CN109643972B - 电容器开关晶体管的偏置电路和其方法 - Google Patents

电容器开关晶体管的偏置电路和其方法 Download PDF

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Abstract

一种用于偏置开关晶体管（T0）的偏置电路，其中开关晶体管被用于使相应电容器单元（C0）切换进入/退出电容器阵列，其中电容器阵列包括一个或多个此类电容器单元（C0到CN），并且其中电容器阵列与初级电感器（L1）并联耦合以形成电感/电容槽路（LC槽路）。偏置电路包括电感耦合到初级电感器（L1）的次级电感器（L2），次级电感器配置成提供用于偏置开关晶体管（T0）的偏置信号。

Description

电容器开关晶体管的偏置电路和其方法
技术领域
本文中描述的实施例涉及用于偏置开关晶体管的偏置电路和方法，并且特别涉及用于以降低的噪声偏置开关晶体管的偏置电路和方法。
背景技术
电压控制振荡器（VCO）经常是基于经常被称为LC槽路的、用于设置VCO的频率的电感/电容组件。
在基于LC槽路的VCO中，例如使用例如MOSFET开关的、用于连接或断开形成电容器阵列的部分的一个或多个电容器单元的开关晶体管来数字地控制频率是已知的。这样，LC槽路的有效电容值能够被控制或改变以便设置VCO的频率。
经常使用差分电容器开关，例如在MOSFET被AC耦合，并且因此要求DC偏置的情况下。图1示出此类已知电路的示例，由此电阻器R用于偏置MOSFET开关T0，MOSFET开关T0被耦合在第一与第二电容器C0A和C0B之间。第一和第二电容器C0A和C0B一起形成包括一个或多个类似电容器单元C0到CN的更大电容器阵列的电容器单元C0（为清晰起见，阵列的其它电容器单元未示出）。电容器阵列的一个或多个此类电容器单元C0能够选择性地并联耦合到电感器L。这样，LC槽路的电容值能够被控制或选择，其又能用于例如控制电压控制振荡器的频率。
使用偏置电阻器R来为MOSFET开关T0提供DC偏置具有以下缺点。一方面，偏置电阻器R的电阻值必须足够大，以便它不加载LC槽路。然而，大的R值增大了芯片面积。另一方面，小的R值具有降低质量因数Q的效应，由此Q与在给定频率的电容器的电抗和电容器的电阻的比率有关。然而，相位噪声与1/Q2成比例，因此，低Q是不期望的，因为它具有增大相位噪声的效应。此外，对于固定幅度，功率消耗与1/Q成比例。
偏置电阻器R应比LC槽路的等效并联电阻Rp大得多，并且对于5位二进制大小电容器开关（即，包括5个电容器单元C0到C5的电容器阵列），用于最低有效位的偏置电阻器R应也是最高有效位的16倍，因此，5个电阻器带有16x、8x、4x、2x、x的值，其中每个电阻器又应比Rp显著地更大。因此，这些偏置电阻器趋向占用非常大的芯片面积。
发明内容
本发明的目的是提供消除或降低至少一个或多个上面提及的缺点的偏置电路和方法。
根据第一方面，提供一种用于偏置开关晶体管的偏置电路，其中开关晶体管用于使相应电容器单元切换进入/退出电容器阵列。电容器阵列包括一个或多个此类电容器单元，并且其中电容器阵列与初级电感器并联耦合以形成电感/电容槽路。偏置电路包括电感耦合到初级电感器的次级电感器，次级电感器配置成提供用于偏置开关晶体管的偏置信号。
根据另一方面，提供一种偏置用于使相应电容器单元切换进入/退出电容器阵列的开关晶体管的方法，其中电容器阵列包括一个或多个此类电容器单元。电容器阵列与初级电感器并联耦合以形成电感/电容槽路。方法包括电感耦合次级电感器到初级电感器，并且使用次级电感器偏置开关晶体管。
