CN109557828B - 一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法 - Google Patents

一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法，建立SiCMOSFET仿真电路模型，对SiCMOSFET仿真电路模型进行双脉冲电路仿真测试，得到仿真双脉冲测试电压电流波形图；根据SiCMOSFET仿真电路模型建立SiCMOSFET实际电路，对SiCMOSFET实际电路进行双脉冲电路测试，得到实际双脉冲测试电压电流波形图；调整门极‑漏极电容Cgd、门极‑源极电容Cgs、阈值Vth、跨导gf和源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正完成。本发明有效提高SiCMOSFET仿真电路模型的精确性。

Description

一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法
技术领域
本发明属于SiCMOSFET参数建模技术领域，涉及一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法。
背景技术
随着电力电子技术的飞速发展，逐渐成熟的SiCMOSFET开始在电动汽车、开关电源和可再生能源等高密度、高效率应用场合崭露头角，为了更好的发挥SiCMOSFET的性能优势，优化电力电子开关变换器的设计过程，需要建立准确的SiCMOSFET仿真模型。目前，SiCMOSFET器件的仿真模型研究越来越受到关注，建模方法主要分为两类:物理建模和等效电路建模。物理建模：基于半导体物理学的相关知识，求解器件的半导体方程，得出器件端口的电流电压关系。这种建模方法的优点是非常精确，但需要对器件内部结构具有深刻的了解，列写的半导体方程计算往往比较复杂，仿真实时性难以保证，不利于电路仿真应用；等效电路建模：将SiCMOSFET端口特性看成一个黑箱，按照仿真功能的需要从器件的外部电特性出发构造模型不涉及元器件的物理机制。根据器件的外部电特性、测量数据、工厂给出的数据手册及以上几部分的组合构成简单的等效电路。这种方法相比物理模型计算速度快、简单方便，更为贴近仿真电路的需要，但其也具有一定缺点，一方面由于不同生产批次、不同应用场合间的参数差异导致所建模型精度有限，另一方面，通过厂商的数据曲线建模得到的模型精确度也不高。
发明内容
本发明的目的是提供一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法，提高了SiCMOSFET仿真电路模型参数的精度。
本发明所采用的技术方案是，一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法，具体包括以下步骤：
建立SiCMOSFET仿真电路模型，SiCMOSFET仿真电路模型包括连接在一起的门极-漏极电容Cgd与门极-源极电容Cgs，门极-漏极电容Cgd与门极-源极电容Cgs均分别连接有SiCMOSFET的门极，SiCMOSFET的漏极分别连接有漏极寄生电感Ld、漏-源极电容Cds，漏-源极电容Cds还连接有SiCMOSFET的源级，SiCMOSFET的源级还连接有源极寄生电感Ls；
设置SiCMOSFET的电压阈值Vth和跨导gf，对SiCMOSFET仿真电路模型进行双脉冲电路仿真测试，得到仿真双脉冲测试电压电流波形图，仿真双脉冲测试电压电流波形图包括SiCMOSFET的仿真电压波形和仿真电流波形；
根据SiCMOSFET仿真电路模型建立SiCMOSFET实际电路，对SiCMOSFET实际电路进行双脉冲电路测试，得到实际双脉冲测试电压电流波形图，实际双脉冲测试电压电流波形图包括SiCMOSFET的实际电压波形和实际电流波形；
计算实际电压波形在SiCMOSFET开通、关断时电压波形斜率Kv1、Kv2分别与仿真电压波形在SiCMOSFET开通、关断时电压波形斜率Kv3、Kv4的差值；
若Kv1、Kv2、Kv3、Kv4满足仅Kv1与Kv3的差值大于15％的Kv1绝对值，或仅Kv2与Kv4的差值大于15％的Kv2绝对值，或Kv1与Kv3的差值大于15％的Kv1绝对值且Kv2与Kv4的差值大于15％的Kv2绝对值，则调整门极-漏极电容Cgd，仿真电压波形转变为粗调仿真电压波形，粗调仿真电压波形在SiCMOSFET开通时的电压波形斜率Kv5与Kv1的差值小于5％的Kv1绝对值，且粗调仿真电压波形在SiCMOSFET关断时的电压波形斜率Kv6与Kv2的差值小于5％的Kv2绝对值，计算实际电流波形在SiCMOSFET开通、关断时的电流波形斜率KI1、KI2分别与仿真电流波形在SiCMOSFET开通、关断时的电压波形斜率KI3、KI4的差值，若KI1、KI2、KI3、KI4满足仅KI1与KI3的差值大于15％的KI1绝对值，或仅KI2与KI4的差值大于15％的KI2绝对值，或KI1与KI3的差值大于15％的绝对值KI1且KI2与KI4的差值大于15％的KI2绝对值，则调整门极-源极电容Cgs，仿真电流波形转变为第一粗调仿真电流波形，第一粗调仿真电流波形在SiCMOSFET开通时的电流波形斜率KI5与KI1的差值小于5％的KI1绝对值，且第一粗调仿真电流波形在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI6与KI2的差值小于5％的KI2绝对值，调整电压阈值Vth，第一粗调仿真电流波形转变为第一移位仿真电流波形，第一移位仿真电流波形与实际电流波形得起始时刻相同，调节跨导gf，第一粗调仿真电压波形和第一移位仿真电流波形分别转变为第一微调仿真电压波形、第一微调仿真电流波形，第一微调仿真电压波形在SiCMOSFET开通时的电压波形斜率Kv7与Kv1的差值为0～0.5％的Kv1绝对值，且第一微调仿真电压波形在SiCMOSFET关断时的电压波形斜率Kv8与Kv2的差值为0～0.5％的Kv2绝对值，第一微调仿真电流波形在SiCMOSFET开通时的电流波形斜率KI7与KI1的差值为0～0.5％的KI1绝对值，且第一微调仿真电流波形在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI8与KI2的差值为0～0.5％的KI2绝对值，调节源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，第一微调仿真电压波形转变为第一精调仿真电压波形，第一精调仿真电压波形所示的电压幅值f1与实际电压波形所示的电压幅值f2相等，则SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正完成；若KI1、KI2、KI3、KI4不满足仅KI1与KI3的差值大于15％的KI1绝对值，或仅KI2与KI4的差值大于15％的KI2绝对值，或KI1与KI3的差值大于15％的KI1绝对值且KI2与KI4的差值大于15％的KI2绝对值，则调整电压阈值Vth，仿真电流波形转变为第二移位仿真电流波形，第二移位仿真电流波形与实际电流波形得起始时刻相同，调节跨导gf，粗调仿真电压波形和第二移位仿真电流波形分别转变为第二微调仿真电压波形、第二微调仿真电流波形，第二微调仿真电压波形在SiCMOSFET开通时的电压波形斜率Kv9与Kv1的差值为0～0.5％的Kv1绝对值，且第二微调仿真电压波形在SiCMOSFET关断时的电压波形斜率Kv10与Kv2的差值为0～0.5％的Kv2绝对值，第二微调仿真电流波形在SiCMOSFET开通时的电流波形斜率KI9与KI1的差值为0～0.5％的KI1绝对值，且第二微调仿真电流波形在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI10与KI2的差值为0～0.5％的KI2绝对值，调节源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，第二微调仿真电压波形转变为第二精调仿真电压波形，第二精调仿真电压波形所示的电压幅值f3与实际电压波形所示的电压幅值f2相等，则SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正完成；
