CN109616742A - 低频辐射单元及天线 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种低频辐射单元及天线，涉及移动通信技术领域。其中低频辐射单元包括多个偶极子及多个底座，偶极子与底座一一对应设置，多个偶极子顺次相连形成框形结构，每个偶极子通过一对巴伦与对应的底座相连，每个巴伦包括上巴伦及下巴伦，上巴伦的一端与偶极子相连，另一端与下巴伦相连，上巴伦相对于下巴伦向低频辐射单元的外部倾斜，上巴伦与下巴伦之间形成的夹角为钝角。本发明提供的低频辐射单元，巴伦分为上巴伦和下巴伦两部分，其中上巴伦向低频辐射单外部倾斜，使整个低频辐射单元的重心下沉，结构更加稳定；上巴伦和下巴伦之间形成的夹角为钝角，保证带宽内的波宽收敛，使低频辐射单元在多频小型化边界条件下不会偏离上限。

Description

低频辐射单元及天线

技术领域

本发明实施例涉及移动通信技术领域，尤其涉及一种低频辐射单元及天线。

背景技术

随着移动通信技术的发展，现代通信系统对双极化基站天线的各项指标，特别是增益、带宽特性、加工工艺等方面，提出了越来越高的要求。

现有的双极化天线单元主要采用以下几种实现方案：第一种，采用两个共点的、交错而极化正交的偶极子天线振子结构；第二种，采用微带辐射单元，通过耦合或者直接馈电的形式来实现双极化；第三种，采用两对偶极子正交放置，组成近似方形的布局。

在常用的网络通信系统中，天线最常使用的水平面半功率波束宽度是65度。其中，第一种方案一般由常规的偶极子或折合振子构成，通过这种形式可以得到很宽的频率带宽；但是天线振子的水平波束随频率的不同收敛度较差，天线振子的增益相对较低，且在需要高频振子组合使用的场合不能有效降低天线尺寸。第二种方案中，微带辐射单元的频带宽较窄，两端口的隔离度差，振子增益不高，且组装麻烦，难以量产推广。相对而言，采用第三种方案布局的辐射单元总体性能较佳，而且可以通过嵌套方式实现两种频段的基站天线，故得到较多的重视。但该设计仍存在不足。单元阻抗的转换需要固定阻抗的线缆进行匹配，为降低匹配难度，单元阻抗需要在带宽内非常收敛，实现难度较大，影响电气性能。在装配时需要使用螺钉紧固，不能避免螺钉失效的问题，产生互调隐患。4G小型化天线的应用中，由于反射板变窄，导致波宽偏宽，影响整体布局。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明的目的之一是提供一种低频辐射单元，用以解决现有的低频辐射单元波宽偏宽的问题。

本发明的目的之二是提供一种使用上述低频辐射单元的天线，在满足波宽要求的情况下实现小型化。

(二)技术方案

为了解决上述技术问题之一，本发明提供一种低频辐射单元，包括多个偶极子及多个底座，所述偶极子与所述底座一一对应设置，多个所述偶极子顺次相连形成框形结构，每个所述偶极子通过一对巴伦与对应的所述底座相连，每个所述巴伦包括上巴伦及下巴伦，所述上巴伦的一端与所述偶极子相连，另一端与所述下巴伦相连，所述上巴伦相对于所述下巴伦向所述低频辐射单元的外部倾斜，所述上巴伦与所述下巴伦之间形成的夹角为钝角。

其中，每一个所述偶极子包括第一辐射臂及第二辐射臂；一对所述巴伦分别为第一巴伦及第二巴伦，所述第一巴伦包括第一上巴伦及第一下巴伦，所述第一上巴伦的一端与所述第一辐射臂相连，所述第一上巴伦的另一端通过所述第一下巴伦与对应的所述底座相连；所述第二巴伦包括第二上巴伦及第二下巴伦，所述第二上巴伦的一端与所述第二辐射臂相连，所述第二上巴伦的另一端通过所述第二下巴伦与对应的所述底座相连。

其中，还包括安装在所述上巴伦上的巴伦夹，所述巴伦夹的中部设有卡设在所述第一上巴伦与所述第二上巴伦之间的隔板。

其中，所述巴伦夹的一端与所述第一上巴伦卡扣连接，所述巴伦夹的另一端与所述第二上巴伦卡扣连接。

其中，所述第一上巴伦远离所述第二上巴伦的一侧设有第一卡槽，所述第二上巴伦远离所述第一上巴伦的一侧设有第二卡槽，所述巴伦夹的一端凸设有与所述第一卡槽相适配的第一卡接头，另一端凸设有与所述第二卡槽相适配的第二卡接头。

