CN109509714B - 基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施例提供一种对基板进行液体处理的方法。对基板进行液体处理的方法包括液体涂布步骤，在该液体涂布步骤中，向旋转的上述基板供给感光液来将感光液涂布于上述基板上，上述液体涂布步骤包括加速步骤，在该加速步骤中，在供给上述感光液的期间，将上述基板的旋转速度从第一速度加速至第二速度为止，通过根据上述感光液的粘度控制从上述第一速度达到上述第二速度为止的时间即达到时间，来控制与上述基板上的不同区域对应的上述感光液的厚度。

Description

基板处理方法
技术领域
本发明涉及对基板进行液体处理的方法(Apparatus for treating substrate)。
背景技术
为了制造半导体元件，进行如清洗、沉积、光刻、蚀刻及离子注入等的多种工艺。在这些多个工艺中的光刻工艺中，依次进行涂布、曝光及显影步骤。涂布工艺是在基板的表面涂布如抗蚀剂的感光液的工艺。曝光工艺是在形成了感光膜的基板上曝光电路图案的工艺。显影工艺是对基板的曝光处理后的区域进行选择性显影的工艺。
通常，涂布工艺是通过在基板上涂布处理感光液来形成液膜的工艺。在涂布工艺之后进行的曝光工艺及显影工艺中，液膜厚度作为重要的因素发挥作用。因此，为了调节液膜厚度，已提出了多种方案。
例如，为了调节液膜厚度，提出了在涂布感光液的涂布步骤后进行的回流工艺或扩散工艺中以多种方式调节基板旋转速度的方案。
但是，这种旋转速度的变更对液膜厚度带来的变化不充分，因此要求开发能够相对大幅控制液膜厚度的方法。
另外，使用具有彼此不同的性质的多个种类的用于基板的感光液。例如，多种感光液具有彼此不同的粘度或彼此不同的对基板的吸附力。
因此，当前难以大幅调节基板上形成的液膜厚度，并且调节特定部分的厚度时遇到非常大的困难。
发明内容
本发明提供一种能够大幅调节基板上形成的液膜厚度的方法。
另外，本发明提供一种能够与由具有彼此不同性质的感光液形成的液膜对应地调节厚度的方法。
另外，本发明提供一种能够调节特定区域的液膜厚度的方法。
本发明的实施例提供一种对基板进行液体处理的方法。该方法包括液体涂布步骤，在该液体涂布步骤中，向旋转的上述基板供给感光液来将感光液涂布于上述基板上，上述液体涂布步骤包括加速步骤，在该加速步骤中，在供给上述感光液的期间，将上述基板的旋转速度从第一速度加速至第二速度为止，通过根据上述感光液的粘度控制从上述第一速度达到上述第二速度为止的时间即达到时间，来控制与上述基板上的不同区域对应的上述感光液的厚度。
上述感光液可包括第一液体及第二液体，其中，上述第一液体用于向第一基板供给，并且具有第一粘度的第一液体，上述第二液体用于向第二基板供给，并且具有与上述第一粘度不同的第二粘度，通过控制上述达到时间，彼此不同地调节由上述第一液体形成的第一液膜与由上述第二液体形成的第二液膜各自的与不同区域对应的厚度的变化量。
上述液体涂布步骤还可包括匀速步骤，在该匀速步骤中，在进行上述加速步骤之后供给上述感光液的期间，将上述第二速度保持一定时间。在上述加速步骤中，形成上述第一液膜时上述达到时间可以是第一时间，形成上述第二液膜时上述达到时间可以是第二时间，处理上述第一基板时上述加速步骤及上述匀速步骤所需的时间的合计值可与处理上述第二基板时上述加速步骤及上述匀速步骤所需的时间的合计值相同。
上述第一粘度具有比基准值低的粘度，需要在上述基板的缘部区域增大上述液膜的厚度时，可延长上述达到时间。
上述第一粘度具有比基准值低的粘度，需要在上述基板的缘部区域减小上述液膜的厚度时，可缩短上述达到时间。
上述第二粘度具有比基准值高的粘度，需要在上述基板的中心区域增大上述液膜的厚度时，可缩短上述达到时间。
上述第二粘度具有比基准值高的粘度，需要在上述基板的缘部区域减少上述液膜的厚度时，可延长上述达到时间。
上述第一粘度可比上述第二粘度小，向上述第一基板供给上述第一液体时的上述达到时间比向上述第二基板供给上述第二液体时的上述达到时间长。
上述第一粘度可比上述第二粘度小，向上述第一基板供给上述第一液体时的上述达到时间比向上述第二基板供给上述第二液体时的上述达到时间短。
