CN109597209A - 一种基于多聚体超表面的光分束器 - Google Patents

一种基于多聚体超表面的光分束器 Download PDF

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Abstract

本发明涉及光学无源器件技术领域,尤其涉及一种基于多聚体超表面的光分束器,包括:衬底;衬底上包括呈阵列分布的多个结构单元;其中,每个结构单元包括一个第一光散射体和均匀分布在所述第一光散射体周围的多个第二光散射体,第一光散射体的高度与所述第二光散射体的高度相同,每个所述第二光散射体与所述第一光散射体的距离均相等,所述第一光散射体的体积大于所述第二光散射体的体积,且第一光散射体的尺寸、第二光散射体的尺寸、所述距离均为亚波长,进而采用多聚体超表面结构的光分束器,利用近场电磁耦合作用的原理实现宽带、高效的光分束功能,具有结构简单、小型化、成本低的优点,同时也拓宽了超表面的应用范围。

Description

一种基于多聚体超表面的光分束器
技术领域
本发明涉及光学无源器件技术领域,尤其涉及一种基于多聚体超表面的光分束器。
背景技术
光束偏转器和光分束器能够将一束光偏转到一个或多个预定的方向。它们不仅被广泛地应用在激光雷达、激光测绘和激光制导跟踪技术中,而且在光开关、光波导、波长路由、纳米光路等方面都具有重要的应用意义。衍射光栅、光学相控阵、定向耦合器、多模干涉耦合器以及阵列波导光栅等通常可用来实现光束偏转或者光分束。但是,这些结构的尺寸远远大于工作波长,阻碍了器件的小型化,不利于光子集成的发展。因此,如何设计具有尺寸小、成本低、结构简单等优点的新型光分束器,同时又可以实现较好的光分束效果成为了目前亟待解决的技术问题。
超表面,英文全称metasurface,是一种由多个亚波长的结构单元所组成的二维超材料(备注:亚波长,也即是尺寸小于工作光波长),它具有平面化、小型化和低损耗的优点,更有利于微/纳米光学器件和光子集成。
近年来,相位梯度超表面被广泛用于光束偏转,它是哈佛大学Capasso课题组于2011年提出的[参考文献:Yu N,Genevet P,Kats M A,et al.Light propagation withphase discontinuities:generalized laws of reflection and refraction[J].Science,2011,334(6054):333-337.]。在相位梯度超表面中,其结构单元由不同尺寸的纳米天线按照一定排列方式组成,从而实现相位0~2π的覆盖,进而实现光束异常偏转;进一步地,当我们同时设计相反相位梯度的阵列,就可以实现光分束功能。但是,采用相反相位梯度的阵列往往需要较多的纳米天线,会使得光分束器的结构单元较为复杂[参考文献:Zhang D,Ren M,Wu W,et al.Nanoscale beam splitters based on gradientmetasurfaces.[J].Optics Letters,2018,43(2):267.]。
发明内容
鉴于上述问题,提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的基于多聚体超表面的光分束器。
本发明实施例提供一种基于多聚体超表面的光分束器,包括:
衬底;
衬底上包括呈阵列分布的多个结构单元;
其中,每个结构单元包括一个第一光散射体和均匀分布在所述第一光散射体周围的多个第二光散射体,所述第一光散射体的高度与所述第二光散射体的高度相同,每个所述第二光散射体与所述第一光散射体的距离均相等,所述第一光散射体的体积大于所述第二光散射体的体积,且所述第一光散射体的尺寸、所述第二光散射体的尺寸、所述距离均为亚波长。
进一步地,所述衬底具体为二氧化硅衬底、氮化硅衬底、蓝宝石衬底。
进一步地,所述每个结构单元中的各光散射体均采用电介质材料。
进一步地,所述电介质材料为硅或者二氧化钛。
进一步地,所述第一光散射体和所述第二光散射体的形状具体为如下任意一种:圆柱体、长方体。
进一步地,所述第二光散射体与所述第一光散射体归属于同一类形状。
进一步地,所述第二光散射体底面的尺寸小于所述第一光散射体底面的尺寸。
进一步地,在每个结构单元包括一个第一光散射体和均匀围绕在所述第一光散射体周围的两个第二光散射体时,所述第一光散射体和所述两个第二光散射体位于一条直线上。
