CN109697023A - 延长固态硬盘寿命的方法 - Google Patents

延长固态硬盘寿命的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109697023A
CN109697023A CN201711000705.3A CN201711000705A CN109697023A CN 109697023 A CN109697023 A CN 109697023A CN 201711000705 A CN201711000705 A CN 201711000705A CN 109697023 A CN109697023 A CN 109697023A
Authority
CN
China
Prior art keywords
storage format
layer type
block
flash memory
entity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201711000705.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109697023B (zh
Inventor
李俊昌
廖崟權
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Apacer Technology Inc
Original Assignee
Apacer Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Apacer Technology Inc filed Critical Apacer Technology Inc
Priority to CN201711000705.3A priority Critical patent/CN109697023B/zh
Publication of CN109697023A publication Critical patent/CN109697023A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109697023B publication Critical patent/CN109697023B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/0614—Improving the reliability of storage systems
    • G06F3/0616—Improving the reliability of storage systems in relation to life time, e.g. increasing Mean Time Between Failures [MTBF]
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0638—Organizing or formatting or addressing of data
    • G06F3/064—Management of blocks
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0638—Organizing or formatting or addressing of data
    • G06F3/0644—Management of space entities, e.g. partitions, extents, pools
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0653—Monitoring storage devices or systems
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0662—Virtualisation aspects
    • G06F3/0665—Virtualisation aspects at area level, e.g. provisioning of virtual or logical volumes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0668—Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
    • G06F3/0671—In-line storage system