附图说明
为更好地理解本发明的示例和更清晰地示出可如何施行示例，现在将仅作为示例参照下面附图，其中：
图1示出已知偏置电路的示例；
图2示出根据实施例的偏置电路的示例；
图3a示出根据实施例的偏置电路的示例；
图3b示出在具体操作状态的根据图3a的实施例的偏置电路的示例；
图3c示出在具体操作状态的根据图3a的实施例的偏置电路的示例；
图3d示出在具体操作状态的根据图3a的实施例的偏置电路的示例；
图3e是图示了由图3a的实施例生成的电压的示例；
图3f示出根据实施例的偏置电路的示例；
图4a示出根据实施例的偏置电路的示例；
图4b示出在具体操作状态的根据图4a的实施例的偏置电路的示例；
图4c示出在具体操作状态的根据图4a的实施例的偏置电路的示例；
图4d是图示了由图4a的实施例生成的电压的示例；
图5示出根据实施例的偏置电路的示例，其图示了电容器开关的阵列；
图6示出在实施例中使用的初级电感器和次级电感器的示例；以及
图7示出根据实施例的方法的示例。
具体实施方式
出于解释而不是限制的目的，下面陈述了特定的细节，诸如具体实施例。但本领域的技术人员将理解，可脱离这些特定细节而采用其它实施例。在一些实例中，众所周知的方法、节点、接口、电路和装置的详细描述被省略，以免以不必要的细节使该描述模糊。
在本文中描述的示例中，将描述关于偏置开关晶体管（且具体地说金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET）的偏置电路和方法。然而，要注意的是，偏置电路和方法适用于其它形式的晶体管和开关装置，包括例如双极晶体管、场效应晶体管（FET）、结型场效应晶体管（JFET）或其它功率或半导体开关装置。
如下面将进一步详细解释的，本文中描述的实施例提供电感耦合到LC槽路的初级电感器L1的次级电感器L2，使得开关晶体管T0（例如包括MOSFET的开关晶体管T0的漏极和源极）能随后从次级电感器L2（例如从次级电感器L2的中心抽头）被DC偏置，以用于使电容器单元切换进入-退出形成LC槽路的部分的电容器阵列。如下面的实施例中将解释的，由于在偏置电路中未使用电阻性组件，因此次级电感器L2的使用形成了具有降低噪声的高阻抗DC偏置。
图2示出根据实施例的、用于偏置开关晶体管T0的偏置电路20的示例，其中开关晶体管被用于使相应电容器单元C0切换进入/退出电容器阵列。电容器阵列包括一个或多个此类电容器单元C0到CN（其中为清晰起见，图2中只示出一个C0），其中电容器阵列与初级电感器L1并联耦合以形成电感/电容槽路（LC槽路）。偏置电路包括电感耦合到初级电感器L1的次级电感器L2。次级电感器L2配置成提供用于偏置开关晶体管T0的偏置信号B0。
此类布置具有在初级电感器L1与次级电感器L2之间的耦合是提供偏置信号的想要的效应的优点。此外，甚至在N位（例如，5位）电容器阵列的情况下，仅需要一个次级电感器L2，例如用来提供偏置信号到对应于N位的所有N个级（与如现有技术所要求的，对于每个单独级要求偏置电阻器R相反）。
如更早所提及的，开关晶体管T0可包括MOSFET，例如如在示例中示出的N沟道MOSFET。