进一步地,在每个结构单元包括一个第一光散射体和围绕在所述第一光散射体周围的四个第二光散射体时,所述四个第二光散射体均位于以所述第一光散射体为圆心的同一圆周上,且相邻的两个所述第二光散射体之间的间距均相等。
本发明实施例中的一个或多个技术方案,至少具有如下技术效果或优点:
本发明提供一种基于多聚体超表面的光分束器,包括衬底,衬底上包括呈阵列分布的多个结构单元,每个结构单元包括一个第一光散射体和均匀分布在第一光散射体周围的多个第二光散射体,第一光散射体的高度与第二光散射体的高度相同,每个第二光散射体与第一光散射体的距离均相等,该第一光散射体的尺寸大于第二光散射体的尺寸,其中,第一光散射体的尺寸、第二光散射体的尺寸以及该距离均为亚波长,采用上述的光分束器结构,解决了现有技术中存在的结构复杂、尺寸较大且成本较高的技术问题,进而采用多聚体超表面结构的光分束器,利用近场电磁耦合作用的原理实现宽带、高效的光分束功能,具有结构简单、小型化、成本低的优点,同时也拓宽了超表面的应用范围。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述,各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的,而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中,用相同的参考图形表示相同的部件。在附图中:
图1示出了本发明实施例一中的基于多聚体超表面的光分束器的一个结构单元的结构示意图;
图2示出了本发明实施例一中的硅基三聚体超表面的俯视图;
图3示出了本发明实施例一中的基于多聚体超表面的光分束器得到的-1,0和+1级次的透射谱和总透射谱;
图4示出了本发明实施例一中的远场偏转角度和光强随入射波长的变化关系示意图;
图5示出了本发明实施例一中的在1315nm波长下透射光的归一化强度和偏转角度的变化关系示意图;
图6示出了本发明实施例二中的基于多聚体超表面的光分束器的一个结构单元的结构示意图;
图7示出了本发明实施例二中的硅基五聚体超表面的俯视图;
图8示出了本发明实施例二中在入射光波长为1067nm时的远场光分布示意图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例,然而应当理解,可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反,提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开,并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
本发明实施例提供了一种基于多聚体超表面的光分束器,包括:衬底;衬底上呈阵列分布的多个结构单元;其中,每个结构单元包括一个第一光散射体和均匀分布在第一光散射体周围的多个第二光散射体,第一光散射体的高度与第二光散射体的高度相等,每个第二光散射体与第一光散射体的距离均相等,第一光散射体的体积大于第二光散射体的体积,且第一光散射体的尺寸、第二光散射体的尺寸、该距离均为亚波长。
具体地,第一光散射体的尺寸和第二光散射体的尺寸均包括高度,以及底面形状的尺寸。则第一光散射体的尺寸、第二光散射体的尺寸、每个结构单元光散射体与第一光散射体的距离均为亚波长,具体为:第一光散射体的高度以及底面形状的尺寸、第二光散射体的高度以及底面形状的尺寸,该距离均小于入射光的波长。
在具体的实施方式中,该衬底具体采用二氧化硅衬底,当然,还可以采用硅衬底、氮化硅衬底、蓝宝石衬底等等,在本发明实施例中并不做限定。
在该衬底上呈阵列分布的多个结构单元中每个结构单元中的各光散射体均采用电介质材料。具体地,该电介质材料具体为硅,具体还可以采用:二氧化钛。
该衬底上的光散射体的形状具体可以采用如下任意一种形状:圆柱体、长方体。当然,在本发明实施例中并不仅限于上述的形状。
本发明的图示部分仅以光散射体为圆柱体为例进行说明。
实施例一
如图1所示,在每个结构单元包括一个第一光散射体101和均匀围绕在该第一光散射体101周围的两个第二光散射体102时,该第一光散射体101和两个第二光散射体102位于一条直线上。多个结构单元在衬底10上呈阵列分布,形成如图2所示的硅基三聚体超表面。
具体地,该两个第二光散射体102分别位于该第一光散射体101的左右两侧。