    • G06F3/0673—Single storage device
    • G06F3/0679—Non-volatile semiconductor memory device, e.g. flash memory, one time programmable memory [OTP]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

本发明提供一种延长固态硬盘寿命的方法，其包含下列步骤：设定固态硬盘的逻辑存储区块的个数为闪速存储器的实体存储区块的个数的二分之一。由闪速存储器的控制单元读取闪速存储器的各实体存储区块的写入/抹除次数。当写入/抹除次数超过写入/抹除上限值时，将实体存储区块由多层式存储格式转换为单层式存储格式。其中，逻辑存储区块的个数为不变的固定值。

Description

延长固态硬盘寿命的方法
技术领域
本案涉及一种延长固态硬盘寿命的方法，实质上是涉及一种藉由对达到一定写入/抹除次数的实体存储区块进行降阶以达到延长使用寿命的延长固态硬盘寿命的方法。
背景技术
NAND闪速存储器(Flash)是固态硬盘(SSD)用来承载、存储数据的存储器，固态硬盘可透过控制器(Controller)进行各种运算处理，而这些过程中的任何一个细节，都有可能影响到固态硬盘的产品效能表现、可靠度、稳定度等等。
闪速存储器在格式上可分为单层式存储(Single-Level Cell, SLC)、多层式存储(Multiple-Level Cell,MLC)或是三层式存储 (Triple-Level Cell,TLC)，其是以内存单元阵列的方式来存储数据，而内存单元是由一浮动闸极晶体管(floating-gatetransistor)来进行实作，透过控制浮动栅极晶体管上的电荷个数来设定导通此内存单元的所需临界电压，进而存储至少一位元以上的信息，而当一特定电压施加于浮动栅极晶体管的控制栅极上时，浮动栅极晶体管的导通状态便会指示出浮动栅极晶体管中所存储的一或多个二进位数字。
然而，当内存单元无法完全支援所写入的电压位准或是电压位准发生漂移(shift)或沾黏(sticky)的问题时，则此时数据的写入便会发生错误，而发生此种错误的区块便称之为故障区块(Bad Block)。
在现行的故障区块管理机制中，被判断为故障区块的使用区块将永远没有再被使用的价值，因此，若能妥善使用该些可能成为故障区块的使用区块，使其在成为故障区块前另可产生额外的功能，将可有效地提升固态硬盘的使用效率，并可避免成本上的浪费。
发明内容
基于上述目的，本发明提供一种延长固态硬盘寿命的方法，其中固态硬盘承载闪速存储器，闪速存储器属于多层式存储闪速存储器，延长固态硬盘寿命的方法包含下列步骤：设定固态硬盘的逻辑存储区块的个数为闪速存储器的实体存储区块的个数的二分之一。由闪速存储器的控制单元读取闪速存储器的各实体存储区块的写入/抹除次数。当写入/抹除次数超过写入/抹除上限值时，将实体存储区块由多层式存储格式转换为单层式存储格式。其中，逻辑存储区块的个数为不变的固定值。
优选地，当若干个实体存储区块皆转换为单层式存储格式，且转换后为单层式存储格式的若干个实体存储区块的故障区块比例大于预设比例时，固态硬盘可进入一唯读状态。
优选地，各实体存储区块的容量于多层式存储格式转换为单层式存储格式后，单层式存储格式的各实体存储区块的容量为多层式存储格式的各实体存储区块的容量的二分之一，当若干个实体存储区块皆转换为单层式存储格式时，闪速存储器的容量等于固态硬盘的逻辑存取容量。
基于上述目的，本发明再提供一种延长固态硬盘寿命的方法，其中固态硬盘承载闪速存储器，闪速存储器属于三层式存储闪速存储器，延长固态硬盘寿命的方法包含下列步骤：设定固态硬盘的逻辑存储区块的个数为闪速存储器的实体存储区块的个数的三分之一。由闪速存储器的控制单元读取闪速存储器的各实体存储区块的第一写入/ 抹除次数。当第一写入/抹除次数超过第一写入/抹除上限值时，将实体存储区块由三层式存储格式转换为多层式存储格式。由控制单元读取转换为多层式存储格式的各实体存储区块的第二写入/抹除次数。当第二写入/抹除次数超过第二写入/抹除上限值时，将转换为多层式存储格式的实体存储区块由多层式存储格式转换为单层式存储格式。其中，逻辑存储区块的个数为不变的固定值。
优选地，当若干个实体存储区块皆转换为单层式存储格式，且转换后为单层式存储格式的若干个实体存储区块的故障区块比例大于预设比例时，固态硬盘可进入唯读状态。
优选地，各实体存储区块的容量于三层式存储格式转换为多层式存储格式后，多层式存储格式的各实体存储区块的容量为三层式存储格式的各实体存储区块的容量的三分之二，当若干个实体存储区块皆转换为多层式存储格式时，闪速存储器的容量剩余三分之二容量。
