CN109686477A - 一种耐高温的复合透明导电膜及其制备方法 - Google Patents

Abstract

一种耐高温的复合透明导电膜及其制备方法，属于导电膜技术领域。其特征在于：层状结构为在透明基板（7）的上表面上由内到外依次为离子阻隔层（1）、缓冲层（2）、内层金属保护层（3）、金属层（4）、外层金属保护层（5）、功能层（6）；所述的内层金属保护层（3）和外层金属保护层（5）的材质为Ti、Cu、Al、Ni、Nb、V、Cr、镍铬钒合金、钒钛合金、铝钛合金、铝镍合金、镍铬合金、铝钒合金或铜铬合金；内层金属保护层（3）和外层金属保护层（5）的厚度为0.2nm~1.5nm。依次在透明基板上采用磁控溅射法，制备各层；本发明的导电膜可钢化、透过颜色中性、低雾度、耐高温。

Description

一种耐高温的复合透明导电膜及其制备方法

技术领域

一种耐高温的复合透明导电膜及其制备方法，属于导电膜技术领域。

背景技术

透明导电膜（TCO）是在可见光范围内具有高透明率具有导电特性的一种薄膜，主要应用于平板电视、触摸屏、智能窗玻璃、发光二极管以及光伏电池等器件中透明电极。

在透明导电薄膜中，应用最广的一类是锡掺杂氧化铟薄膜，即俗称的 ITO薄膜。根据报道，ITO膜厚为366nm时方块电阻约为66Ω/£。ITO的沉积速率很小，要想做到10Ω/£以下需要增加ITO的厚度，随着ITO厚度的增加，膜层的成本急剧升高,并且随厚度的增加膜层透过率下降，膜层颜色偏离中性色，呈现黄色。为了解决对ITO的依赖，开始研发掺杂的氧化锌，碳基透明导电薄膜。但是掺杂氧化锌薄膜虽然通过增加薄膜的厚度可以获得很低的方块电阻，但是，耐酸碱性差，性能不稳定，不宜用于柔性显示器、光伏电池、智能窗等器件的制备；而碳基透明导电薄膜虽然透过率高，但是其电阻率高，与半导体工业兼容性差，不宜大规模生产，尤其是石墨烯的制备需高温条件，限制了其在触摸屏制造领域的广泛应用。

DMD（介质/金属/介质）三明治结构的透明导电薄膜由于其电阻率和透过率可调，价格低廉且与半导体工艺兼容，受到越来越多的青睐，成为科学界和工业界的研究热点。目前DMD结构的透明导电膜，在后续的加工过程中容易因金属层氧化而导致透明导电膜的导电性能变差，甚至失效。而且现有DMD结构的透明导电膜颜色偏离中性色，不适合于智能窗等建筑领域上应用。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种可钢化的、透过颜色中性、低雾度、耐高温的复合透明导电膜及其制备方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：该耐高温的复合透明导电膜，其特征在于：层状结构为在透明基板的上表面上由下到上依次为离子阻隔层、缓冲层、内层金属保护层、金属层、外层金属保护层、功能层；所述的内层金属保护层和外层金属保护层的材质为Ti、Cu、Al、Ni、Nb、V、Cr、镍铬钒合金、钒钛合金、铝钛合金、铝镍合金、镍铬合金、铝钒合金或铜铬合金；内层金属保护层和外层金属保护层的厚度均为0.2nm~1.5nm。

本发明通过膜系设计和增加保护层解决了导电性能的失效问题和颜色偏离中性色的问题，本发明为耐高温的、低雾度的、透过色为中性、高显色指数的复合透明导电膜。此复合透明导电薄膜具有优良的透光率和良好的导电性，成本低，同时具有抗紫外线和隔热效果。非常适合应用于平板电视、触摸屏、智能窗玻璃、发光二极管以及光伏电池等器件中透明电极，尤其是建筑上智能窗玻璃的电极。