其中，所述第一辐射臂与所述第一上巴伦垂直相连，所述第二辐射臂与所述第二上巴伦垂直相连，所述第一辐射臂与所述第一上巴伦的连接处、所述第二辐射臂与所述第二上巴伦的连接处分别设置有三角支撑。

其中，所述偶极子有四个，每个所述偶极子的所述第一辐射臂与另一所述偶极子的所述第二辐射臂通过振子卡相连。

其中，所述振子卡包括卡体、第一上卡扣及第二上卡扣，所述第一上卡扣与所述第二上卡扣对称设置在所述卡体上，所述第一辐射臂通过所述第一上卡扣卡装于所述振子卡，所述第二辐射臂通过所述第二上卡扣卡接于所述振子卡。

其中，所述第一辐射臂远离所述第一巴伦的一端设有第一匹配段，所述第一匹配段从所述第一辐射臂的下表面向下延伸；所述第二辐射臂远离所述第二巴伦的一端设有第二匹配段，所述第二匹配段从所述第二辐射臂的下表面向下延伸；所述振子卡还包括用于覆盖所述第一匹配段与所述第二匹配段的延伸段，所述延伸段的下部设有第一下卡扣和第二下卡扣，所述第一下卡扣卡设在所述第一匹配段的下端，所述第二下卡扣卡设在所述第二匹配段的下端。

其中，所述第一匹配段与所述第二匹配段均呈长条状，其横截面均呈L型。

其中，所述第一匹配段与所述第一辐射臂之间的夹角不大于90°，所述第二匹配段与所述第二辐射臂之间的夹角不大于90°。

其中，还包括馈电片，所述馈电片的一端穿过所述第一下巴伦与所述第二下巴伦的腔体后外伸于所述底座，所述馈电片外伸于所述底座的一端设有馈电焊台。

其中，所述巴伦有四对，四对所述巴伦中的所述馈电片穿过相应的所述第一下巴伦与所述第二下巴伦的顺序不同，以便使四个所述偶极子的电流方向一致。

其中，所述馈电片位于所述第一下巴伦与所述第二下巴伦内的部分分别套设有隔离柱。

其中，还包括馈电PCB板，在所述馈电PCB板上设有接地过孔及带线通孔，所述底座的下端面设有接地焊台，所述接地焊台穿过所述接地过孔与地面相连，所述馈电焊台穿过所述带线通孔与带线相连。

其中，还包括垫片，所述底座通过所述垫片与所述馈电PCB板贴合。

其中，所述垫片包括绝缘本体及卡块，所述绝缘本体与所述底座的形状相匹配，所述卡块有两个，两个所述卡块相对设置在所述绝缘本体的两侧，用于将所述底座卡接在所述绝缘本体上。

其中，所述巴伦的长度为中心频率波长的0.2～0.3倍。

其中，所述偶极子与所述巴伦均采用镂空结构。

为了解决上述技术问题之二，本发明提供一种天线，包括多个如上所述的低频辐射单元，多个所述低频辐射单元呈矩形阵列状排布。

(三)有益效果

本发明提供的低频辐射单元，巴伦分为上巴伦和下巴伦两部分，其中上巴伦向低频辐射单外部倾斜，使得整个低频辐射单元沿着巴伦自上而下截面面积减小，下巴伦连接底座承载大部分重量，使整个低频辐射单元的重心下沉，结构更加稳定；上巴伦和下巴伦之间形成的夹角为钝角，保证带宽内的波宽收敛，同时使低频辐射单元在多频小型化边界条件下不会偏离上限。

