CN109545641B - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：工艺腔室，工艺腔室在其内部具有处理空间；支承单元，支承单元配置为在处理空间中支承基板；气体供应单元，气体供应单元配置将处理气体供应至处理空间；以及等离子体生成单元，等离子体生成单元配置为由处理空间中的气体生成等离子体。其中，等离子体生成单元包括：高频电源；高频天线，将电流从高频电源施加至高频天线；和附加天线，附加天线设置为与高频天线间隔开，并将耦合电流从高频天线施加至附加天线。

Description

基板处理装置和基板处理方法
相关申请的交叉引用
本申请要求根据美国法典第35编第119条对在韩国知识产权局提交的2017年9月21日提交的申请号为10-2017-0121706的韩国专利申请、和2017年11月20日提交的申请号为10-2017-0154769的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本文所描述的发明构思的实施例涉及一种基板处理装置和基板处理方法，尤其涉及一种可将等离子体均匀地供应至基板上的所有区域的基板处理装置及其基板处理方法。
背景技术
半导体制造工艺可包括使用等离子体处理基板的工艺。例如，在半导体工艺的蚀刻工艺中，可使用等离子体去除基板上的薄膜。
为了在基板处理工艺中使用等离子体，可在工艺腔室中安装可生成等离子体的等离子体生成单元。等离子体生成单元根据等离子体生成方法而分为电容耦合等离子体(capacitively coupled plasma,CCP)型和电感耦合等离子体(inductively coupledplasma,ICP)型。将CCP型源设置在腔室中，使得两个电极彼此相对，并将射频(RF)信号施加到两个电极中的任一个或两个上，以在腔室中生成电场，以便生成等离子体。同时，在ICP型源中，将一个或多个线圈安装在腔室中，通过将射频信号施加到线圈上而在腔室中感应电场而生成等离子体。
参照图1，在传统的ICP型中，控制供应至天线的电流及电流的相位，以便控制施加到基板上的等离子体的密度，并且供应至基板的边缘区域的等离子体的密度不能调节。
发明内容
本发明构思的实施例提供一种基板处理装置及其基板处理方法，该基板处理装置可调节供应至基板的边缘(edge)区域的等离子体的密度。
本发明构思要解决的问题不限于上述的问题，本发明构思所属领域的技术人员将从说明书和附图中清楚地理解未提及的问题。
根据本发明构思的一方面，本文提供一种基板处理装置，该基板处理装置包括：工艺腔室，该腔室在其内部具有处理空间；支承单元，该支承单元配置为在处理空间中支承基板；气体供应单元，该气体供应单元配置为将处理气体供应至处理空间；和等离子体生成单元，该等离子体生成单元配置为从处理空间中的气体生成等离子体，其中，等离子体生成单元包括高频电源、高频天线、和附加天线，将电流从高频电源施加至高频天线，附加天线设置为与高频天线间隔开，并将耦合电流从高频天线施加至附加天线。
附加天线可独立于高频电源设置。
附加天线可为闭合电路。
附加天线可设置为，当从顶部观察时，使得设置有附加天线的区域与处理空间的内部的周边区域(peripheral area)重叠。
附加天线可包括多个附加线圈，和其中多个附加线圈沿高频天线的纵向方向设置。
附加电容器可连接至附加线圈。
连接至附加线圈的一些附加电容器可具有不同的电容。
附加电容器可为可变电容器。
多个附加线圈可设置在所述高频天线的外侧。
高频天线可包括外部天线，外部天线可包括多个外部线圈，且一个附加线圈可耦合至一个外部线圈，且附加线圈耦合至不同的外部线圈。
高频天线还可包括设置在外部天线之内的内部天线。
等离子体生成单元还可包括控制器，该控制器配置为通过单独调节附加电容器的电容来控制与多个附加线圈相对的区域的等离子体的密度。
支承单元还可包括传感器，传感器配置为检测基板的区域的等离子体的密度，且控制器可基于传感器已检测到的区域的等离子体的密度来调节附加电容器的电容。
根据本发明构思的另一方面，本文提供一种等离子体生成装置，该等离子体生成装置包括：高频电源、高频天线、和附加天线，将电流从高频电源施加至高频天线，该附加天线设置为与高频天线间隔开并耦合至高频天线，使得耦合电流从高频天线施加至附加天线。