优选地，各实体存储区块的容量于多层式存储格式转换为单层式存储格式后，单层式存储格式的各实体存储区块的容量为多层式存储格式的各实体存储区块的容量的二分之一，当若干个实体存储区块皆转换为单层式存储格式时，闪速存储器的容量等于固态硬盘的逻辑存取容量。
基于上述目的，本发明又提供一种延长固态硬盘寿命的方法，其中固态硬盘承载闪速存储器，闪速存储器属于三层式存储闪速存储器，延长固态硬盘寿命的方法包含下列步骤：设定固态硬盘的逻辑存储区块的个数为闪速存储器的实体存储区块的个数的三分之一。由闪速存储器的控制单元读取闪速存储器的各实体存储区块的写入/抹除次数。当写入/抹除次数超过写入/抹除上限值时，将实体存储区块由三层式存储格式转换为单层式存储格式。其中，逻辑存储区块的个数为不变的固定值。
优选地，若干个实体存储区块皆转换为单层式存储格式，且转换后为单层式存储格式的若干个实体存储区块的故障区块比例大于预设比例时，固态硬盘可进入唯读状态。
优选地，各实体存储区块的容量于三层式存储格式转换为单层式存储格式后，单层式存储格式的各实体存储区块的容量为三层式存储格式的各实体存储区块的容量的三分之一，当若干个实体存储区块皆转换为单层式存储格式时，闪速存储器的容量等于固态硬盘的逻辑存取容量。
承上所述，本发明的延长固态硬盘寿命的方法藉由监控取得各实体存储区块的写入/抹除次数，而据以判断是否对其进行存储格式的降阶转换，以使转换后的实体存储区块得以继续使用，而达到延长固态硬盘寿命的目的。
附图说明
图1是本发明的主机系统与内存存储装置的示意图。
图2是本发明的闪速存储器与主机系统的示意图。
图3是本发明的延长固态硬盘寿命的方法的第一步骤流程图。
图4是本发明的延长固态硬盘寿命的方法的第二步骤流程图。
图5是本发明的延长固态硬盘寿命的方法的第三步骤流程图。
附图标记说明
100：闪速存储器
110：控制单元
120：数据快取区
130：实体存储区块
131：数据存储页
140：多余存储空间
150：连接器
200：主机系统
210：计算机
211：中央处理器
212：动态随机存取存储器
213：系统汇流排
214：数据传输接口
220：输出/输入装置
300：内存存储装置
310：控制器
320：内存晶片
S31至S33、S41至S45、S51至S53：步骤
具体实施方式
为利了解本发明的特征、内容与优点及其所能达成的功效，兹将本发明配合附图，并以实施例的表达形式详细说明如下，而其中所使用的附图，其主旨仅为示意及辅助说明书之用，未必为本发明实施后的真实比例与精准配置，故不应就所附的附图的比例与配置关系解读、局限本发明于实际实施上的权利范围。
本发明的优点、特征以及达到的技术方法将参照例示性实施例及所附附图进行更详细地描述而更容易理解，且本发明或可以不同形式来实现，故不应被理解仅限于此处所陈述的实施例，相反地，对所属技术领域具有通常知识者而言，所提供的实施例将使本揭露更加透彻与全面且完整地传达本发明的范畴，且本发明将仅为所附加的权利要求所定义。
请参阅图1，其是本发明的主机系统与内存存储装置的示意图。一般来说，内存存储装置300可包含一控制器310与内存晶片320，其中此内存晶片320通常为一非易失性存储器，且此内存存储装置 300与主机系统200共同使用。主机系统200可以将一数据写入至此内存存储装置300，或是从内存存储装置300读取此数据。而此内存存储装置300通常可为一随身碟、记忆卡或是固态硬盘(Solid State Drive,SSD)等的可复写式非易失性内存存储装置。
续言之，本发明的主机系统200包含计算机210与输出/输入装置220，其中计算机210可包含中央处理器211、动态随机存取存储器212(Dynamic Random Access Memory,DRAM)、系统汇流排213及数据传输接口214，输出/输入装置220则可包含滑鼠、键盘、屏幕、印表机、麦克风及喇叭等。然而，可以理解的是，本发明的输出/输入装置220并不局限于上述的装置，还可包含其他装置。系统汇流排 213可连接中央处理器211、动态随机存取存储器212及数据传输接口214，可用以降低成本和促进模块化。
在本发明的实施例中，内存存储装置300透过数据传输接口214 与计算机210进行连接。更进一步地说明，计算机210可透过中央处理器211、动态随机存取存储器212及输出/输入装置220的操作，将数据写入至内存存储装置300，或者是从内存存储装置300读取数据，其中数据传输接口214可包含SCSI(Small Computer System Interface)、ATA(Advanced Technology Attachment)、SAS(Serial Attached SCSI)或SATA(SerialAdvanced Technology Attachment) 接口。
