CN109669078A - 一种带有吸波隆脊的微波暗室 - Google Patents

一种带有吸波隆脊的微波暗室 Download PDF

Info

Publication number
CN109669078A
CN109669078A CN201811513939.2A CN201811513939A CN109669078A CN 109669078 A CN109669078 A CN 109669078A CN 201811513939 A CN201811513939 A CN 201811513939A CN 109669078 A CN109669078 A CN 109669078A
Authority
CN
China
Prior art keywords
oncus
dark room
wave
microwave dark
point
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811513939.2A
Other languages
English (en)
Inventor
赵代岳
许群
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AVIC Research Institute Special Structures Aeronautical Composites
Original Assignee
AVIC Research Institute Special Structures Aeronautical Composites
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AVIC Research Institute Special Structures Aeronautical Composites filed Critical AVIC Research Institute Special Structures Aeronautical Composites
Priority to CN201811513939.2A priority Critical patent/CN109669078A/zh
Publication of CN109669078A publication Critical patent/CN109669078A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R29/00Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
    • G01R29/08Measuring electromagnetic field characteristics
    • G01R29/10Radiation diagrams of antennas
    • G01R29/105Radiation diagrams of antennas using anechoic chambers; Chambers or open field sites used therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Aerials With Secondary Devices (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

本发明属于微波射频与测试测量技术领域,涉及一种带有吸波隆脊的微波暗室。以面对发射点方向为基准,在微波暗室地面、顶部和/或侧墙上铺设隆脊,根据以下方式确定隆脊的铺设位置:首先确定静区的位置,以吸波隆基铺设面作为对称面,确定发射点的镜像点,发射点的镜像点与静区两边缘连线,两条连线与吸波隆基铺设面形成交点,两个交点的连线即为吸波隆基铺设区域。该技术提供了一种改善微波暗室电磁环境的新结构设计。

