CN109541345A - 一种半波检测方法及半波检测系统 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种半波检测方法及半波检测系统，涉及叠层电源半波检测技术领域。所述半波检测方法包括：通过触发脉冲确定所述变压器的输出端的抽头支路；通过触发脉冲分别控制可控硅得到两个相邻抽头支路输出的叠层电压，分别获取所述相邻抽头支路反馈电压的正半波电压值和负半波电压值；将所述两个相邻抽头支路反馈电压的正半波电压值和负半波电压值分别进行对比得到差值，根据所述差值确定所述差值对应的所述抽头支路中的双反向可控硅是否出现故障，该检测方法现场需求可灵活调节，能够精确检测出故障，方便现场查找更换。

Description

一种半波检测方法及半波检测系统

技术领域

本发明涉及叠层电源半波检测技术领域，具体而言，涉及一种半波检测方法及半波检测系统。

背景技术

在多晶硅还原生产过程中，由于硅棒电阻随着直径的改变变化非常大，电压电流变化范围特别宽，为降低使用电压等级，目前工艺上采用交流调压方案，具体采用了变压器多抽头，多级电压控制，每级电压由一组双反向可控硅对正负电压进行控制，若可控硅被损坏，则控制输出的电压会出现半波，产生直流分量，运行时间长会对变压器产生短路影响，烧坏设备，严重者可能导致火灾，所以还原生产时一定要进行反馈叠层电压的半波检测，确保安全。

现有的检测方法是通过系统输出端中串联电容，根据电容的特性可以隔直流通交流，当有可控硅损坏时，高压运行出现半波，形成直流分量。直流电不能通过电容，电容上会出现一定的电压差，通过直流检测装置(IAP1)检测到电容上的电压差后，完成停机报警。

但是，现有技术只能判断出现了问题，无法精确判断出哪一个可控硅损坏，需要现场停电，由电工一一检查排除才能找到损坏的可控硅，增加不必要的维修时间。

发明内容

本发明的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种半波检测方法及半波检测系统，该半波检测方法能够通过检测反馈电压的正负半波电压值准确判断出哪一个可控硅损坏，减小了电工的维修时间。

为实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本发明实施例提供了一种半波检测方法，所述半波检测方法应用于变压器，所述变压器的输出端具有n个抽头支路，其中n为≥2的整数，每个抽头支路中均设置有双反向可控硅，且每个抽头支路均与反馈变压器连接，所述半波检测方法包括：