高频天线还可包括外部天线，外部天线可包括外部线圈，外部线圈的一端连接高频天线，且外部线圈的另一端接地，附加天线可包括多个附加线圈，多个附加线圈独立于高频电源设置，且附加线圈耦合至外部线圈。
附加电容器可连接至附加线圈。
连接至附加线圈的一些附加电容器可具有不同的电容。
附加电容器可为可变电容器。
等离子体生成单元还可包括控制器，该控制器配置为通过单独调节附加电容器的电容来控制与多个附加线圈相对的区域的等离子体的密度。
根据本发明构思的另一方面，本文提供一种基板处理装置的基板处理方法。该基板处理装置包括：工艺腔室，工艺腔室在其内部具有处理空间；高频天线，该高频天线配置为在处理空间中生成等离子体；和附加天线，将耦合电流从高频天线施加至附加天线。该方法包括通过控制附加天线来控制处理空间的内部的周边区域的等离子体的密度。
附加天线可包括多个附加线圈，和连接至附加线圈的附加电容器。
一些附加电容器可具有不同的电容。
附加电容器可为可变电容器，且等离子体的控制可包括通过单独调节附加电容器的电容来控制与多个附加线圈相对的区域的等离子体的密度。
该基板处理方法还可包括检测基板的区域的等离子体的密度，且等离子体的控制可包括基于基板的区域的等离子体的密度来调节附加电容器的电容。
附图说明
通过参考附图详细地描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的上述的及其他目的和特征将变得显而易见。
图1为示出了在传统基板处理装置中，供应至基板上的等离子体的密度不均匀地供应至基板上的视图；
图2为示出了根据本发明构思的一实施例的基板处理装置的视图；
图3为示出了根据本发明构思的一实施例的等离子体生成单元的视图；
图4为示出了通过根据本发明构思的一实施例的等离子体生成单元来控制基板区域的等离子体的密度的工艺的视图；
图5为示出了根据本发明构思的一实施例的等离子体生成单元的电路图；
图6到图8是示出了根据本发明构思的不同实施例的等离子体生成单元的电路图；
图9为示出了根据本发明构思的一实施例的基板处理方法的流程图；以及
图10和图11为根据本发明构思的另一实施例的基板处理装置的示例性视图。
具体实施方式
本发明构思的实施例可以以各种形式进行修改，且本发明构思的范围不应被解释为局限于以下描述的本发明构思的实施例。提供的本发明构思的实施例是为了向本领域技术人员更完整地描述本发明的构思。因此，附图中组件的形状等被放大以强调更清楚的描述。
图2为示例性地示出了根据本发明构思的一实施例的基板处理装置10的视图。
参照图2，基板处理装置10通过使用等离子体处理基板W。例如，基板处理装置10可在基板W上执行刻蚀工艺。基板处理装置10可包括工艺腔室100，支承单元200，气体供应单元300，等离子体生成单元400，和挡板单元500。
工艺腔室100提供了执行基板处理工艺的空间。工艺腔室100包括壳体110、盖板(closing cover)120和内衬130。
壳体110在其内部具有一个顶部开放的空间。壳体110的内部空间提供为处理空间，在该处理空间的内部执行基板处理工艺。壳体110由金属材料制成。壳体110可由铝制成。壳体110可接地。壳体110的底表面上形成有排气孔102。排气孔102连接至排气管线151。可通过排气管线151将工艺中产生的反应副产物以及留在壳体的内部空间中的气体排放至外部。通过排气过程将壳体110的内部的压力降低至特定压力。
盖板120覆盖壳体110的开放的上表面。盖板120具有板形，并且壳体110的内部空间为封闭的。盖板120可包括介电窗。
内衬130设置在壳体110的内部。内衬130形成于内部空间的内部，内衬130的上表面和下表面均是开放的。内衬130可具有圆柱形形状。内衬130可具有对应于壳体110内表面的半径。内衬130沿壳体110的内表面设置。在内衬130的上端形成有支承环131。支承环131为环形板，并且沿着内衬130的圆周突出至向内衬130的外部。支承环131位于壳体110的上端，并支承内衬130。内衬130可由与壳体110相同的材料制成。也就是说，内衬130可由铝制成。内衬130保护壳体110的内表面。在激发工艺气体的过程中，在腔室100的内部产生电弧放电。电弧放电损坏外围装置。内衬130可通过保护壳体110的内表面来防止壳体110的内表面由于电弧放电而被损坏。进一步地，防止基板处理工艺中产生的副产物沉积到壳体110的内壁上。与壳体110相比，内衬130便宜且容易更换。因此，当内衬130由于电弧放电而损坏时，该操作可用新的内衬130更换该内衬130。