若Kv1、Kv2、Kv3、Kv4不满足仅Kv1与Kv3的差值大于15％的Kv1绝对值，或仅Kv2与Kv4的差值大于15％的Kv2绝对值，或Kv1与Kv3的差值大于15％的Kv1绝对值且Kv2与Kv4的差值大于15％的Kv2绝对值，则计算实际电流波形在SiCMOSFET开通、关断时的电流波形斜率KI1、KI2分别与仿真电流波形在SiCMOSFET开通、关断时的电压波形斜率KI3、KI4的差值，若KI1、KI2、KI3、KI4满足仅KI1与KI3的差值大于15％的KI1绝对值，或仅KI2与KI4的差值大于15％的KI2绝对值，或KI1与KI3的差值大于15％的KI1绝对值且KI2与KI4的差值大于15％的KI2绝对值，则调整门极-源极电容Cgs，仿真电流波形转变为第二粗调仿真电流波形，第二粗调仿真电流波形在SiCMOSFET开通时的电流波形斜率KI11与KI1的差值小于5％的KI1绝对值，且第二粗调仿真电流波形在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI12与KI2的差值小于5％的KI2绝对值，调整电压阈值Vth，第二粗调仿真电流波形转变为第三移位仿真电流波形，第三移位仿真电流波形与实际电流波形得起始时刻相同，调节跨导gf，仿真电压波形和第三移位仿真电流波形分别转变为第三微调仿真电压波形、第三微调仿真电流波形，第三微调仿真电压波形在SiCMOSFET开通时的电压波形斜率Kv11与Kv1的差值为0～0.5％的Kv1绝对值，且第一微调仿真电压波形在SiCMOSFET关断时的电压波形斜率Kv12与Kv2的差值为0～0.5％的Kv2绝对值，第三微调仿真电流波形在SiCMOSFET开通时的电流波形斜率KI13与KI1的差值为0～0.5％的KI1绝对值，且第三微调仿真电流波形在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI14与KI2的差值为0～0.5％的KI2绝对值，调节源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，第三微调仿真电压波形转变为第三精调仿真电压波形，第三精调仿真电压波形所示的电压幅值f4与实际电压波形所示的电压幅值f2相等，则SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正完成；若KI1、KI2、KI3、KI4不满足仅KI1与KI3的差值大于15％的KI1绝对值，或仅KI2与KI4的差值大于15％的KI2绝对值，或KI1与KI3的差值大于15％的KI1绝对值且KI2与KI4的差值大于15％的KI2绝对值，则调整电压阈值Vth，仿真电流波形转变为第四移位仿真电流波形，第四移位仿真电流波形与实际电流波形得起始时刻相同，调节跨导gf，仿真电压波形和第四移位仿真电流波形分别转变为第四微调仿真电压波形、第四微调仿真电流波形，第四微调仿真电压波形在SiCMOSFET开通时的电压波形斜率Kv13与Kv1的差值为0～0.5％的Kv1绝对值，且第四微调仿真电压波形在SiCMOSFET关断时的电压波形斜率Kv14与Kv2的差值为0～0.5％的Kv2绝对值，第四微调仿真电流波形在SiCMOSFET开通时的电流波形斜率KI15与KI1的差值为0～0.5％的KI1绝对值，且第四微调仿真电流波形在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI16与KI2的差值为0～0.5％的KI2绝对值，调节源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，第四微调仿真电压波形转变为第四精调仿真电压波形，第四精调仿真电压波形所示的电压幅值f5与实际电压波形所示的电压幅值f2相等，则SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正完成。
本发明的特点还在于，
调整仿真电压波形的门极-漏极电容Cgd具体为，
Kv1＞Kv3且Kv2＞Kv4时，增大门极-漏极电容Cgd，仿真电压波形转变为粗调仿真电压波形，粗调仿真电压波形在SiCMOSFET开通时的电压波形斜率Kv5与Kv1的差值小于5％的Kv1绝对值，且粗调仿真电压波形在SiCMOSFET关断时的电压波形斜率Kv6与Kv2的差值小于5％的Kv2绝对值；
Kv1＜Kv3且Kv2＜Kv4时，减小门极-漏极电容Cgd，仿真电压波形转变为粗调仿真电压波形，粗调仿真电压波形在SiCMOSFET开通时的电压波形斜率Kv5与Kv1的差值小于5％的Kv1绝对值，且粗调仿真电压波形在SiCMOSFET关断时的电压波形斜率Kv6与Kv2的差值小于5％的Kv2绝对值。
第一粗调仿真电流波形为第一粗调仿真电流波形A或第一粗调仿真电流波形B；
调整门极-源极电容Cgs，仿真电流波形转变为第一粗调仿真电流波形具体为，KI1＞KI3且KI2＞KI4时，增大门极-源极电容Cgs，仿真电流波形转变为第一粗调仿真电流波形A，第一粗调仿真电流波形A在SiCMOSFET开通时的电流波形斜率KI5与KI1的差值小于5％的KI1绝对值，且第一粗调仿真电流波形A在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI6与KI2的差值小于5％的KI2绝对值；KI1＜Kv3且KI2＜KI4时，减小门极-源极电容Cgs，仿真电流波形转变为第一粗调仿真电流波形B，第一粗调仿真电流波形B在SiCMOSFET开通时的电流波形斜率KI5与KI1的差值小于5％的KI1绝对值，且第一粗调仿真电流波形B在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI6与KI2的差值小于5％的KI2绝对值。
第一移位仿真电流波形为第一移位仿真电流波形A或第一移位仿真电流波形B；
调整电压阈值Vth，第一粗调仿真电流波形转变为第一移位仿真电流波形具体为，当第一粗调仿真电流波形起始时刻超前于实际电流波形，则增大电压阈值Vth至二者起始点重合，第一粗调仿真电流波形转变为第一移位仿真电流波形A；当第一粗调仿真电流波形起始时刻落后于实际电流波形，则减小电压阈值Vth至二者起始点重合，第一粗调仿真电流波形转变为第一移位仿真电流波形B；
调整电压阈值Vth、仿真电流波形转变为第二移位仿真电流波形与调整电压阈值Vth、第一粗调仿真电流波形转变为第一移位仿真电流波形同理；
调整电压阈值Vth、第二粗调仿真电流波形转变为第三移位仿真电流波形与调整电压阈值Vth、第一粗调仿真电流波形转变为第一移位仿真电流波形同理；
调整电压阈值Vth、仿真电流波形转变为第四移位仿真电流波形与调整电压阈值Vth、第一粗调仿真电流波形转变为第一移位仿真电流波形同理。
第一微调仿真电压波形为第一微调仿真电压波形A或第一微调仿真电压波形B，第一微调仿真电流波形为第一微调仿真电流波形A或第一微调仿真电流波形B；
调节跨导gf，第一粗调仿真电压波形和第一移位仿真电流波形分别转变为第一微调仿真电压波形、第一微调仿真电流波形具体为，若第一粗调仿真电压波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值均大于实际电压波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值，且第一移位仿真电流波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值均大于实际电流波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值时，则减小跨导gf，第一粗调仿真电压波形和第一移位仿真电流波形分别转变为第一微调仿真电压波形A、第一微调仿真电流波形A，第一微调仿真电压波形A在SiCMOSFET开通时的电压波形斜率Kv7与Kv1的差值为0～0.5％的Kv1绝对值，且第一微调仿真电压波形在A电压关断时的电压波形斜率Kv8与Kv2的差值为0～0.5％的Kv2绝对值，第一微调仿真电流波形A在SiCMOSFET开通时的电流波形斜率KI7与KI1的差值为0～0.5％的KI1绝对值，且第一微调仿真电流波形A在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI8与KI2的差值为0～0.5％的KI2绝对值；若粗调仿真电压波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值均小于实际电压波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值，且移位仿真电流波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值均小于实际电流波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值时，则增大跨导gf，第一粗调仿真电压波形和第一移位仿真电流波形分别转变为第一微调仿真电压波形B、第一微调仿真电流波形B，第一微调仿真电压波形B在SiCMOSFET开通时的电压波形斜率Kv7与Kv1的差值为0～0.5％的Kv1绝对值，且第一微调仿真电压波形B在SiCMOSFET关断时的电压波形斜率Kv8与Kv2的差值为0～0.5％的Kv2绝对值，第一微调仿真电流波形B在SiCMOSFET开通时的电流波形斜率KI7与KI1的差值为0～0.5％的KI1绝对值，且第一微调仿真电流波形B在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI8与KI2的差值为0～0.5％的KI2绝对值；
调节跨导gf，粗调仿真电压波形和第二移位仿真电流波形分别转变为第二微调仿真电压波形、第二微调仿真电流波形，与调节跨导gf，第一粗调仿真电压波形和第一移位仿真电流波形分别转变为第一微调仿真电压波形、第一微调仿真电流波形同理；
调节跨导gf，仿真电压波形和第三移位仿真电流波形分别转变为第三微调仿真电压波形、第三微调仿真电流波形，与调节跨导gf，第一粗调仿真电压波形和第一移位仿真电流波形分别转变为第一微调仿真电压波形、第一微调仿真电流波形同理；
调节跨导gf，仿真电压波形和第四移位仿真电流波形分别转变为第四微调仿真电压波形、第四微调仿真电流波形，与调节跨导gf，第一粗调仿真电压波形和第一移位仿真电流波形分别转变为第一微调仿真电压波形、第一微调仿真电流波形同理。
第一精调仿真电压波形为第一精调仿真电压波形A或第一精调仿真电压波形B；