通过触发脉冲确定所述变压器的输出端的抽头支路；

通过触发脉冲分别控制可控硅得到两个相邻抽头支路输出的叠层电压，分别获取所述相邻抽头支路反馈电压的正半波电压值和负半波电压值；

将所述两个相邻抽头支路反馈电压的正半波电压值和负半波电压值分别进行对比得到差值，根据所述差值确定所述差值对应的所述抽头支路中的双反向可控硅是否出现故障。

一种实施方式中，所述通过触发脉冲分别控制可控硅得到两个相邻抽头支路输出的电压，分别获取所述相邻抽头支路反馈电压的正半波电压值和负半波电压值的步骤，包括：

预设所述触发脉冲的时长，根据所述触发脉冲的时长分别独立控制可控硅得到所述两个相邻抽头支路输出反馈电压；

获取反馈电压完整周期的正弦波，并分别得到所述两个相邻抽头的正半波数据点个数和负半波数据点个数，计算得出各支路正半波电压值和负半波电压值。

一种实施方式中，根据所述差值确定所述差值对应的所述抽头支路中的双反向可控硅是否出现故障的步骤，包括：

变压器相邻抽头支路的正半波采集数据点个数和负半波采集数据点个数差值＜5；

若所述差值＜报警阈值且所述正半波采集数据点个数和所述负半波采集数据点个数差值＜5，则确定所述差值对应的抽头支路中双反向可控硅运行正常；

若所述差值＞报警阈值且所述正半波采集数据点个数和所述负半波采集数据点个数差值＜5，则确定所述差值对应的抽头支路中双反向可控硅运行故障。

一种实施方式中，所述方法还包括：

预设触发脉冲控制抽头支路反馈电压的正半波电压值和负半波电压值之间不对称的报警检测时间。

一种实施方式中，所述触发脉冲为直流方波。

第二方面，本发明实施例还提供了一种半波检测系统，所述系统包括：

确定模块，用于通过触发脉冲确定变压器的输出端的抽头支路；

获取模块，通过触发脉冲分别控制可控硅得到两个相邻抽头支路输出的叠层电压，分别获取所述相邻抽头支路反馈电压的正半波电压值和负半波电压值；

故障判断模块，用于将所述两个相邻抽头支路反馈电压的正半波电压值和负半波电压值分别进行对比得到差值，根据所述差值确定所述差值对应的所述抽头支路中的双反向可控硅是否出现故障。

一种实施方式中，所述获取模块还包括脉冲获取模块和电压值获取模块；

所述脉冲获取模块，用于预设所述触发脉冲的时长，根据所述触发脉冲的时长分别独立控制可控硅得到所述两个相邻抽头支路输出反馈电压；

所述电压值获取模块，用于获取反馈电压完整周期的正弦波，并分别得到所述两个相邻抽头的正半波数据点个数和负半波数据点个数，计算得出各支路正半波电压值和负半波电压值。

一种实施方式中，所述故障判断模块包括第一判断模块和第二判断模块和第三判断模块；

所述第一判断模块，用于所述变压器相邻抽头支路的正半波采集数据点个数和负半波采集数据点个数差值＜5；

所述第二判断模块，用于若所述差值＜报警阀值且满足第一判断模块，则确定所述差值对应的抽头支路中双反向可控硅运行正常；

所述第三判断模块，用于若所述差值＞报警阀值且满足第一判断模块，则确定所述差值对应的抽头支路中双反向可控硅运行故障。

一种实施方式中，还包括报警模块，所述报警模块用于预设触发脉冲控制抽头支路反馈电压的正半波电压值和负半波电压值之间不对称的报警阈值和报警检测时间。

一种实施方式中，所述获取模块的所述触发脉冲为直流方波。

本发明的有益效果是：

本发明实施例提供的一种半波检测方法及半波检测系统，通过触发脉冲分别控制两个相邻抽头支路的输出电压，并获取相邻抽头支路反馈电压的正半波电压值和负半波电压值，如果相邻抽头支路对应的正半波电压值与负半波电压值的差值小于报警阀值，则对应的抽头支路中的双反向可控硅正常，如果相邻抽头支路对应的正半波电压值与负半波电压值的差值大于报警阀值，则对应的抽头支路的双反向可控硅出现故障，该检测方法现场需求可灵活调节，能够精确检测出故障，方便现场查找更换。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明实施例提供的半波检测方法流程示意图；

图2为本发明实施例提供的多晶硅还原过程中的UI曲线图；

图3为本发明实施例提供的半波检测方法的电路图；

图4为本发明实施例提供的半波检测方法中相邻叠层反馈电压的波形图；

图5为本发明实施例提供的一种半波检测系统结构示意图；

图6为本发明实施例提供的获取模块结构示意图；

图7为本发明实施例提供的故障判断模块结构示意图；

图8为本发明实施例提供的另一种半波检测系统结构示意图。

图标：101-确定模块；102-获取模块；103-故障判断模块；104-报警模块；102a-脉冲获取模块；102b-电压值获取模块；103a-第一判断模块；103b-第二判断模块；103c-第三判断模块。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

此外，术语“水平”、“竖直”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。

在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

第一实施例

本发明实施例提供一种半波检测方法，图1为本发明实施例提供的半波检测方法流程示意图，图2为本发明实施例提供的多晶硅还原过程中的UI曲线图，该半波检测方法应用于变压器，该变压器的输出端具有n个抽头支路，其中n为≥2的整数，每个抽头支路中均设置有双反向可控硅，且每个抽头支路均与反馈变压器连接。

需要说明的是，双向可控硅等效于两只单向可控硅反向并联而成，即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。