图3a示出根据另一实施例的、供包括与电容器单元C0并联耦合的初级电感器L1的LC槽路使用的偏置电路20的更详细示例。在图3a的示例中，电容器单元C0包括串联耦合的第一电容器C0A和第二电容器C0B，其中开关晶体管T0被提供用于使电容器单元C0差分切换进入/退出电路。例如电容器单元C0到CN的未示出的一个或多个其它电容器单元一起形成电容器阵列。这样，电容器阵列的一个或多个此类电容器单元C0到CN能够选择性地并联耦合到初级电感器L1。LC槽路的电容值能够因此被控制或选择，其又能用于例如控制电压控制振荡器的频率。
在图3a中，次级电感器L2电感耦合到初级电感器L1，其中次级电感器L2配置成提供用于偏置开关晶体管T0的偏置信号。
在图3a的示例中，开关晶体管T0的漏极节点和源极节点经由晶体管T1和T2，或者经由Tn1和Tn2被DC偏置，这些晶体管控制第一和第二偏置信号B0A和B0B。在图3a的示例中，晶体管T1和T2是P沟道晶体管，并且晶体管Tn1和Tn2是N沟道晶体管。这些晶体管用于偏置开关晶体管T0的漏极和源极到高电压或接地。
使能信号EN例如由决定电容器阵列的具体电容器单元是否要被连接到LC槽路的控制器（未示出）控制。
当使能信号EN为高时，晶体管T1和T2被禁用，而晶体管Tn1和Tn2被开启，由此耦合开关晶体管T0的漏极和源极到接地GND。在图3a的示例中提供此连接以防止漏极和源极节点以其他方式浮动。在使能信号EN为高，并且因此晶体管T0的栅极也为高时的周期期间，这控制晶体管T0完全开启，并且最大化过驱动电压以由此最小化开关晶体管T0的开启电阻Rds on。
当使能信号EN为低时，晶体管Tn1和Tn2被禁用。晶体管T1和T2被开启，使得开关晶体管T0的漏极和源极现在跨次级电感器L2的第一和第二端（即，跨次级电感器L2）被连接。跨次级电感器L2的电压可配置成例如在相位和幅度方面与跨开关晶体管T0的漏极到源极的电压是相同或大体上相同的。通过选择或配置在初级电感器L1与次级L2之间的耦合因数K，以使得如下面在图3d和3e中进一步所解释的，在次级电感器L2上的电压与由电容器单元C0（即，C0A+C0B）到开关晶体管T0的关断电容CP的分配形成的电压是大体上相同的，可实现相同或大体上类似的电压。这提供了在理论上具有很小噪声或无噪声的高阻抗DC偏置。
因此，从上面能够看到，在一些示例中，偏置信号（B0A、B0B）来源于次级电感器L2，例如次级电感器L2的中心抽头。
可选择在初级电感器L1与次级电感器L2之间的耦合因数K，使得在次级电感器L2上的电压与由电容器单元（C0）的电容到在其禁用状态中的开关晶体管（T0）的关断电容（CP）的分配形成的电压大体上相同。
在图3a的偏置电路中，电容器单元C0因此包括串联耦合的第一电容器C0A和第二电容器C0B，并且其中开关晶体管T0的漏极和源极节点被耦合在第一电容器C0A与第二电容器C0B之间以使电容器单元C0的第一电容器C0A和第二电容器C0B差分切换进入或退出电容器阵列。
在图3a的示例中，偏置信号B0A、B0B被耦合以偏置开关晶体管T0的漏极节点和源极节点。
图3a的实施例因此包括第一对晶体管，其包括在次级电感器L2的第一端与例如GND的参考电位之间串联耦合的第二晶体管T1和第三晶体管Tn1。在第二晶体管T1与第三晶体管Tn1之间的连接节点被耦合以偏置开关晶体管T0的漏极节点（示为偏置信号B0A）。
第二对晶体管包括在次级电感器L2的第二端与例如接地电位GND的参考电位之间串联耦合的第四晶体管T2和第五晶体管Tn2。在第四晶体管T2与第五晶体管Tn2之间的连接节点被耦合以偏置开关晶体管T0的源极节点（示为偏置信号B0B）。
第二晶体管T1和第四晶体管T2被控制以在开关晶体管T0被禁用时（即，在使能信号EN为低时）将漏极节点B0A和源极节点B0B分别耦合到次级电感器L2的第一端和第二端。