请参阅图2，其是本发明的闪速存储器与主机系统的示意图。请一并参阅图1，如图所示，闪速存储器100即为图1中的内存存储装置300，而此闪速存储器100透过连接器150与主机系统200进行连接，其中连接器150内的传输接口包含图1内的数据传输接口214，而连接器150本身可以为SATA连接器、SAS连接器、iSCSI连接器、 USB连接器或M.2连接器，而闪速存储器100本身则可为多层式存储闪速存储器或三层式存储闪速存储器。
续言之，闪速存储器100中可包含控制单元110、数据快取区120 及若干个实体存储区块130，控制单元110用以执行以硬盘型式或是韧体型式实作的多个逻辑闸或控制指令，并且根据主机系统200的指令在实体存储区块130中进行数据的写入、读取与抹除等操作。实体存储区块130包含若干个数据存储页131，用以存储来自主机所写入的数据，且控制单元110在闪速存储器100中进行数据抹除时的最小单位，在本实施例中，实体存储区块130的格式可为多层式存储格式或三层式存储格式，即，实体存储区块130本身可属于多层式存储闪速存储器或三层式存储闪速存储器。
请参阅图3，其是本发明的延长固态硬盘寿命的方法的第一流程图。如图所示，本发明的延长固态硬盘寿命的方法以固态硬盘承载闪速存储器，闪速存储器属于多层式存储闪速存储器，而延长固态硬盘寿命的方法包含下列步骤：
在步骤S31中：设定固态硬盘的逻辑存储区块的个数为闪速存储器的实体存储区块的个数的二分之一。其中，逻辑存储区块的个数为不变的固定值。
在步骤S32中：由闪速存储器的控制单元读取闪速存储器的各实体存储区块的写入/抹除次数。
在步骤S33中：当写入/抹除次数超过写入/抹除上限值时，将实体存储区块由多层式存储格式转换为单层式存储格式，其中此写入/ 抹除上限值可视实际需求来订定。
上述的步骤S31至S33可由控制单元进行操作。关于上述的各实体存储区块可分别包含若干个数据存储页。举例来说，实体存储区块 (Block)可以由128个数据存储页(Page)所组成，而每一个数据存储页的大小可以为512Byte，或者是512Byte的倍数，如1024Byte或是2048Byte，然而，可以理解的是，本发明并不以此为限，实体存储区块也可以由64个数据存储页或是256个数据存储页所组成。
当若干个实体存储区块皆转换为单层式存储格式，且转换后为单层式存储格式的若干个实体存储区块的故障区块比例大于一预设比例时，固态硬盘进入一唯读状态；其中，预设比例可以随固态硬盘的制造商自由设定，而目前一般常见的设定则为6.8％。
各实体存储区块从多层式存储格式转换为单层式存储格式后，单层式存储格式的各实体存储区块的容量将会成为多层式存储格式的各实体存储区块的容量的二分之一，在本实施例中，由于一开始多层式存储格式的各实体存储区块的个数即为固态硬盘的逻辑存储区块的个数的二倍，故当若干个多层式存储格式的实体存储区块皆转换为单层式存储格式后，此时转换后的单层式存储格式的实体存储区块将会是初始时多层式存储格式的各实体存储区块的1/2容量，换句话说，此时闪速存储器的容量将会等于固态硬盘的逻辑存取容量。
举例来说，多层式存储格式的闪速存储器的容量为100G，并将其逻辑存取容量设定为50G，在此情况下，主机可透过映射表(Mapping table)的对应方式来自动选择将数据存储至多层式存储格式的实体存储区块中，由于实际上可供存取的实体存储区块为逻辑存取容量的两倍，故相较于其他的多层式存储格式的闪速存储器，如一般的50G 容量的闪速存储器，本实施例的闪速存储器的写入/抹除次数将会成为其他多层式存储格式的闪速存储器的两倍。更详细地说明，现行的多层式存储格式的闪速存储器的写入/抹除次数约3,000～5,000次，在本实施例中，由于实际所存取的实体存储区块为逻辑存取容量的两倍，故使用者将会认为其所使用的闪速存储器在逻辑存取容量下，其写入/抹除次数可高达6,000～10,000次。
请参阅图4，其是本发明的延长固态硬盘寿命的方法的第二流程图。如图所示，本发明另一实施例的延长固态硬盘寿命的方法以固态硬盘承载闪速存储器，闪速存储器属于三层式存储闪速存储器延长固态硬盘寿命的方法包含下列步骤：
在步骤S41中：设定固态硬盘的逻辑存储区块的个数为闪速存储器的实体存储区块的个数的三分之一。其中，逻辑存储区块的个数为不变的固定值。
在步骤S42中：由闪速存储器的控制单元读取闪速存储器的各实体存储区块的第一写入/抹除次数。
在步骤S43中：当第一写入/抹除次数超过第一写入/抹除上限值时，将实体存储区块由三层式存储格式转换为多层式存储格式。
在步骤S44中：由控制单元读取转换为多层式存储格式的各实体存储区块的第二写入/抹除次数。