调节源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，第一微调仿真电压波形转变为第一精调仿真电压波形具体为，若第一微调仿真电压波形所示的电压幅值f1'小于实际电压波形所示的电压幅值f2，减小源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，第一微调仿真电压波形转变为第一精调仿真电压波形A，第一精调仿真电压波形A所示的电压幅值f1与实际电压波形所示的电压幅值f2相等；若第一微调仿真电压波形所示的电压幅值f1'大于于实际电压波形所示的电压幅值f2时，增大源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，第一微调仿真电压波形转变为第一精调仿真电压波形B，第一精调仿真电压波形B所示的电压幅值f1与实际电压波形所示的电压幅值f2相等；
调节源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld、第二微调仿真电压波形转变为第二精调仿真电压波形与调节源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld、第一微调仿真电压波形转变为第一精调仿真电压波形同理；
调节源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld、第二微调仿真电压波形转变为第二精调仿真电压波形与调节源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld、第一微调仿真电压波形转变为第一精调仿真电压波形同理；
调节源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld、第三微调仿真电压波形转变为第三精调仿真电压波形与调节源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld、第一微调仿真电压波形转变为第一精调仿真电压波形同理；
调节源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld、第四微调仿真电压波形转变为第四精调仿真电压波形与调节源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld、第一微调仿真电压波形转变为第一精调仿真电压波形同理。
本发明的有益效果是，本发明一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法简单高效，使得SiCMOSFET仿真电路模型的校正效率大大提高，并且有效提高了SiCMOSFET仿真电路模型的精确性。
附图说明
图1是本发明一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法的流程图；
图2是SiCMOSFET仿真电路模型的电路图；
图3是本发明一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法的实施例1中SiCMOSFET开通时电流校正波形对比图；
图4是本发明一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法的实施例1中SiCMOSFET开通时电压校正波形对比图；
图5是本发明一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法的实施例1中SiCMOSFET关断时电流校正波形对比图；
图6是本发明一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法的实施例1中SiCMOSFET关断时电流校正波形对比图。
图中，1.SiCMOSFET，Cgd是门极-漏极电容，Cgs是门极-源极电容，Cds是漏-源极电容，Ls是源极寄生电感，Ld是漏极寄生电感。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明进行详细说明。
本发明一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法，具体包括以下步骤：
建立SiCMOSFET仿真电路模型，SiCMOSFET仿真电路模型包括连接在一起的门极-漏极电容Cgd与门极-源极电容Cgs，门极-漏极电容Cgd与门极-源极电容Cgs均分别连接有SiCMOSFET1的门极，SiCMOSFET1的漏极分别连接有漏极寄生电感Ld、漏-源极电容Cds，漏-源极电容Cds还连接有SiCMOSFET1的源级，SiCMOSFET1的源级还连接有源极寄生电感Ls；
设置SiCMOSFET1的电压阈值Vth和跨导gf，对SiCMOSFET仿真电路模型进行双脉冲电路仿真测试，得到仿真双脉冲测试电压电流波形图，仿真双脉冲测试电压电流波形图包括SiCMOSFET1的仿真电压波形和仿真电流波形；
根据SiCMOSFET仿真电路模型建立SiCMOSFET实际电路，对SiCMOSFET实际电路进行双脉冲电路测试，得到实际双脉冲测试电压电流波形图，实际双脉冲测试电压电流波形图包括SiCMOSFET1的实际电压波形和实际电流波形；
计算实际电压波形在SiCMOSFET1开通、关断时电压波形斜率Kv1、Kv2分别与仿真电压波形在SiCMOSFET1开通、关断时电压波形斜率Kv3、Kv4的差值；
若Kv1、Kv2、Kv3、Kv4满足仅Kv1与Kv3的差值大于15％的Kv1绝对值，或仅Kv2与Kv4的差值大于15％的Kv2绝对值，或Kv1与Kv3的差值大于15％的Kv1绝对值且Kv2与Kv4的差值大于15％的Kv2绝对值，则调整门极-漏极电容Cgd，仿真电压波形转变为粗调仿真电压波形，粗调仿真电压波形在SiCMOSFET1开通时的电压波形斜率Kv5与Kv1的差值小于5％的Kv1绝对值，且粗调仿真电压波形在SiCMOSFET1关断时的电压波形斜率Kv6与Kv2的差值小于5％的Kv2绝对值，计算实际电流波形在SiCMOSFET1开通、关断时的电流波形斜率KI1、KI2分别与仿真电流波形在SiCMOSFET1开通、关断时的电压波形斜率KI3、KI4的差值，若KI1、KI2、KI3、KI4满足仅KI1与KI3的差值大于15％的KI1绝对值，或仅KI2与KI4的差值大于15％的KI2绝对值，或KI1与KI3的差值大于15％的绝对值KI1且KI2与KI4的差值大于15％的KI2绝对值，则调整门极-源极电容Cgs，仿真电流波形转变为第一粗调仿真电流波形，第一粗调仿真电流波形在SiCMOSFET开通时的电流波形斜率KI5与KI1的差值小于5％的KI1绝对值，且第一粗调仿真电流波形在SiCMOSFET1关断时的电流波形斜率KI6与KI2的差值小于5％的KI2绝对值，调整电压阈值Vth，第一粗调仿真电流波形转变为第一移位仿真电流波形，第一移位仿真电流波形与实际电流波形得起始时刻相同，调节跨导gf，第一粗调仿真电压波形和第一移位仿真电流波形分别转变为第一微调仿真电压波形、第一微调仿真电流波形，第一微调仿真电压波形在SiCMOSFET1开通时的电压波形斜率Kv7与Kv1的差值为0～0.5％的Kv1绝对值，且第一微调仿真电压波形在SiCMOSFET1关断时的电压波形斜率Kv8与Kv2的差值为0～0.5％的Kv2绝对值，第一微调仿真电流波形在SiCMOSFET1开通时的电流波形斜率KI7与KI1的差值为0～0.5％的KI1绝对值，且第一微调仿真电流波形在SiCMOSFET1关断时的电流波形斜率KI8与KI2的差值为0～0.5％的KI2绝对值，调节源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，第一微调仿真电压波形转变为第一精调仿真电压波形，第一精调仿真电压波形所示的电压幅值f1与实际电压波形所示的电压幅值f2相等，则SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正完成；若KI1、KI2、KI3、KI4不满足仅KI1与KI3的差值大于15％的KI1绝对值，或仅KI2与KI4的差值大于15％的KI2绝对值，或KI1与KI3的差值大于15％的KI1绝对值且KI2与KI4的差值大于15％的KI2绝对值，则调整电压阈值Vth，仿真电流波形转变为第二移位仿真电流波形，第二移位仿真电流波形与实际电流波形得起始时刻相同，调节跨导gf，粗调仿真电压波形和第二移位仿真电流波形分别转变为第二微调仿真电压波形、第二微调仿真电流波形，第二微调仿真电压波形在SiCMOSFET1开通时的电压波形斜率Kv9与Kv1的差值为0～0.5％的Kv1绝对值，且第二微调仿真电压波形在SiCMOSFET1关断时的电压波形斜率Kv10与Kv2的差值为0～0.5％的Kv2绝对值，第二微调仿真电流波形在SiCMOSFET1开通时的电流波形斜率KI9与KI1的差值为0～0.5％的KI1绝对值，且第二微调仿真电流波形在SiCMOSFET1关断时的电流波形斜率KI10与KI2的差值为0～0.5％的KI2绝对值，调节源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，第二微调仿真电压波形转变为第二精调仿真电压波形，第二精调仿真电压波形所示的电压幅值f3与实际电压波形所示的电压幅值f2相等，则SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正完成；