基板支承单元200位于壳体110的内部。基板支承单元200支承基板W。基板支承单元200可包括静电吸盘210，该静电吸盘210配置为通过利用静电力来吸住基板W。与此不同，基板支承单元200可以以各种方式支承基板W，该方式例如机械夹持。在下文中，将描述包括静电吸盘210的基板支承单元200。
支承单元200包括静电吸盘210、绝缘板250和下盖270。支承单元200可位于腔室100的内部，向上与壳体110的底表面间隔开。
静电吸盘210包括介电板220、电极223、加热器225、支承板230和聚焦环240。
介电板220位于静电吸盘210的上端。介电板220可由盘形的介电质形成。基板W放置于介电板220的上表面上。介电板220的上表面的直径小于基板W的直径。因此，基板W的周边区域位于介电板220外侧。介电板220中形成有第一供应通道221。第一供应通道221从介电板210的上表面延伸至底表面。多个第一供应通道221形成为彼此间隔开以提供为通道，通过这些通道将传热介质供应到基板W的底表面。
下电极223和加热器225埋设在介电板220中。下电极223位于加热器225上方。下电极223与第一下电源223a电连接。第一下电源223a包括直流电源。在下电极223和第一下电源223a之间可安装开关223b。可通过接通和断开开关223b将下电极223电连接至第一下电源223a。如果开关223b接通，则向下电极223施加直流电流。通过施加到下电极223的电流，下电极223和基板W之间可施加静电力，且通过该静电力可将基板W抽吸到介电板220。
加热器225电连接至第二下电源225a。加热器225因施加到第二电源225a的电流而通过电阻产生热量。产生的热量通过介电板220传输到基板W。基板W通过加热器225所产生的热量而维持在特定温度。加热器225包括螺旋线圈。
支承板230位于介电板220的下面。可通过粘合剂236将介电板220的底表面和支承板230的上表面彼此粘接。支承板230可由铝制成。支承板230的上表面可为阶梯式的，使得支承板230的中心区域高于其周边区域。支承板230的上表面的中心区域具有与介电板220底表面相对应的区域，并粘结至介电板220的底表面。支承板230具有第一循环通道231、第二循环通道232和第二供应通道233。
第一循环通道231提供为循环传热介质的通道。第一循环通道231可形成在支承板230的内部以具有螺旋形。此外，第一循环通道231可设置成具有相同的圆心不同的半径的环形形状的通道。多个第一循环通道231可彼此连通。多个第一循环通道231形成在相同的高度上。
第二循环通道232提供为循环冷却流体的通道。第二循环通道232可形成在支承板230的内部以具有螺旋形。此外，第二循环通道232可设置成具有相同的圆心不同的半径的环形形状的通道。多个第二循环通道232可彼此连通。第二循环通道232的截面面积可大于第一循环通道231的截面面积。多个第二循环通道232形成在相同的高度上。第二循环通道232可位于第一循环通道231的下面。
第二供应通道233从第一循环通道231向上延伸，并被设置在支承板230的上表面上。第二供应通道243的数量对应于第一供应通道221的数量，且第二供应通道243连接第一循环通道231和多个第一供应通道221。
第一循环通道231通过传热介质供应管线231b连接至传热介质存储装置231a。传热介质存储装置231a中储存传热介质。传热介质包括惰性气体。根据一实施例，传热介质包括氦(He)气。氦气可通过供应管线231b供应到第一循环通道231，且可在依序经过第二供应通道233和第一供应通道221后，供应到基板W的底表面。氦气用作介质，从等离子体传送至基板W的热量通过该介质传送至静电吸盘210。
第二循环通道232通过冷却流体供应管线232c连接至冷却流体存储装置232a。冷却流体存储装置232a内可储存冷却流体。冷却流体存储装置232a中可提供冷却器232b。冷却器232b将冷却流体冷却到特定温度。与此不同，冷却器232b可安装在冷却流体供应管线232c。通过冷却流体供应管线232c供应到第二循环通道232的冷却流体在沿着第二循环通道232循环时冷却支承板230。支承板230可在被冷却时还能同时冷却介电板220和基板W，以将基板W维持在特定温度。