另外，对基板进行液体处理的方法包括：液体涂布步骤，向旋转的上述基板供给感光液来将感光液涂布于上述基板上；以及回流步骤，中断上述感光液的供给，并使上述基板旋转，由此使在上述基板上涂布的上述感光液在上述基板上回流，上述液体涂布步骤加速步骤，在该加速步骤中，将上述基板的旋转速度从第一速度加速至第二速度为止，上述感光液包括具有第一粘度的第一液体及具有第二粘度的第二液体，在上述加速步骤中，在第一基板上涂布上述第一液体时，从上述第一速度达到上述第二速度为止的时间的达到时间为第一时间，在第二基板上涂布上述第二液体时，从上述第一速度达到上述第二速度为止的达到时间为第二时间，上述第一时间与上述第二时间彼此不同，上述第一粘度与上述第二粘度彼此不同。
上述液体涂布步骤还可包括匀速步骤，在该匀速步骤中，在进行上述加速步骤之后供给上述感光液的期间，将上述第二速度保持一定时间。处理上述第一基板时上述加速步骤及上述匀速步骤所需的时间的合计值可与处理上述第二基板时上述加速步骤及上述匀速步骤所需的时间的合计值相同。
可通过分别控制上述第一时间及上述第二时间，彼此不同地调节由上述第一液体形成的第一液膜及由上述第二液体形成的第二液膜各自的与不同区域对应的厚度的变化量。
上述第一粘度具有比基准值低的粘度，需要在上述基板的缘部区域增大上述液膜的厚度时，可延长上述第一时间。
上述第一粘度具有比基准值低的粘度，需要在上述基板的缘部区域减小上述液膜的厚度时，可缩短上述第一时间。
上述第二粘度具有比基准值高的粘度，需要在上述基板的中心区域增大上述液膜的厚度时，可缩短上述第二时间。
上述第二粘度具有比基准值高的粘度，需要在上述基板的中心区域减小上述液膜的厚度时，可延长上述第二时间。
另外，在基板上形成液膜的方法通过向上述基板供给感光液来在上述基板上涂布处理上述感光液，该基板处理方法包括加速步骤，在该加速步骤中，在向上述基板供给上述感光液期间将上述基板从第一速度加速至第二速度为止，通过调节从上述第一速度达到上述第二速度为止的时间即达到时间，来根据上述基板上的不同区域调节上述感光液的液膜的厚度。
上述感光液具有比基准值高的粘度时，可通过控制上述达到时间来调节在上述基板的中心区域的上述液膜的厚度。
上述感光液具有比基准值低的粘度时，可通过控制上述达到时间来调节在上述基板的缘部区域的上述液膜的厚度。
上述方法还可包括匀速步骤，在该匀速步骤中，在向上述基板供给上述感光液的期间的上述加速步骤之后，将上述基板以上述第二速度保持一定时间。
上述方法还可包括：前处理步骤，在涂布处理上述感光液之前，一边使上述基板以上述第一速度旋转一边向上述基板上供给前处理液；以及回流步骤，在涂布处理上述感光液之后，中断上述感光液的供给，并使上述基板以比上述第一速度慢的第三速度旋转，且使在上述基板上涂布的上述感光液在上述基板上回流。
根据本发明的实施例，在感光液涂布期间加速基板的旋转速度。由此能够大幅调节液膜厚度。
另外，根据本发明的实施例，与感光液的粘度对应地，针对不同区域的厚度调节的变化幅度彼此不同。因此，能够根据感光液的粘度来针对不同区域控制液膜的厚度。
附图说明
图1是本发明的实施例的基板处理设备的俯视图。
图2是从A-A方向观察图1的设备的剖视图。
图3是从B-B方向观察图1的设备的剖视图。
图4是从C-C方向观察图1的设备的剖视图。
图5是示出图1的基板处理装置的俯视图。
图6是示出图5的基板处理装置的剖视图。
图7是放大示出图6的喷嘴部件的立体图。
图8是示出在利用图5的装置涂布处理基板时各步骤的基板的旋转速度的变化的图表。
图9是示出在涂布图8的粘度低的感光液时在加速步骤中与达到时间的变更对应的基板上的液膜厚度的变化的图表。
图10是示出在涂布图8的粘度高的感光液时在加速步骤中与达到时间的变更对应的基板上的液膜厚度的变化的图表。
图11是示出图8的另一实施例的图表。
图12是示出符合本发明的另一实施例的涂布处理过程的图。
附图标记的说明：
810：壳体
820：气流供给单元
830：基板支撑单元
840：液体供给单元
850：处理容器
890：升降单元
1400：控制器
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的实施例。本发明的实施例可变形为多种方式，并且不应解释为本发明的范围限定于以下多个实施例。本实施例是为了向本领域技术人员更完整地解释本发明而提供的。因此，图中构件的形状是为了强调更明确的说明而夸张表示的。