附图说明

图1为本发明实施例低频辐射单元的立体结构图；

图2为图1中所示的偶极子、巴伦及底座的连接结构图；

图3为图1中所示的巴伦夹的立体结构图；

图4为图1中所示的低频辐射单元在振子卡处的放大图；

图5为图1中所示的振子卡的剖视图；

图6为图1中所示的下巴伦的剖视图；

图7为图1中所示的馈电PCB板的结构示意图；

图8为图1中所示的低频辐射单元在底座处的放大图；

图9为图1中所示低频辐射单元与高频辐射单元的配合示意图；

图10为传统天线中低频辐射单元的阵列图；

图11为本发明实施例天线中多个低频辐射单元的阵列图。

图中：100、低频辐射单元；10、偶极子；11、第一辐射臂；111、第一臂节；112、第二臂节；113、第一匹配段；12、第二辐射臂；121、第二匹配段；20、巴伦；21、上巴伦；22、下巴伦；23、第一巴伦；231、第一上巴伦；232、第一下巴伦；233、第一卡槽；24、第二巴伦；241、第二上巴伦；242、第二下巴伦；243、第二卡槽；30、底座；31、接地焊台；40、巴伦夹；41、第一卡接头；42、第二卡接头；43、隔板；50、三角支撑；60、振子卡；61、卡体；62、第一上卡扣；63、第二上卡扣；64、延伸段；65、第一下卡扣；66、第二下卡扣；70、馈电片；71、馈电焊台；80、馈电PCB板；81、接地过孔；82、带线通孔；90、垫片；91、绝缘本体；92、卡块；200、高频辐射单元；300、反射板。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

本发明实施例中的低频辐射单元100，如图1所示，包括多个偶极子10及多个底座30，偶极子10与底座30一一对应设置，每个偶极子10分别通过一对巴伦20与对应的底座30相连，多个偶极子10顺次相连形成框形结构，每个巴伦20包括上巴伦21及下巴伦22，上巴伦21的一端与偶极子10相连，另一端与下巴伦22相连，上巴伦21相对于下巴伦22向低频辐射单元的外部倾斜，上巴伦21与下巴伦22之间形成的夹角为钝角。需要说明的是，上巴伦21与下巴伦22之间形成的夹角指的是两者之间形成的朝向低频辐射单元100外部的夹角。

本发明实施例的低频辐射单元100中，巴伦20分为上巴伦21和下巴伦22两部分，其中上巴伦21向低频辐射单元100外部倾斜，使得整个低频辐射单元100沿着巴伦20自上而下截面面积减小，下巴伦22连接底座30承载大部分重量，使整个低频辐射单元100的重心下沉，结构更加稳定。上巴伦21和下巴伦22之间形成的夹角为钝角，保证带宽内的波宽收敛，同时使低频辐射单元在多频小型化边界条件下不会偏离上限。具体地，当其应用在多端口小型化天线中时，可以起到收敛波宽的作用。而且，调整上巴伦21和下巴伦22之间形成的夹角角度即可与不同大小的反射板300相适配，调节方式更加灵活。

具体地，偶极子10有四个，每个偶极子10通过一对巴伦20设置在一个底座30上；每对巴伦20分别为第一巴伦23及第二巴伦24，第一巴伦23与第二巴伦24结构相同，相互平行设置。如图2所示，每一个偶极子10包括第一辐射臂11及第二辐射臂12；第一巴伦23包括第一上巴伦231及第一下巴伦232，第一上巴伦231的一端与第一辐射臂11相连，第一上巴伦231的另一端通过第一下巴伦232与对应的底座30相连；第二巴伦24包括第二上巴伦241及第二下巴伦242，第二上巴伦241的一端与第二辐射臂12相连，第二上巴伦241的另一端通过第二下巴伦242与对应的底座30相连；还包括巴伦夹40，在巴伦夹40中部设有隔板43，隔板43卡设在第一上巴伦231与第二上巴伦241之间，从而保证第一巴伦23和第二巴伦24之间的间距，避免产生干扰。为方便巴伦夹40的安装固定，巴伦夹40的一端与第一上巴伦231卡扣连接，巴伦夹40的另一端与第二上巴伦241卡扣连接。当然，巴伦夹40也可仅安装在第一巴伦23或第二巴伦24上，只要能保证隔板43稳定地发挥隔离作用即可。

其中，第一辐射臂11和第二辐射臂12可以为截面为矩形的长条形金属。第一辐射臂11包括第一臂节111和第二臂节112，第一臂节111的长度小于第二臂节112的长度，第一臂节111和第二臂节112相连，并且两者处于同一平面，该平面与反射板300平行。第一臂节111和第二臂节112之间形成的内夹角为钝角，需要说明的是，第一臂节111和第二臂节112之间形成的内夹角指的是两者之间形成的朝向低频辐射单元100内部的夹角。第二辐射臂12与第一辐射臂11的形状、尺寸均相同。四个偶极子10中的每一个偶极子10的第一辐射臂11与另一偶极子10的第二辐射臂12相连，从而在四个偶极子10之间形成一个正方形结构。为了保证第一辐射臂11和第二辐射臂12的有效长度达到要求，可以根据经验限定第一辐射臂11的长度与低频辐射单元100的中心频率波长两者之间的比例关系。