聚焦环240设置在静电吸盘210的周边区域。聚焦环240具有环形形状，并可沿介电板220的圆周设置。聚焦环240的上表面可为阶梯状，使得聚焦环240的外侧240a高于其内侧240b。聚焦环240上表面的内侧240b位于与介电板220的上表面的高度相同的高度上。聚焦环240上表面的内侧240b支承位于介电板220外侧的基板W的周边区域。聚焦环240的外侧240a被设置为围绕基板W的周边区域。聚焦环240允许等离子体集中在腔室100中面向基板W的区域中。
绝缘板250位于支承板230的下面。绝缘板250具有与支承板230的横截面相对应的横截面。绝缘板250位于支承板230和下盖270之间。绝缘板250由绝缘材料制成，并使支承板230和下盖270电绝缘。
下盖270位于基板支承单元200的下端。下盖270向上与壳体110的底表面间隔开。下盖270的内部形成有顶部开放的空间。下盖270的上表面被绝缘板250覆盖。因此，下盖270的截面的外半径与绝缘板250的外半径相同。升降销模块(未示出)可位于下盖270的内部空间中，该升降销模块将经传送的基板W从外部的传送构件移动到静电吸盘210。
下盖270具有连接构件273。连接构件273连接下盖270的外表面和壳体110的内壁。多个连接构件273可以以特定间隔设置在下盖270的外表面上。连接构件273支承腔室100内部的基板支承单元200。此外，连接构件273连接至壳体110的内壁，这样，下盖270电接地。连接至第一下电源223a的第一电源线223c、连接至第二下电源225a的第二电源线225c、连接至传热介质存储装置231a的传热介质供应管线231b、以及连接至冷却流体存储装置232a的冷却流体供应管线232c可通过连接构件273的内部空间延伸至下盖270中。
气体供应单元300将工艺气体供应到腔室100中。气体供应单元300包括气体供应喷嘴310、气体供应管线320和气体存储单元330。气体供应喷嘴310安装在盖板120的中心部位。气体供应喷嘴310的底表面上形成有喷射孔。喷射孔位于盖板120的下面，且将工艺气体供应到腔室100内部的处理空间中。气体供应单元320连接气体供应喷嘴310和气体储存单元330。气体供应管线320将储存在气体储存单元330内的工艺气体供应到气体供应喷嘴310。气体供应管线320中安装有阀321。阀321打开和关闭气体供应管线320，并调节通过气体供应管线320供应的工艺气体的流速。
等离子体生成单元400将腔室100中的工艺气体激发成等离子体状态。根据本发明构思的一实施例，等离子体生成单元400为ICP型。
等离子体生成单元400包括高频天线410、高频电源420以及附加天线460。
高频天线410接收来自高频电源420的电流，并通过使用电场来生成等离子体。尽管图2示出了高频天线410包括内部天线411和外部天线413，但本发明构思并不限于此，而是可设置一个或三个天线。高频电源420供应高频信号。作为一示例，高频电源420可为提供RF功率的RF电源。
附加天线460可与高频天线410间隔开，并可接收来自于高频天线410的耦合电流。尽管图2示出了附加天线460设置在高频天线410的外侧，但是附加天线460也可设置在高频天线410的内侧。附加天线460未连接至高频电源420，并独立于高频电源420而设置。进一步地，附加天线460可为闭合电路。
此外，附加天线460可设置为，当从顶部观察时，使得设置有附加天线460的区域与工艺腔室100的处理空间的内部的周边区域重叠。也就是说，附加天线460可设置在与基板的边缘区域相对应的位置，以控制供应到基板的边缘区域的等离子体的密度。下面将参照图5至图7来描述附加天线460的详细配置。
挡板单元500位于壳体110的内壁和基板支承单元200之间。挡板单元500包括具有贯穿孔的挡板。该挡板具有环孔形状。提供到壳体110内的工艺气体在穿过挡板的贯穿孔后通过排放孔102排出。可根据挡板的形状和贯穿孔的形状来控制工艺气体的流动。
图3为示出了根据本发明构思的一实施例的等离子体生成单元的视图。
