CN109698206A - 阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，该阵列基板具有衬底基板、功能膜层和反射金属层；其中，功能膜层位于反射金属层与衬底基板之间，且功能膜层中形成有凹陷结构；通过在功能膜层的凹陷结构处形成无机平坦化结构，以使在衬底基板指向反射金属层的方向上，反射金属层靠近衬底基板的一侧表面与衬底基板靠近反射金属层的一侧表面的各个位置之间的距离差小于第一预设值。本发明实施例能够减小显示面板不同位置之间的显示亮度差异，提高显示面板的显示均匀性，从而提高显示面板的显示效果。

Description

阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
背景技术
液晶显示器可应用于个人数字助理、笔记本电脑等电子设备，其具有工作电压低、功耗低的特点。液晶显示器按照其光源主要分为反射式液晶显示器和透射式液晶显示器，其中，反射式液晶显示器通过外部提供的光源进行显示发光，更具低功耗和轻薄的特点。
当前，反射式液晶显示器设置有薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板、滤光基板、以及位于TFT阵列基板和滤光基板之间的液晶层。反射式液晶显示器通过在TFT阵列基板靠近液晶层的一侧设置反射材料层，以取代透射式液晶显示器的背光源，能够在外界环境光提供的光源充足时，利用镜面反射的原理，以使光线照亮屏幕。然而，由于TFT的结构使得TFT阵列基板上形成的反射材料层存在高度差，从而造成反射式液晶显示器成盒后出现盒厚不均的现象，而外界环境光经过不同盒厚位置时，存在一定的光程差，由此将影响反射式液晶显示器的显示质量。
现有技术中，通过采用有机材料形成有机平坦化层对TFT基板进行平坦化，以消除TFT基板的高度差。而TFT基板的各功能膜层的材料通常为无机材料，由于采用无机材料形成的TFT基板的各功能膜层的制备产线，与有机材料形成有机平坦化层的制备产线不同。当采用有机平坦化层对TFT基板的各功能膜层进行平坦化时，需要不断地更换产线，由此造成生产效率低，生产成本高。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，能够，利用无机平坦化化结构弥补TFT基板上的高度差，减小了制作薄膜晶体管时曝光高度与刻蚀高度的差异，改善了由高度差影响外界环境光在显示面板中传播时存在光程差的问题，进而提高了显示面板的显示均匀性。
第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板上的功能膜层；所述功能膜层形成有凹陷结构；
位于所述功能膜层背离所述衬底基板一侧的反射金属层；
多个无机平坦化结构；其中，所述无机平坦化结构位于所述凹陷结构处；
在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述反射金属层靠近所述衬底基板的一侧表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧表面的各个位置之间的距离差小于第一预设值。
第二方面，本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法，包括。
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成功能膜层；所述功能膜层形成有凹陷结构；
在所述功能膜层背离所述衬底基板的一侧形成反射金属层；
其中，所述方法还包括：在所述功能膜层形成的凹陷结构处形成多个无机平坦化结构；在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述反射金属层靠近所述衬底基板的一侧表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧表面的各个位置之间的距离差小于第一预设值。
第三方面，本发明实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括上述阵列基板。
第四方面，本发明实施例提供的一种显示装置，该显示装置包括上述显示面板。
本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，该阵列基板具有衬底基板、功能膜层和反射金属层；其中，功能膜层位于反射金属层与衬底基板之间，且功能膜层中形成有凹陷结构；通过在功能膜层的凹陷结构处形成无机平坦化结构，以使在衬底基板指向反射金属层的方向上，反射金属层靠近衬底基板的一侧表面与衬底基板靠近反射金属层的一侧表面的各个位置之间的距离差小于第一预设值。本发明实施例能够解决现有技术中，由于功能膜层上的凹陷结构，致使反射金属层的反射面凹凸不平，造成显示面板出现具有较大的盒厚差，光源从显示面板的显示面入射，并经反射金属层反射至显示面板显示面的过程中具有较大的光程差，从而使显示面板中显示面的各个位置的亮度存在较大差异，进而影响显示面板的显示效果的技术问题。本发明实施例提供的阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，一方面，阵列基板的各功能膜层为无机材料制备的膜层，在功能膜层的凹陷结构处设置无机平坦化结构的材料也为无机材料，在制备阵列基板时无需反复更换设备及产线，能够提高生产效率，降低生产成本；另一方面，在功能膜层的凹陷结构处设置平坦化结构，使得反射金属层靠近衬底基板的一侧表面与衬底基板靠近反射金属层的一侧表面的各个位置之间的距离差在预设范围内，从而使光源由显示面板的显示面入射，并经反射金属层的反射面反射至显示面板显示面的过程中产生的光程差在预设范围内，防止显示面板中显示面的各个位置的亮度存在较大差异，进而提高显示面板的显示效果。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种现有技术中阵列基板的结构示意图；
图2是一种现有技术中阵列基板的像素单元的俯视结构示意图；
图3是本发明实施例提供的第一种阵列基板的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的第二种阵列基板的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的第三种阵列基板的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的第四种阵列基板的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的第五种阵列基板的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的第六种阵列基板的结构示意图；
图9是本发明实施例提供的第七种阵列基板的结构示意图；
图10是本发明实施例提供的第八种阵列基板的结构示意图；
图11是本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程图；
图12～图14是本发明实施例提供的一种阵列基板的制备流程的结构示意图；
图15是本发明实施例提供的一种功能膜层的制备方法的流程图；
图16～图17是本发明实施例提供的一种功能膜层的制备流程的结构示意图；
图18是本发明实施例提供的另一种功能膜层的制备方法的流程图；
图19～图22是本发明实施例提供的另一种功能膜层的制备流程的结构示意图；
图23是本发明实施例提供的又一种功能膜层的制备方法的流程图；
图24～图25是本发明实施例提供的又一种功能膜层的制备流程的结构示意图；
图26是本发明实施例提供的还一种功能膜层的制备方法的流程图；
图27～图28是本发明实施例提供的还一种功能膜层的制备流程的结构示意图；
图29是本发明实施例提供的再另一种功能膜层的制备方法的流程图；
图30～图32是本发明实施例提供的再另一种功能膜层的制备流程的结构示意图；
图33是本发明实施例提供的再又一种功能膜层的制备方法的流程图；
图34～图35是本发明实施例提供的再又一种功能膜层的制备流程的结构示意图；
图36是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图37是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图38是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
本发明实施例提供的一种阵列基板，该阵列基板包括衬底基板、位于衬底基板上的功能膜层、位于功能膜层背离衬底基板一侧的反射金属层、以及多个无机平坦化结构；其中，功能膜层中具有凹陷结构，无机平坦化结构位于凹陷结构处；在衬底基板指向反射金属层的方向上，反射金属层靠近衬底基板的一侧表面与衬底基板靠近反射金属层的一侧表面的各个位置之间的距离差小于第一预设值。