若Kv1、Kv2、Kv3、Kv4不满足仅Kv1与Kv3的差值大于15％的Kv1绝对值，或仅Kv2与Kv4的差值大于15％的Kv2绝对值，或Kv1与Kv3的差值大于15％的Kv1绝对值且Kv2与Kv4的差值大于15％的Kv2绝对值，则计算实际电流波形在SiCMOSFET1开通、关断时的电流波形斜率KI1、KI2分别与仿真电流波形在SiCMOSFET1开通、关断时的电压波形斜率KI3、KI4的差值，若KI1、KI2、KI3、KI4满足仅KI1与KI3的差值大于15％的KI1绝对值，或仅KI2与KI4的差值大于15％的KI2绝对值，或KI1与KI3的差值大于15％的KI1绝对值且KI2与KI4的差值大于15％的KI2绝对值，则调整门极-源极电容Cgs，仿真电流波形转变为第二粗调仿真电流波形，第二粗调仿真电流波形在SiCMOSFET1开通时的电流波形斜率KI11与KI1的差值小于5％的KI1绝对值，且第二粗调仿真电流波形在SiCMOSFET1关断时的电流波形斜率KI12与KI2的差值小于5％的KI2绝对值，调整电压阈值Vth，第二粗调仿真电流波形转变为第三移位仿真电流波形，第三移位仿真电流波形与实际电流波形得起始时刻相同，调节跨导gf，仿真电压波形和第三移位仿真电流波形分别转变为第三微调仿真电压波形、第三微调仿真电流波形，第三微调仿真电压波形在SiCMOSFET1开通时的电压波形斜率Kv11与Kv1的差值为0～0.5％的Kv1绝对值，且第一微调仿真电压波形在SiCMOSFET1关断时的电压波形斜率Kv12与Kv2的差值为0～0.5％的Kv2绝对值，第三微调仿真电流波形在SiCMOSFET1开通时的电流波形斜率KI13与KI1的差值为0～0.5％的KI1绝对值，且第三微调仿真电流波形在SiCMOSFET1关断时的电流波形斜率KI14与KI2的差值为0～0.5％的KI2绝对值，调节源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，第三微调仿真电压波形转变为第三精调仿真电压波形，第三精调仿真电压波形所示的电压幅值f4与实际电压波形所示的电压幅值f2相等，则SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正完成；若KI1、KI2、KI3、KI4不满足仅KI1与KI3的差值大于15％的KI1绝对值，或仅KI2与KI4的差值大于15％的KI2绝对值，或KI1与KI3的差值大于15％的KI1绝对值且KI2与KI4的差值大于15％的KI2绝对值，则调整电压阈值Vth，仿真电流波形转变为第四移位仿真电流波形，第四移位仿真电流波形与实际电流波形得起始时刻相同，调节跨导gf，仿真电压波形和第四移位仿真电流波形分别转变为第四微调仿真电压波形、第四微调仿真电流波形，第四微调仿真电压波形在SiCMOSFET开通时的电压波形斜率Kv13与Kv1的差值为0～0.5％的Kv1绝对值，且第四微调仿真电压波形在SiCMOSFET1关断时的电压波形斜率Kv14与Kv2的差值为0～0.5％的Kv2绝对值，第四微调仿真电流波形在SiCMOSFET1开通时的电流波形斜率KI15与KI1的差值为0～0.5％的KI1绝对值，且第四微调仿真电流波形在SiCMOSFET1关断时的电流波形斜率KI16与KI2的差值为0～0.5％的KI2绝对值，调节源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，第四微调仿真电压波形转变为第四精调仿真电压波形，第四精调仿真电压波形所示的电压幅值f5与实际电压波形所示的电压幅值f2相等，则SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正完成。
调整仿真电压波形的门极-漏极电容Cgd具体为，
Kv1＞Kv3且Kv2＞Kv4时，增大门极-漏极电容Cgd，仿真电压波形转变为粗调仿真电压波形，粗调仿真电压波形在SiCMOSFET1开通时的电压波形斜率Kv5与Kv1的差值小于5％的Kv1绝对值，且粗调仿真电压波形在SiCMOSFET1关断时的电压波形斜率Kv6与Kv2的差值小于5％的Kv2绝对值；
Kv1＜Kv3且Kv2＜Kv4时，减小门极-漏极电容Cgd，仿真电压波形转变为粗调仿真电压波形，粗调仿真电压波形在SiCMOSFET1开通时的电压波形斜率Kv5与Kv1的差值小于5％的Kv1绝对值，且粗调仿真电压波形在SiCMOSFET1关断时的电压波形斜率Kv6与Kv2的差值小于5％的Kv2绝对值。
第一粗调仿真电流波形为第一粗调仿真电流波形A或第一粗调仿真电流波形B；
调整门极-源极电容Cgs，仿真电流波形转变为第一粗调仿真电流波形具体为，KI1＞KI3且KI2＞KI4时，增大门极-源极电容Cgs，仿真电流波形转变为第一粗调仿真电流波形A，第一粗调仿真电流波形A在SiCMOSFET1开通时的电流波形斜率KI5与KI1的差值小于5％的KI1绝对值，且第一粗调仿真电流波形A在SiCMOSFET1关断时的电流波形斜率KI6与KI2的差值小于5％的KI2绝对值；KI1＜Kv3且KI2＜KI4时，减小门极-源极电容Cgs，仿真电流波形转变为第一粗调仿真电流波形B，第一粗调仿真电流波形B在SiCMOSFET1开通时的电流波形斜率KI5与KI1的差值小于5％的KI1绝对值，且第一粗调仿真电流波形B在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI6与KI2的差值小于5％的KI2绝对值。
第一移位仿真电流波形为第一移位仿真电流波形A或第一移位仿真电流波形B；
调整电压阈值Vth，第一粗调仿真电流波形转变为第一移位仿真电流波形具体为，当第一粗调仿真电流波形起始时刻超前于实际电流波形，则增大电压阈值Vth至二者起始点重合，第一粗调仿真电流波形转变为第一移位仿真电流波形A；当第一粗调仿真电流波形起始时刻落后于实际电流波形，则减小电压阈值Vth至二者起始点重合，第一粗调仿真电流波形转变为第一移位仿真电流波形B；
调整电压阈值Vth、仿真电流波形转变为第二移位仿真电流波形与调整电压阈值Vth、第一粗调仿真电流波形转变为第一移位仿真电流波形同理；
调整电压阈值Vth、第二粗调仿真电流波形转变为第三移位仿真电流波形与调整电压阈值Vth、第一粗调仿真电流波形转变为第一移位仿真电流波形同理；
调整电压阈值Vth、仿真电流波形转变为第四移位仿真电流波形与调整电压阈值Vth、第一粗调仿真电流波形转变为第一移位仿真电流波形同理。
第一微调仿真电压波形为第一微调仿真电压波形A或第一微调仿真电压波形B，第一微调仿真电流波形为第一微调仿真电流波形A或第一微调仿真电流波形B；
调节跨导gf，第一粗调仿真电压波形和第一移位仿真电流波形分别转变为第一微调仿真电压波形、第一微调仿真电流波形具体为，若第一粗调仿真电压波形在SiCMOSFET1开通、关断时波形斜率的绝对值均大于实际电压波形在SiCMOSFET1开通、关断时波形斜率的绝对值，且第一移位仿真电流波形在SiCMOSFET1开通、关断时波形斜率的绝对值均大于实际电流波形在SiCMOSFET1开通、关断时波形斜率的绝对值时，则减小跨导gf，第一粗调仿真电压波形和第一移位仿真电流波形分别转变为第一微调仿真电压波形A、第一微调仿真电流波形A，第一微调仿真电压波形A在SiCMOSFET1开通时的电压波形斜率Kv7与Kv1的差值为0～0.5％的Kv1绝对值，且第一微调仿真电压波形在A电压关断时的电压波形斜率Kv8与Kv2的差值为0～0.5％的Kv2绝对值，第一微调仿真电流波形A在SiCMOSFET1开通时的电流波形斜率KI7与KI1的差值为0～0.5％的KI1绝对值，且第一微调仿真电流波形A在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI8与KI2的差值为0～0.5％的KI2绝对值；若粗调仿真电压波形在SiCMOSFET1开通、关断时波形斜率的绝对值均小于实际电压波形在SiCMOSFET1开通、关断时波形斜率的绝对值，且移位仿真电流波形在SiCMOSFET1开通、关断时波形斜率的绝对值均小于实际电流波形在SiCMOSFET1开通、关断时波形斜率的绝对值时，则增大跨导gf，第一粗调仿真电压波形和第一移位仿真电流波形分别转变为第一微调仿真电压波形B、第一微调仿真电流波形B，第一微调仿真电压波形B在SiCMOSFET1开通时的电压波形斜率Kv7与Kv1的差值为0～0.5％的Kv1绝对值，且第一微调仿真电压波形B在SiCMOSFET关断时的电压波形斜率Kv8与Kv2的差值为0～0.5％的Kv2绝对值，第一微调仿真电流波形B在SiCMOSFET1开通时的电流波形斜率KI7与KI1的差值为0～0.5％的KI1绝对值，且第一微调仿真电流波形B在SiCMOSFET1关断时的电流波形斜率KI8与KI2的差值为0～0.5％的KI2绝对值；
调节跨导gf，粗调仿真电压波形和第二移位仿真电流波形分别转变为第二微调仿真电压波形、第二微调仿真电流波形，与调节跨导gf，第一粗调仿真电压波形和第一移位仿真电流波形分别转变为第一微调仿真电压波形、第一微调仿真电流波形同理；
调节跨导gf，仿真电压波形和第三移位仿真电流波形分别转变为第三微调仿真电压波形、第三微调仿真电流波形，与调节跨导gf，第一粗调仿真电压波形和第一移位仿真电流波形分别转变为第一微调仿真电压波形、第一微调仿真电流波形同理；
调节跨导gf，仿真电压波形和第四移位仿真电流波形分别转变为第四微调仿真电压波形、第四微调仿真电流波形，与调节跨导gf，第一粗调仿真电压波形和第一移位仿真电流波形分别转变为第一微调仿真电压波形、第一微调仿真电流波形同理。