作为一示例，等离子体生成单元400可包括内部天线411、外部天线413和附加天线460。电流从外部高频电源供应到内部天线411和外部天线414，并且通过控制供应到内部天线411和外部天线413的电流，均匀地控制基板区域的等离子体的密度。当仅通过内部天线411和外部天线413生成等离子体时，少量的等离子体被供应到基板边缘区域，且等离子体在整个基板不是均匀地形成的，但是根据本发明构思的等离子体生成单元400，因为在外部天线413的外侧设置附加天线460，所以通过附加天线460生成的等离子体，甚至可以将等离子体均匀地供应到基板的边缘区域。在这种情况下，附加天线460未连接至高频电源，并可接收来自于外部天线413的耦合电流而生成等离子体。此外，外部天线413包括电容器，且可通过调节电容器的阻抗值来控制供应到基板的边缘区域的等离子体的量。因此，如图4所示，等离子体可均匀地供应到基板的所有区域。作为一示例，如图4所示，当附加天线460包括4个附加线圈时，供应到基板的12点方向、3点方向、6点方向以及9点方向的边缘区域的等离子体可通过使用设置在12点方向、3点方向、6点方向以及9点方向的附加线圈和附加电容器进行调节。
进一步地，不同于图3的高频天线410，可为韩国专利10-1125624号的图1至图4中示出的天线提供本发明构思的附加天线。也就是说，根据本发明构思的附加天线设置在韩国专利号10-1125624中示出的天线的外侧，使得供应到基板的边缘区域的等离子体的密度可被控制。也就是说，根据本发明构思的附加天线可设置为与连接至高频电源的各种形式的高频天线间隔开，并因此供应到基板上的等离子体的密度可被均匀地控制。
图5为示出了根据本发明构思的一实施例的等离子体生成单元的电路图。
参照图5，根据本发明构思的一实施例的等离子体生成单元400包括高频电源420、内部天线411、外部天线413、附加天线460、阻抗匹配装置470和分配器(splitter)480。
外部天线413可包括多个外部线圈4131-1、4131-2、4131-3和4131-4以及多个外部电容器4132-1、4132-2、4132-3和4132-4。附加天线460可包括多个附加线圈461-1、461-2、461-3和461-4以及多个电容器463-1、463-2、463-3和463-4。多个附加线圈461-1、461-2、461-3和461-4可沿外部天线413的纵向方向设置。此外，多个附加线圈461-1、461-2、461-3和461-4中的一个可耦合至多个外部线圈4131-1、4131-2、4131-3和4131-4中的一个。即，第一附加线圈461-1可耦合至第一外部线圈4131-1，第二附加线圈461-2可耦合至第二外部线圈4131-2，第三附加线圈461-3可耦合至第三外部线圈4131-3，以及第四附加线圈461-4可耦合至第四外部线圈4131-4。因此，虽然附加天线460未连接至高频电源420，也可通过外部天线413将耦合功率供应至附加天线460。然而，尽管图5示出了提供4个外部天线和4个附加天线460，但本发明构思并不限于此，而是如图6所示，可提供一个高频天线410和一个附加天线460，也可提供2个或4个高频天线410、和附加天线460。
此外，多个附加线圈461-1、461-2、461-3和461-4可连接至多个附加电容器463-1、463-2、463-3和463-4，且多个附加电容器463-1、463-2、463-3和463-4可为可变电容器。在这种情况下，控制器(未示出)可通过单独调节多个附加电容器463-1、463-2、463-3和463-4的电容来控制与多个附加线圈461-1、461-2、461-3和461-4相对的区域的等离子体的密度。此外，控制器(未示出)可基于基板区域的等离子体的密度来调节多个附加电容器463-1、463-2、463-3和463-4的电容，该基板的密度通过包含在支承单元200中的传感器来检测。也就是说，控制器(未示出)可调节附加电容器463的电容，使得电流被供应至与具有高密度等离子体的基板区域相对的附加线圈461，或者，控制器可调节附加电容器463的电容，使得电流被供应至与具有低密度等离子体的基板区域相对的附加线圈461。因此，由于基板的边缘区域的等离子体的密度可被控制，所以等离子体可均匀地供应至基板的所有区域。