由于这三个光散射体均是圆柱体,因此,该第二光散射体与该第一光散射体归属于同一类形状,都属于圆柱体,该第二光散射体102的高度与该第一光散射体101的高度相等,第二光散射体102底面的尺寸小于第一光散射体101底面的尺寸,即第二光散射体102的底面半径R2小于第一光散射体的底面半径R1
在具体的实施方式中,比如,第一光散射体101的底面圆的半径R1为250nm,第二光散射体102的底面圆的半径R2为200nm,第一光散射体101的高度h和第二光散射体102的高度h相等,且取值为310nm,每个第二光散射体102均与第一光散射体101的距离d相等,该距离d的范围为0~100nm,可取10nm。由此形成的1:1的光分束器,分光效果随着间距d的减小而逐渐增加。这些光散射体的尺寸以及相邻的散射体之间的间距d均小于工作波长,属于亚波长范畴。
如图1所示,在衬底上形成的多个结构单元沿x轴和y轴方向周期性排布,形成该硅基三聚体超表面,其中,x轴和y轴的排布周期分别为L=1973nm和W=555nm,在使用时,如图1和图2所示xyz坐标系,光的入射方向(图1中波矢K的方向),光波的电场分量方向(图1中电场E方向),光波的磁场分量方向(图1中磁场强度H方向)。
具体的分光原理:当一束光入射时,光散射体受入射光的作用激发出电偶极子和磁偶极子,这些电偶极子和磁偶极子之间会发生干涉作用,根据入射波长的不同,可将光定向散射到不同的方向。对于上述的硅基三聚体超表面,当一束光入射该硅基三聚体超表面时,会在入射平面法线左/右两边产生两束角度相反,强度相同的透射光。
接着,通过时域有限差分方法进行理论计算和模拟,可观察硅基三聚体超表面的透射谱和远场特性,参照衍射光栅中衍射级次的定义,将偏转到左/右侧的散射光定义为-1级次/+1级次,没有发生光偏转的光束定义为0级次。
当一束电场方向沿x方向的光(即,x-偏振光)沿着z轴正向正入射(即,入射角度为0°)到上述硅基三聚体超表面,在间距d=10nm时,-1,0和+1级次的透射谱和总透射谱如图3所示。可以看出,-1级次和+1级次完全重叠在一起,代表它们的光功率也将相等。而且在1110nm~1210nm和1302nm~1436nm波段内,0级次透射率被抑制在10%以下,散射光主要对称分布在-1级次和+1级次上,因此硅基三聚体超表面在这两个波段内可以实现3-dB光分束。图4示出了远场偏转角度和光强随入射波长的变化关系。综合图3和4的计算结果可知,这种硅基三聚体超表面可以在很宽的波长范围内实现高效的3-dB光分束功能。
以入射光波长为1315nm为例,图5示出了在该波长下透射光的归一化强度和偏转角度的变化关系,可以看出该透射光在-41.8°和+41.8°处被分成两束,每束光都具有相同的强度,而0级次(0°)的强度很小。可见该硅基三聚体超表面可以将入射光分为两束出射角度相反、强度相同的透射光,从而实现了3-dB光分束的功能。
实施例二
如图6所示,在每个结构单元包括一个第一光散射体101和均匀围绕在第一光散射体101周围的四个第二光散射体102时,该四个第二光散射体位于以第一光散射体101为圆心的同一圆周上,且相邻的两个第二光散射体102之间的间距均相等。多个结构单元在衬底10上呈阵列分布,形成如图7所示的硅基五聚体超表面的俯视图。
具体地,这四个第二光散射体102分别位于以该第一光散射体101为中心的正方形的四个角上。
该四个第二光散射体102与该第一光散射体101归属于同一类形状,即均为圆柱体,该四个第二光散射体102的高度h与第一光散射体101的高度h相等,四个第二光散射体102底面的尺寸小于第一光散射体101底面的尺寸,即四个第二光散射体102的底面半径R2小于第一光散射体的底面半径R1
比如,第一光散射体101的底面半径R1为250nm,第二光散射体102的底面半径R2为200nm,第一光散射体101的高度h和第二光散射体102的高度h相等,均为310nm,每个第二光散射体102均与第一光散射体101的距离d相等,该距离d的范围为0~50nm,可取10nm。由此形成的1:4的光分束器,分光效果随着间距d的减小而逐渐增加,这些光散射体的尺寸以及相邻的散射体之间的间距d均小于工作波长,属于亚波长范畴。
如图7所示,上述多个结构单元周期性排布形成硅基五聚体超表面,结构单元沿着x轴和y轴的排布周期分别为L=1480nm和W=1480nm。图6和图7中给出了xyz坐标系,其中,包括光的入射方向(图6中波矢K的方向)、光波的电场分量方向(图6中的电场E方向)、光波的磁场分量方向(图6中的磁场强度H方向)。