第一精调仿真电压波形为第一精调仿真电压波形A或第一精调仿真电压波形B；
调节源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，第一微调仿真电压波形转变为第一精调仿真电压波形具体为，若第一微调仿真电压波形所示的电压幅值f1'小于实际电压波形所示的电压幅值f2，减小源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，第一微调仿真电压波形转变为第一精调仿真电压波形A，第一精调仿真电压波形A所示的电压幅值f1与实际电压波形所示的电压幅值f2相等；若第一微调仿真电压波形所示的电压幅值f1'大于于实际电压波形所示的电压幅值f2时，增大源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，第一微调仿真电压波形转变为第一精调仿真电压波形B，第一精调仿真电压波形B所示的电压幅值f1与实际电压波形所示的电压幅值f2相等；
调节源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld、第二微调仿真电压波形转变为第二精调仿真电压波形与调节源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld、第一微调仿真电压波形转变为第一精调仿真电压波形同理；
调节源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld、第二微调仿真电压波形转变为第二精调仿真电压波形与调节源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld、第一微调仿真电压波形转变为第一精调仿真电压波形同理；
调节源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld、第三微调仿真电压波形转变为第三精调仿真电压波形与调节源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld、第一微调仿真电压波形转变为第一精调仿真电压波形同理；
调节源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld、第四微调仿真电压波形转变为第四精调仿真电压波形与调节源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld、第一微调仿真电压波形转变为第一精调仿真电压波形同理。
通过上述方式，本发明一种SiCMOSFET模型参数精度校正方法简单高效，使得SiCMOSFET仿真电路模型的校正效率大大提高，并且有效提高了SiCMOSFET仿真电路模型的精确性。
实施例1
本实施例提供本发明一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法，具体按照以下步骤实施：
建立SiCMOSFET仿真电路模型，如图2所示，SiCMOSFET仿真电路模型包括连接在一起的门极-漏极电容Cgd与门极-源极电容Cgs，门极-漏极电容Cgd与门极-源极电容Cgs均分别连接有SiCMOSFET1的门极，SiCMOSFET1的漏极分别连接有漏极寄生电感Ld、漏-源极电容Cds，漏-源极电容Cds还连接有SiCMOSFET1的源级，SiCMOSFET1的源级还连接有源极寄生电感Ls，其中，Cgd＝8e-12F，Cgs＝10.2e-9F,，Cds＝0.12e-9F，Ls＝6nH，Ld＝6nH；
设置SiCMOSFET1的电压阈值Vth和跨导gf，Vth＝3V，gf＝200，对SiCMOSFET仿真电路模型进行双脉冲电路仿真测试，得到仿真双脉冲测试电压电流波形图，仿真双脉冲测试电压电流波形图包括SiCMOSFET1的仿真电压波形和仿真电流波形；
根据SiCMOSFET仿真电路模型建立SiCMOSFET实际电路，对SiCMOSFET实际电路进行双脉冲电路测试，得到实际双脉冲测试电压电流波形图，实际双脉冲测试电压电流波形图包括SiCMOSFET1的实际电压波形和实际电流波形；
计算实际电压波形在SiCMOSFET1开通、关断时电压波形斜率Kv1、Kv2分别与仿真电压波形在SiCMOSFET1开通、关断时电压波形斜率Kv3、Kv4的差值；
Kv1与Kv3的差值大于15％的Kv1绝对值且Kv2与Kv4的差值大于15％的Kv2绝对值，Kv1＞Kv3且Kv2＞Kv4，增大门极-漏极电容Cgd，当Cgd的值增大到60e-12F时，仿真电压波形转变为粗调仿真电压波形，粗调仿真电压波形在SiCMOSFET1开通时的电压波形斜率Kv5与Kv1的差值小于5％的Kv1绝对值，且粗调仿真电压波形在SiCMOSFET1关断时的电压波形斜率Kv6与Kv2的差值小于5％的Kv2绝对值；
计算实际电流波形在SiCMOSFET1开通、关断时的电流波形斜率KI1、KI2分别与仿真电流波形在SiCMOSFET1开通、关断时的电压波形斜率KI3、KI4的差值；
KI1与KI3的差值大于15％的绝对值KI1且KI2与KI4的差值大于15％的KI2绝对值，KI1＞KI3且KI2＞KI4，增大门极-源极电容Cgs，当Cgs增大至17e-9F时，仿真电流波形转变为第一粗调仿真电流波形，第一粗调仿真电流波形在SiCMOSFET1开通时的电流波形斜率KI5与KI1的差值小于5％的KI1绝对值，且第一粗调仿真电流波形在SiCMOSFET1关断时的电流波形斜率KI6与KI2的差值小于5％的KI2绝对值；
第一粗调仿真电流波形起始时刻落后于实际电流波形，减小电压阈值Vth，第一粗调仿真电流波形转变为第一移位仿真电流波形，第一移位仿真电流波形与实际电流波形得起始时刻相同；
减小跨导gf，第一粗调仿真电压波形和第一移位仿真电流波形分别转变为第一微调仿真电压波形、第一微调仿真电流波形，第一微调仿真电压波形在SiCMOSFET1开通时的电压波形斜率Kv7与Kv1的差值为0～0.5％的Kv1绝对值，且第一微调仿真电压波形在电压关断时的电压波形斜率Kv8与Kv2的差值为0～0.5％的Kv2绝对值，第一微调仿真电流波形在SiCMOSFET1开通时的电流波形斜率KI7与KI1的差值为0～0.5％的KI1绝对值，且第一微调仿真电流波形在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI8与KI2的差值为0～0.5％的KI2绝对值；
增大源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，Ls＝8nH，Ld＝8nH，第一微调仿真电压波形转变为第一精调仿真电压波形，第一精调仿真电压波形所示的电压幅值f1与实际电压波形所示的电压幅值f2相等，此时第一微调仿真电流波形、第一精调仿真电压波形分别与实际电流波形、实际电压波形重合，如图3和图4所示，SiCMOSFET开通时MOSFET仿真电路模型参数经过校正后电流波形和电压波形分别与校正前电流波形和电压波形重合，如图5和图6所示，SiCMOSFET关断时MOSFET仿真电路模型参数经过校正后电流波形和电压波形分别与校正前电流波形和电压波形重合，SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正完成。

Claims (4)

1.一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
建立SiCMOSFET仿真电路模型，所述SiCMOSFET仿真电路模型包括连接在一起的门极-漏极电容Cgd与门极-源极电容Cgs，所述门极-漏极电容Cgd与门极-源极电容Cgs均分别连接有SiCMOSFET的门极，所述SiCMOSFET的漏极分别连接有漏极寄生电感Ld、漏-源极电容Cds，所述漏-源极电容Cds还连接有SiCMOSFET的源级，所述SiCMOSFET的源级还连接有源极寄生电感Ls；
设置SiCMOSFET的电压阈值Vth和跨导gf，对所述SiCMOSFET仿真电路模型进行双脉冲电路仿真测试，得到仿真双脉冲测试电压电流波形图，所述仿真双脉冲测试电压电流波形图包括SiCMOSFET的仿真电压波形和仿真电流波形；
根据SiCMOSFET仿真电路模型建立SiCMOSFET实际电路，对SiCMOSFET实际电路进行双脉冲电路测试，得到实际双脉冲测试电压电流波形图，所述实际双脉冲测试电压电流波形图包括SiCMOSFET的实际电压波形和实际电流波形；
计算所述实际电压波形在SiCMOSFET开通、关断时电压波形斜率Kv1、Kv2分别与仿真电压波形在SiCMOSFET开通、关断时电压波形斜率Kv3、Kv4的差值；