透明基板为玻璃基板、透明树脂基材等透明材料。玻璃基板可以是普通玻璃、优质建筑玻璃、优质电子玻璃、超白玻璃或着色玻璃等，透明树脂基材可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等的聚酯薄膜、聚乙烯以及聚丙烯等的聚烯烃薄膜、聚碳酸酯薄膜、丙烯酸薄膜、降冰片烯薄膜、聚醚砜薄膜、二乙酰基纤维素薄膜、以及三乙酰基纤维素薄膜等。

优选的，所述的透明基板为玻璃基板或透明树脂基材。

更优选的，所述的透明基板为0.7mm~10mm厚的柔性的PET、PEN或玻璃基板。

离子阻隔层可以阻挡基板的碱金属离子或有害离子向导电层扩散，离子阻隔层可以是单一的氧化物，氮化物或氮氧化物，也可以是多种氮化物、氧化物和氮氧化物的组合层，氮化物、氧化物或氧氮化物选自Si、Al、Ti、Zr、Sn、Pb、Bi、Mg、Mo的一种或几种掺杂的氧化物、氮化物或氮氧化物。优选地，所述材料有SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZrO₂、SnO₂、PbOx、MgO、MoO、BiO₂、Si₃N₄、SiNx、SiON、TiN、SiZrOx、SiZrON、SiZrN、SiZrON、SiAlOx、SiAlNx、SiAlON、SiTiOx、SiTiNx、SiTiNO等。作为优选：BiO₂、SiNx、TiNx、SiAlNx、BiO₂/SnO₂、BiO₂/SiNx、SiAlNx/SiO₂、ZrO₂/SiO₂、SiNx/SiO₂等，作为优选，制备材料的厚度为5~150nm，更优选10~50nm之间。

优选的，所述的离子阻隔层的厚度为5nm~150nm，离子阻隔层的材质为SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZrO₂、SnO₂、PbOx、MgO、MoO、BiO₂、Si₃N₄、SiNx、SiON、TiN、SiZrOx、SiZrON、SiZrN、SiZrON、SiAlOx、SiAlNx、SiAlON、SiTiOx、SiTiNx或SiTiNO。

更优选的，所述的离子阻隔层的厚度为10nm~50nm，离子阻隔层的材质为BiO₂、SiNx、TiNx、SiAlNx、BiO₂/SnO₂、BiO₂/SiNx、SiAlNx/SiO₂、ZrO₂/SiO₂或SiNx/SiO₂。

复合透明导电膜的核心功能层主要依靠金属膜的导电性能。由于金属在溅镀生长时，容易以岛状形式生长，形成膜状结构时需要较厚的厚度(通常大于12nm)，随着厚度的增加，膜层的面电阻下降，随着厚度的增加，透光率降低。因此难以制备出高透过率、低电阻的透明导电薄膜。本发明通过增加缓冲层，使金属膜在很薄的的厚度就可达到很低的电阻。缓冲层可以是单一氧化物，也可以是含有多种元素的掺杂氧化物或者单一氧化物与多种合金氧化物的组合层，比如ZnO、In₂O₃、TiO₂、SnO₂、ITO、ATO（掺铟的氧化锡）、FTO（掺氟的氧化锡）、IGZO（掺铟镓的氧化锡）、掺Zr的氧化锌、SnSbOx、SbOx、ZnSbOx、HfO₂、ZnSnOx、GZO（掺镓的氧化锌）、AZO（掺铝的氧化锌）、SnO₂、TiO_2、Nb₂O₅、Al₂O₃、TiO2、MoO、MgO、WO_3、NiCrO等。作为优选：SnO₂/NiCrO、ZnO/ATO、AZO/TiO2、ZnSbOx、ZnO、ZnSbOx/GZO、ZnSnOx/ZnO、NiCrOx/AZO、ZnO/ITO等，作为优选氧化物层厚度为10~200nm，更优选20~80nm。