第一辐射臂11所在的平面与第一上巴伦231所在的平面垂直，第二辐射臂12所在的平面与第二上巴伦241所在的平面垂直，第一辐射臂11与第一上巴伦231的连接处、第二辐射臂12与第二上巴伦241的连接处分别设置有三角支撑50，以增强连接的稳固性。

继续参阅图2和图3，第一上巴伦231远离第二上巴伦241的一侧设有第一卡槽233，第二上巴伦241远离第一上巴伦231的一侧设有第二卡槽243，巴伦夹40的一端凸设有与第一卡槽233相适配的第一卡接头41，另一端凸设有与第二卡槽243相适配的第二卡接头42。需要说明的是，也可以在第一上巴伦231和第二上巴伦241上设置卡接头，对应的在巴伦夹40上设置与卡接头相匹配的卡槽，同样可以使第一上巴伦231和第二上巴伦241分别与巴伦夹40卡扣相连。另外，第一卡槽233和第二卡槽243可以为条形槽，第一卡接头41和第二卡接头42分别包括两个子接头，每个子接头向巴伦夹40的中部凸起，两个子接头间隔设置，当子接头卡装在条形槽内时，两个子接头恰好位于条形槽的两端。

四个偶极子10正交极化设置，每个偶极子10的第一辐射臂11与另一偶极子10的第二辐射臂12通过振子卡60相连，如图4所示。因此，振子卡60的数量与偶极子10的数量相同，亦有四个。

具体地，如图5所示，振子卡60包括卡体61、第一上卡扣62及第二上卡扣63，第一上卡扣62与第二上卡扣63对称设置在卡体61的下表面上，呈倒扣状，第一上卡扣62和第二上卡扣63的端部各向外凸设有卡扣头，第一辐射臂11和第二辐射臂12分别被相应的卡扣头压设在卡体61上，这样第一辐射臂11通过第一上卡扣62卡装于振子卡60，第二辐射臂12通过第二上卡扣63卡接于振子卡60。

另外，第一辐射臂11远离第一巴伦23的一端设有第一匹配段113，第一匹配段113从第一辐射臂11的下表面向下延伸；第二辐射臂12远离第二巴伦24的一端设有第二匹配段121，第二匹配段121从第二辐射臂12的下表面向下延伸；振子卡60还包括用于覆盖第一匹配段113与第二匹配段121的延伸段64，该延伸段64沿卡体61向下延伸，在延伸段64的下部设有第一下卡扣65和第二下卡扣66，第一下卡扣65卡设在第一匹配段113的下端，第二下卡扣66卡设在第二匹配段121的下端。具体地，第一匹配段113与第二匹配段121均呈长条状，其横截面均呈L型。需要说明的是，第一匹配段113和第二匹配段121也可以设置在第一辐射臂11和第二辐射臂12的上表面并相上延伸，或者同时设置在第一辐射臂11和第二辐射臂12的上下表面，相应的，延伸段64从卡体61向上延伸或者是位于卡体61两侧同时向上下延伸，对此，本发明实施例不做具体限定。

该低频辐射单元100中多个偶极子10、巴伦20及底座30之间通过巴伦夹40和振子卡60进行连接，增强连接强度；采用卡扣连接固定，拆装方便。

其中，第一匹配段113与第一辐射臂11之间形成的夹角不大于90°，第二匹配段121与第二辐射臂12之间形成的夹角不大于90°，从而可以减小偶极子10的占用面积，有助于实现小型化。优选的，第一匹配段113与第一辐射臂11垂直，第二匹配段121与第二辐射臂12垂直。

除此之外，如图6所示，本发明实施例中的低频辐射单元还包括馈电片70，馈电片70的一端穿过第一下巴伦232与第二下巴伦242的腔体后外伸于底座30。其中，巴伦20有四对，相应的，馈电片70有四个，四个馈电片70与四对巴伦20一一对应设置。四对巴伦20中的馈电片70穿过相应的第一下巴伦232与第二下巴伦242的顺序不同，以便使四个偶极子10的电流方向一致。其中，馈电片70位于第一下巴伦232与第二下巴伦242内的部分分别套设有隔离柱，隔离柱注塑在馈电片70上。

该低频辐射单元100还包括馈电PCB板80，馈电PCB板80的结构如图7所示，在馈电PCB板上设有接地过孔81及带线通孔82；馈电片70外伸于底座30的一端设有馈电焊台71，底座30的下端面设有接地焊台31；接地焊台31穿过接地过孔81与地面相连，馈电焊台71穿过带线通孔82与带线相连，通过馈电PCB板80实现PCB馈电，提高了带宽阻抗的匹配性和电气性能，降低设计难度，形成多级匹配，使该低频辐射单元100在更宽的带宽内灵活运用，并且方便后期调试。对应四个偶极子10，接地过孔81及带线通孔82各有四个，分别与四个底座30、四个馈电片70一一对应设置。