第三晶体管Tn1和第五晶体管Tn2被控制以在开关晶体管T0被接通时（即，在使能信号EN为高时）将漏极节点B0A和源极节点B0B分别耦合到接地电位GND。
在图3a的示例中，第二晶体管T1、第四晶体管T2是P沟道晶体管，并且第三晶体管Tn1、第五晶体管Tn2和开关晶体管T0是N沟道晶体管。开关晶体管T0、第二晶体管T1、第三晶体管Tn1、第四晶体管T2和第五晶体管Tn2的栅极由共同的使能信号EN偏置。晶体管的组合因此行动以取决于使能信号EN的状态来偏置开关晶体管T0的漏极和源极到高电压或接地。
因此，如上所提及的，在使能信号EN为高时，N沟道晶体管Tn1、Tn2被开启，因此连接开关晶体管T0的漏极（B0A）和源极（B0B）到GND，而P沟道晶体管T1、T2被关断。当使能信号EN为低时，N沟道晶体管Tn1、Tn2被关断，而P沟道晶体管T1、T2被开启，因此T1连接漏极节点B0A到次级电感器L2的第一（例如正极）侧，并且T2连接源极节点B0B到次级电感器L2的第二（例如负极）侧。
图3b示出在“关断状态”中的根据图3a的实施例的偏置电路的示例，即由此开关晶体管T0是在禁用状态中或被关断。具体地说，图3b图示了被禁用的开关晶体管T0的漏极和源极的（分别的）漏极结型二极管D0A和源极结型二极管D0B。漏极结型二极管D0A和源极结型二极管D0B反映了N沟道MOSFET的漏极和源极由于它们被建造的方式而具有到衬底的PN结型二极管的事实，并且因此正向偏置这些二极管不是期望的。由于PN结型二极管被连接到衬底或接地（而不是被差分连接），因此存在共模灵敏度。
通过反向偏置这些二极管，获得了改进。这些改进包括：
-这些源极/漏极衬底二极管的电容是电压相关和非线性的，因此任何幅度噪声将由于电压相关电容器“漏极/源极体二极管”的幅度到相位转换而产生相位噪声，因此反向偏置越大，幅度到相位转换就越小；以及
-在“关断模式”中开关晶体管T0的有效电容CP能够通过反向偏置这些漏极/源极体二极管而被降低。因此，能够使用更大的开关晶体管T0，由此降低开关晶体管T0的开启电阻Rds on。
图3c示出在“关断状态”中，即开关晶体管T0被禁用的情况下，图3a的实施例的另一简化示意图。在此示意图中，图3b的漏极和源极结型二极管D0A和D0B被用关断电容CPA和CPB替换。
图3d示出在“关断状态”中，即开关晶体管T0被禁用的情况下，图3a的实施例的另一简化示意图。在此示意图中，图3c的两个单端关断电容CPA和CPB被用一个差分关断电容CP替换。
在图3d中，如果在电感器L1上存在正弦电压（假设存在正弦槽路电压），则次级电感器L2将供应正弦电压到开关晶体管T0的漏极和源极。此电压的幅度取决于在初级电感器L1与次级电感器L2之间的耦合因数K，并且在此情况下，耦合因数K能够被设计，以便由次级电感器L2生成的电压在相位和幅度方面与由在C0A、C0B、CP之间的分压生成的未加载电压是相同的。
图3e示出由在C0A、C0B、CP之间的分压生成的电压VB0A- VB0B，图示为电压Vy。如所能看到的：
尽管图3a的实施例已通过差分电容器切换示出，但要注意的是，本发明的偏置电路可也与单端电容器切换一起使用。
此外，要注意的是，如果对使能信号EN进行了对应更改，例如在使能信号EN被控制到高和低时和/或到其它参考电位时逆转，则图3a的P沟道和N沟道晶体管和本文中描述的其它实施例能够被更改，例如被交换。