在步骤S45中：当第二写入/抹除次数超过第二写入/抹除上限值时，将转换为多层式存储格式的实体存储区块由多层式存储格式转换为单层式存储格式。
其中，上述的步骤S41至S45可由控制单元进行操作。关于上述的各实体存储区块可分别包含若干个数据存储页。举例来说，实体存储区块(Block)可以由128个数据存储页(Page)所组成，而每一个数据存储页的大小可以为512Byte，或者是512Byte的倍数，如1024Byte 或是2048Byte，然而，可以理解的是，本发明并不以此为限，实体存储区块也可以由64个数据存储页或是256个数据存储页所组成。
当若干个实体存储区块皆转换为单层式存储格式，且转换后为单层式存储格式的若干个实体存储区块的故障区块比例大于预设比例时，固态硬盘可进入唯读状态；其中，预设比例可以随固态硬盘的制造商自由设定，而目前一般常见的设定则为6.8％。
而，各实体存储区块从三层式存储格式转换为多层式存储格式后，多层式存储格式的各实体存储区块的容量将会成为三层式存储格式的各实体存储区块的容量的三分之二，在本实施例中，由于一开始三层式存储格式的各实体存储区块的个数即为固态硬盘的逻辑存储区块的个数的三倍，故当若干个三层式存储格式的实体存储区块皆转换为多层式存储格式后，此时转换后的多层式存储格式的实体存储区块将会是初始时三层式存储格式的各实体存储区块的2/3容量，换句话说，此时闪速存储器的实际可存取容量将会等于固态硬盘的逻辑存取容量的两倍。
在一实施例中，三层式存储格式的闪速存储器的容量为100G，并将其逻辑存取容量设定为33.3G，在此情况下，主机可透过映射表 (Mapping table)的对应方式来自动选择将数据存储至三层式存储格式的实体存储区块中，由于实际上可供存取的实体存储区块为逻辑存取容量的三倍，故相较于其他的三层式存储格式的闪速存储器，本实施例的闪速存储器的写入/抹除次数将会成为其他三层式存储格式的闪速存储器的三倍。而当转换成多层式存储格式的实体存储区块，此时其容量将成为66.67G，而其写入/抹除次数也将成为其他66.7G容量多层式存储格式的闪速存储器的二倍，其原因已于上述揭露，故在此不进行赘述。
请参阅图5，其是本发明的延长固态硬盘寿命的方法的第三流程图。如图所示，本发明的延长固态硬盘寿命的方法以固态硬盘承载闪速存储器，闪速存储器属于三层式存储闪速存储器，而延长固态硬盘寿命的方法包含下列步骤：
在步骤S51中：设定固态硬盘的逻辑存储区块的个数为闪速存储器的实体存储区块的个数的三分之一。其中，逻辑存储区块的个数为不变的固定值。
在步骤S52中：由闪速存储器的控制单元读取闪速存储器的各实体存储区块的写入/抹除次数。
在步骤S53中：当写入/抹除次数超过写入/抹除上限值时，将实体存储区块由三层式存储格式转换为单层式存储格式。
上述的步骤S51至S53可由控制单元进行操作。关于上述的各实体存储区块可分别包含若干个数据存储页。举例来说，实体存储区块 (Block)可以由128个数据存储页(Page)所组成，而每一个数据存储页的大小可以为512Byte，或者是512Byte的倍数，如1024Byte或是2048Byte，然而，可以理解的是，本发明并不以此为限，实体存储区块也可以由64个数据存储页或是256个数据存储页所组成。
当若干个实体存储区块皆转换为单层式存储格式，且转换后为单层式存储格式的若干个实体存储区块的故障区块比例大于预设比例时，固态硬盘进入一唯读状态；其中，预设比例可以随固态硬盘的制造商自由设定，而目前一般常见的设定则为6.8％。
各实体存储区块从三层式存储格式转换为单层式存储格式后，单层式存储格式的各实体存储区块的容量将会成为三层式存储格式的各实体存储区块的容量的三分之一，在本实施例中，由于一开始三层式存储格式的各实体存储区块的个数即为固态硬盘的逻辑存储区块的个数的三倍，故当若干个三层式存储格式的实体存储区块皆转换为单层式存储格式后，此时转换后的单层式存储格式的实体存储区块将会是初始时三层式存储格式的各实体存储区块的1/3容量，换句话说，此时闪速存储器的容量将会等于固态硬盘的逻辑存取容量。
在一实施例中，三层式存储格式的闪速存储器的容量为100G，并将其逻辑存取容量设定为33.3G，在此情况下，主机可透过映射表 (Mapping table)的对应方式来自动选择将数据存储至三层式存储格式的实体存储区块中，由于实际上可供存取的实体存储区块为逻辑存取容量的两倍，故相较于其他的三层式存储格式的闪速存储器，本实施例的闪速存储器的写入/抹除次数将会成为其他33.3G容量多层式存储格式的闪速存储器的三倍。