若Kv1、Kv2、Kv3、Kv4满足仅Kv1与Kv3的差值大于15％的Kv1绝对值，或仅Kv2与Kv4的差值大于15％的Kv2绝对值，或Kv1与Kv3的差值大于15％的Kv1绝对值且Kv2与Kv4的差值大于15％的Kv2绝对值，则调整所述门极-漏极电容Cgd，所述仿真电压波形转变为粗调仿真电压波形，所述粗调仿真电压波形在SiCMOSFET开通时的电压波形斜率Kv5与Kv1的差值小于5％的Kv1绝对值，且所述粗调仿真电压波形在SiCMOSFET关断时的电压波形斜率Kv6与Kv2的差值小于5％的Kv2绝对值，计算所述实际电流波形在SiCMOSFET开通、关断时的电流波形斜率KI1、KI2分别与仿真电流波形在SiCMOSFET开通、关断时的电流波形斜率KI3、KI4的差值，若KI1、KI2、KI3、KI4满足仅KI1与KI3的差值大于15％的KI1绝对值，或仅KI2与KI4的差值大于15％的KI2绝对值，或KI1与KI3的差值大于15％的绝对值KI1且KI2与KI4的差值大于15％的KI2绝对值，则调整所述门极-源极电容Cgs，所述仿真电流波形转变为第一粗调仿真电流波形，所述第一粗调仿真电流波形在SiCMOSFET开通时的电流波形斜率KI5与KI1的差值小于5％的KI1绝对值，且所述第一粗调仿真电流波形在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI6与KI2的差值小于5％的KI2绝对值，调整所述电压阈值Vth，所述第一粗调仿真电流波形转变为第一移位仿真电流波形，所述第一移位仿真电流波形与实际电流波形的起始时刻相同，调节跨导gf，所述粗调仿真电压波形和第一移位仿真电流波形分别转变为第一微调仿真电压波形、第一微调仿真电流波形，所述第一微调仿真电压波形在SiCMOSFET开通时的电压波形斜率Kv7与Kv1的差值为0～0.5％的Kv1绝对值，且所述第一微调仿真电压波形在SiCMOSFET关断时的电压波形斜率Kv8与Kv2的差值为0～0.5％的Kv2绝对值，所述第一微调仿真电流波形在SiCMOSFET开通时的电流波形斜率KI7与KI1的差值为0～0.5％的KI1绝对值，且所述第一微调仿真电流波形在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI8与KI2的差值为0～0.5％的KI2绝对值，调节所述源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，所述第一微调仿真电压波形转变为第一精调仿真电压波形，所述第一精调仿真电压波形所示的电压幅值f1与实际电压波形所示的电压幅值f2相等，则所述SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正完成；若KI1、KI2、KI3、KI4不满足仅KI1与KI3的差值大于15％的KI1绝对值，或仅KI2与KI4的差值大于15％的KI2绝对值，或KI1与KI3的差值大于15％的KI1绝对值且KI2与KI4的差值大于15％的KI2绝对值，则调整所述电压阈值Vth，所述仿真电流波形转变为第二移位仿真电流波形，所述第二移位仿真电流波形与实际电流波形得起始时刻相同，调节所述跨导gf，所述粗调仿真电压波形和第二移位仿真电流波形分别转变为第二微调仿真电压波形、第二微调仿真电流波形，所述第二微调仿真电压波形在SiCMOSFET开通时的电压波形斜率Kv9与Kv1的差值为0～0.5％的Kv1绝对值，且所述第二微调仿真电压波形在SiCMOSFET关断时的电压波形斜率Kv10与Kv2的差值为0～0.5％的Kv2绝对值，所述第二微调仿真电流波形在SiCMOSFET开通时的电流波形斜率KI9与KI1的差值为0～0.5％的KI1绝对值，且所述第二微调仿真电流波形在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI10与KI2的差值为0～0.5％的KI2绝对值，调节所述源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，所述第二微调仿真电压波形转变为第二精调仿真电压波形，所述第二精调仿真电压波形所示的电压幅值f3与实际电压波形所示的电压幅值f2相等，则所述SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正完成；
若Kv1、Kv2、Kv3、Kv4不满足仅Kv1与Kv3的差值大于15％的Kv1绝对值，或仅Kv2与Kv4的差值大于15％的Kv2绝对值，或Kv1与Kv3的差值大于15％的Kv1绝对值且Kv2与Kv4的差值大于15％的Kv2绝对值，则计算所述实际电流波形在SiCMOSFET开通、关断时的电流波形斜率KI1、KI2分别与仿真电流波形在SiCMOSFET开通、关断时的电压波形斜率KI3、KI4的差值，若KI1、KI2、KI3、KI4满足仅KI1与KI3的差值大于15％的KI1绝对值，或仅KI2与KI4的差值大于15％的KI2绝对值，或KI1与KI3的差值大于15％的KI1绝对值且KI2与KI4的差值大于15％的KI2绝对值，则调整所述门极-源极电容Cgs，所述仿真电流波形转变为第二粗调仿真电流波形，所述第二粗调仿真电流波形在SiCMOSFET开通时的电流波形斜率KI11与KI1的差值小于5％的KI1绝对值，且所述第二粗调仿真电流波形在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI12与KI2的差值小于5％的KI2绝对值，调整所述电压阈值Vth，所述第二粗调仿真电流波形转变为第三移位仿真电流波形，所述第三移位仿真电流波形与实际电流波形得起始时刻相同，调节所述跨导gf，所述仿真电压波形和第三移位仿真电流波形分别转变为第三微调仿真电压波形、第三微调仿真电流波形，所述第三微调仿真电压波形在SiCMOSFET开通时的电压波形斜率Kv11与Kv1的差值为0～0.5％的Kv1绝对值，且所述第一微调仿真电压波形在SiCMOSFET关断时的电压波形斜率Kv12与Kv2的差值为0～0.5％的Kv2绝对值，所述第三微调仿真电流波形在SiCMOSFET开通时的电流波形斜率KI13与KI1的差值为0～0.5％的KI1绝对值，且所述第三微调仿真电流波形在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI14与KI2的差值为0～0.5％的KI2绝对值，调节所述源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，所述第三微调仿真电压波形转变为第三精调仿真电压波形，所述第三精调仿真电压波形所示的电压幅值f4与实际电压波形所示的电压幅值f2相等，则所述SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正完成；若KI1、KI2、KI3、KI4不满足仅KI1与KI3的差值大于15％的KI1绝对值，或仅KI2与KI4的差值大于15％的KI2绝对值，或KI1与KI3的差值大于15％的KI1绝对值且KI2与KI4的差值大于15％的KI2绝对值，则调整所述电压阈值Vth，所述仿真电流波形转变为第四移位仿真电流波形，所述第四移位仿真电流波形与实际电流波形得起始时刻相同，调节所述跨导gf，所述仿真电压波形和第四移位仿真电流波形分别转变为第四微调仿真电压波形、第四微调仿真电流波形，所述第四微调仿真电压波形在SiCMOSFET开通时的电压波形斜率Kv13与Kv1的差值为0～0.5％的Kv1绝对值，且所述第四微调仿真电压波形在SiCMOSFET关断时的电压波形斜率Kv14与Kv2的差值为0～0.5％的Kv2绝对值，所述第四微调仿真电流波形在SiCMOSFET开通时的电流波形斜率KI15与KI1的差值为0～0.5％的KI1绝对值，且所述第四微调仿真电流波形在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI16与KI2的差值为0～0.5％的KI2绝对值，调节所述源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，所述第四微调仿真电压波形转变为第四精调仿真电压波形，所述第四精调仿真电压波形所示的电压幅值f5与实际电压波形所示的电压幅值f2相等，则所述SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正完成；
所述第一粗调仿真电流波形为第一粗调仿真电流波形A或第一粗调仿真电流波形B；
调整所述门极-源极电容Cgs，所述仿真电流波形转变为第一粗调仿真电流波形具体为，KI1＞KI3且KI2＞KI4时，增大所述门极-源极电容Cgs，所述仿真电流波形转变为第一粗调仿真电流波形A，所述第一粗调仿真电流波形A在SiCMOSFET开通时的电流波形斜率KI5与KI1的差值小于5％的KI1绝对值，且所述第一粗调仿真电流波形A在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI6与KI2的差值小于5％的KI2绝对值；KI1＜Kv3且KI2＜KI4时，减小所述门极-源极电容Cgs，所述仿真电流波形转变为第一粗调仿真电流波形B，所述第一粗调仿真电流波形B在SiCMOSFET开通时的电流波形斜率KI5与KI1的差值小于5％的KI1绝对值，且所述第一粗调仿真电流波形B在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI6与KI2的差值小于5％的KI2绝对值；
所述第一移位仿真电流波形为第一移位仿真电流波形A或第一移位仿真电流波形B；
调整所述电压阈值Vth，所述第一粗调仿真电流波形转变为第一移位仿真电流波形具体为，当第一粗调仿真电流波形起始时刻超前于实际电流波形，则增大电压阈值Vth至二者起始点重合，所述第一粗调仿真电流波形转变为第一移位仿真电流波形A；当第一粗调仿真电流波形起始时刻落后于实际电流波形，则减小电压阈值Vth至二者起始点重合，所述第一粗调仿真电流波形转变为第一移位仿真电流波形B；