图3f示出其中如果晶体管T1、Tn1被交换，T2和Tn2被交换，用于次级电感器L2的中心抽头的VCC也被交换到GND，而Tn1和Tn2的源极被连接到VCC而不是GND，则图3a的主开关晶体管T0能够从N沟道被交换到P沟道的示例。对本文中描述的其它实施例能够进行类似更改。
图4a示出根据另一实施例，并且具体地说在具有单端电容器切换（而不是图3a的差分电容器切换）的实施例中的偏置电路20的示例。
在此实施例中，开关晶体管T0用于连接电容器C0到LC槽路。电容器C0形成电容器单元的部分，由此一个或多个附加的电容器单元可被提供为更大电容器阵列的部分以用于形成LC槽路的电容。
使能信号EN例如由决定电容器阵列的具体电容器单元是否要被连接到LC槽路的控制器（未示出）控制（例如，例如在LC槽路被用作VCO电路的部分以用于控制VCO电路的频率的应用中）。
在使能信号EN为高时，晶体管T1被禁用，而晶体管Tn1被开启，由此耦合开关晶体管T0的漏极到接地GND。此连接可被提供，否则漏极节点将是浮动的。由于这是单端布置，因此，开关晶体管T0的源极在此示例中被永久性地连接到接地。在使能信号EN为高，并且因此晶体管T0的栅极也为高时的周期期间，这控制晶体管T0完全开启，并且最大化过驱动电压以由此最小化开启电阻Rds on。这促使电容器C0跨LC槽路的初级电感器L1被连接。
在使能信号EN为低时，晶体管Tn1被禁用。开关晶体管T0在此状态中也被禁用。晶体管T1被开启，使得开关晶体管T0的漏极现在被连接到次级电感器L2的第一侧，其中开关晶体管T0的源极已经经由接地连接被连接到次级电感器L2的第二侧。
如上在图3a中，跨次级电感器L2的电压能够通过耦合因数K被配置成例如在相位和幅度方面与通过从C0和CP的分压生成的跨开关晶体管T0的漏极到源极的电压是相同或大体上相同的（如图4c和4d中所示出的）。这提供了在理论上具有很小噪声或无噪声的高阻抗DC偏置。
在图4a的示例中，偏置信号B0被耦合以偏置开关晶体管T0的漏极节点。
因此，在图4a的偏置电路中，电容器单元包括单个电容器C0，并且其中开关晶体管T0被耦合以将电容器单元的单个电容器C0从单侧切换进入或退出电容器阵列。
在图4a的偏置电路中，第一对晶体管包括在次级电感器L2的第一端与例如GND的参考电位之间串联耦合的第二晶体管T1和第三晶体管Tn1。在第二晶体管T1与第三晶体管Tn1之间的连接节点被耦合以偏置开关晶体管T0的漏极节点（示为偏置信号B0）。次级电感器L2的第二端和开关晶体管T0的源极节点被耦合到参考电位GND。
图4b示出在“关断状态”中的根据图4a的实施例的偏置电路的示例，即由此开关晶体管T0是在禁用状态中。具体地说，图4b图示了被禁用的开关晶体管T0的漏极结型二极管D0。
图4c示出在“关断状态”中，即开关晶体管T0被禁用的情况下，图4a的实施例的另一简化示意图。在此示意图中，图4b的漏极结型二极管D0被用等效关断电容CP替换。
图4d示出由在C0与CP之间的分压生成的在节点B0A的电压，图示为电压Vy。如所能看到的：
图5示出带有漏极节点的无噪声偏置的电容器开关的阵列的示例（例如在此示例中示出为3位）。图5示出例如与关于图4a到4c示出的实施例类似的单端实施例的示例。要注意的是，电容器开前的阵列可也被提供用于图3a到3d中描述的实施例的类型。