优选的，所述的缓冲层的厚度为10nm~200nm，缓冲层的材质为ZnO、In₂O₃、TiO₂、SnO₂、ITO、ATO、FTO、IGZO、掺Zr的氧化锌、SnSbOx、SbOx、ZnSbOx、HfO₂、ZnSnOx、GZO、AZO、SnO₂、TiO_2、Nb₂O₅、Al₂O₃、TiO2、MoO、MgO、WO₃或NiCrO。

更优选的，所述的缓冲层的厚度为20nm~80nm，缓冲层的材质为SnO₂/NiCrO、ZnO/ATO、AZO/TiO2、ZnSbOx、ZnO、ZnSbOx/GZO、ZnSnOx/ZnO、NiCrOx/AZO或ZnO/ITO。

金属层为Ag、Cu、Pb、Al、Sn、Sb、Au、Pt、In等金属中的一种、两种或两种以上的合金。作为优选：Ag、AgCu合金、AgAl合金、AgPb合金、AgIn合金、AuPt合金等，作为优选金属的厚度为5~18nm，更优选7~14nm。

优选的，所述的金属层的厚度为5~18nm，金属层的材质为Ag、Cu、Pb、Al、Sn、Sb、Au、Pt或In中的一种或两种以上的合金。

更优选的，所述的金属层的厚度为7~14nm，金属层的材质为Ag、AgCu合金、AgAl合金、AgPb合金、AgIn合金或AuPt合金。

功能层可以是提高膜层硬度的保护层、减反层，或者是提高产品的电学性能的半导体层。可以是单一的氧化物、氮化物或氮氧化物，也可以是含有其它氧化物、氮化物或氮氧化物的组合层。优选材料为Al₂O₃、TiO₂、Nb₂O₅、SiO2、MgF₂、TiOx、TiN、ZrO₂、ZrOx、ZrN、PbOx、MgO、MoO、BiO₂、Si₃N₄、SiNx、SiON、SiZrOx、SiZrON、SiZrN、SiZrON、SiAlOx、SiAlNx、SiAlON、SiTiOx、SiTiNx、SiTiNO、CuOx、ZnO、AZO、GZO（镓掺杂的氧化锌）、ZnO：B（掺硼的氧化锌）、CZO（铯掺杂的氧化锌）、掺锆的氧化锌等、SnO_2、ITO、ATO、掺铝的SnO₂、掺Ga的SnO₂、掺Zn的氧化锡等，作为优选：TiOx、SnO2、MgF₂、SiO2、ZrO2、ZnO/SiO2、ATO/MgF₂、GZO、AZO/TiO₂、AZO/TiN、AZO/ITO、SiNx/SiO₂等，此层的优选厚度为20~200nm，更优选40~100nm。

优选的，所述的功能层厚度为20~200nm，功能层的材质为Al₂O₃、TiO₂、Nb₂O₅、SiO2、MgF₂、TiOx、TiN、ZrO₂、ZrOx、ZrN、PbOx、MgO、MoO、BiO₂、Si₃N₄、SiNx、SiON、SiZrOx、SiZrON、SiZrN、SiZrON、SiAlOx、SiAlNx、SiAlON、SiTiOx、SiTiNx、SiTiNO、CuOx、ZnO、AZO、GZO、ZnO：B、CZO、掺锆的氧化锌、SnO_2、ITO、ATO、掺铝的SnO₂、掺Ga的SnO₂、掺Zn的氧化锡。

更优选的，所述的功能层厚度为40~100nm，功能层的材质为TiOx、SnO₂、MgF₂、SiO₂、ZrO2、ZnO/SiO₂、ATO/MgF₂、GZO、AZO/TiO₂、AZO/TiN、AZO/ITO、SiNx/SiO₂。

本发明的一种可钢化的、透过颜色中性、低雾度、耐高温的透明导电薄膜的制备方法。采用磁控溅射的方法制备复合的透明导电膜。

一种上述耐高温的复合透明导电膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1）对透明基板（7）进行清洗、干燥；