如图1所示，该半波检测方法包括：

S101、通过触发脉冲确定所述变压器的输出端的抽头支路；

具体的，在本实施例中，变压器的输出侧采用多抽头支路，多级电压控制，每个抽头支路对应每一级电压，每个抽头支路串联一组双反向可控硅，对每一级的正负电压进行控制，且每个抽头支路均与反馈变压器连接。请参照图2，在多晶硅还原生长的过程中，硅棒电阻率发生非常大的变化，需求功率的范围也大，电压和电流变化范围宽，因此需要通过导通相邻两个抽头支路的电压，经过两个相邻抽头支路电压的叠加可以得到多晶硅还原过程中需要的任意电压值，并经过反馈变压器检测到叠加后的叠层电压，通过脉冲触发可以确定变压器的输出端的抽头支路。

其中，反馈变压器的作用是将每一级的输出电压进行等比例缩小，因为如果不等比例缩小，测出来的电压值比较大，对后面计算差值不方便，将输出电压的值等比例缩小的目的是为了方便检测得到波形，并便于观察波形。

S102、通过触发脉冲分别控制可控硅得到两个相邻抽头支路输出的叠层电压，分别获取所述相邻抽头支路反馈电压的正半波电压值和负半波电压值。

在本实施例中，由于本实施例采用交流调压方案，交流电的电压值可以形成一个正弦波，通过触发3.3V的高低直流方波，脉冲控制上述确定的两个相邻抽头支路输出的电压，其中，两个相邻抽头支路输出的电压包括输出低层电压的第一抽头支路和输出高层电压的第二抽头支路。首先，通过向输出低层电压的第一抽头支路触发3.3V的低直流方波，经过反馈变压器的反馈并分别检测出输出低层电压的第一抽头支路的正脉冲电压值和负脉冲电压值，其次，通过向输出高层电压的第二抽头支路触发3.3V的高直流方波，经过反馈变压器的反馈并分别检测出输出高层电压的第二抽头支路的正脉冲电压值和负脉冲电压值，其中，正脉冲电压值构成了正弦波的正半波电压值，负脉冲电压值构成了正弦波的负半波电压值。

S103、将所述两个相邻抽头支路反馈电压的正半波电压值和负半波电压值分别进行对比得到差值，根据所述差值确定所述差值对应的所述抽头支路中的双反向可控硅是否出现故障。

在本实施例中，根据S102步骤分别得到两个相邻抽头支路中第一抽头支路电压的正半波电压值和负半波电压值，第二抽头支路电压的正半波电压值和负半波电压值，通过计算第一抽头支路电压的正半波电压值和负半波电压值的差值，根据该差值判断出第一抽头支路上的双反向可控硅中是否哪一个出现故障；通过计算第二抽头支路电压的正半波电压值和负半波电压值的差值，根据该差值判断出第二抽头支路上的双反向可控硅中是否哪一个出现故障。

图3为本发明实施例提供的半波检测方法的电路图，以图3为例，对多晶硅还原生长的工艺过程中具体的调压电路为例进行说明，该调压电路包括变压器，变压器的输出侧连接有6层抽头支路的电压，每层抽头支路的电压输出端串联一组双反向可控硅，对每一级的正负电压进行控制，且每个抽头支路均与反馈变压器连接，其中，六层抽头支路的电压分别为U1、U2、U3、U4、U5和U6，第一层抽头支路的电压U1的输出电压为395V，第二层抽头支路的电压U2的输出电压为570V，第三层抽头支路的电压U3的输出电压为780V，第四层抽头支路的电压U4的输出电压为1100V，第五层抽头支路的电压U5的输出电压为2000V，第六层抽头支路的电压U6的输出电压为2666V，在多晶硅还原生长的过程中，硅棒电阻率发生非常大的变化，需求功率大，电压变化范围宽，因此需要通过导通相邻两个抽头支路的电压，经过两个相邻抽头支路电压的叠加可以得到多晶硅还原过程中需要的任意电压值，上述叠层电压是相邻层电压一层一层往上叠加的，并且每次最多叠加两层电压，U1是最低的一层，当只有U1层单独导通时，可以看作是0V和U1叠层，U1层完全开通后，U2层叠加，形成U1和U2叠层，以此方式形成U2和U3叠层、U3和U4叠层、U4和U5叠层、U5和U6叠层，如果还有更多叠层，以上述叠层方式运行。