要注意的是，形成LC槽路的部分的电容器阵列可包括任何数量的电容器单元，即任何数量的位。此外，电容器单元可包括第一和第二差分切换的电容器或者是单端切换的单个电容器或附加的电容器（例如由此两个或多于两个电容器用于提供在本文中描述的实施例中示出的电容器之一的具体电容值）。也要注意的是，电容器阵列可包括电容器单元的混合，例如包括差分切换电容器的一个或多个电容器单元与包括是单端切换的单个电容器的一个或多个电容器单元的组合。例如当存在对在电容器开关中使用混合拓扑的需要（例如由于例如如由具体代工厂所要求的最小大小电容器的限制），或由于占用空间的成本，对使用最大布局大小的需要时，可要求此类混合。例如，如果电容器C0太小而不能实现，则两个更大的电容器能够被串联连接。作为另一示例，由于差分电容器开关与单端电容器开关相比较，要求两倍的面积，因此，为电容器阵列的某些位（例如电容器阵列的最高有效位的电容器CMSB）使用两个串联连接的晶体管可以是有益的。
虽然实施例被示为具有在例如正电压VCC的第一电位与例如GND的第二电位之间耦合的各种组件，但要注意的是，电路元件可被连接在例如与示例相比逆转的不同电位之间，其中晶体管的控制和连接以适当方式被适应。
上述实施例提供高阻抗偏置，即，其中没有或有很少电流流入/流出偏置节点B0。如果存在带有相同电压的两个节点，则即使它们被连接在一起，由于没有电压差，因此在它们之间将也无电流流动。因此，根据本文中描述的实施例，能够形成DC偏置而不加载电路，同时仍使用低阻抗组件以用于最小噪声。
在一些示例中，自耦变压器或次级绕组能够用于偏置MOSFET的漏极。在此类示例中，来自自耦变压器或次级绕组的电压被配置使得电压大体上等于在被禁用的MOSFET开关（漏极和源极）上的电压。
如在图3c和4c中所描述的，例如MOSFET开关的被禁用的开关晶体管具有在其漏极与源极之间的关断电容CP。此关断电容形成分压，其中主电容器C0形成电容器单元的部分。此电压配置成大体上等于由自耦变压器或次级绕组生成的电压，例如与其相同。这可通过选择或配置在初级电感器L1与次级电感器L2之间的耦合系数K，以使得在次级电感器L2上的电压与由C0到CP的分配而形成的电压大体上相同来实现，其中CP是晶体管T0的关断电容。
本文中描述的实施例具有在低噪声注入与加载效应之间不具有折衷的优点。实施例使得开关晶体管的漏极/源极节点能被偏置而不加载LC槽路的节点并且不注入噪声。
此外，本文中描述的实施例具有消除了对块体电阻器组（bulky resistor bank）的需要的优点，因此降低了芯片面积。此外，例如通过在初级电感器L1内添加次级电感器L2（这不消耗任何额外面积），由次级电感器L2的引入造成的芯片面积增大很小或无增大。
图6示出根据实施例可如何配置初级电感器L1和次级电感器L2的示例。初级电感器L1包括第一绕组，并且次级电感器L2包括第二绕组，其中次级绕组被配置在初级绕组内。第一绕组包括第一直径D1，并且次级绕组包括第二直径D2，其中第二直径D2小于第一直径D1。
图7示出根据另一实施例的，偏置开关晶体管T0的方法的示例，其中开关晶体管被用于使相应电容器单元C0切换进入/退出电容器阵列，其中电容器阵列包括一个或多个此类电容器单元C0到CN，并且其中电容器阵列与初级电感器L1并联耦合以形成电感/电容槽路（LC槽路）。方法包括电感耦合次级电感器L2到初级电感器L1，并且使用次级电感器偏置开关晶体管T0。
根据另一方面，提供一种电感/电容槽路（LC槽路），其包括初级电感器L1和并联耦合到初级电感器L1的电容器阵列，电容器阵列包括一个或多个电容器单元C0到CN。开关晶体管T0被提供用于将相应电容器单元C0切换进入/退出电容器阵列。偏置电路包括电感耦合到初级电感器L1的次级电感器L2，次级电感器配置成提供用于偏置开关晶体管T0的偏置信号B0。偏置电路可包括在上面实施例中描述的晶体管的组合。以类似方式，电容器阵列可包括如在上面实施例中所描述的电容器单元。