然而，附加电容器463-1、463-2、463-3和463-4不限于可变电容器，且如图7所示，可为固定电容器。在这种情况下，附加电容器463-1、463-2、463-3和463-4中的一些可具有不同的电容，且可改变与多个附加线圈461-1、461-2、461-3和461-4相对的区域的等离子体密度。阻抗匹配装置470可位于高频电源420和高频天线410之间，以执行阻抗匹配，且分配器480可分配高频电源420供应的电流。此外，尽管在实施例中已经描述了附加天线460设置在高频天线410的外侧，但是，如图8所示，附加天线460也可设置在高频天线410的内侧。
图9为示出了根据本发明构思的一实施例的基板处理方法的流程图。
参照图9，首先，检测基板区域的等离子体的密度(S610)。在这种情况下，可通过位于支承单元中的传感器来检测基板区域的等离子体的密度。
随后，基于检测到的基板区域的等离子体密度来调节附加电容器的电容(S620)。此处，附加电容器为可变电容器。
随后，控制与多个附加线圈相对的区域的等离子体的密度(S630)。由此，因为基板的边缘区域的等离子体的密度可被控制，所以等离子体可均匀地供应至基板的所有区域。
如上所述，根据本发明构思的各种实施方案，供应至基板的边缘区域的等离子体的密度可通过使用附加天线来控制，耦合电流被施加至附加天线。
图10和图11为根据本发明构思的另一实施例的基板处理装置的示例性视图。
参照图10，附加天线460可设置在垂直于高频天线410的设置方向的方向上。具体地，高频天线410可设置在从工艺腔室100的中心向外的方向上，且附加天线460可设置在高频天线410外的处理室100的向上/向下方向上。然而，本发明构思不限于此，附加天线460可设置在平行于高频天线410的方向上，且可设置成以特定角度倾斜。也就是说，附加天线460可设置在垂直于高频天线410的方向上或者以特定角度倾斜以调节供应至基板的边缘区域的等离子体的密度。
参照图11，附加天线460可设置在高于设置高频天线410的平面的平面上。也就是说，附加天线460可设置在平行于高频天线410的方向上，且可设置在高于高频天线410的位置处。但是，本发明构思不仅限于此，附加天线460可设置在低于高频天线410的位置处。例如，当大量等离子体将要供应到基板的边缘区域时，附加天线460可设置在低于高频天线410的位置处，且当少量等离子体将要供应到基板的边缘区域时，附加天线460可设置在高于高频天线410的位置处。因此，根据各种的实施例，供应至基板的边缘区域的等离子体的密度可通过改变施加耦合电流的附加天线的设置形式或设置位置来不同地控制。
以上描述为本公开的技术精髓的简单示例，并且在不脱离本公开的本质特征的情况下，本公开所属领域的技术人员可对本公开进行各种修正和修改。因此，本发明构思的公开实施例不限制本发明构思的技术精髓，而是示例性的，并且本发明构思的技术精髓的范围不受本公开实施例的限制。本公开的范围应该由权利要求来解释，并且应当理解的是，等同范围内的所有技术精髓都落入本公开的范围内。

Claims (21)

1.一种基板处理装置，其包括：
工艺腔室，所述工艺腔室在其内部具有处理空间；
支承单元，所述支承单元配置为在所述处理空间中支承基板；
气体供应单元，所述气体供应单元配置为将处理气体供应至所述处理空间；和
等离子体生成单元，所述等离子体生成单元配置为由所述处理空间中的所述气体生成等离子体；
其中，所述等离子体生成单元包括：
高频电源；
高频天线，将电流从所述高频电源施加至所述高频天线；和
附加天线，所述附加天线设置为与所述高频天线间隔开，并将耦合电流从所述高频天线施加至所述附加天线；
其中，所述附加天线包括：
多个附加线圈，和
其中，所述多个附加线圈沿所述高频天线的纵向方向设置；
其中，所述高频天线包括：
外部天线，
其中，所述外部天线包括：
多个外部线圈，和