通过触发脉冲确定变压器输出端的抽头支路，反馈变压器的作用是将反馈电压比例变小，因为如果不等比例缩小，测出来的电压值比较大，对后面计算差值不方便，反馈变压器的缩小比例可以为100:1或1000:1。该反馈变压器的缩小比例根据输出电压的值设置，并不限于上述比例。

在本实施例中，图4为本发明实施例的半波检测方法中相邻叠层反馈电压的波形图，请参照图4，第一层抽头支路的电压U1的正脉冲触发对应第一层抽头支路的电压U1的正半波，正半波可控硅导通，第一层抽头支路的电压U1的负脉冲触发对应第一层抽头支路的电压U1的负半波，负半波可控硅导通；第二层抽头支路的电压U2的正脉冲触发对应第二层抽头支路的电压U2的正半波，正半波可控硅导通，第二层抽头支路的电压U2的负脉冲触发对应第二层抽头支路的电压U2的负半波，负半波可控硅导通。同理对应的第三层电压U3、第四层电压U4、第五层电压U5和第六层电压U6和上述可控硅导通原理相同，在此不一一赘述。

在本发明实施例中，根据上述步骤假设分别得到相邻抽头支路中U1的正半波电压值U1a和负半波电压值的U1b，U2的正半波电压值U2a和负半波电压值U2b，通过计算的值，得到U1抽头支路上的双反向可控硅中是否哪一个出现故障；通过计算的值，得到U2抽头支路上的双反向可控硅中的是否哪一个出现故障。

进一步的，如果 说明U1层和U2层的两个可控硅均正常，如果 则判断出U1层和U2层的可控硅出现故障，其中，令报警阀值为M，具体的，如果U1a＞U1b，则判断出U1层的负半波可控硅出现故障；如果U1a<U1b，则判断出U1层的正半波可控硅出现故障；如果U2a＞U2b，则判断出U2层的负半波可控硅出现故障；如果U2a<U2b，则判断出U2层的正半波可控硅出现故障。

同样，U2和U3叠层运行，U3和U4叠层运行，U4和U5叠层运行，U5和U6叠层运行判断正负半波可控硅是否出现故障的方法和上述方法一样，在此不一一赘述。

本发明实施例提供的一种半波检测方法，通过触发脉冲分别控制两个相邻抽头支路的输出电压，并获取相邻抽头支路反馈电压的正半波电压值和负半波电压值，如果相邻抽头支路对应的正半波电压值与负半波电压值的差值小于报警阀值，则对应的抽头支路中的双反向可控硅正常，如果相邻抽头支路对应的正半波电压值与负半波电压值的差值大于报警阀值，则对应的抽头支路的双反向可控硅出现故障，该检测方法现场需求可灵活调节，能够精确检测出故障，方便现场查找更换。

进一步的，所述通过触发脉冲分别控制可控硅得到两个相邻抽头支路输出的电压，分别获取所述相邻抽头支路反馈电压的正半波电压值和负半波电压值的步骤，包括：

S201、预设所述触发脉冲的时长，根据所述触发脉冲的时长分别独立控制可控硅得到所述两个相邻抽头支路输出反馈电压。

具体的，预设触发脉冲的时长根据两个相邻抽头支路叠层电压的需求设定，两个抽头支路的时长可以设置为相同时间或者不同时间，首先给第一个抽头支路一个预设时间的触发脉冲，通过反馈变压器检测该时间内的第一个抽头支路的反馈电压值，其次给第二个抽头支路一个预设时间的触发脉冲，通过反馈变压器检测该时间内的第二个抽头支路的反馈电压值。

进一步的，当第一抽头支路U1和第二抽头支路U2的时长相同时，第一抽头支路U1和第二抽头支路U2触发脉冲时长均为T1或者T2，设定的时间根据叠层电压具体情况设定，当第一抽头支路U1和第二抽头支路U2的时长不同时，第一抽头支路U1的触发脉冲时长为T1，第二抽头支路U2的触发脉冲时长T2，设定的时长根据需求叠层电压的具体情况设定。