承上所述，本发明的延长固态硬盘寿命的方法藉由监控取得各实体存储区块的写入/抹除次数，而据以判断是否对其进行存储格式的降阶转换，以使转换后的实体存储区块得以继续使用，而达到延长固态硬盘寿命的目的。
以上所述的实施例仅为说明本发明的技术思想及特点，其目的在使熟习此项技艺的人士能够了解本发明的内容并据以实施，当不能以其限定本发明的专利范围，即大凡依本发明所揭示的精神所作的均等变化或修饰，仍应涵盖在本发明的专利范围内。

Claims (10)

1.一种延长固态硬盘寿命的方法，所述固态硬盘承载闪速存储器，所述闪速存储器属于多层式存储闪速存储器，其特征在于，所述延长固态硬盘寿命的方法包含下列步骤：
设定所述固态硬盘的逻辑存储区块的个数为所述闪速存储器的实体存储区块的个数的二分之一；
由所述闪速存储器的控制单元读取所述闪速存储器的各所述实体存储区块的写入/抹除次数；以及
当所述写入/抹除次数超过写入/抹除上限值时，将所述实体存储区块由多层式存储格式转换为单层式存储格式；
其中，所述逻辑存储区块的个数为不变的固定值。
2.根据权利要求1所述的延长固态硬盘寿命的方法，其特征在于，当所述若干个实体存储区块皆转换为所述单层式存储格式，且转换后为所述单层式存储格式的所述若干个实体存储区块的故障区块比例大于预设比例时，所述固态硬盘进入唯读状态。
3.根据权利要求1所述的延长固态硬盘寿命的方法，其特征在于，各所述实体存储区块的容量于所述多层式存储格式转换为所述单层式存储格式后，所述单层式存储格式的各所述实体存储区块的容量为所述多层式存储格式的各所述实体存储区块的容量的二分之一，当所述若干个实体存储区块皆转换为所述单层式存储格式时，所述闪速存储器的容量等于所述固态硬盘的逻辑存取容量。
4.一种延长固态硬盘寿命的方法，所述固态硬盘承载闪速存储器，所述闪速存储器属于三层式存储闪速存储器，其特征在于，所述延长固态硬盘寿命的方法包含下列步骤：
设定所述固态硬盘的逻辑存储区块的个数为所述闪速存储器的实体存储区块的个数的三分之一；
由所述闪速存储器的控制单元读取所述闪速存储器的各所述实体存储区块的第一写入/抹除次数；
当所述第一写入/抹除次数超过第一写入/抹除上限值时，将所述实体存储区块由三层式存储格式转换为多层式存储格式；
由所述控制单元读取转换为所述多层式存储格式的各所述实体存储区块的第二写入/抹除次数；以及
当所述第二写入/抹除次数超过第二写入/抹除上限值时，将转换为所述多层式存储格式的所述实体存储区块由所述多层式存储格式转换为单层式存储格式；
其中，所述逻辑存储区块的个数为不变的固定值。
5.根据权利要求4所述的延长固态硬盘寿命的方法，其特征在于，当所述若干个实体存储区块皆转换为所述单层式存储格式，且转换后为所述单层式存储格式的所述若干个实体存储区块的故障区块比例大于预设比例时，所述固态硬盘进入唯读状态。
6.根据权利要求4所述的延长固态硬盘寿命的方法，其特征在于，各所述实体存储区块的容量于所述三层式存储格式转换为所述多层式存储格式后，所述多层式存储格式的各所述实体存储区块的容量为所述三层式存储格式的各所述实体存储区块的容量的三分之二，当所述若干个存储区块皆转换为所述多层式存储格式时，所述闪速存储器的容量剩余三分之二容量。
7.根据权利要求6所述的延长固态硬盘寿命的方法，其特征在于，各所述实体存储区块的容量于所述多层式存储格式转换为所述单层式存储格式后，所述单层式存储格式的各所述实体存储区块的容量为所述多层式存储格式的各所述实体存储区块的容量的二分之一，当所述若干个存储区块皆转换为所述单层式存储格式时，所述闪速存储器的容量等于所述固态硬盘的逻辑存取容量。
8.一种延长固态硬盘寿命的方法，所述固态硬盘承载闪速存储器，所述闪速存储器属于三层式存储闪速存储器，所述延长固态硬盘寿命的方法包含下列步骤：
设定所述固态硬盘的逻辑存储区块的个数为所述闪速存储器的实体存储区块的个数的三分之一；
由所述闪速存储器的控制单元读取所述闪速存储器的各所述实体存储区块的写入/抹除次数；以及
当所述写入/抹除次数超过写入/抹除上限值时，将所述实体存储区块由三层式存储格式转换为单层式存储格式；
其中，所述逻辑存储区块的个数为不变的固定值。
9.根据权利要求8所述的延长固态硬盘寿命的方法，其特征在于，当所述若干个实体存储区块皆转换为所述单层式存储格式，且转换后为所述单层式存储格式的所述若干个实体存储区块的故障区块比例大于预设比例时，所述固态硬盘进入唯读状态。
10.根据权利要求8所述的延长固态硬盘寿命的方法，其特征在于，各所述实体存储区块的容量于所述三层式存储格式转换为所述单层式存储格式后，所述单层式存储格式的各所述实体存储区块的容量为所述三层式存储格式的各所述实体存储区块的容量的三分之一，当所述若干个实体存储区块皆转换为所述单层式存储格式时，所述闪速存储器的容量等于所述固态硬盘的逻辑存取容量。