本发明实施例中的底座30可以是圆形或椭圆形，如图8所示，底座30通过垫片90安装在馈电PCB板80上。具体地，垫片90包括绝缘本体91及卡块92，绝缘本体91与底座30的形状相匹配，卡块92有两个，两个卡块92相对设置在绝缘本体91的两侧，用于将底座30卡接在绝缘本体91上。卡块92竖直安装在绝缘本体91上，在卡块92的顶部凸设有卡头，两个卡块92的卡头相向设置，底座30卡在两个卡块92之间，底座30的上表面被两个卡头压设在绝缘本体91上。在垫片90上还设有供接地焊台31和馈电焊台71穿过的通孔。

具体地，偶极子10与巴伦20均采用内部镂空结构。巴伦20的长度为低频辐射单元100中心频率波长的0.2～0.3倍，优选的，巴伦20的长度为低频辐射单元100中心频率波长的1/4。

本发明实施例中的低频辐射单元100采用馈电片70和馈电PCB板80相结合的方式组合在一起，制造是应用波峰焊技术，可降低生产制造成本并提高制造效率。

本发明实施例中的天线，包括多个低频辐射单元100，多个低频辐射单元100呈矩形阵列状排布。具体地，至少一个低频辐射单元100、至少一个高频辐射单元200及反射板300，其中，如图9所示，高频辐射单元200位于低频辐射单元100内部，四个偶极子10顺次相连所形成的方形结构内；低频辐射单元100和高频辐射单元200均竖直安装于反射板300上，并在反射板300上呈矩形阵列分布。另外，在馈电PCB板80上还设有安装孔，铆钉穿过安装孔将低频辐射单元100固定安装在反射板300上，通过采用铆钉紧固消除金属接触，可以有效避免传统的螺钉紧固失效所导致的可靠性及互调问题。

本发明实施例中的巴伦采用独特的双层结构设计，使其在4G多端口小型化天线的应用中能有效收敛波宽。通常，多端口小型化天线中的反射板300的宽度要窄与一般的多端口天线，若采用传统的低频辐射单元制作多端口小型化天线则获取的波宽较宽，高达65～80°，而且多个传统的低频辐射单元需要在反射板300上采用单元错列，每列中有一个单元居中的方式阵列排布，具体如图10所示。当采用本发明实施例中的低频辐射单元100时，以常规的矩形阵列方式排布多个低频辐射单元100就能达到65±5°的波宽要求，具体排布方式如图11所示。

本发明实施例中的低频辐射单元100，通过调节上巴伦21之间的间距、下巴伦22之间的间距、下巴伦22的高度、以及馈电PCB板80的带线设计，可以使低频辐射单元100在820-960MHz频段内使水平面波束收敛到65±5°以内，三个单元驻波1.4以下，明显优于其他种类的辐射单元。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (20)

1.一种低频辐射单元，其特征在于，包括多个偶极子及多个底座，所述偶极子与所述底座一一对应设置，多个所述偶极子顺次相连形成框形结构，每个所述偶极子通过一对巴伦与对应的所述底座相连，每个所述巴伦包括上巴伦及下巴伦，所述上巴伦的一端与所述偶极子相连，另一端与所述下巴伦相连，所述上巴伦相对于所述下巴伦向所述低频辐射单元的外部倾斜，所述上巴伦与所述下巴伦之间形成的夹角为钝角。

2.根据权利要求1所述的低频辐射单元，其特征在于，每一个所述偶极子包括第一辐射臂及第二辐射臂；一对所述巴伦分别为第一巴伦及第二巴伦，所述第一巴伦包括第一上巴伦及第一下巴伦，所述第一上巴伦的一端与所述第一辐射臂相连，所述第一上巴伦的另一端通过所述第一下巴伦与对应的所述底座相连；所述第二巴伦包括第二上巴伦及第二下巴伦，所述第二上巴伦的一端与所述第二辐射臂相连，所述第二上巴伦的另一端通过所述第二下巴伦与对应的所述底座相连。