2）将透明基板（7）传送到磁控溅射镀膜腔室，配置设备的功率和工艺气体，依次制备离子阻隔层（1）、缓冲层（2）、内层金属保护层（3）、金属层（4）、外层金属保护层（5）、功能层（6）即得。

本发明采用DMD、DMDS或DMD+AR的膜层结构，依次在透明基板上采用磁控溅射法，制备离子阻隔层、缓冲层、金属保护层金属层、金属保护层、功能层。

与现有技术相比，本发明的所具有的有益效果是：本发明通过引入缓冲层，提高了金属的成膜和结晶，使金属在很薄的厚度呈现优良的导电性，透明导电膜的方块电阻＜5Ω/□，甚至＜3Ω/□。并通过对功能膜层的调节，包括膜层材料、次序、及厚度的选择，使得整个膜层的可见光透光率高，可见光透光率＞85%，甚至通过优化可以＞89%。并且膜层的透过颜色可以调整到颜色在中性色范围。当然特殊要求的颜色也可通过材料、次序及厚度选择而达到。

本发明通过引入金属保护层，提高了透明导电膜的耐热性，在700℃热处理4min膜层的电阻仍然＜5Ω/□和透光率＞85%，具有良好的耐热性。

本发明的透明导电膜雾度＜0.3，非常适合应用于高透过，颜色中性、低雾度要求的领域，比如建筑上的智能窗，并且与ITO相比，面电阻更低，颜色中性，成本低，并且具有良好的红外阻隔效果。

本发明改变传统导电膜的5层结构，避免了氧化物层与金属层直接接触，解决了在加工过程中温度升高，导致透明导电的电阻升高，导电性能变差的问题。本发明在金属层与氧化物层之间增加了保护层，保证了透明导电膜的耐高温性能。保护层的材料主要为Cr、Ti、Cu、Ni等金属、合金或者氧化物。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

图2为本发明实例1 300—2500nm的透过率光谱。

图3为本发明实例1 300—2500nm的反射率光谱。

其中，1、离子阻隔层 2、缓冲层 3、内层金属保护层 4、金属层 5、外层金属保护层6、功能层 7、透明基板。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明做进一步说明，其中实施例1为最佳实施。

实施例1

一种耐高温的透过中性的复合透明导电薄膜，膜层结构见附图1。包括透明基板7，离子阻隔层1 (SiNx)、缓冲层2 (SnO₂/ITO)、内层金属保护层3(Ti)、金属层4（Ag）、外层金属保护层5（Ti）、功能层6（ZrO₂/SiO₂）；

透明基板7厚度为3.2 mm、离子阻隔层1厚度为20nm~30nm、缓冲层2厚度为20~50 nm、内层金属保护层3的Ti层厚度为0.2~1.5nm、金属层4厚度为7~14nm、外层金属保护层5的Ti层厚度为0.2~1.5 nm、功能层6厚度为20~80nm；