具体的，当第一抽头支路U1和第二抽头支路U2的触发脉冲时间不同时，对第一抽头支路U1进行T1时间的正脉冲触发和负脉冲触发，对第二抽头支路U2进行T2时间的正脉冲触发和负脉冲触发，芯片检测反馈变压器叠加后U1的正半波电压值U1a和负半波电压值U1b；芯片检测反馈变压器叠加后U2的正半波电压值U2a和负半波电压值U2b，最终得到两个相邻抽头支路在触发不同时间内的正半波电压值和负半波电压值。

S202、获取反馈电压完整周期的正弦波，并分别得到所述两个相邻抽头的正半波数据点个数和负半波数据点个数，计算得出各支路正半波电压值和负半波电压值。

需要说明的是，数据点表示处理器通过反馈电压完整正弦波采集p个数据点，其中P≥200的整数，且为每个数据点采集到的瞬间值。

以图3和图4为例继续进行说明，本实施例以T1＝5ms，T2＝3ms为例，假设一个正弦波周期采集200个数据点，通过这200个数据点来计算正半波电压值和负半波电压值，采集的数据点不限于200，根据需求而定，当U1和U2叠层运行时(U1<U2)，通过CPU向U1发一个5ms的正脉冲，16位高精度芯片采集反馈变压器叠加后U1的正半波的70个数据点，计算出正半波电压值U1a，之后CPU给U2发一个3ms正脉冲，16位高精度芯片检测反馈变压器叠加后U2的正半波的30个数据点，计算出正半波电压值U2a；通过CPU向U1发一个5ms的负脉冲，16位高精度芯片采集反馈变压器叠加后U1的70个数据点，计算出负半波电压值U2a，之后CPU向U2一个3ms负脉冲，16位高精度芯片采集反馈变压器叠加后U2的负半波的30个数据点，计算出负半波电压值U2b。上述的脉冲时长可以根据实际情况设定，并不以上述设定为限。

上述正半波电压值和负半波电压值是采用多次测量求平均值的方法，消除了测量过程中，因波形抖动出现测量误差的情况，在多次测量中，如果其中一组测量值与其他组测量值的差距过大，即可舍弃这组测量值，采取该方法提高了测量结果的准确率。

需要说明的是，上述检测时间也可以设置为0.1ms或10ms，设置不同的检测时间多次检测求平均值可以减小因干扰引起的误差，提高准确率。

进一步的，根据所述差值确定所述差值对应的所述抽头支路中的双反向可控硅是否出现故障的步骤，包括：

变压器相邻抽头支路的正半波采集数据点个数和负半波采集数据点个数差值＜5。

若所述差值＜报警阈值且所述正半波采集数据点个数和所述负半波采集数据点个数差值＜5，则确定所述差值对应的抽头支路中双反向可控硅运行正常；若所述差值＞报警阈值且所述正半波采集数据点个数和所述负半波采集数据点个数差值＜5，则确定所述差值对应的抽头支路中双反向可控硅运行故障。

具体的，正弦波的正半波和负半波是对称的，为了保证正负半波的对称性，避免出现漏采集数据点发生误报警情况，变压器相邻抽头支路的正半波采集数据点个数和负半波采集数据点个数差值＜5，该差值根据具体情况而定。

请继续参照图3和图4，假设判断第二抽头支路U2层和第三抽头支路U3层电压叠加运行情况，若U2a和U3a表示正半波可控硅，U2b和U3b表示负半波可控硅，M＝50％，如果说明第二抽头支路U2层和第三抽头支路U3层的两个可控硅均正常，如果则判断出第二抽头支路U2层的可控硅出现故障，具体的，如果U2a＞U2b，则判断出U2层的负半波可控硅出现故障；如果U2a<U2b，则判断出U2层的正半波可控硅出现故障；则判断出第三抽头支路U3层的可控硅出现故障，具体的，如果U3a＞U3b，则判断出U3层的负半波可控硅出现故障；如果U2a<U2b，则判断出U3层的正半波可控硅出现故障。