3.根据权利要求2所述的低频辐射单元，其特征在于，还包括安装在所述上巴伦上的巴伦夹，所述巴伦夹中部设有卡设在所述第一上巴伦与所述第二上巴伦之间的隔板。

4.根据权利要求3所述的低频辐射单元，其特征在于，所述巴伦夹的一端与所述第一上巴伦卡扣连接，所述巴伦夹的另一端与所述第二上巴伦卡扣连接。

5.根据权利要求3所述的低频辐射单元，其特征在于，所述第一上巴伦远离所述第二上巴伦的一侧设有第一卡槽，所述第二上巴伦远离所述第一上巴伦的一侧设有第二卡槽，所述巴伦夹的一端凸设有与所述第一卡槽相适配的第一卡接头，另一端凸设有与所述第二卡槽相适配的第二卡接头。

6.根据权利要求2所述的低频辐射单元，其特征在于，所述第一辐射臂与所述第一上巴伦垂直相连，所述第二辐射臂与所述第二上巴伦垂直相连，所述第一辐射臂与所述第一上巴伦的连接处、所述第二辐射臂与所述第二上巴伦的连接处分别设置有三角支撑。

7.根据权利要求2所述的低频辐射单元，其特征在于，所述偶极子有四个，每个所述偶极子的所述第一辐射臂与另一所述偶极子的所述第二辐射臂通过振子卡相连。

8.根据权利要求7所述的低频辐射单元，其特征在于，所述振子卡包括卡体、第一上卡扣及第二上卡扣，所述第一上卡扣与所述第二上卡扣对称设置在所述卡体上，所述第一辐射臂通过所述第一上卡扣卡装于所述振子卡，所述第二辐射臂通过所述第二上卡扣卡接于所述振子卡。

9.根据权利要求8所述的低频辐射单元，其特征在于，所述第一辐射臂远离所述第一巴伦的一端设有第一匹配段，所述第一匹配段从所述第一辐射臂的下表面向下延伸；所述第二辐射臂远离所述第二巴伦的一端设有第二匹配段，所述第二匹配段从所述第二辐射臂的下表面向下延伸；所述振子卡还包括用于覆盖所述第一匹配段与所述第二匹配段的延伸段，所述延伸段的下部设有第一下卡扣和第二下卡扣，所述第一下卡扣卡设在所述第一匹配段的下端，所述第二下卡扣卡设在所述第二匹配段的下端。

10.根据权利要求9所述的低频辐射单元，其特征在于，所述第一匹配段与所述第二匹配段均呈长条状，其横截面均呈L型。

11.根据权利要求9所述的低频辐射单元，其特征在于，所述第一匹配段与所述第一辐射臂之间的夹角不大于90°，所述第二匹配段与所述第二辐射臂之间的夹角不大于90°。

12.根据权利要求2所述的低频辐射单元，其特征在于，还包括馈电片，所述馈电片的一端穿过所述第一下巴伦与所述第二下巴伦的腔体后外伸于所述底座，所述馈电片外伸于所述底座的一端设有馈电焊台。

13.根据权利要求12所述的低频辐射单元，其特征在于，所述巴伦有四对，四对所述巴伦中的所述馈电片穿过相应的所述第一下巴伦与所述第二下巴伦的顺序不同，以便使四个所述偶极子的电流方向一致。

14.根据权利要求12所述的低频辐射单元，其特征在于，所述馈电片位于所述第一下巴伦与所述第二下巴伦内的部分分别套设有隔离柱。

15.根据权利要求12所述的低频辐射单元，其特征在于，还包括馈电PCB板，在所述馈电PCB板上设有接地过孔及带线通孔，所述底座的下端面设有接地焊台，所述接地焊台穿过所述接地过孔与地面相连，所述馈电焊台穿过所述带线通孔与带线相连。

16.根据权利要求15所述的低频辐射单元，其特征在于，还包括垫片，所述底座通过所述垫片与所述馈电PCB板贴合。

17.根据权利要求16所述的低频辐射单元，其特征在于，所述垫片包括绝缘本体及卡块，所述绝缘本体与所述底座的形状相匹配，所述卡块有两个，两个所述卡块相对设置在所述绝缘本体的两侧，用于将所述底座卡接在所述绝缘本体上。

18.根据权利要求1所述的低频辐射单元，其特征在于，所述巴伦的长度为中心频率波长的0.2～0.3倍。

19.根据权利要求1所述的低频辐射单元，其特征在于，所述偶极子与所述巴伦均采用镂空结构。

20.一种天线，其特征在于，包括多个如权利要求1-19任一项所述的低频辐射单元，多个所述低频辐射单元呈矩形阵列状排布。