应注意的是，上面提及的实施例说明而不是限制本发明，并且本领域技术人员将能设计许多备选实施例而不背离随附权利要求的范围。词语“包括”不排除存在除了权利要求中所列出那些元件或步骤之外的元件或步骤，“一（a或an）”不排除多个，并且单个处理器或其它单元可实现权利要求中所述若干单元的功能。权利要求中的任何附图标记不应被解释为限制其范围。

Claims (22)

1.一种用于偏置开关晶体管(T0)的偏置电路(20)，其中所述开关晶体管被用于使相应电容器单元(C0)切换进入/退出电容器阵列，其中所述电容器阵列包括一个或多个此类电容器单元(C0到CN)，并且其中所述电容器阵列与初级电感器(L1)并联耦合以形成电感/电容槽路(LC槽路)，所述偏置电路包括：
电感耦合到所述初级电感器(L1)的次级电感器(L2)，所述次级电感器配置成提供用于偏置所述开关晶体管(T0)的偏置信号(B0)。
2.如权利要求1所述的偏置电路，其中所述偏置信号来源于所述次级电感器(L2)的中心抽头。
3.如权利要求1所述的偏置电路，其中选择在所述初级电感器(L1)与所述次级电感器(L2)之间的耦合因数(K)，使得在次级电感器(L2)上的电压与由所述电容器单元(C0)的电容到在其禁用状态中的所述开关晶体管(T0)的关断电容(CP)的分配形成的电压大体上相同。
4.如权利要求1到3中任一项所述的偏置电路，其中电容器单元包括串联耦合的第一电容器(C0A)和第二电容器(C0B)，并且其中所述开关晶体管(T0)的漏极和源极节点被耦合在所述第一电容器(C0A)与所述第二电容器(C0B)之间以使所述电容器单元的所述第一电容器(C0A)和所述第二电容器(C0B)差分切换进入或退出所述电容器阵列。
5.如权利要求4所述的偏置电路，其中所述偏置信号被耦合以偏置所述开关晶体管(T0)的所述漏极节点和/或所述源极节点。
6.如权利要求5所述的偏置电路，进一步包括：
包括串联耦合在所述次级电感器(L2)的第一端与参考电位(GND)之间的第二晶体管(T1)和第三晶体管(Tn1)的第一对晶体管，并且其中在所述第二晶体管(T1)与第三晶体管(Tn1)之间的连接节点被耦合以偏置所述开关晶体管(T0)的漏极节点(B0A)；以及
包括串联耦合在所述次级电感器(L2)的第二端与所述参考电位(GND)之间的第四晶体管(T2)和第五晶体管(Tn2)的第二对晶体管，并且其中在所述第四晶体管(T2)与第五晶体管(Tn2)之间的连接节点被耦合以偏置所述开关晶体管(T0)的源极节点(B0B)；以及其中
所述第二晶体管(T1)和第四晶体管(T2)被控制以在所述开关晶体管(T0)被禁用时将所述开关晶体管(T0)的所述漏极节点(B0A)和源极节点(B0B)分别耦合到所述次级电感器(L2)的所述第一端和所述第二端。
7.如权利要求6所述的偏置电路，其中：
所述第三晶体管(Tn1)和第五晶体管(Tn2)被控制以在所述开关晶体管(T0)被接通时将所述开关晶体管(T0)的所述漏极节点(B0A)和源极节点(B0B)分别耦合到接地电位(GND)。
8.如权利要求6或7所述的偏置电路，其中：
所述第二晶体管(T1)和第四晶体管(T2)是P沟道晶体管；以及
所述第三晶体管(Tn1)、第五晶体管(Tn2)和开关晶体管(T0)是N沟道晶体管。