图1为本发明实施例提供的一种现有技术中阵列基板的结构示意图；图2是一种现有技术中阵列基板的像素单元的俯视结构示意图。结合图1和图2，反射式液晶显示面板的阵列基板10的反射金属层13能够将显示面板的显示面入射的光反射至显示面，以实现显示面板的显示功能。阵列基板10的反射金属层13与衬底基板11之间还设置有功能膜层12，该功能膜层12例如可以包括形成于衬底基板上的栅线15和数据线16，该栅线15和数据线16交叉定义多个像素单元，每一像素单元均包括薄膜晶体管14、存储电容(图中未示出)、像素电极层(图中未示出)和公共电极(图中未示出)等。其中，薄膜晶体管14的源极和漏极分别与数据线16和像素电极电连接，薄膜晶体管14的栅极与栅线15电连接；反射金属层13至少覆盖像素单元的像素电极。为使功能膜层12的各个膜层实现其特定的功能，需对各膜层进行图案化，由此将致使形成于功能膜层12上的反射金属层13的反射面130呈现凹凸不平的结构，从而使得反射金属层13的反射面130具有较大的断差ΔH。
在反射式液晶显示面板的阵列基板中，反射金属层13的反射面130的断差ΔH是造成显示面板盒厚不均的关键因素，即可以将反射金属层13反射面130的断差等同于显示面板的盒厚差。反射金属层13的反射面130的断差ΔH将致使光源从显示面板的显示面入射到达反射金属层13的反射面130，再由反射金属层13的反射面反射至显示面进行发光显示的过程中，显示面的各个位置入射的光源之间具有光程差，从而使显示面板中显示面的各个位置的亮度存在较大差异，影响显示面板的显示效果。
本发明实施例提供的阵列基板通过在功能膜层的凹陷结构处设置无机平坦化结构，以使在衬底基板指向反射金属层的方向上，反射金属层靠近衬底基板的一侧表面与衬底基板靠近反射金属层的一侧表面的各个位置之间的距离差在预设范围内。一方面，阵列基板的各功能膜层为无机材料制备的膜层，在功能膜层的凹陷结构处设置无机平坦化结构的材料也为无机材料，在制备阵列基板时无需反复更换设备及产线，能够提高生产效率，降低生产成本；另一方面，在功能膜层的凹陷结构处设置平坦化结构，使得反射金属层靠近衬底基板的一侧表面与衬底基板靠近反射金属层的一侧表面的各个位置之间的距离差在预设范围内，从而使光源由显示面板的显示面入射，并经反射金属层的反射面反射至显示面板显示面的过程中产生的光程差在预设范围内，防止显示面板中显示面的各个位置的亮度存在较大差异，进而提高显示面板的显示效果。
以上是本发明的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图3是本发明实施例提供的第一种阵列基板的结构示意图。如图3，阵列基板20包括衬底基板21、位于衬底基板21上的功能膜层22、以及位于功能膜层22远离衬底基板21一侧的反射金属层23；其中，功能膜层22中具有凹陷结构，通过在功能膜层22的凹陷结构处设置无机平坦化结构24，以使在衬底基板21指向反射金属层23的方向Y上，反射金属层23靠近衬底基板21的一侧表面231与衬底基板21靠近反射金属层23的一侧表面211的各个位置之间的距离差ΔH1小于第一预设值ΔY1。
具体的，阵列基板20的衬底基板21上设置的功能膜层22经图案化的工艺过程，例如刻蚀、曝光等工艺过程，而形成凹陷结构。通过在功能膜层22的凹陷结构处设置平坦化结构24，补偿功能膜层22的凹陷结构形成的断差，以使反射金属层23靠近衬底基板21的一侧表面231与衬底基板21靠近反射金属层23的一侧表面211的各个位置之间的距离差ΔH1在小于第一预设值ΔY1的范围内，即反射金属层23的反射面232的各个位置相对于衬底基板21的表面211的高度之间的高度差在预设范围内。如此，由光源提供的入射光经反射金属层23的反射面232的不同位置反射至同一平面时，反射金属层23的反射面232的不同位置反射光之间的光程差在预设范围内，以防反射金属层23的反射面232的不同位置反射至同一平面的光之间存在较大的亮度差异。
示例性的，如图3，由环境光S提供的入射光经反射金属层23的反射面232的A点和B点反射至显示面板的显示面M，分别形成反射光A1和反射光B1。由于反射金属层23靠近衬底基板21的一侧表面231与衬底基板21靠近反射金属层23的一侧表面211的各个位置之间具有距离差ΔH1，致使反射金属层23的反射面232存在断差，因而反射光A1和反射光B1之间具有光程差Δr，该光程差Δr的存在使显示面板中显示面的各个位置的亮度L存在差异。由于在显示面板的显示面M显示白画面时，人眼对亮度的敏感性较差，而在显示面板的显示面M显示黑画面时，人眼对亮度的敏感性较强。因此在黑画面时，显示面板中显示面的各个位置的亮度L的差异尤其明显。
若反射光的光程与亮度L相关，且反射金属层23的反射面232与显示面M之间的距离与反射光的光程相关，则有反射金属层23的反射面232与显示面M之间的距离与亮度L相关。即当反射金属层23的反射面232与显示面M之间的距离为D时，由反射面反射至显示面的反射光的亮度为L；而当反射金属层23的反射面232与显示面M之间的距离为D+Δd时，由反射面反射至显示面的反射光的亮度为L×ω，ω为亮度系数。如此，则有反射金属层23靠近衬底基板21的一侧表面231与衬底基板21靠近反射金属层23的一侧表面211的各个位置之间的距离差ΔH1与亮度系数ω之间具有如下关系：
由此可知，在功能膜层22的凹陷结构处补偿无机平坦化结构24能够使距离差ΔH1小于第一预设值ΔY1，此时可使ω大于一定的值，如此可缩小由反射面232反射至显示面M的反射光的亮度L与L×ω之间的亮度差，从而提高显示面板的显示效果。
示例性的，对于具有1.28寸显示面板的反射式液晶显示装置，若使显示面板的盒厚差对显示面板各个位置显示发光的亮度之间的亮度差控制在一定的范围内，例如亮度系数ω不小于92％，此时根据阵列基板20上反射金属层23各个位置与衬底基板21之间的距离差ΔH1和反射金属层23背离衬底基板23一侧的表面与显示面板的显示面M之间的距离D与亮度系数ω之间关系可知，距离差ΔH1与距离D的比值1-ω应不大于8％。通过在1.28寸显示面板中阵列基板20的功能膜层22的凹陷结构处设置平坦化结构24，以使距离差ΔH1与距离D的比值1-ω不大于8％，从而使亮度系数ω不小于92％，防止因阵列基板20的功能膜层22的凹陷结构，致使显示面板的显示面的显示亮度存在较大的亮度差异的现象产生，进而提高1.28寸显示面板的反射式液晶显示装置的显示效果。
可选的，无机平坦化结构24可以包括无机绝缘材料。在本发明实施例中，阵列基板10的功能膜层22为无机材料的膜层，在不影响阵列基板20功能膜层的性能下，无机平坦化结构24的材料可以为任意无机材料，例如可以为无机非金属或金属材料。如此，无机平坦化结构24可与阵列基板20的功能膜层在同一产线上形成，从而无需频繁更换产线，提高生产效率，降低生产成本。
图3中无机平坦化结构24位于功能膜层22的膜层内，需要说明的是，图3仅为本发明实施例示例性的附图。在本发明其它实施例中，无机平坦化结构的位置和结构可依据功能膜层的具体结构和功能来设置。
可选的，图4是本发明实施例提供的第二种阵列基板的结构示意图。如图4，阵列基板20的功能膜层22包括位于衬底基板21靠近反射金属层23一侧的第一金属层2201，第一金属层2201包括栅极图案2211和电容的第一电极图案2212；凹陷结构包括多个第一电极图案2212之间形成的第一凹陷结构；无机平坦化结构包括位于第一凹陷结构内第一无机平坦化结构241；在衬底基板21指向反射金属层23的方向Y上，第一无机平坦化结构241与第一电极图案242的厚度差ΔT1小于第一预设厚度ΔY2。
具体的，为实现显示面板的显示、触控等功能，显示面板的阵列基板中通常设置有薄膜晶体管、电容等器件。本实施例中阵列基板20的薄膜晶体管至少包括栅极图案2211，电容至少包括第一电极图案2212。其中，栅极图案2211和第一电极图案2212可采用同种材料在同一工艺中形成，从而能够简化工艺步骤，降低生产成本，提高生产效率。由于阵列基板20具有多个电容，多个电容包括多个第一电极图案2212，该多个第一电极图案2212之间具有间隙，从而形成第一凹陷结构。通过在第一凹陷结构中设置第一无机平坦化结构241，能够使得在衬底基板21指向反射金属层23的方向Y上，第一无机平坦化结构241的厚度T1与第一电极图案2212的厚度T2之间的厚度差ΔT1小于第一预设厚度ΔY2，以使反射金属层23的反射面232因第一电极图案2212形成的断差设定在预设的范围内。如此设置，由反射金属层23的反射面232的不同位置反射的光到达显示面板的显示面产生的光程差在预设范围内，从而缩小由反射面232的不同位置反射至显示面板的显示面的反射光之间的亮度差异，以提高显示面板的显示效果。同时，第一无机平坦化结构可选为无机非金属材料，一方面能够不影响电容存储电能的性质，另一方面可与阵列基板20的功能膜层在同一工艺流程下制备，以提高生产效率，降低生产成本。
可选的，图5是本发明实施例提供的第三种阵列基板的结构示意图。如图5，阵列基板20的功能膜层包括：位于衬底基板21靠近反射金属层23一侧的第二金属层2202，且该第二金属层2202包括源漏电极图案；位于第二金属层2202背离衬底基板21一侧的层间绝缘层2203；以及位于层间绝缘层2203背离衬底基板21一侧的像素电极2204，且像素电极2204通过贯穿层间绝缘层2203的过孔与第二金属层2202电连接；凹陷结构包括贯穿层间绝缘层2202的过孔形成的第二凹陷结构；无机平坦化结构包括位于第二凹陷结构内的第二无机平坦化结构242；在衬底基板21指向反射金属层23的方向Y上，第二无机平坦化结构242靠近反射金属层23一侧的表面与衬底基板21靠近反射金属层23一侧的表面具有第九距离L9，像素电极2204靠近反射金属层23一侧的表面与衬底基板21靠近反射金属层23一侧的表面具有第十距离L10；第九距离L9与第十距离L10之间的距离差ΔT2小于第五预设值ΔY3。