上述计算正负半波电压差的报警阀值可以灵活方便的设置，并不以此为限，该报警阀值还可以设置为60％、70％或80％。

进一步的，该半波检测方法还包括：

预设触发脉冲控制抽头支路反馈电压的正半波电压值和负半波电压值之间不对称的报警检测时间。

具体的，在本发明实施例中，请参照图3，由于本实施例采用交流调压方案，交流电的电压值可以形成一个正弦波，其中，正脉冲电压值构成了正弦波的正半波，负脉冲电压值构成了正弦波的负半波。正常运行时，第一抽头支路U1的正半波和负半波是对称的，第二抽头支路U2的正半波和负半波是对称的，所以预设触发脉冲控制抽头支路反馈电压的正半波电压值和负半波电压值之间不对称的报警检测时间，如果正半波电压值和负半波电压值不对称，则正半波电压值对应的正半波波形与负半波电压值对应的负半波波形不对称，因此通过设置不对称的报警时间，如果不对称的正半波电压值和负半波电压值超过报警时间，则出现报警，该报警可以使得运行装置停下来，不需要外加物理检测装置和物理报警器，减少元器件的浪费。

进一步的，所述触发脉冲为直流方波。该直流方波包括高直流方波和低直流方波。方波只有“高”和“低”这两个值，高值和低值的变换是突变的，可以比作是开关电路的“通”和“断”的变换。

第二实施例

本发明提供一实施例，图5为发明实施例提供的一种半波检测系统结构示意图，请参照图5，该半波检测系统包括：确定模块101、获取模块102和故障判断模块103；

确定模块101，用于通过触发脉冲确定变压器的输出端的抽头支路；

获取模块102，用于通过触发脉冲分别控制可控硅得到两个相邻抽头支路输出的叠层电压，分别获取所述相邻抽头支路反馈电压的正半波电压值和负半波电压值；

故障判断模块103，用于将所述两个相邻抽头支路反馈电压的正半波电压值和负半波电压值分别进行对比得到差值，根据所述差值确定所述差值对应的所述抽头支路中的双反向可控硅是否出现故障。

上述系统用于执行前述实施例提供的方法，其实现原理和技术效果类似，在此不再赘述。

进一步的，在本实施例中，图6为本发明实施例提供的获取模块结构示意图，请参照图6，获取模块102还包括脉冲获取模块102a和电压值获取模块102b；脉冲获取模块102a，用于预设触发脉冲的时长，根据触发脉冲的时长分别独立控制可控硅得到所述两个相邻抽头支路输出反馈电压；电压值获取模块102b，用于获取反馈电压完整周期的正弦波，并分别得到所述两个相邻抽头的正半波数据点个数和负半波数据点个数，计算得出各支路正半波电压值和负半波电压值。

上述系统用于执行前述实施例提供的方法，其实现原理和技术效果类似，在此不再赘述。

进一步的，在本实施例中，图7为本发明实施例提供的故障判断模块结构示意图，请参照图7，故障判断模块103包括第一判断模块103a、第二判断模块103b和第三判断模块103c，第一判断模块103a，用于所述变压器相邻抽头支路的正半波采集数据点个数和负半波采集数据点个数差值＜5；第二判断模块103b，用于若所述差值＜报警阀值且满足第一判断模块103a，则确定所述差值对应的抽头支路中双反向可控硅运行正常；第三判断模块103c，用于若所述差值＞报警阀值且满足第一判断模块103a，则确定差值对应的抽头支路中双反向可控硅运行故障。

上述系统用于执行前述实施例提供的方法，其实现原理和技术效果类似，在此不再赘述。

进一步的，在本实施例中，图8为发明实施例提供的另一种半波检测系统结构示意图，请参照图8，该半波检测系统还包括报警模块104，报警模块104用于预设触发脉冲控制抽头支路反馈电压的正半波电压值和负半波电压值之间不对称的报警检测时间。