具体操作步骤如下：

1）将相应尺寸厚度3.2mm的透明基板7清洗干净，并将离线磁控溅射设备的真空度设置在10^-3 Pa，线速度设置为4.0 m/min；

2）将透明基板传送入镀膜腔室中，设置镀离子阻隔层1的设备总功率为85KW~126.0KW，采用反应溅射的方法，在透明基板7上镀离子阻隔层1 20nm~30nm；

3）设置镀缓冲层2的设备总功率为75 kW ~113kW，在透明基板7上镀缓冲层2 20 nm ~50 nm；

4）设置镀金属钛层的设备总功率为2.4 kW ~8.0 kW，在透明基板7上镀内层金属保护层3 0.2~1.5 nm；

5）设置镀第一层金属银层的设备总功率为7.8kW~10.1kW，在透明基板7上镀第一层氧金属层4 7~14nm；

6）设置镀金属钛层的设备总功率为5kW ~12 kW，在透明基板7上镀外层金属保护层50.5~1.2 nm；

7）设置镀功能层6的设备总功率为157.0kW，在透明基板7上镀功能层6 60nm；

其中，在镀膜过程中，步骤2）至步骤7）之间是持续进行的，没有时间间隔，步骤1）中的透明基板需用超纯水清洗。

本实施方式中，以特定的膜层材料，特定的膜层层数，特定的层间排列组合及特定的膜层厚度设置，结合特定的工艺设置，将制备出来的镀膜玻璃进行了分析检测。样品的透过率曲线、反射率曲线，依据ISO9050的标准，使用Lambda950进行测试。雾度测试，依据标准ASTM1003使用Lambda950测试。样品的方块电阻用四探针进行测试。测试结果见下表，透光率曲线见图2，反射率曲线见图3。

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为了考察样品的耐高温性能在将样品在700℃的钢化炉中加热4分钟，风冷，测试样品的参数。

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说明透明导电膜的耐热性好，通过热处理可以提高金属的结晶性能，并且样品的雾度低，颜色中性，显色指数高。

实施例2

复合透明导电薄膜膜层结构见附图1。包括透明基板7，离子阻隔层1 (SiAlNx)、缓冲层2 (ZnSnOx/ZnO)、内层金属保护层3 (Ti)、金属层4（Ag）、外层金属保护层5（NiCr）、功能层6（SnO₂/AZO/ITO/SiZrOx）；

透明基板7厚度为4 mm、离子阻隔层1厚度为10~50 nm、缓冲层2厚度为20~50 nm、内层金属保护层3厚度为0.2~1.5nm、金属层4厚度为7~14nm、外层金属保护层5层厚度为0.2~1.5nm、功能层6厚度为20~80nm；

具体操作步骤如下：

1）将将相应尺寸的厚度的4mm的透明基板7清洗干净，并将离线磁控溅射设备的真空度设置在10^-3 Pa，线速度设置为4.0 m/min；

2）将透明基板7传送入镀膜腔室中，设置镀离子阻隔层1的设备总功率为50~200 KW，采用反应溅射的方法，在玻璃基板上镀第一层1 40 nm；

3）设置镀缓冲层2的设备总功率为75~113kW，在透明基板7上镀缓冲层2 20~50 nm；

4）设置镀金属钛层的设备总功率为2.4~8.0 kW，在透明基板7上镀内层金属保护层30.2~1.2nm；

5）设置镀第一层金属银层4的设备总功率为7.8~10.1kW，在透明基板7上镀金属层4 7~14nm；

6）设置镀金属钛层的设备总功率为5~12 kW，在透明基板7上镀外层金属保护层5 0.5~1.2 nm；

7）设置镀功能层6的设备总功率为100~230.0 kW，在透明基板7上镀功能层6 30~80nm；

其中，在镀膜过程中，步骤2）至步骤7）之间是持续进行的，没有时间间隔，步骤1）中的透明基板需用超纯水清洗。

本实施方式中，以特定的膜层材料，特定的膜层层数，特定的层间排列组合及特定的膜层厚度设置，结合特定的工艺设置，将制备出来的镀膜玻璃进行了分析检测。

测试结果见下表：

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实施例3

膜层结构见附图1。包括透明基板7，离子阻隔层1 (BiOx)、缓冲层2 (SnO2/AZO)、内层金属保护层3 (TiV)、金属层4（AgCu）、外层金属保护层钛5（Ti）、功能层6（AZO/ITO/TiO₂）。

透明基板7厚度为3.2 mm、离子阻隔层1厚度为10~20 nm、缓冲层2厚度为20~80nm、内层金属保护层3厚度为0.2~0.9nm、金属层4厚度为7~14nm、外层金属保护层5厚度为0.5~1.2 nm、功能层6厚度为20~80nm；