具体的，阵列基板20的薄膜晶体管至少还包括源漏电极图案，该源漏电极图案为第二金属层2202的一部分。阵列基板20的像素电极2204与薄膜晶体管的源极或漏极电连接，以实现薄膜晶体管的显示驱动功能。由于像素电极2204与薄膜晶体管的源极和/或漏极所在的第二金属层2202非同层设置，且通过层间绝缘层2203电绝缘，因此像素电极2204需通过贯穿层间绝缘层2203的过孔与薄膜晶体管的源极和/或漏极所在的第二金属层2202电连接。在连接像素电极2204与第二金属层2202的过孔处会形成第二凹陷结构。通过在第二凹陷结构处中设置第二无机平坦化结构242，能够使得在衬底基板21指向反射金属层23的方向Y上，第二无机平坦化结构242与衬底基板21之间具有第九距离L9，像素电极2204与衬底基板21之间具有第十距离L10，且第九距离L9与第十距离L10之间的距离差ΔT2小于第五预设值ΔY3，以使反射金属层23的反射面232因连接像素电极2204与第二金属层2202的过孔形成的断差设定在预设的范围内。如此设置，由反射金属层23的反射面232的不同位置反射的光到达显示面板的显示面产生的光程差在预设范围内，从而缩小由反射面232的不同位置反射至显示面板的显示面的反射光的亮度之间的差异，以提高显示面板的显示效果。同时，第二无机平坦化结构可选为无机非金属材料或金属，以与阵列基板20的功能膜层在同一工艺流程下制备，以提高生产效率，降低生产成本。
可选的，图6是本发明实施例提供的第四种阵列基板的结构示意图。如图6，阵列基板20中功能膜层的第二金属层2202还包括电容的第二电极图案2222；凹陷结构包括多个第二电极图案2222之间形成的第三凹陷结构；无机平坦化结构包括位于第三凹陷结构内第三无机平坦化结构243；在衬底基板21指向反射金属层23的方向Y上，第三无机平坦化结构243与第二电极图案2222的厚度差ΔT3小于第三预设厚度ΔY4。
本实施例是在上述实施例的基础上提供的一种阵列基板，与上述实施例相同的结构，在此不再赘述，仅对应与上述实施例不同的结构进行说明。本实施例的阵列基板20的薄膜晶体管至少还包括源漏电极图案2221，电容还包括至少与第一电极图案2212相对设置的第二电极图案2222。其中，源漏电极图案2221和第二电极图案2222可采用同种材料在同一工艺中形成，从而能够简化工艺步骤，降低生产成本，提高生产效率。由于阵列基板20具有多个电容，多个电容包括多个第二电极图案2222，该多个第二电极图案2222之间具有间隙，从而形成第三凹陷结构。通过在第三凹陷结构中设置第三无机平坦化结构243，能够使得在衬底基板21指向反射金属层23的方向Y上，第三无机平坦化结构243的厚度T5与第二电极图案2222的厚度T6之间的厚度差ΔT3小于第三预设厚度ΔY4，以使反射金属层23的反射面232因第二电极图案2222形成的断差设定在预设的范围内。如此设置，由反射金属层23的反射面232的不同位置反射的光到达显示面板的显示面产生的光程差在预设范围内，从而缩小由反射面232的不同位置反射至显示面板的显示面的反射光的亮度之间的差异，以提高显示面板的显示效果。同时，第三无机平坦化结构可选为无机非金属材料或金属，以与阵列基板20的功能膜层在同一工艺流程下制备，以提高生产效率，降低生产成本。
需要说明的是，与薄膜晶体管的栅极图案2211同层设置的电容的多个第一电极图案2212之间具有间隙，以及与薄膜晶体管的源漏电极图案2221同层设置的电容的多个第二电极图案2222之间也具有间隙，以使电容的第一电极图案2212和第二电极图案2222均符合阵列基板20中电容的充放电特性。相应的，薄膜晶体管还包括有源层2206，阵列基板20还包括位于第一金属层2202和第二金属层2202之间的绝缘层2205，以实现第一金属层2201与第二金属层2202之间的电绝缘。
本发明实施例中通过无机平坦化结构补偿功能膜层凹陷结构，以使反射金属层靠近衬底基板的一侧表面与衬底基板靠近反射金属层的一侧表面的各个位置之间的距离差小于第一预设值，该无机平坦化结构可以如图3所示位于功能膜层中，还可以位于功能膜层与衬底基板之间，和/或位于功能膜层与反射金属层之间，其均属于本发明实施例的保护范围。
可选的，图7是本发明实施例提供的第五种阵列基板的结构示意图。如图7，阵列基板20中功能膜层22靠近反射金属层23的一侧表面220包括平坦区221和凹陷区222；无机平坦化结构包括位于凹陷区222的第四无机平坦化结构244；在衬底基板21指向反射金属层23的方向Y上，第四无机平坦化结构244靠近反射金属层23的一侧表面2440与衬底基板21靠近反射金属层23的一侧表面211之间具有第一距离L1；功能膜层22的靠近反射金属层23的一侧表面220的平坦区221与衬底基板21靠近反射金属层23的一侧表面211之间具有第二距离L2；第一距离L1与第二距离L2的差值ΔH1小于所述第一预设值ΔY1。
其中，在不影响阵列基板20中功能膜层22的性能的前提下，第四无机平坦化结构244可以为无机非金属或金属材料。如此，一方面，第四无机平坦化结构244可与阵列基板20的功能膜层在同一工艺流程下制备，以提高生产效率，降低生产成本；另一方面，可将反射金属层23的反射面232的不同位置反射的光到达显示面板的显示面产生的光程差保持在预设范围内，以减小由反射金属陈23的反射面232的不同位置反射至显示面板的显示面的反射光的亮度之间的差异，以提高显示面板的显示效果。
在本发明实施例中，通过无机平坦化结构补偿功能膜层凹陷结构，以减小由反射金属层23的反射面的不同位置反射至显示面板的显示面的反射光的亮度之间的差异，该无机平坦化结构可与阵列基板的功能膜层采用在同一工艺中采用同种材料制备，以简化制备工艺流程，提高生产效率，降低生产陈本。
可选的，图8是本发明实施例提供的第六种阵列基板的结构示意图。如图8，阵列基板20的功能膜层包括：位于衬底基板21靠近反射金属层23一侧的第一绝缘层2207，且该第一绝缘层2207具有多个第一凸起结构2271；位于第一绝缘层2207靠近反射金属层23一侧的第一金属层2201，该第一金属层2201包括栅极图案2211和电容的第一电极图案2212，其中第一电极图案2212位于相邻的第一凸起结构2271的间隙内；无机平坦化结构包括所述第一凸起结构2271；在衬底基板21指向反射金属层23的方向上，第一凸起结构2271靠近反射金属层23一侧的表面与衬底基板21靠近反射金属层23一侧的表面具有第三距离L3，第一金属层2201靠近反射金属层23一侧的表面与衬底基板21靠近反射金属层23一侧的表面具有第四距离L4；第三距离L3与第四距离L4的差值ΔH2小于第二预设值ΔY5。
具体的，阵列基板20中第一金属层2201的多个第一电极图案2212之间电绝缘。通过在设置第一金属层2201前，设置第一绝缘层2207，并在第一绝缘层2207上形成第一凸起结构2271，相邻的第一凸起结构2271之间可预留出第一电极图案2212的位置，从而在形成第一电极图案2212后，无需再第一电极图案2212形成的凹陷结构处填充无机平坦化结构，简化制备工艺，提高生产效率，降低生产成本。同时，第一凸起结构2271的第三距离L3与第一金属层2201的第四距离L4的差值ΔH2小于第二预设值ΔY5，以使反射金属层23的反射面232因第一电极图案2212形成的断差设定在预设的范围内。如此设置，由反射金属层23的反射面232的不同位置反射的光到达显示面板的显示面产生的光程差在预设范围内，从而减小由反射面232的不同位置反射至显示面板的显示面的反射光的亮度之间的差异，以提高显示面板的显示效果。
可选的，图9是本发明实施例提供的第七种阵列基板的结构示意图。如图9，阵列基板20的功能膜层包括：位于衬底基板21靠近反射金属层23一侧的第二金属层2202，该第二金属层2202包括源漏电极图案，且源漏电极图案上具有第二凸起结构2223；位于第二金属层2202背离衬底基板21一侧的层间绝缘层2203，该层间绝缘层2203露出第二凸起结构2223；位于层间绝缘层2203靠近反射金属层23一侧的像素电极2204，且该像素电极2204与第二凸起结构2223电连接；无机平坦化结构包括第二凸起结构2223；在衬底基板21指向反射金属层23的方向上，第二凸起结构2223靠近反射金属层23一侧的表面与衬底基板21靠近反射金属层23一侧的表面具有第五距离L5，层间绝缘层2203靠近反射金属层23一侧的表面与衬底基板21靠近反射金属层23一侧的表面具有第六距离L6；第五距离L5与第六距离L6的差值ΔH3小于第三预设值ΔY6。