CN201711000705.3A 2017-10-24 2017-10-24 延长固态硬盘寿命的方法 Active CN109697023B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711000705.3A CN109697023B (zh) 2017-10-24 2017-10-24 延长固态硬盘寿命的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711000705.3A CN109697023B (zh) 2017-10-24 2017-10-24 延长固态硬盘寿命的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109697023A true CN109697023A (zh) 2019-04-30
CN109697023B CN109697023B (zh) 2022-04-29

Family

ID=66227706

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711000705.3A Active CN109697023B (zh) 2017-10-24 2017-10-24 延长固态硬盘寿命的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109697023B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110275677A (zh) * 2019-05-22 2019-09-24 华为技术有限公司 硬盘格式转换方法、装置及存储设备
CN110515537A (zh) * 2019-06-27 2019-11-29 鸿秦（北京）科技有限公司 一种延长固态硬盘寿命的方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200826107A (en) * 2006-12-06 2008-06-16 Inventec Corp Method for protecting data of storage device
CN101609431A (zh) * 2008-06-19 2009-12-23 慧国(上海)软件科技有限公司 闪存装置的运作方法及闪存装置
CN103927262A (zh) * 2014-03-21 2014-07-16 深圳市硅格半导体有限公司 闪存物理块的控制方法及装置
CN105551522A (zh) * 2016-01-14 2016-05-04 深圳市硅格半导体股份有限公司 闪存存储设备的管理方法及装置
CN105988716A (zh) * 2015-02-09 2016-10-05 深圳市硅格半导体有限公司 存储装置及其模式转换的方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200826107A (en) * 2006-12-06 2008-06-16 Inventec Corp Method for protecting data of storage device
CN101609431A (zh) * 2008-06-19 2009-12-23 慧国(上海)软件科技有限公司 闪存装置的运作方法及闪存装置
CN103927262A (zh) * 2014-03-21 2014-07-16 深圳市硅格半导体有限公司 闪存物理块的控制方法及装置
CN105988716A (zh) * 2015-02-09 2016-10-05 深圳市硅格半导体有限公司 存储装置及其模式转换的方法
CN105551522A (zh) * 2016-01-14 2016-05-04 深圳市硅格半导体股份有限公司 闪存存储设备的管理方法及装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110275677A (zh) * 2019-05-22 2019-09-24 华为技术有限公司 硬盘格式转换方法、装置及存储设备
CN110275677B (zh) * 2019-05-22 2022-04-12 华为技术有限公司 硬盘格式转换方法、装置及存储设备
US11682428B2 (en) 2019-05-22 2023-06-20 Xfusion Digital Technologies, Co., Ltd. Hard disk format conversion method and apparatus, and storage device