Description

一种带有吸波隆脊的微波暗室
技术领域
本发明属于微波射频与测试测量技术领域,涉及一种带有吸波隆脊的微波暗室。
背景技术
微波暗室的两个基本功能就是在室内形成无反射区和隔离外部电磁波的干扰,是模拟电磁波传播的一个开放的空间环境,经过多年的实验和发展,暗室已经可以很好为各种近远场测试系统提供优良的测试环境,也越来越受到科学界的重视。
目前微波暗室多为矩形暗室,矩形微波暗室性能的优略与其几何形状、大小、静区要求、所使用吸波材料等综合设计以期其微波性能指标,而对于低频频段,由于电磁波波长较长,工程应用3λ的吸波材料较难实现。
发明内容
本发明的目的:提供一种改善微波暗室电磁环境的新结构设计。
本发明的技术方案:一种带有吸波隆脊的微波暗室,以面对发射点方向为基准,在微波暗室地面、顶部和/或侧墙上铺设隆脊,根据以下方式确定隆脊的铺设位置:首先确定静区的位置,以吸波隆基铺设面作为对称面,确定发射点的镜像点,发射点的镜像点与静区两边缘连线,两条连线与吸波隆基铺设面形成交点,两个交点的连线即为吸波隆基铺设区域。以此确定铺设位置为一次主反射信号最强区域的反射,保证最大化的改善一次主反射信号。
优选地,隆脊的折角角度为吸波隆脊微波入射线与吸波隆脊铺设面法线形成的夹角的一半。隆脊的折角角度保证一次主反射信号全部反射到吸波隆脊铺设面对立面形成电磁波的二次吸收。
优选地,所述吸波隆基的横截面为三角形。吸波隆基的三角形构造可以方便的在其上铺贴吸波材料,同时三角形结构稳定性最优。
优选地,侧墙上吸波隆脊的长度等于微波暗室高度,顶部及地面上吸波隆脊的长度等于微波暗室的宽度。该长度可以全部包络一次主反射信号,去除因长度不够导致改善效果不佳影响。
附图说明
图1为微波暗室示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明做进一步说明:
1)假定目前微波暗室的尺寸为35m×18m×18m,那以该微波暗室的尺寸建立直角坐标系如附图所示。
2)以发射点所处位置作为前墙,以发射点对面即静区所处位置作为后墙,以发射点顺航向看左手位置作为侧墙1,右手位置作为侧墙2。
3)设定微波暗室的侧墙2与前墙交点作为坐标原点O点,侧墙2作为需铺设吸波隆基的面作为X轴,发射天线所处的墙面作为Y轴,Z轴为高度方向,此计算过程暂不考虑Z轴坐标。
4)静区就是满足远区条件的测试区,静区的直径d必须不小于待测天线的直径一般可以用公式来表示,设定静区尺寸为5m×5m。
5)为保证测试产品与后墙面不干涉,暂设定静区中心距离后墙面8m,同时静区中心位于微波暗室高度和宽度的中心位置,通过计算中心点C点坐标为(27,9)。
4)发射点A点位于微波暗室的宽度中心点位置,即坐标为(0,9)。
5)镜像点B点以X轴作为轴线,A点的对称点,坐标为(0,-9)。
6)静区上边缘D点坐标为(24.5,11.5)。
7)转台静区下边缘E点坐标为(24.5,6.5)。
8)吸波隆基起始位置F为BD连接线与X轴的交点,坐标为(10.76,0)。
9)吸波隆基终止点的位置G为BE连接线与X轴的交点,坐标为(14.23,0)。
10)所以吸波隆基需铺设的长度为FG,长度为3.47m。
11)侧墙面吸波隆脊的铺设长度为微波暗室的高度,吸波隆基的长度为18m。
11)发射点与吸波隆基起始位置点F的连接线为吸波隆脊微波入射线,吸波隆基起始位置点F在吸波隆基面法线为吸波隆脊铺设面法线,吸波隆脊微波入射线与吸波隆脊铺设面法线的夹角角度为48.8°,通过夹角计算得到吸波隆基的折角角度为θ=24.4°。
12)综上,需要在侧墙面2处铺设长度18m。宽度3.47m,折角角度为24.4°的吸波隆脊,同时吸波隆基上面铺贴该微波暗室所用波段的吸波材料。

Claims (4)

1.一种带有吸波隆脊的微波暗室,其特征为:以面对发射点方向为基准,在微波暗室地面、顶部和/或侧墙上铺设隆脊,根据以下方式确定隆脊的铺设位置:首先确定静区的位置,以吸波隆基铺设面作为对称面,确定发射点的镜像点,发射点的镜像点与静区两边缘连线,两条连线与吸波隆基铺设面形成交点,两个交点的连线即为吸波隆基铺设区域。
2.根据权利要求1所述的一种带有吸波隆脊的微波暗室,其特征为:隆脊的折角角度为吸波隆脊微波入射线与吸波隆脊铺设面法线形成的夹角的一半。
3.根据权利要求1所述的一种带有吸波隆脊的微波暗室,其特征为:所述吸波隆基的横截面为三角形。
4.根据权利要求1所述的一种带有吸波隆脊的微波暗室,其特征为:侧墙上吸波隆脊的长度等于微波暗室高度,顶部及地面上吸波隆脊的长度等于微波暗室的宽度。
CN201811513939.2A 2018-12-11 2018-12-11 一种带有吸波隆脊的微波暗室 Pending CN109669078A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811513939.2A CN109669078A (zh) 2018-12-11 2018-12-11 一种带有吸波隆脊的微波暗室

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811513939.2A CN109669078A (zh) 2018-12-11 2018-12-11 一种带有吸波隆脊的微波暗室

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109669078A true CN109669078A (zh) 2019-04-23

Family

ID=66143775

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811513939.2A Pending CN109669078A (zh) 2018-12-11 2018-12-11 一种带有吸波隆脊的微波暗室