具体的，阵列基板20中像素电极2204与薄膜晶体管的源漏电极图案电连接，且像素电极2204与源漏电极图案所在的第二金属层2202非同层设置，在像素电极2204与第二金属层2202之间具有层间绝缘层2203，因此像素电极2204需穿过层间绝缘层2203才能与第二金属层2202电连接。通过将第二金属层2202与像素电极2204电联接的位置设置为第二凸起结构2223，且在设置层间绝缘层2203时，露出该第二凸起结构2223，且第二凸起结构2223的第五距离L5与第二金属层2202的第六距离L6的差值ΔH3小于第三预设值ΔY6。如此设置，一方面，无需在层间绝缘层2203上设置过孔，即可满足像素电极2204与第二金属层2202通过凸起结构2223直接电连接，从而简化工艺过程，提高生产效率，降低生产成本；另一方面，直接在第二金属层2202上设置第二凸起结构2223，以防层间绝缘层2203的过孔使反射金属层23的反射面232存在较大断差，从而使得反射金属层23的反射面232的不同位置反射的光到达显示面板的显示面产生的光程差在预设范围内，以减小由反射面232的不同位置反射至显示面板的显示面的反射光的亮度之间的差异，提高显示面板的显示效果。
需要说明的是，上述仅为本发明实施例的示例性说明，在像素电极通过过孔与薄膜晶体管的源极或漏极电连接时，也可以通过像素电极填充过孔所在的位置，并将过孔处像素电极的厚度与其它位置像素电极的厚度保持在预设厚度差内，以满足反射金属层的反射面的反射要求，其技术原理与上述方案类似，在此不再赘述。
可选的，图10是本发明实施例提供的第八种阵列基板的结构示意图。如图10，阵列基板20的功能膜层包括：位于衬底基板21靠近反射金属层23一侧的第二绝缘层2205，该第二绝缘层2205具有多个第三凸起结构2251；位于第二绝缘层2205靠近反射金属层23一侧的第二金属层2202，该第二金属层2202包括源漏电极图案2221和电容的第二电极图案2222，第二电极图案2222位于相邻的第三凸起结构2251的间隙内；无机平坦化结构包括第三凸起结构2251；在衬底基板21指向反射金属层23的方向Y上，第三凸起结构2251靠近反射金属层23的一侧表面与衬底基板21靠近反射金属层23的一侧表面具有第七距离L7，第二电极图案2222靠近反射金属层23的一侧表面与衬底基板21靠近反射金属层23的一侧表面具有第八距离L8；第七距离L7与第八距离L8的差值ΔH4小于第四预设值ΔY7。
具体的，阵列基板20中第二金属层2202的多个第二电极图案2222之间电绝缘。通过在设置第二金属层2202前，设置第二绝缘层2205，并在第二绝缘层2205上形成第三凸起结构2251，相邻的第三凸起结构2251之间可预留出第二电极图案2222的位置，从而在形成第二电极图案2222后，无需再第二电极图案2222形成的凹陷结构处填充无机平坦化结构，简化制备工艺，提高生产效率，降低生产成本。同时，第三凸起结构2251的第八距离L8与第二金属层2202的第八距离L8的差值ΔH4小于第四预设值ΔY7，以使反射金属层23的反射面232因第二电极图案2222形成的断差设定在预设的范围内。如此设置，由反射金属层23的反射面232的不同位置反射的光到达显示面板的显示面产生的光程差在预设范围内，从而减小由反射面232的不同位置反射至显示面板的显示面的反射光的亮度之间的差异，以提高显示面板的显示效果。
需要说明的是，第二金属层2202的第二电极图案2222可与第一金属层2201的第一电极图案2212相对设置，以形成电容。同时，电容的第一电极图案2212可与薄膜晶体管的栅极图案2211在同一工艺中采用同种材料制备，电容的第二电极图案2222可与薄膜晶体管的源漏电极图案在同一工艺中采用同种材料制备，以简化工艺步骤，提高生产效率，降低生产成本。
本发明实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，可用于制备本发明实施例提供的阵列基板。图11是本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程图。如图11，本实施例的阵列基板的制备方法包括：
S110、提供一衬底基板；
S120、在所述衬底基板上形成功能膜层；所述功能膜层形成有凹陷结构；
具体的，如图12，在衬底基板21上形成功能膜层22，该功能膜层22例如可以包括薄膜晶体管、电容、像素电极、触控电极、以及相应的绝缘层等。由于功能膜层22需要进行图案化，以实现相应的功能，因而功能膜层22经刻蚀、曝光等工艺过程后，会形成凹陷结构223，若直接在具有凹陷结构223的功能膜层22上形成反射金属层，则该反射金属层的反射面会呈现出凹凸不平的结构，使得由反射金属层的反射面的不同位置反射至显示面板的显示面的反射光之间存在较大的光程差，进而影响显示面板的显示面各个位置的显示发光的亮度。
S130、在所述功能膜层形成的凹陷结构处形成多个无机平坦化结构；在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述反射金属层靠近所述衬底基板的一侧表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧表面的各个位置之间的距离差小于第一预设值；
具体的，结合图12和图13，在功能膜层22的凹陷结构223处形成无机平坦化结构24，该无机平坦化结构24的材料为无机材料，例如在不影响功能膜层22的性能的前提下，该无机平坦化结构24可选为无机非金属材料或金属材料，以与阵列基板20的功能膜层22能够在同一工艺流程中制备，防止更换产线造成的产能浪费，从而简化工艺过程，提高生产效率，降低生产成本。在功能膜层22的凹陷结构223处形成无机平坦化结构24后，功能膜层22背离衬底基板21一侧的表面与衬底基板21靠近功能膜层22一侧的表面的各个位置之间的距离差ΔH1小于第一预设值ΔY1。
S140、在所述功能膜层背离所述衬底基板的一侧形成反射金属层。
具体的，如图14，功能膜层22的凹陷结构处形成无机平坦化结构24后，在功能膜层22背离衬底基板21的一侧形成反射金属层23。此时，反射金属层23靠近衬底基板21的一侧表面与衬底基板21靠近反射金属层23的一侧表面的各个位置之间的距离差ΔH1小于第一预设值ΔY1。如此，反射金属层23的反射面232的各个位置与显示面板的显示面之间的具体设定在预设范围内，以使反射金属层23的反射面232的不同位置反射光之间的光程差在预设范围内，减小反射金属层23的反射面232的不同位置反射至显示面板的显示面的光之间的亮度差异，从而提高显示面板的显示效果。
本实施例通过在阵列基板中功能膜层的凹陷结构处形成无机平坦化结构，并在衬底基板指向反射金属层的方向上，反射金属层靠近衬底基板的一侧表面与衬底基板靠近反射金属层的一侧表面的各个位置之间的距离差小于第一预设值，以使反射金属层的反射面的不同位置反射光之间的光程差保持在预设范围，防止显示面板中显示面的各个位置的亮度存在较大差异，进而提高显示面板的显示效果。
需要说明的是，本实施例的S130为形成无机平坦化结构的步骤，该无机平坦化结构可在功能膜层形成前制备，或者在功能膜层制备期间形成，也可在功能膜层形成后制备。因此，图11仅为本发明实施例示例性的流程图，在本发明其它实施例中S130可在S120之前，或包括于S120中。
可选的，所述功能膜层靠近所述反射金属层的一侧表面包括平坦区和凹陷区，在所述功能膜层形成的凹陷结构处形成多个无机平坦化结构包括：在所述述凹陷区形成第四无机平坦化结构；在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述第四无机平坦化结构靠近所述反射金属层的一侧表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧表面之间具有第一距离；所述功能膜层的靠近所述反射金属层的一侧表面的平坦区与所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧表面之间具有第二距离；所述第一距离与所述第二距离的差值小于所述第一预设值。
本实施例中无机平坦化结构的第四无机平坦化结构形成于功能膜层之后，且可通过沉积、蒸镀等方式形成与功能膜层的凹陷区。在衬底基板指向反射金属层的方向上，第四无机平坦化结构靠近反射金属层的一侧表面与衬底基板靠近反射金属层的一侧表面之间具有第一距离，功能膜层的靠近反射金属层的一侧表面的平坦区与衬底基板靠近反射金属层的一侧表面之间具有第二距离，且第一距离与第二距离的差值小于第一预设值，以使反射金属层的反射面的不同位置反射光之间的光程差保持在预设范围，防止显示面板中显示面的各个位置的亮度存在较大差异，进而提高显示面板的显示效果。
可选的，在衬底基板上形成功能膜层的方法可以包括：在所述衬底基板上靠近所述反射金属层的一侧形成第一金属层，所述第一金属层包括栅极图案和电容的第一电极图案；所述凹陷结构包括多个所述第一电极图案之间形成的第一凹陷结构。相应的，在功能膜层形成的凹陷结构处形成无机平坦化结构的方法可以为：在所述第一凹陷结构内形成第一无机平坦化结构；在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述第一无机平坦化结构与所述第一电极图案之间的厚度差小于第一预设厚度。图15是本发明实施例提供的一种功能膜层的制备方法的流程图。如图15，本实施例的制备方法包括：
S1311、在所述衬底基板上靠近所述反射金属层的一侧形成第一金属层，所述第一金属层包括栅极图案和电容的第一电极图案；所述凹陷结构包括多个所述第一电极图案之间形成的第一凹陷结构；