调整所述电压阈值Vth、所述仿真电流波形转变为第二移位仿真电流波形与调整所述电压阈值Vth、所述第一粗调仿真电流波形转变为第一移位仿真电流波形同理，具体为，当仿真电流波形起始时刻超前于实际电流波形，则增大电压阈值Vth至二者起始点重合，所述仿真电流波形转变为第二移位仿真电流波形A；当第一粗调仿真电流波形起始时刻落后于实际电流波形，则减小电压阈值Vth至二者起始点重合，所述仿真电流波形转变为第二移位仿真电流波形B；
调整所述电压阈值Vth、所述第二粗调仿真电流波形转变为第三移位仿真电流波形与调整所述电压阈值Vth、所述第一粗调仿真电流波形转变为第一移位仿真电流波形同理，具体为，当第二粗调仿真电流波形起始时刻超前于实际电流波形，则增大电压阈值Vth至二者起始点重合，所述第二粗调仿真电流波形转变为第三移位仿真电流波形A；当第二粗调仿真电流波形起始时刻落后于实际电流波形，则减小电压阈值Vth至二者起始点重合，所述第二粗调仿真电流波形转变为第三移位仿真电流波形B；
调整所述电压阈值Vth、所述仿真电流波形转变为第四移位仿真电流波形与调整所述电压阈值Vth、所述第一粗调仿真电流波形转变为第一移位仿真电流波形同理，具体为，当仿真电流波形起始时刻超前于实际电流波形，则增大电压阈值Vth至二者起始点重合，所述仿真电流波形转变为第四移位仿真电流波形A；当仿真电流波形起始时刻落后于实际电流波形，则减小电压阈值Vth至二者起始点重合，所述仿真电流波形转变为第四移位仿真电流波形B。
2.根据权利要求1所述的一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法，其特征在于，调整所述仿真电压波形的门极-漏极电容Cgd具体为，
Kv1＞Kv3且Kv2＞Kv4时，增大所述门极-漏极电容Cgd，所述仿真电压波形转变为粗调仿真电压波形，所述粗调仿真电压波形在SiCMOSFET开通时的电压波形斜率Kv5与Kv1的差值小于5％的Kv1绝对值，且所述粗调仿真电压波形在SiCMOSFET关断时的电压波形斜率Kv6与Kv2的差值小于5％的Kv2绝对值；
Kv1＜Kv3且Kv2＜Kv4时，减小所述门极-漏极电容Cgd，所述仿真电压波形转变为粗调仿真电压波形，所述粗调仿真电压波形在SiCMOSFET开通时的电压波形斜率Kv5与Kv1的差值小于5％的Kv1绝对值，且所述粗调仿真电压波形在SiCMOSFET关断时的电压波形斜率Kv6与Kv2的差值小于5％的Kv2绝对值。
3.根据权利要求1所述的一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法，其特征在于，所述第一微调仿真电压波形为第一微调仿真电压波形A或第一微调仿真电压波形B，第一微调仿真电流波形为第一微调仿真电流波形A或第一微调仿真电流波形B；
调节所述跨导gf，所述粗调仿真电压波形和第一移位仿真电流波形分别转变为第一微调仿真电压波形、第一微调仿真电流波形具体为，若第一粗调仿真电压波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值均大于实际电压波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值，且第一移位仿真电流波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值均大于实际电流波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值时，则减小跨导gf，所述第一粗调仿真电压波形和第一移位仿真电流波形分别转变为第一微调仿真电压波形A、第一微调仿真电流波形A，所述第一微调仿真电压波形A在SiCMOSFET开通时的电压波形斜率Kv7与Kv1的差值为0～0.5％的Kv1绝对值，且所述第一微调仿真电压波形在A电压关断时的电压波形斜率Kv8与Kv2的差值为0～0.5％的Kv2绝对值，所述第一微调仿真电流波形A在SiCMOSFET开通时的电流波形斜率KI7与KI1的差值为0～0.5％的KI1绝对值，且所述第一微调仿真电流波形A在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI8与KI2的差值为0～0.5％的KI2绝对值；若粗调仿真电压波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值均小于实际电压波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值，且移位仿真电流波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值均小于实际电流波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值时，则增大跨导gf，所述第一粗调仿真电压波形和第一移位仿真电流波形分别转变为第一微调仿真电压波形B、第一微调仿真电流波形B，所述第一微调仿真电压波形B在SiCMOSFET开通时的电压波形斜率Kv7与Kv1的差值为0～0.5％的Kv1绝对值，且所述第一微调仿真电压波形B在SiCMOSFET关断时的电压波形斜率Kv8与Kv2的差值为0～0.5％的Kv2绝对值，所述第一微调仿真电流波形B在SiCMOSFET开通时的电流波形斜率KI7与KI1的差值为0～0.5％的KI1绝对值，且所述第一微调仿真电流波形B在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI8与KI2的差值为0～0.5％的KI2绝对值；
调节所述跨导gf，所述粗调仿真电压波形和第二移位仿真电流波形分别转变为第二微调仿真电压波形、第二微调仿真电流波形，与调节所述跨导gf，所述粗调仿真电压波形和第一移位仿真电流波形分别转变为第一微调仿真电压波形、第一微调仿真电流波形同理，具体为，若第二粗调仿真电压波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值均大于实际电压波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值，且第二移位仿真电流波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值均大于实际电流波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值时，则减小跨导gf，所述第二粗调仿真电压波形和第二移位仿真电流波形分别转变为第二微调仿真电压波形A、第二微调仿真电流波形A，所述第二微调仿真电压波形A在SiCMOSFET开通时的电压波形斜率Kv7与Kv1的差值为0～0.5％的Kv1绝对值，且所述第二微调仿真电压波形在A电压关断时的电压波形斜率Kv8与Kv2的差值为0～0.5％的Kv2绝对值，所述第二微调仿真电流波形A在SiCMOSFET开通时的电流波形斜率KI7与KI1的差值为0～0.5％的KI1绝对值，且所述第二微调仿真电流波形A在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI8与KI2的差值为0～0.5％的KI2绝对值；若粗调仿真电压波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值均小于实际电压波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值，且移位仿真电流波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值均小于实际电流波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值时，则增大跨导gf，所述第二粗调仿真电压波形和第二移位仿真电流波形分别转变为第二微调仿真电压波形B、第二微调仿真电流波形B，所述第二微调仿真电压波形B在SiCMOSFET开通时的电压波形斜率Kv7与Kv1的差值为0～0.5％的Kv1绝对值，且所述第二微调仿真电压波形B在SiCMOSFET关断时的电压波形斜率Kv8与Kv2的差值为0～0.5％的Kv2绝对值，所述第二微调仿真电流波形B在SiCMOSFET开通时的电流波形斜率KI7与KI1的差值为0～0.5％的KI1绝对值，且所述第二微调仿真电流波形B在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI8与KI2的差值为0～0.5％的KI2绝对值；