上述系统用于执行前述实施例提供的方法，其实现原理和技术效果类似，在此不再赘述。

进一步的，在本实施例中，获取模块102的触发脉冲为直流方波。

上述系统用于执行前述实施例提供的方法，其实现原理和技术效果类似，在此不再赘述。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种半波检测方法，所述半波检测方法应用于变压器，所述变压器的输出端具有n个抽头支路，其中n为≥2的整数，每个抽头支路中均设置有双反向可控硅，且每个抽头支路均与反馈变压器连接，其特征在于，所述半波检测方法包括：

通过触发脉冲确定所述变压器的输出端的抽头支路；

通过触发脉冲分别控制可控硅得到两个相邻抽头支路输出的叠层电压，分别获取所述相邻抽头支路反馈电压的正半波电压值和负半波电压值；

将所述两个相邻抽头支路反馈电压的正半波电压值和负半波电压值分别进行对比得到差值，根据所述差值确定所述差值对应的所述抽头支路中的双反向可控硅是否出现故障。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过触发脉冲分别控制可控硅得到两个相邻抽头支路输出的电压，分别获取所述相邻抽头支路反馈电压的正半波电压值和负半波电压值的步骤，包括：

预设所述触发脉冲的时长，根据所述触发脉冲的时长分别独立控制可控硅得到所述两个相邻抽头支路输出反馈电压；

获取反馈电压完整周期的正弦波，并分别得到所述两个相邻抽头的正半波数据点个数和负半波数据点个数，计算得出各支路正半波电压值和负半波电压值。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述差值确定所述差值对应的所述抽头支路中的双反向可控硅是否出现故障的步骤，包括：

变压器相邻抽头支路的正半波采集数据点个数和负半波采集数据点个数差值＜5；

若所述差值＜报警阈值且所述正半波采集数据点个数和所述负半波采集数据点个数差值＜5，则确定所述差值对应的抽头支路中双反向可控硅运行正常；

若所述差值＞报警阈值且所述正半波采集数据点个数和所述负半波采集数据点个数差值＜5，则确定所述差值对应的抽头支路中双反向可控硅运行故障。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

预设触发脉冲控制抽头支路反馈电压的正半波电压值和负半波电压值之间不对称的报警检测时间。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述触发脉冲为直流方波。

6.一种半波检测系统，其特征在于，所述系统包括：

确定模块，用于通过触发脉冲确定变压器的输出端的抽头支路；

获取模块，通过触发脉冲分别控制可控硅得到两个相邻抽头支路输出的叠层电压，分别获取所述相邻抽头支路反馈电压的正半波电压值和负半波电压值；

故障判断模块，用于将所述两个相邻抽头支路反馈电压的正半波电压值和负半波电压值分别进行对比得到差值，根据所述差值确定所述差值对应的所述抽头支路中的双反向可控硅是否出现故障。

7.根据权利要求6所述的半波检测系统，其特征在于，所述获取模块还包括脉冲获取模块和电压值获取模块；

所述脉冲获取模块，用于预设所述触发脉冲的时长，根据所述触发脉冲的时长分别独立控制可控硅得到所述两个相邻抽头支路输出反馈电压；

所述电压值获取模块，用于获取反馈电压完整周期的正弦波，并分别得到所述两个相邻抽头的正半波数据点个数和负半波数据点个数，计算得出各支路正半波电压值和负半波电压值。

8.根据权利要求7所述的半波检测系统，其特征在于，所述故障判断模块包括第一判断模块和第二判断模块和第三判断模块；

所述第一判断模块，用于所述变压器相邻抽头支路的正半波采集数据点个数和负半波采集数据点个数差值＜5；

所述第二判断模块，用于若所述差值＜报警阀值且满足第一判断模块，则确定所述差值对应的抽头支路中双反向可控硅运行正常；

所述第三判断模块，用于若所述差值＞报警阀值且满足第一判断模块，则确定所述差值对应的抽头支路中双反向可控硅运行故障。

9.根据权利要求8所述的半波检测系统，其特征在于，还包括报警模块，所述报警模块用于预设触发脉冲控制抽头支路反馈电压的正半波电压值和负半波电压值之间不对称的报警检测时间。

10.根据权利要求6所述的半波检测系统，其特征在于，所述获取模块的所述触发脉冲为直流方波。