具体的，如图16，在衬底基板21上形成第一金属层2201，可通过对第一金属层2201进行刻蚀、曝光等步骤分别形成薄膜晶体管的栅极图案2211和电容的第一电极图案2212，即栅极图案2211与第一电极图案2212在同一工艺中采用同种材料制备，以简化工艺步骤，提高生产效率，降低生产成本。第一金属层2201中形成有多个第一电极图案2211，该多个第一电极图案2211之间具有间隙，第一凹陷结构224至少包括多个第一电极图案2211之间的间隙。
S1312、在所述第一凹陷结构内形成第一无机平坦化结构；在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述第一无机平坦化结构与所述第一电极图案之间的厚度差小于第一预设厚度。
具体的，结合图16和图17，在多个第一电极图案2211的间隙224中形成第一无机平坦化结构241，该第一无机平坦化结构241的材料例如可以为无机绝缘材料，使得多个第一电极图案2211相互绝缘，以使阵列基板20的电容能够维持正常的触控、显示等功能。同时，在衬底基板21指向反射金属层23的方向Y上，第一无机平坦化结构241与第一电极图案2212之间的厚度差ΔT1小于第一预设厚度ΔY2，从而在形成第一无机平坦化结构241后所形成的反射金属层的反射面与显示面板的显示面之间的距离差在预设范围内，以使反射金属层的反射面的不同位置反射光之间的光程差在预设范围内，减小反射金属层的反射面的不同位置反射至显示面板的显示面的光之间的亮度差异，从而提高显示面板的显示效果。其中，第一无机平坦化结构241可通过沉积、蒸镀等方法形成，在此不做限制。
可选的，在衬底基板上形成功能膜层的方法可以包括：在所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧形成第二金属层；所述第二金属层包括源漏电极图案；在所述第二金属层背离所述衬底基板的一侧形成层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形成过孔，以露出部分所述第二金属层；在所述层间绝缘层背离所述衬底基板一侧形成像素电极，且所述像素电极通过所述过孔与所述第二金属层电连接；所述凹陷结构包括所述过孔形成的第二凹陷结构。相应的，在功能膜层形成的凹陷结构处形成无机平坦化结构的方法可以为：在所述第二凹陷结构内的形成第二无机平坦化结构；在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述第二无机平坦化结构与所述层间绝缘层之间的厚度差小于第二预设厚度。图18是本发明实施例提供的另一种功能膜层的制备方法的流程图。如图18，本实施例的制备方法包括：
S1321、在所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧形成第二金属层；所述第二金属层包括源漏电极图案；
具体的，如图19，在衬底基板21上形成功能膜层的过程中包括形成薄膜晶体管的源漏电极图案的方法，例如可以为在衬底基板21上形成第二金属层2202，并对第二金属层2202进行刻蚀、曝光等，以形成薄膜晶体管的源漏电极图案。
S1322、在所述第二金属层背离所述衬底基板的一侧形成层间绝缘层；
S1323、在所述层间绝缘层上形成过孔，以露出部分所述第二金属层；
具体的，如图20，在第二金属层2202背离衬底基板21的一侧形成层间绝缘层2203，该层间绝缘层2203能够使第二金属层2202与层间绝缘层2203背离第一金属层一侧的膜层电绝缘。在层间绝缘层2203上形成过孔2231，并露出第二金属层2202，以使第二金属层2202与层间绝缘层2203上的其它膜层之间能够通过该过孔2231进行接触。该过孔2231的存在，使得层间绝缘层2203上形成第二凹陷结构。
S1324、在所述层间绝缘层背离所述衬底基板一侧形成像素电极，且所述像素电极通过所述过孔与所述第二金属层电连接；所述凹陷结构包括所述过孔形成的第二凹陷结构；
具体的，结合图20和图21，在层间绝缘层2203背离衬底基板21的一侧形成像素电极2204，该像素电极2204可通过贯穿层间绝缘层2203的过孔2231与薄膜晶体管的源极或漏极所在的第二金属层2202电连接。如此，在过孔2231处将形成第二凹陷结构2241。
S1325、在所述第二凹陷结构内的形成第二无机平坦化结构；在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述第二无机平坦化结构靠近所述反射金属层一侧的表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层一侧的表面具有第九距离，所述像素电极靠近所述反射金属层一侧的表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层一侧的表面具有第十距离；所述第九距离与所述第十距离之间的距离差小于第五预设值。
具体的，结合图21和图22，在第二凹陷结构2241处像素电极2204上形成第二无机平坦化结构242，该第二无机平坦化结构242的材料例如可以为无机非金属或金属材料。如此，在衬底基板21指向反射金属层23的方向Y上，第二无机平坦化结构242与衬底基板21之间具有第九距离L9，像素电极2204与衬底基板21之间具有第十距离L10，且第九距离L9与第十距离L10之间的距离差ΔT2小于第五预设值ΔY3，从而在形成第二无机平坦化结构242后所形成的反射金属层的反射面与显示面板的显示面之间的距离差在预设范围内，以使反射金属层的反射面的不同位置反射光之间的光程差在预设范围内，减小反射金属层的反射面的不同位置反射至显示面板的显示面的光之间的亮度差异，从而提高显示面板的显示效果。其中，第二无机平坦化结构242可通过沉积、蒸镀等方法形成，在此不做限定。
此外，可选的，结合图20和图21，在层间绝缘层2203背离衬底基板21的一侧形成像素电极2204，该像素电极2204通过贯穿层间绝缘层2203的过孔2231与薄膜晶体管的源极或漏极所在的第二金属层2202电连接。此时，在过孔2231处将形成第二凹陷结构2241，该第二凹陷结构2241内也可通过填充与像素电极2204相同的材料，例如该像素电极2204的材料包括氧化铟锡材料，则在过孔处同样可填充氧化铟锡材料。
可选的，在衬底基板上形成功能膜层的方法可以包括：在所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧形成第二金属层；所述第二金属层包括源漏电极图案和电容的第二电极图案；所述凹陷结构包括多个所述第二电极图案之间形成的第三凹陷结构。相应的，在功能膜层形成的凹陷结构处形成无机平坦化结构的方法可以为：在所述第三凹陷结构内形成第三无机平坦化结构；在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述第三无机平坦化结构与所述第二电极图案的厚度差小于第三预设厚度。图23是本发明实施例提供的又一种功能膜层的制备方法的流程图。如图23，本实施例的制备方法包括：
S1331、在所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧形成第二金属层；所述第二金属层包括源漏电极图案和电容的第二电极图案；所述凹陷结构包括多个所述第二电极图案之间形成的第三凹陷结构；
具体的，如图24，在衬底基板21上形成第二金属层2202，可通过对第二金属层2202进行刻蚀、曝光等图案化工艺，以同时形成源漏电极图案2221和电容的的第二电极图案2222。由于电容的各电极之间相互绝缘，因此所形成的第二电极图案2222之间具有间隙，第三凹陷结构2223至少包括该间隙的位置。
S1332、在所述第三凹陷结构内形成第三无机平坦化结构；在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述第三无机平坦化结构与所述第二电极图案的厚度差小于第三预设厚度。
具体的，结合图24和图25，在第三凹陷结构2223内形成第三无机平坦化结构243，以填充第二电极图案的间隙位置，以及其它第二金属层的断差位置。该第三无机平坦化结构243的材料例如可以为无机非金属材料，可通过沉积、蒸镀等方法形成，在此不做限定。如此，在衬底基板21指向反射金属层23的方向Y上，第三无机平坦化结构243的厚度T3与第二电极图案2222的厚度T6之间的厚度差ΔT2小于第三预设厚度ΔY4，从而在形成第三无机平坦化结构243后所形成的反射金属层的反射面与显示面板的显示面之间的距离差在预设范围内，以使反射金属层的反射面的不同位置反射光之间的光程差在预设范围内，减小反射金属层的反射面的不同位置反射至显示面板的显示面的光之间的亮度差异，从而提高显示面板的显示效果。