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109669078A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111983574A (zh) * 2020-07-31 2020-11-24 中国航空工业集团公司济南特种结构研究所 一种提高rcs测试静区性能的方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0584011A1 (en) * 1992-08-18 1994-02-23 TDK Corporation Electromagnetic wave absorber and wave absorption structure
CN104005483A (zh) * 2014-05-07 2014-08-27 中国人民解放军63892部队 一种用于改善微波暗室静区性能的方法及模块化介质栅栏
CN104567764A (zh) * 2014-12-25 2015-04-29 北京无线电计量测试研究所 一种天线测量暗室主反射点区域确定方法
CN105929254A (zh) * 2016-04-28 2016-09-07 上海华为技术有限公司 一种微波暗室
CN106597129A (zh) * 2017-01-12 2017-04-26 深圳市通用测试系统有限公司 一种微波暗室

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0584011A1 (en) * 1992-08-18 1994-02-23 TDK Corporation Electromagnetic wave absorber and wave absorption structure
CN104005483A (zh) * 2014-05-07 2014-08-27 中国人民解放军63892部队 一种用于改善微波暗室静区性能的方法及模块化介质栅栏
CN104567764A (zh) * 2014-12-25 2015-04-29 北京无线电计量测试研究所 一种天线测量暗室主反射点区域确定方法
CN105929254A (zh) * 2016-04-28 2016-09-07 上海华为技术有限公司 一种微波暗室
CN106597129A (zh) * 2017-01-12 2017-04-26 深圳市通用测试系统有限公司 一种微波暗室

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
单家元 等 编著: "《半实物仿真》", 30 April 2008 *
吴立勋主编: "《外测与安全系统》", 31 August 2009 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111983574A (zh) * 2020-07-31 2020-11-24 中国航空工业集团公司济南特种结构研究所 一种提高rcs测试静区性能的方法
CN111983574B (zh) * 2020-07-31 2024-04-09 中国航空工业集团公司济南特种结构研究所 一种提高rcs测试静区性能的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108875099B (zh) 一种基于长短基线干涉仪测向体制的基线选取方法
WO2015186805A1 (ja) 人工磁気導体及びアンテナ用反射器、ならびに誘電体媒体の厚さを算出する方法
CN104137340B (zh) 雷达阵列天线
CN205718677U (zh) 三维全极化的超表面隐身衣
CN205608094U (zh) 一种半电波暗室场均匀性测试装置
CN106597129A (zh) 一种微波暗室
CN104535858A (zh) 一种紧缩场天线测量同步反射点区域确定方法
CN109669078A (zh) 一种带有吸波隆脊的微波暗室
CN105866560B (zh) 高性能天线远场测量暗室及设计方法
CN210222244U (zh) 可沿强散射方向寻迹的雷达标定系统
de Moraes Calazan et al. Simplex based three-dimensional eigenray search for underwater predictions
US2872675A (en) Dielectric reflector
CN110705073B (zh) 各向异性介质涂覆复杂目标的高频散射方法
CN212410846U (zh) 一种增强微波雷达探测精度的菲涅尔波带片装置
CN111913050A (zh) 适用于非平面天线罩的接触式电厚度反射测量探头及方法
CN203596004U (zh) 声波倾斜投射式表面声波触摸屏
CN205608095U (zh) 一种高性能天线远场测量暗室
TWI838815B (zh) 天線模組、超材料結構及電子裝置
CN112764001B (zh) 一种外场rcs测试场地
CN202142080U (zh) 无源标签后向散射参数的测试系统
CN114162347B (zh) 一种p波段低散射的载体及其使用方法
Maeda et al. Extension of site attenuation for radiated emission test site evaluation above 1 GHz
Li et al. Direction finding error analysis of over-water troposcatter propagation signals
Ratcliffe Aerials for radar equipment
CN104750956A (zh) 飞行器涂覆超薄吸波材料目标的时域回波特性分析方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190423

RJ01 Rejection of invention patent application after publication