上述的硅基五聚体超表面执行1:4光分束器功能的时候,入射光是45°的偏振光(即,电场方向与x轴的夹角是45°)沿着z轴正向正入射(即,入射角度为0°)到超表面。
在间距d=10nm时,通过时域有限差分方法计算获得,在1041nm~1073nm波段内,总透射率超过60%,其中0级次透射率小于5%,散射光均匀分布在空间中四个方向,每个方向的透射率均为16%左右。因此,这种硅基五聚体超表面可以实现良好的1:4光分束效果。例如,图8描述了1067nm处的远场光分布,此时总透射率为66%,0级次透射率仅为2%,空间中四个方向的透射率都是16%,从而实现了该五聚体超表面的光分束器的1:4分束功能。
若衬底上的各光散射体是长方体,每个光散射体的底面形状可以是长方形也可以是正方形,是长方形时,第二光散射体底面的尺寸小于第一光散射体底面的尺寸,则可以是第二光散射体的底面长方形的长和宽均小于第一光散射体的底面长方形的长和宽,或者是第二光散射体的底面长方向的长小于第一光散射体的底面长方形的长,或者是第二光散射体的底面长方形的宽小于第一光散射体的底面长方形的宽;若底面形状是正方形时,则可以是第二光散射体的底面正方形的边长小于第一光散射体的底面正方形的边长。
本发明实施例中的一个或多个技术方案,至少具有如下技术效果或优点:
本发明提供一种基于多聚体超表面的光分束器,包括衬底,衬底上包括呈阵列分布的多个结构单元,每个结构单元包括一个第一光散射体和均匀分布在第一光散射体周围的多个第二光散射体,第一光散射体的高度与第二光散射体的高度相同,每个第二光散射体与第一光散射体的距离均相等,该第一光散射体的尺寸大于第二光散射体的尺寸,其中,第一光散射体的尺寸、第二光散射体的尺寸以及该距离均为亚波长,采用上述的光分束器结构,解决了传统技术中存在结构复杂、尺寸较大且成本较高的技术问题,进而采用多聚体超表面结构的光分束器,利用近场电磁耦合作用的原理实现宽带、高效的光分束功能,具有结构简单、小型化、成本低的优点,同时也拓宽了超表面的应用范围。
尽管已描述了本发明的优选实施例,但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念,则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以,所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (9)

1.一种基于多聚体超表面的光分束器,其特征在于,包括:
衬底;
衬底上包括呈阵列分布的多个结构单元;
其中,每个结构单元包括一个第一光散射体和均匀分布在所述第一光散射体周围的多个第二光散射体,所述第一光散射体的高度与所述第二光散射体的高度相同,每个所述第二光散射体与所述第一光散射体的距离均相等,所述第一光散射体的体积大于所述第二光散射体的体积,且所述第一光散射体的尺寸、所述第二光散射体的尺寸、所述距离均为亚波长。
2.如权利要求1所述的光分束器,其特征在于,所述衬底具体为二氧化硅衬底、氮化硅衬底或蓝宝石衬底。
3.如权利要求1所述的光分束器,其特征在于,所述每个结构单元中的各光散射体均采用电介质材料。
4.如权利要求3所述的光分束器,其特征在于,所述电介质材料为硅或者二氧化钛。
5.如权利要求1所述的光分束器,其特征在于,所述第一光散射体和所述第二光散射体的形状具体为如下任意一种:圆柱体、长方体。
6.如权利要求1所述的光分束器,其特征在于,所述第二光散射体与所述第一光散射体归属于同一类形状。
7.如权利要求1所述的光分束器,其特征在于,所述第二光散射体底面的尺寸小于所述第一光散射体底面的尺寸。
8.如权利要求1所述的光分束器,其特征在于,在每个结构单元包括一个第一光散射体和均匀围绕在所述第一光散射体周围的两个第二光散射体时,所述第一光散射体和所述两个第二光散射体位于一条直线上。
9.如权利要求1所述的光分束器,其特征在于,在每个结构单元包括一个第一光散射体和围绕在所述第一光散射体周围的四个第二光散射体时,所述四个第二光散射体位于以所述第一光散射体为圆心的同一圆周上,且相邻的两个所述第二光散射体之间的间距均相等。
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