可选的，在衬底基板上形成功能膜层的方法可以包括：在所述衬底基板靠近所述反射金属层一侧形成第一绝缘层；对所述第一绝缘层刻蚀，以形成多个第一凸起结构；在所述第一绝缘层靠近所述反射金属层一侧形成第一金属层；所述第一金属层包括栅极图案和电容的第一电极图案，所述第一电极图案位于相邻的所述第一凸起结构的间隙内；其中，所述无机平坦化结构包括所述第一凸起结构；在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述第一凸起结构靠近所述反射金属层一侧的表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层一侧的表面具有第三距离，所述第一金属层靠近所述反射金属层一侧的表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层一侧的表面具有第四距离；所述第三距离与所述第四距离的差值小于第二预设值。图26是本发明实施例提供的还一种功能膜层的制备方法的流程图。如图26，本实施例的制备方法包括：
S1341、在所述衬底基板靠近所述反射金属层一侧形成第一绝缘层；
S1342、对所述第一绝缘层刻蚀，以形成多个第一凸起结构；
具体的，如图27，在衬底基板21上形成第一绝缘层2207，该第一绝缘层2207例如可以为阵列基板的缓冲层，用于防止衬底上的金属等物质扩散至显阵列基板20中的其它功能膜层上，以影响其它功能膜层的特性。第一绝缘层2207的厚度可依据实际需要进行设置，通过对部分第一绝缘层2207进行刻蚀，且刻蚀后的第一绝缘层2207的厚度仍符合第一绝缘层2207的基本性能，例如电绝缘性。刻蚀后的第一绝缘层2207上具有多个第一凸起结构2271。在Y方向上，第一凸起结构2271具有一定的高度。
S1343、在所述第一绝缘层靠近所述反射金属层一侧形成第一金属层；所述第一金属层包括栅极图案和电容的第一电极图案，所述第一电极图案位于相邻的所述第一凸起结构的间隙内。
具体的，如图28，在第一绝缘层2207靠近反射金属层的一侧形成第一金属层2201，即在第一绝缘层2207背离第一衬底基板21的一侧在同一工艺采用同种材料分别形成薄膜晶体管的栅极图案2211和电容的第一电极图案2212，以简化工艺步骤，提高生产效率，降低生产成本。其中，第一金属层2201可通过沉积、蒸镀等方法形成，在此不做限定。该第一金属层2201的第一电极图案2212形成于相邻的第一凸起结构2271的间隙内，以使第一电极图案2212之间相互绝缘。如此，在衬底基板21指向反射金属层的方向上，即Y方向上，第一凸起结构2271靠近反射金属层一侧的表面2270与衬底基板21靠近反射金属层一侧的表面211具有第三距离L3，第一金属层2201靠近反射金属层一侧的表面2210与衬底基板21靠近反射金属层一侧的表面211具有第四距离L4，且第三距离L3与第四距离L4的差值小于第二预设值ΔY5。如此，在第一金属层2201背离衬底基板21的一侧形成的反射金属层的反射面与显示面板的显示面之间的距离差在预设范围内，以使反射金属层的反射面的不同位置反射光之间的光程差在预设范围内，减小反射金属层的反射面的不同位置反射至显示面板的显示面的光之间的亮度差异，从而提高显示面板的显示效果。
可选的，在衬底基板上形成功能膜层的方法可以包括：在所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧形成第二金属层；对所述第二金属层刻蚀，以形成第二凸起结构；在所述第二金属层背离所述衬底基板的一侧形成层间绝缘层；对所述层间绝缘层刻蚀，以露出所述第二凸起结构；在所述层间绝缘层靠近所述反射金属层的一侧形成像素电极；所述像素电极与所述第二凸起结构电连接；其中，所述无机平坦化结构包括所述第二凸起结构；在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述第二凸起结构靠近所述反射金属层一侧的表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层一侧的表面具有第五距离，所述层间绝缘层靠近所述反射金属层一侧的表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层一侧的表面具有第六距离；所述第五距离与所述第六距离的差值小于第三预设值。图29是本发明实施例提供的再另一种功能膜层的制备方法的流程图。如图29，本实施例的制备方法包括：
S1351、在所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧形成第二金属层；
S1352、对所述第二金属层刻蚀，以形成第二凸起结构；
具体的，如图30，在衬底基板21上形成第二金属层2202，该第二金属层2202例如可以包括薄膜晶体管的源漏电极层和/或电容的第二电极。第二金属层2202的厚度可依据实际需要进行设置，通过对部分第二金属层2202进行刻蚀，且刻蚀后的第二金属层2202的厚度仍符合第二金属层2202的基本性能，例如导电性。刻蚀后的第二金属层2202上具有多个第二凸起结构2223。在Y方向上，第二凸起结构2223具有一定的高度。
S1353、在所述第二金属层背离所述衬底基板的一侧形成层间绝缘层；
S1354、对所述层间绝缘层刻蚀，以露出所述第二凸起结构；
具体的，如图31，在第二金属层2202背离衬底基板21的一侧形成层间绝缘层2203，该层间绝缘层2203用于使第二金属层2202与其它膜层之间形成电绝缘。通过对层间绝缘层2203刻蚀，并露出第二凸起结构2223，以使第二金属层2202能够通过该第二凸起结构2223与层间绝缘层2203上的其它膜层电连接。
S1355、在所述层间绝缘层靠近所述反射金属层的一侧形成像素电极；所述像素电极与所述第二凸起结构电连接。
具体的，如图32，在层间绝缘层2203靠近反射金属层的一侧形成像素电极2204，即在层间绝缘层2203背离衬底基板21的一侧形成像素电极2204，该像素电极2204能够通过第二凸起结构2223与第二金属层2202电连接，例如可以为像素电极2204通过第二凸起结构2223与薄膜晶体管的源极或漏极电连接。其中，在衬底基板21指向反射金属层的方向Y上，第二凸起结构2223靠近反射金属层一侧的表面2224与衬底基板21靠近反射金属层一侧的表面211具有第五距离L5，层间绝缘层2203靠近反射金属层一侧的表面2232与衬底基板靠近反射金属层一侧的表面211具有第六距离L6，且第五距离L5与第六距离L6的差值ΔH3小于第三预设值ΔY6。如此，在像素电极2204背离衬底基板21的一侧形成的反射金属层的反射面与显示面板的显示面之间的距离差在预设范围内，以使反射金属层的反射面的不同位置反射光之间的光程差在预设范围内，减小反射金属层的反射面的不同位置反射至显示面板的显示面的光之间的亮度差异，从而提高显示面板的显示效果。
可选的，在衬底基板上形成功能膜层的方法可以包括：在所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧形成第二绝缘层；对所述第二绝缘层刻蚀，以形成多个第三凸起结构；在所述第二绝缘层靠近所述反射金属层的一侧形成第二金属层；所述第二金属层包括源漏电极图案和电容的第二电极图案，所述第二电极图案位于相邻的所述第三凸起结构的间隙内；其中，所述无机平坦化结构包括所述第三凸起结构；在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述第三凸起结构靠近所述反射金属层的一侧表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧表面具有第七距离，所述第二电极图案靠近所述反射金属层的一侧表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧表面具有第八垂直距离；所述第七距离与所述第八距离的差值小于第四预设值。图33是本发明实施例提供的再又一种功能膜层的制备方法的流程图。如图33，本实施例的制备方法包括：
S1361、在所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧形成第二绝缘层；
S1362、对所述第二绝缘层刻蚀，以形成多个第三凸起结构；
具体的，如图34，在衬底基板21上形成第二绝缘层2205，该第二绝缘层2205的厚度可依据实际需要进行设置，通过对部分第二绝缘层2205进行刻蚀，且刻蚀后的第二绝缘层2205的厚度仍符合第二绝缘层2205的基本性能，例如电绝缘性。刻蚀后的第二绝缘层2205上具有多个第三凸起结构2251。在Y方向上，第三凸起结构2251具有一定的高度。
S1363、在所述第二绝缘层靠近所述反射金属层的一侧形成第二金属层；所述第二金属层包括源漏电极图案和电容的第二电极图案，所述第二电极图案位于相邻的所述第三凸起结构的间隙内；
具体的，如图35，在第二绝缘层2205靠近反射金属层的一侧形成第二金属层2202，即在第二绝缘层2205背离第一衬底基板21的一侧在同一工艺采用同种材料分别形成薄膜晶体管的源漏图案2221和电容的第二电极图案2222，以简化工艺步骤，提高生产效率，降低生产成本。其中，第二金属层2202可通过沉积、蒸镀等方法形成，在此不做限定。第二金属层2202的第二电极图案2222形成于相邻的第三凸起结构2251的间隙内，以使第二电极图案2222之间相互绝缘。在衬底基板21指向反射金属层的方向上，即Y方向上，第三凸起结构2251靠近反射金属层的一侧表面2252与衬底基板21靠近所述反射金属层的一侧表面211具有第七距离L7，第二电极图案2222靠近反射金属层的一侧表面2224与衬底基板21靠近反射金属层的一侧表面211具有第八垂直距离L8，且第七距离L7与第八距离L8的差值ΔH4小于第四预设值ΔY7。如此，在第二金属层2202背离衬底基板21的一侧形成的反射金属层的反射面与显示面板的显示面之间的距离差在预设范围内，以使反射金属层的反射面的不同位置反射光之间的光程差在预设范围内，减小反射金属层的反射面的不同位置反射至显示面板的显示面的光之间的亮度差异，从而提高显示面板的显示效果。