其中，一个所述附加线圈耦合至一个所述外部线圈，且各所述附加线圈耦合至不同的外部线圈。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述附加天线独立于所述高频电源设置。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述附加天线为闭合电路。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述附加天线设置为，当从顶部观察时，使得设置有所述附加天线的区域与所述处理空间的内部的边缘区域重叠。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述附加线圈连接至附加电容器。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，连接至所述附加线圈的一些所述附加电容器具有不同的电容。
7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述附加电容器为可变电容器。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述多个附加线圈设置在所述高频天线的外侧。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述高频天线还包括：
设置在所述外部天线之内的内部天线。
10.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，所述等离子体生成单元还包括：
控制器，所述控制器配置为通过单独调节所述附加电容器的电容来控制与所述多个附加线圈相对的区域的等离子体的密度。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，所述支承单元还包括：
传感器，所述传感器配置为检测所述基板的区域的等离子体的密度，和
其中，所述控制器基于所述传感器已检测到的所述区域的等离子体的密度来调节所述附加电容器的电容。
12.一种等离子体生成装置，其包括：
高频电源；
高频天线；将电流从所述高频电源施加至所述高频天线；和
附加天线，所述附加天线设置为与所述高频天线间隔开并耦合至所述高频天线，使得耦合电流从所述高频天线施加至所述附加天线；
其中，所述高频天线还包括：
外部天线，
其中，所述外部天线包括：
外部线圈，所述外部线圈的一端连接至所述高频天线，且所述外部线圈的另一端接地，
其中，所述附加天线包括：
多个附加线圈，所述多个附加线圈独立于所述高频电源设置，和
其中，一个附加线圈耦合至一个所述外部线圈，且各附加线圈耦合至不同的外部线圈。
13.根据权利要求12所述的等离子体生成装置，其中，所述附加线圈连接至附加电容器。
14.根据权利要求13所述的等离子体生成装置，其中，连接至所述附加线圈的一些所述附加电容器具有不同的电容。
15.根据权利要求13所述的等离子体生成装置，其中，所述附加电容器为可变电容器。
16.根据权利要求15所述的等离子体生成装置，所述等离子体生成装置还包括：
控制器，所述控制器配置为通过单独调节所述附加电容器的电容来控制与所述多个附加线圈相对的区域的等离子体的密度。
17.一种基板处理装置的基板处理方法，所述基板处理装置包括：工艺腔室，所述工艺腔室在其内部具有处理空间；高频天线，所述高频天线配置为在所述处理空间中生成等离子体；和附加天线，将耦合电流从所述高频天线施加至所述附加天线，所述方法包括：
通过控制所述附加天线来控制所述处理空间的内部的边缘区域的等离子体的密度；
所述附加天线包括：多个附加线圈；
其中，所述高频天线包括：
外部天线，
其中，所述外部天线包括：
多个外部线圈，和
其中，一个附加线圈耦合至一个外部线圈，且各所述附加线圈耦合至不同的外部线圈。
18.根据权利要求17所述的基板处理方法，其中，所述附加天线包括：
连接至所述附加线圈的附加电容器。
19.根据权利要求18所述的基板处理方法，其中，各所述附加电容器具有不同的电容。
20.根据权利要求18所述的基板处理方法，其中，所述附加电容器为可变电容器，且
其中，所述等离子体的控制包括：
通过单独调节所述附加电容器的电容来控制与所述多个附加线圈相对的区域的所述等离子体的密度。
21.根据权利要求20所述的基板处理方法，其还包括：
检测所述基板的区域的等离子体的密度，
其中，所述等离子体的控制包括：
基于所述基板的区域的等离子体的密度来调节所述附加电容器的电容。
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