具体操作步骤如下：

1）将相应尺寸的厚度3.2mm的超白透明基板7清洗干净，并将离线磁控溅射设备的真空度设置在10^-3 Pa，线速度设置为4.0 m/min；

2）将透明基板7传送入镀膜腔室中，设置镀离子阻隔层1的设备总功率为30~80 KW，采用反应溅射的方法，在玻璃基板上镀第一层1 10~20 nm；

3）设置镀缓冲层2的设备总功率为80~240W，在透明基板7上镀缓冲层2 20~80 nm；

4）设置镀金属钛层的设备总功率为2.1~8kW，在透明基板7上镀内层金属保护层3 0.2~0.9 nm；

5）设置镀一层金属银层的设备总功率为7~10.2kW，在透明基板7上镀第一层金属层4 7~14nm；

6）设置镀金属钛层的设备总功率为5~12.0kW，在透明基板7上镀外层金属保护层50.7nm~1.5nm；

7）设置镀功能层6的设备总功率为115~230kW，在透明基板7上镀功能层6 30 nm ~80nm；

其中，在镀膜过程中，步骤2）至步骤7）之间是持续进行的，没有时间间隔，步骤1）中的透明基板需用超纯水清洗。本实施方式中，以特定的膜层材料，特定的膜层层数，特定的层间排列组合及特定的膜层厚度设置，结合特定的工艺设置，将制备出来的镀膜玻璃进行了分析检测。

测试结果见下表：

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实施例4

膜层结构见附图1。包括透明基板7（PET），离子阻隔层1 (SiNx)、缓冲层2 (SnO₂/ITO)、内层金属保护层3 (Ti)、金属层4（Ag）、外层金属保护层5（Ti）、功能层6（AZO/TiO₂）；

透明基板7厚度为3mm的PET、离子阻隔层1厚度为10~20 nm、缓冲层2厚度为20~50 nm、内层金属保护层3厚度为0.2~1.5nm、金属层4厚度为7~14nm、外层金属保护层5厚度为0.2~1.5 nm、功能层6厚度为20~80nm。具体操作步骤如下：

1）将相应尺寸的3mm的PET基片清洗干净，并将离线磁控溅射设备的真空度设置在10^-3Pa，线速度设置为4.0 m/min；

2）将透明基板传送入镀膜腔室中，设置镀离子阻隔层1的设备总功率为85KW~126.0KW，采用反应溅射的方法，在玻璃基板上镀第一层1 20 nm ~30nm；

3）设置镀缓冲层2的设备总功率为75~113kW，在PET基片上镀缓冲层2 20~50 nm；

4）设置镀金属钛层的设备总功率为2.4~8.0 kW，在PET基片上镀内层金属保护层3 0.2~1.2 nm；

5）设置镀第一层金属银层的设备总功率为7.8~10.1kW，在PET基片上镀第一层氧金属层4 7~14nm；

6）设置镀金属钛层的设备总功率为5~12 kW，在PET基片上镀外层金属保护层5 0.8~1.5 nm；

7）设置镀功能层6的设备总功率为120~170 kW，在PET基片上镀功能层6 60 nm；

其中，在镀膜过程中，所述步骤2）至步骤7）之间是持续进行的，没有时间间隔，步骤1）中的PET基片需用超纯水清洗。本实施方式中，以特定的膜层材料，特定的膜层层数，特定的层间排列组合及特定的膜层厚度设置，结合特定的工艺设置，将制备出来的镀膜玻璃进行了分析检测。

测试结果见下表：

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以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非是对本发明作其它形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型，仍属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (10)

1.一种耐高温的复合透明导电膜，其特征在于：层状结构为在透明基板（7）的上表面上由下至上依次为离子阻隔层（1）、缓冲层（2）、内层金属保护层（3）、金属层（4）、外层金属保护层（5）、功能层（6）；所述的内层金属保护层（3）和外层金属保护层（5）的材质为Ti、Cu、Al、Ni、Nb、V、Cr、镍铬钒合金、钒钛合金、铝钛合金、铝镍合金、镍铬合金、铝钒合金或铜铬合金；内层金属保护层（3）和外层金属保护层（5）的厚度均为0.2nm~1.5nm。