本发明实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括本发明实施例提供的阵列基板。图36是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。如图36，本发明实施例的显示面板30包括本发明实施例的阵列基板20。
可选的，图37是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。如图37，显示面板30还包括与阵列基板20相对设置的彩膜基板40、以及位于阵列基板20与彩膜基板40之间的反射液晶层50；其中，阵列基板20的反射金属层23位于阵列基板20靠近反射液晶层50的一侧。
示例性的，如图37，显示面板30可选为反射式液晶显示面板，通过控制反射液晶层50中液晶分子51的转向，以使显示面板30显示相应的画面。该显示面板30无需另设背光模组，直接可利用外界的环境光经阵列基板20的反射金属层23反射至显示面板30的显示面31即可实现显示面板的显示发光功能。
本实施例通过在阵列基板中功能膜层的凹陷结构处形成无机平坦化结构，使得阵列基板的反射金属层靠近衬底基板的一侧表面与衬底基板靠近反射金属层的一侧表面的各个位置之间的距离差在预设范围内，从而使环境光由显示面板的显示面入射，并经反射金属层的反射面反射至显示面板显示面的过程中产生的光程差在预设范围内，防止显示面板中显示面的各个位置的亮度存在较大差异，进而提高显示面板的显示效果。
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括本发明实施例提供的显示面板。图38是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。如图38，显示装置100包括显示面板30。其中，显示装置100例如可以包括穿戴式显示设备、个人数字助理等。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅小于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (20)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板上的功能膜层；所述功能膜层形成有凹陷结构；
位于所述功能膜层背离所述衬底基板一侧的反射金属层；
多个无机平坦化结构；其中，所述无机平坦化结构位于所述凹陷结构处；
在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述反射金属层靠近所述衬底基板的一侧表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧表面的各个位置之间的距离差小于第一预设值。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述功能膜层包括：
位于所述衬底基板靠近所述反射金属层一侧的第一金属层，所述第一金属层包括栅极图案和电容的第一电极图案；所述凹陷结构包括多个所述第一电极图案之间形成的第一凹陷结构；
所述无机平坦化结构包括位于所述第一凹陷结构内第一无机平坦化结构；在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述第一无机平坦化结构与所述第一电极图案的厚度差小于第一预设厚度。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述功能膜层包括：
位于所述衬底基板靠近所述反射金属层一侧的第二金属层；所述第二金属层包括源漏电极图案；
位于所述第二金属层背离所述衬底基板一侧的层间绝缘层；
以及位于所述层间绝缘层背离所述衬底基板一侧的像素电极，且所述像素电极通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述第二金属层电连接；
所述凹陷结构包括贯穿所述层间绝缘层的过孔形成的第二凹陷结构；
所述无机平坦化结构包括位于所述第二凹陷结构内的第二无机平坦化结构；在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述第二无机平坦化结构靠近所述反射金属层一侧的表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层一侧的表面具有第九距离，所述像素电极靠近所述反射金属层一侧的表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层一侧的表面具有第十距离；所述第九距离与所述第十距离之间的距离差小于第五预设值。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，
所述第二金属层还包括电容的第二电极图案；所述凹陷结构包括多个所述第二电极图案之间形成的第三凹陷结构；
所述无机平坦化结构包括位于所述第三凹陷结构内第三无机平坦化结构；在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述第三无机平坦化结构与所述第二电极图案的厚度差小于第三预设厚度。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述功能膜层靠近所述反射金属层的一侧表面包括平坦区和凹陷区；
所述无机平坦化结构包括位于所述凹陷区的第四无机平坦化结构；在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述第四无机平坦化结构靠近所述反射金属层的一侧表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧表面之间具有第一距离；所述功能膜层的靠近所述反射金属层的一侧表面的平坦区与所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧表面之间具有第二距离；所述第一距离与所述第二距离的差值小于所述第一预设值。
6.根据权利要求1～5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述无机平坦化结构包括无机绝缘材料。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述功能膜层包括：
位于所述衬底基板靠近所述反射金属层一侧的第一绝缘层；所述第一绝缘层具有多个第一凸起结构；
位于所述第一绝缘层靠近所述反射金属层一侧的第一金属层；所述第一金属层包括栅极图案和电容的第一电极图案，所述第一电极图案位于相邻的所述第一凸起结构的间隙内；
所述无机平坦化结构包括所述第一凸起结构；在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述第一凸起结构靠近所述反射金属层一侧的表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层一侧的表面具有第三距离，所述第一金属层靠近所述反射金属层一侧的表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层一侧的表面具有第四距离；所述第三距离与所述第四距离的差值小于第二预设值。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述功能膜层包括：
位于所述衬底基板靠近所述反射金属层一侧的第二金属层；所述第二金属层包括源漏电极图案；所述源漏电极图案上具有第二凸起结构；
位于所述第二金属层背离所述衬底基板一侧的层间绝缘层；所述层间绝缘层露出所述第二凸起结构；
位于所述层间绝缘层靠近所述反射金属层一侧的像素电极；所述像素电极与所述第二凸起结构电连接；
所述无机平坦化结构包括所述第二凸起结构；在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述第二凸起结构靠近所述反射金属层一侧的表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层一侧的表面具有第五距离，所述层间绝缘层靠近所述反射金属层一侧的表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层一侧的表面具有第六距离；所述第五距离与所述第六距离的差值小于第三预设值。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述功能膜层包括：
位于所述衬底基板靠近所述反射金属层一侧的第二绝缘层；所述第二绝缘层具有多个第三凸起结构；