9.如权利要求8所述的偏置电路，其中所述开关晶体管(T0)、第二晶体管(T1)、第三晶体管(Tn1)、第四晶体管(T2)和第五晶体管(Tn2)的栅极由共同的使能信号(EN)偏置。
10.如权利要求1到3中任一项所述的偏置电路，其中电容器单元包括单个电容器(C0)，并且其中所述开关晶体管(T0)被耦合以将所述电容器单元的所述单个电容器(C0)从单侧切换进入或退出所述电容器阵列。
11.如权利要求10所述的偏置电路，进一步包括：
包括串联耦合在所述次级电感器(L2)的第一端与参考电位(GND)之间的第二晶体管(T1)和第三晶体管(Tn1)的第一对晶体管，其中在所述第二晶体管(T1)与第三晶体管(Tn1)之间的连接节点被耦合以偏置所述开关晶体管(T0)的漏极节点(B0A)。
12.如权利要求11所述的偏置电路，其中所述次级电感器(L2)的第二端和所述开关晶体管(T0)的源极节点被耦合到所述参考电位(GND)。
13.如权利要求6所述的偏置电路，其中所述次级电感器(L2)的第一端包括所述次级电感器的正极侧，并且其中所述次级电感器(L2)的第二端包括所述次级电感器的负极侧。
14.如权利要求6所述的偏置电路，其中所述初级电感器(L1)包括第一绕组，并且所述次级电感器(L2)包括第二绕组，以及其中所述第二绕组被配置在所述第一绕组内。
15.如权利要求14所述的偏置电路，其中所述第一绕组包括第一直径，并且所述第二绕组包括第二直径，以及其中所述第二直径小于所述第一直径。
16.如权利要求14所述的偏置电路，其中来自所述第二绕组的电压配置成与在所述开关晶体管被禁用时在所述开关晶体管(T0)的所述漏极节点和源极节点上的电压大体上相同。
17.如权利要求1到3中任一项所述的偏置电路，其中所述初级电感器(L1)和所述次级电感器(L2)包括自耦变压器。
18.如权利要求1-3中任一项所述的偏置电路，其中形成所述电感/电容槽路的所述电容器阵列和初级电感器(L1)被耦合在第一电位与参考电位之间。
19.如权利要求18所述的偏置电路，其中所述第一电位是正电压(VCC)，并且所述参考电位是接地参考电位(GND)。
20.如权利要求6所述的偏置电路，其中所述开关晶体管(T0)、所述第二晶体管(T1)、所述第三晶体管(Tn1)、所述第四晶体管(T2)和所述第五晶体管(Tn2)的一个或多个包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET。
21.一种偏置用于使相应电容器单元(C0)切换进入/退出电容器阵列的开关晶体管(T0)的方法，其中所述电容器阵列包括一个或多个此类电容器单元(C0到CN)，并且其中所述电容器阵列与初级电感器(L1)并联耦合以形成电感/电容槽路(LC槽路)，所述方法包括：
电感耦合次级电感器(L2)到所述初级电感器(L1)，并且使用所述次级电感器偏置所述开关晶体管(T0)。
22.一种电感/电容槽路(LC槽路)，包括：
初级电感器(L1)；
并联耦合到所述初级电感器(L1)的电容器阵列，所述电容器阵列包括一个或多个电容器单元(C0到CN)；
开关晶体管(T0)，所述开关晶体管(T0)用于将相应电容器单元(C0)切换进入/退出所述电容器阵列；以及
偏置电路(20)，所述偏置电路(20)包括电感耦合到所述初级电感器(L1)的次级电感器(L2)，所述次级电感器配置成提供用于偏置所述开关晶体管(T0)的偏置信号(B0)。
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