调节所述跨导gf，所述仿真电压波形和第三移位仿真电流波形分别转变为第三微调仿真电压波形、第三微调仿真电流波形，与调节所述跨导gf，所述粗调仿真电压波形和第一移位仿真电流波形分别转变为第一微调仿真电压波形、第一微调仿真电流波形同理，具体为，若第三粗调仿真电压波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值均大于实际电压波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值，且第三移位仿真电流波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值均大于实际电流波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值时，则减小跨导gf，所述第三粗调仿真电压波形和第三移位仿真电流波形分别转变为第三微调仿真电压波形A、第三微调仿真电流波形A，所述第三微调仿真电压波形A在SiCMOSFET开通时的电压波形斜率Kv7与Kv1的差值为0～0.5％的Kv1绝对值，且所述第三微调仿真电压波形在A电压关断时的电压波形斜率Kv8与Kv2的差值为0～0.5％的Kv2绝对值，所述第三微调仿真电流波形A在SiCMOSFET开通时的电流波形斜率KI7与KI1的差值为0～0.5％的KI1绝对值，且所述第三微调仿真电流波形A在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI8与KI2的差值为0～0.5％的KI2绝对值；若粗调仿真电压波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值均小于实际电压波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值，且移位仿真电流波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值均小于实际电流波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值时，则增大跨导gf，所述第三粗调仿真电压波形和第三移位仿真电流波形分别转变为第三微调仿真电压波形B、第三微调仿真电流波形B，所述第三微调仿真电压波形B在SiCMOSFET开通时的电压波形斜率Kv7与Kv1的差值为0～0.5％的Kv1绝对值，且所述第三微调仿真电压波形B在SiCMOSFET关断时的电压波形斜率Kv8与Kv2的差值为0～0.5％的Kv2绝对值，所述第三微调仿真电流波形B在SiCMOSFET开通时的电流波形斜率KI7与KI1的差值为0～0.5％的KI1绝对值，且所述第三微调仿真电流波形B在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI8与KI2的差值为0～0.5％的KI2绝对值；
调节所述跨导gf，所述仿真电压波形和第四移位仿真电流波形分别转变为第四微调仿真电压波形、第四微调仿真电流波形，与调节所述跨导gf，所述粗调仿真电压波形和第一移位仿真电流波形分别转变为第一微调仿真电压波形、第一微调仿真电流波形同理，具体为，若第四粗调仿真电压波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值均大于实际电压波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值，且第四移位仿真电流波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值均大于实际电流波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值时，则减小跨导gf，所述第四粗调仿真电压波形和第四移位仿真电流波形分别转变为第四微调仿真电压波形A、第四微调仿真电流波形A，所述第四微调仿真电压波形A在SiCMOSFET开通时的电压波形斜率Kv7与Kv1的差值为0～0.5％的Kv1绝对值，且所述第四微调仿真电压波形在A电压关断时的电压波形斜率Kv8与Kv2的差值为0～0.5％的Kv2绝对值，所述第四微调仿真电流波形A在SiCMOSFET开通时的电流波形斜率KI7与KI1的差值为0～0.5％的KI1绝对值，且所述第四微调仿真电流波形A在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI8与KI2的差值为0～0.5％的KI2绝对值；若粗调仿真电压波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值均小于实际电压波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值，且移位仿真电流波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值均小于实际电流波形在SiCMOSFET开通、关断时波形斜率的绝对值时，则增大跨导gf，所述第四粗调仿真电压波形和第四移位仿真电流波形分别转变为第四微调仿真电压波形B、第四微调仿真电流波形B，所述第四微调仿真电压波形B在SiCMOSFET开通时的电压波形斜率Kv7与Kv1的差值为0～0.5％的Kv1绝对值，且所述第四微调仿真电压波形B在SiCMOSFET关断时的电压波形斜率Kv8与Kv2的差值为0～0.5％的Kv2绝对值，所述第四微调仿真电流波形B在SiCMOSFET开通时的电流波形斜率KI7与KI1的差值为0～0.5％的KI1绝对值，且所述第四微调仿真电流波形B在SiCMOSFET关断时的电流波形斜率KI8与KI2的差值为0～0.5％的KI2绝对值。
4.根据权利要求1所述的一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法，其特征在于，所述第一精调仿真电压波形为第一精调仿真电压波形A或第一精调仿真电压波形B；
调节所述源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，所述第一微调仿真电压波形转变为第一精调仿真电压波形具体为，若所述第一微调仿真电压波形所示的电压幅值f1'小于实际电压波形所示的电压幅值f2，减小源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，所述第一微调仿真电压波形转变为第一精调仿真电压波形A，所述第一精调仿真电压波形A所示的电压幅值f1与实际电压波形所示的电压幅值f2相等；若所述第一微调仿真电压波形所示的电压幅值f1'大于实际电压波形所示的电压幅值f2时，增大源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，所述第一微调仿真电压波形转变为第一精调仿真电压波形B，所述第一精调仿真电压波形B所示的电压幅值f1与实际电压波形所示的电压幅值f2相等；
调节所述源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld、所述第二微调仿真电压波形转变为第二精调仿真电压波形与调节所述源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld、所述第一微调仿真电压波形转变为第一精调仿真电压波形同理，具体为，若所述第二微调仿真电压波形所示的电压幅值小于实际电压波形所示的电压幅值，减小源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，所述第二微调仿真电压波形转变为第二精调仿真电压波形A，所述第二精调仿真电压波形A所示的电压幅值与实际电压波形所示的电压幅值相等；若所述第二微调仿真电压波形所示的电压幅值大于实际电压波形所示的电压幅值时，增大源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，所述第二微调仿真电压波形转变为第二精调仿真电压波形B，所述第二精调仿真电压波形B所示的电压幅值与实际电压波形所示的电压幅值相等；
调节所述源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld、所述第三微调仿真电压波形转变为第三精调仿真电压波形与调节所述源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld、所述第一微调仿真电压波形转变为第一精调仿真电压波形同理，具体为，若所述第三微调仿真电压波形所示的电压幅值小于实际电压波形所示的电压幅值，减小源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，所述第三微调仿真电压波形转变为第三精调仿真电压波形A，所述第三精调仿真电压波形A所示的电压幅值与实际电压波形所示的电压幅值相等；若所述第三微调仿真电压波形所示的电压幅值大于实际电压波形所示的电压幅值时，增大源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，所述第三微调仿真电压波形转变为第三精调仿真电压波形B，所述第三精调仿真电压波形B所示的电压幅值与实际电压波形所示的电压幅值相等；
调节所述源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld、所述第四微调仿真电压波形转变为第四精调仿真电压波形与调节所述源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld、所述第一微调仿真电压波形转变为第一精调仿真电压波形同理，具体为，若所述第四微调仿真电压波形所示的电压幅值小于实际电压波形所示的电压幅值，减小源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，所述第四微调仿真电压波形转变为第四精调仿真电压波形A，所述第四精调仿真电压波形A所示的电压幅值与实际电压波形所示的电压幅值相等；若所述第四微调仿真电压波形所示的电压幅值大于实际电压波形所示的电压幅值时，增大源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，所述第四微调仿真电压波形转变为第四精调仿真电压波形B，所述第四精调仿真电压波形B所示的电压幅值与实际电压波形所示的电压幅值相等。
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