位于所述第二绝缘层靠近所述反射金属层一侧的第二金属层；所述第二金属层包括源漏电极图案和电容的第二电极图案，所述第二电极图案位于相邻的所述第三凸起结构的间隙内；
所述无机平坦化结构包括所述第三凸起结构；在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述第三凸起结构靠近所述反射金属层的一侧表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧表面具有第七距离，所述第二电极图案靠近所述反射金属层的一侧表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧表面具有第八距离；所述第七距离与所述第八距离的差值小于第四预设值。
10.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成功能膜层；所述功能膜层形成有凹陷结构；
在所述功能膜层背离所述衬底基板的一侧形成反射金属层；
其中，所述方法还包括：在所述功能膜层形成的凹陷结构处形成多个无机平坦化结构；在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述反射金属层靠近所述衬底基板的一侧表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧表面的各个位置之间的距离差小于第一预设值。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成功能膜层包括：
在所述衬底基板上靠近所述反射金属层的一侧形成第一金属层，所述第一金属层包括栅极图案和电容的第一电极图案；所述凹陷结构包括多个所述第一电极图案之间形成的第一凹陷结构；
在所述功能膜层形成的凹陷结构处形成多个无机平坦化结构包括：
在所述第一凹陷结构内形成第一无机平坦化结构；在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述第一无机平坦化结构与所述第一电极图案之间的厚度差小于第一预设厚度。
12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成功能膜层包括：
在所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧形成第二金属层；所述第二金属层包括源漏电极图案；
在所述第二金属层背离所述衬底基板的一侧形成层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上形成过孔，以露出部分所述第二金属层；
在所述层间绝缘层背离所述衬底基板一侧形成像素电极，且所述像素电极通过所述过孔与所述第二金属层电连接；
所述凹陷结构包括所述过孔形成的第二凹陷结构；
在所述功能膜层形成的凹陷结构处形成多个无机平坦化结构包括：
在所述第二凹陷结构内的形成第二无机平坦化结构；在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述第二无机平坦化结构靠近所述反射金属层一侧的表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层一侧的表面具有第九距离，所述像素电极靠近所述反射金属层一侧的表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层一侧的表面具有第十距离；所述第九距离与所述第十距离之间的距离差小于第五预设值。
13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成功能膜层包括：
在所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧形成第二金属层；所述第二金属层包括源漏电极图案和电容的第二电极图案；所述凹陷结构包括多个所述第二电极图案之间形成的第三凹陷结构；
在所述功能膜层形成的凹陷结构处形成多个无机平坦化结构包括：
在所述第三凹陷结构内形成第三无机平坦化结构；在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述第三无机平坦化结构与所述第二电极图案的厚度差小于第三预设厚度。
14.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述功能膜层靠近所述反射金属层的一侧表面包括平坦区和凹陷区；
在所述功能膜层形成的凹陷结构处形成多个无机平坦化结构包括：
在所述述凹陷区形成第四无机平坦化结构；在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述第四无机平坦化结构靠近所述反射金属层的一侧表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧表面之间具有第一距离；所述功能膜层的靠近所述反射金属层的一侧表面的平坦区与所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧表面之间具有第二距离；所述第一距离与所述第二距离的差值小于所述第一预设值。
15.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成功能膜层包括：
在所述衬底基板靠近所述反射金属层一侧形成第一绝缘层；
对所述第一绝缘层刻蚀，以形成多个第一凸起结构；
在所述第一绝缘层靠近所述反射金属层一侧形成第一金属层；所述第一金属层包括栅极图案和电容的第一电极图案，所述第一电极图案位于相邻的所述第一凸起结构的间隙内；
所述无机平坦化结构包括所述第一凸起结构；在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述第一凸起结构靠近所述反射金属层一侧的表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层一侧的表面具有第三距离，所述第一金属层靠近所述反射金属层一侧的表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层一侧的表面具有第四距离；所述第三距离与所述第四距离的差值小于第二预设值。
16.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成功能膜层包括：
在所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧形成第二金属层；
对所述第二金属层刻蚀，以形成第二凸起结构；
在所述第二金属层背离所述衬底基板的一侧形成层间绝缘层；
对所述层间绝缘层刻蚀，以露出所述第二凸起结构；
在所述层间绝缘层靠近所述反射金属层的一侧形成像素电极；所述像素电极与所述第二凸起结构电连接；
所述无机平坦化结构包括所述第二凸起结构；在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述第二凸起结构靠近所述反射金属层一侧的表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层一侧的表面具有第五距离，所述层间绝缘层靠近所述反射金属层一侧的表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层一侧的表面具有第六距离；所述第五距离与所述第六距离的差值小于第三预设值。
17.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成功能膜层包括：
在所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧形成第二绝缘层；
对所述第二绝缘层刻蚀，以形成多个第三凸起结构；
在所述第二绝缘层靠近所述反射金属层的一侧形成第二金属层；所述第二金属层包括源漏电极图案和电容的第二电极图案，所述第二电极图案位于相邻的所述第三凸起结构的间隙内；
所述无机平坦化结构包括所述第三凸起结构；在所述衬底基板指向所述反射金属层的方向上，所述第三凸起结构靠近所述反射金属层的一侧表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧表面具有第七距离，所述第二电极图案靠近所述反射金属层的一侧表面与所述衬底基板靠近所述反射金属层的一侧表面具有第八垂直距离；所述第七距离与所述第八距离的差值小于第四预设值。
18.一种显示面板，其特征在于，包括：权利要求1～9任一项所述的阵列基板。
19.根据权利要求18所述的显示面板，其特征在于，还包括：
与所述阵列基板相对设置的彩膜基板；
以及位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的反射液晶层；其中，所述阵列基板的反射金属层位于所述阵列基板靠近所述反射液晶层的一侧。
20.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求18～19任一项所述的显示面板。
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