CN110515537A (zh) * 2019-06-27 2019-11-29 鸿秦（北京）科技有限公司 一种延长固态硬盘寿命的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109697023B (zh) 2022-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101861170B1 (ko) 마이그레이션 관리자를 포함하는 메모리 시스템
US8874832B2 (en) AD HOC flash memory reference cells
KR20180121794A (ko) 동적 슈퍼 블록을 포함하는 메모리 장치 및 관련 방법 및 전자 시스템
US20150347291A1 (en) Flash memory based storage system and operating method
US9891838B2 (en) Method of operating a memory system having a meta data manager
US8296504B2 (en) Data management method and flash memory storage system and controller using the same
US20090265505A1 (en) Data writing method, and flash storage system and controller using the same
US20090198875A1 (en) Data writing method for flash memory, and controller and system using the same
KR20150139112A (ko) 가비지 컬렉션 유닛을 포함하는 메모리 시스템 및 동작 방법
US8667210B2 (en) Memory management method, memory controller and memory storage apparatus
US8037236B2 (en) Flash memory writing method and storage system and controller using the same
US20220269602A1 (en) Storage device and storage system including the same
CN112015329A (zh) 存储系统及其操作方法
CN111813328A (zh) 存储器系统及其操作方法
CN111273858A (zh) 开放通道固态驱动器以及非易失性存储器系统
TWI655541B (zh) 延長固態硬碟壽命之方法
US8417909B2 (en) Block management and data writing method, and flash memory storage system and controller using the same
CN109697023A (zh) 延长固态硬盘寿命的方法
US8572350B2 (en) Memory management, memory control system and writing method for managing rewritable semiconductor non-volatile memory of a memory storage system
KR20190095825A (ko) 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법
US20100325344A1 (en) Data writing method for flash memory and control circuit and storage system using the same
CN111338978A (zh) 存储装置以及操作存储装置的方法
KR20170109344A (ko) 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법
CN115114178A (zh) 存储器系统及其操作方法
KR20150059058A (ko) 호스트 ftl을 갖는 사용자 장치 및 그것의 오픈 블록의 페이지 오프셋 전송 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant