完毕为止。
2.如权利要求1所述的自动扫描缺陷的方法，其特征在于，各个所述缺陷扫描策略中，分别提供多个扫描图形，并采用各个所述扫描图形扫描所述晶圆上对应的图形单元，被扫描的各个所述图形单元相邻；
各个所述扫描图形相互之间不重叠；
各个所述扫描图形叠加能够覆盖所述晶圆上的所有所述晶粒。
3.如权利要求2所述的自动扫描缺陷的方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括以下步骤：
根据所述晶圆的制程选择对应的多个预设的缺陷扫描策略，并根据预设的所述缺陷扫描策略的精度进行排列；
当所述晶圆的制程为与图形相关的制程时，预设的所述缺陷扫描策略为隔行扫描策略；
当所述晶圆的制程为与无图形相关的制程时，预设的所述缺陷扫描策略为晶粒数扫描策略。
4.如权利要求3所述的自动扫描缺陷的方法，其特征在于，所述隔行扫描策略根据所述扫描图形中每行之间的间距来确定所述隔行扫描策略的所述扫描精度。
5.如权利要求3所述的自动扫描缺陷的方法，其特征在于，所述晶粒数扫描策略根据所述扫描区域的缺陷晶粒数量来确定所述晶粒数扫描策略的所述扫描精度。
6.如权利要求1所述的自动扫描缺陷的方法，其特征在于，所述步骤S2-S4循环的次数超出一预设循环次数时，判断所述缺陷扫描失败。
7.如权利要求6所述的自动扫描缺陷的方法，其特征在于，所述预设循环次数为2次。
8.如权利要求1所述的自动扫描缺陷的方法，其特征在于，所述预设的计算策略具体包括以下步骤：
步骤C1，获得当前扫描的所述扫描晶粒的数量和当前扫描的所述缺陷数量；
步骤C2，通过以下公式计算得到每个所述扫描晶粒的平均所述缺陷数量；
a＝x÷y；
其中，a用于表示每个所述扫描晶粒的平均所述缺陷数量；
x用于表示当前扫描的所述缺陷数量；
y用于表示当前扫描的所述扫描晶粒的数量；
步骤C3，获取当前所述晶圆的所述晶粒的数量，将所述平均所述缺陷数量结合所述晶粒的数量通过以下公式计算得到所述预测缺陷数量；
b＝ac；
其中，b用于表示预测缺陷数量；
c用于表示当前所述晶圆的所述晶粒的数量。
9.如权利要求1所述的自动扫描缺陷的方法，其特征在于，所述步骤S5中的预设的所述缺陷数量阈值为100000颗。
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020224612A1 (zh) * | 2019-05-07 | 2020-11-12 | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 | 自动侦测并卡控晶圆上缺陷的方法和系统 |
| CN111933538A (zh) * | 2019-05-13 | 2020-11-13 | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 | 用于晶圆缺陷扫描的方法、设备及计算机可读存储介质 |
| CN112444526A (zh) * | 2019-09-05 | 2021-03-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 缺陷检测方法及缺陷检测系统 |
| CN112683210A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-04-20 | 上海利扬创芯片测试有限公司 | 用于晶圆测试的map图偏移检测方法 |
| CN112735959A (zh) * | 2019-10-28 | 2021-04-30 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆检测方法及晶圆检测装置 |
| CN113092496A (zh) * | 2021-04-06 | 2021-07-09 | 深圳市卓兴半导体科技有限公司 | 一种检测晶圆分布范围的方法、系统及存储介质 |
| WO2021184526A1 (zh) * | 2020-03-20 | 2021-09-23 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 检测对象缺陷图案的优先级排序装置、排序方法及存储介质 |
| CN114152631A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-03-08 | 上海华力微电子有限公司 | 一种晶圆缺陷扫描方法及系统 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105280512A (zh) * | 2015-09-17 | 2016-01-27 | 上海华力微电子有限公司 | 一种扫描程式运用阈值修正进行晶圆检测的方法 |
| CN105691404A (zh) * | 2014-11-28 | 2016-06-22 | 上海汽车集团股份有限公司 | 车辆加速踏板零点位置诊断方法及装置 |
-
2018
- 2018-12-25 CN CN201811595214.2A patent/CN109712902B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105691404A (zh) * | 2014-11-28 | 2016-06-22 | 上海汽车集团股份有限公司 | 车辆加速踏板零点位置诊断方法及装置 |
| CN105280512A (zh) * | 2015-09-17 | 2016-01-27 | 上海华力微电子有限公司 | 一种扫描程式运用阈值修正进行晶圆检测的方法 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020224612A1 (zh) * | 2019-05-07 | 2020-11-12 | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 | 自动侦测并卡控晶圆上缺陷的方法和系统 |
| US20220223481A1 (en) * | 2019-05-07 | 2022-07-14 | Xuzhou Xinjing Semiconductor Technology Co., Ltd. | Method and system for automatically detecting and controlling defects on wafer |
| CN111933538A (zh) * | 2019-05-13 | 2020-11-13 | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 | 用于晶圆缺陷扫描的方法、设备及计算机可读存储介质 |
| CN112444526A (zh) * | 2019-09-05 | 2021-03-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 缺陷检测方法及缺陷检测系统 |
| CN112735959A (zh) * | 2019-10-28 | 2021-04-30 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆检测方法及晶圆检测装置 |
| CN112735959B (zh) * | 2019-10-28 | 2022-03-18 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆检测方法及晶圆检测装置 |
| WO2021184526A1 (zh) * | 2020-03-20 | 2021-09-23 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 检测对象缺陷图案的优先级排序装置、排序方法及存储介质 |
| CN112683210A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-04-20 | 上海利扬创芯片测试有限公司 | 用于晶圆测试的map图偏移检测方法 |
| CN113092496A (zh) * | 2021-04-06 | 2021-07-09 | 深圳市卓兴半导体科技有限公司 | 一种检测晶圆分布范围的方法、系统及存储介质 |
| CN113092496B (zh) * | 2021-04-06 | 2022-10-04 | 深圳市卓兴半导体科技有限公司 | 一种检测晶圆分布范围的方法、系统及存储介质 |
| CN114152631A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-03-08 | 上海华力微电子有限公司 | 一种晶圆缺陷扫描方法及系统 |
Also Published As
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