2.根据权利要求1所述的一种耐高温的复合透明导电膜，其特征在于：所述的透明基板（7）为0.7mm~10mm厚的柔性的PET、PEN或玻璃基板。

3.根据权利要求1所述的一种耐高温的复合透明导电膜，其特征在于：所述的离子阻隔层（1）的厚度为10nm~50nm，离子阻隔层（1）的材质为BiO₂、SiNx、TiNx、SiAlNx、BiO₂/SnO₂、BiO₂/SiNx、SiAlNx/SiO₂、ZrO₂/SiO₂或SiNx/SiO₂。

4.根据权利要求1所述的一种耐高温的复合透明导电膜，其特征在于：所述的缓冲层（2）的厚度为10nm~200nm，缓冲层（2）的材质为ZnO、In₂O₃、TiO₂、SnO₂、ITO、ATO、FTO、IGZO、掺Zr的氧化锌、SnSbOx、SbOx、ZnSbOx、HfO₂、ZnSnOx、GZO、AZO、SnO₂、TiO_2、Nb₂O₅、Al₂O₃、TiO2、MoO、MgO、WO₃或NiCrO。

5.根据权利要求1所述的一种耐高温的复合透明导电膜，其特征在于：所述的缓冲层（2）的厚度为20nm~80nm，缓冲层（2）的材质为SnO₂/NiCrO、ZnO/ATO、AZO/TiO2、ZnSbOx、ZnO、ZnSbOx/GZO、ZnSnOx/ZnO、NiCrOx/AZO或ZnO/ITO。

6.根据权利要求1所述的一种耐高温的复合透明导电膜，其特征在于：所述的金属层（4）的厚度为5 nm ~18nm，金属层（4）的材质为Ag、Cu、Pb、Al、Sn、Sb、Au、Pt或In中的一种或两种以上的合金。

7.根据权利要求1所述的一种耐高温的复合透明导电膜，其特征在于：所述的金属层（4）的厚度为7~14nm，金属层（4）的材质为Ag、AgCu合金、AgAl合金、AgPb合金、AgIn合金或AuPt合金。

8.根据权利要求1所述的一种耐高温的复合透明导电膜，其特征在于：所述的功能层（6）厚度为20 nm ~200nm，功能层（6）的材质为Al₂O₃、TiO₂、Nb₂O₅、SiO2、MgF₂、TiOx、TiN、ZrO₂、ZrOx、ZrN、PbOx、MgO、MoO、BiO₂、Si₃N₄、SiNx、SiON、SiZrOx、SiZrON、SiZrN、SiZrON、SiAlOx、SiAlNx、SiAlON、SiTiOx、SiTiNx、SiTiNO、CuOx、ZnO、AZO、GZO、ZnO：B、CZO、掺锆的氧化锌、SnO_2、ITO、ATO、掺铝的SnO₂、掺Ga的SnO₂、掺Zn的氧化锡。

9.根据权利要求1所述的一种耐高温的复合透明导电膜，其特征在于：所述的功能层（6）厚度为40 nm ~100nm，功能层（6）的材质为TiOx、SnO₂、MgF₂、SiO₂、ZrO2、ZnO/SiO₂、ATO/MgF₂、GZO、AZO/TiO₂、AZO/TiN、AZO/ITO、SiNx/SiO₂。

10.一种权利要求1~9任一项所述的耐高温的复合透明导电膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1）对透明基板（7）进行清洗、干燥；

2）将透明基板（7）传送到磁控溅射镀膜腔室，配置设备的功率和工艺气体，依次制备离子阻隔层（1）、缓冲层（2）、内层金属保护层（3）、金属层（4）、外层金属保护层（5）、功能层（6）即得。