本实施例的设备可使用于对如半导体晶片或平板显示面板的基板进行的光刻工艺。特别地，本实施例的设备可连接于曝光装置来使用于对基板进行的涂布工艺及显影工艺。以下，将使用晶片作为基板的情况作为一个例子进行说明。
以下，通过图1至图12说明本发明的基板处理设备。
图1是从上方观察基板处理设备的图，图2是从A-A方向观察图1的设备的图，图3是从B-B方向观察图1的设备的图，图4是从C-C方向观察图1的设备的图。
参照图1至图4，基板处理设备1包括装载端(load port)100、分度模块200、第一缓冲模块300、涂布显影模块400、第二缓冲模块500、曝光前后处理模块600及接口模块700。装载端100、分度模块200、第一缓冲模块300、涂布显影模块400、第二缓冲模块500、曝光前后处理模块600及接口模块700沿一方向依次配置为一列。
以下，将配置装载端100、分度模块200、第一缓冲模块300、涂布显影模块400、第二缓冲模块500、曝光前后处理模块600及接口模块700的方向称为第一方向12，将从上方观察时与第一方向12垂直的方向称为第二方向14，将分别与第一方向12及第二方向14垂直的方向称为第三方向16。
基板W以容纳于盒20内的状态移动。此时，盒20具有可从外部密封的结构。例如，盒20可使用前方具有门的前开式一体型盒(FOUP：Front Open Unified Pod)。
以下，详细说明装载端100、分度模块200、第一缓冲模块300、涂布显影模块400、第二缓冲模块500、曝光前后处理模块600及接口模块700。
装载端100包括载置台120，在该载置台120上放置容纳有基板W的盒20。配置有多个载置台120，并且多个载置台120沿第二方向14配置为一列。在图2中，配置了四个载置台120。
分度模块200在放置于装载端100的载置台120上的盒20与第一缓冲模块300之间传送基板W。分度模块200包括框架210、分度机械手220及导轨230。框架210形成为大致呈空心长方体的形状，配置在装载端100与第一缓冲模块300之间。分度模块200的框架210可配置为其高度低于后述的第一缓冲模块300的框架310的高度。分度机械手220及导轨230配置于框架210内。分度机械手220具有能够四轴驱动的结构，该结构能够使直接搬运基板W的手部221沿第一方向12、第二方向14及第三方向16移动并旋转。分度机械手220包括手部221、臂部222、支撑台223及基座224。手部221固定安装于臂部222。臂部222为能够伸缩且能够旋转的结构。支撑台223的长度方向沿第三方向16配置。臂部222以能够随支撑台223移动的方式与支撑台223结合。支撑台223固定连接于基座224。导轨230的长度方向沿第二方向14配置。基座224以能够沿导轨230直线移动的方式与导轨230结合。另外，虽然未图示，在框架210上配置有用于开闭盒20的门的开门器。
第一缓冲模块300包括框架310、第一缓冲区320、第二缓冲区330、冷却腔室350及第一缓冲机械手360。框架310形成为空心长方体形状，配置在分度模块200与涂布显影模块400之间。第一缓冲区320、第二缓冲区330、冷却腔室350及第一缓冲机械手360位于框架310内。从下方沿第三方向16依次配置有冷却腔室350、第二缓冲区330及第一缓冲区320。第一缓冲件320位于与后述的涂布显影模块400的涂布模块401对应的高度，第二缓冲件330及冷却腔室350位于与后述的涂布显影模块400的显影模块402对应的高度。第一缓冲机械手360在第二方向14上与第二缓冲区330、冷却腔室350及第一缓冲区320隔开一定距离。
第一缓冲区320及第二缓冲区330分别暂时保管多个基板W。第二缓冲区330包括壳体331及多个支撑台332。多个支撑台332配置于壳体331内，且多个支撑台332之间沿第三方向16彼此隔开。在各支撑台332上放置一个基板W。在壳体331的配置有分度机械手220的方向、配置有第一缓冲机械手360的方向及配置有显影部机械手482的方向形成有开口(未图示)，以使分度机械手220、第一缓冲机械手360及后述的显影模块402的显影部机械手482能够向壳体331内的支撑台332搬入或搬出基板W。第一缓冲区320具有与第二缓冲区330大致类似的结构。但是，在第一缓冲区320的壳体321的配置有第一缓冲机械手360的方向及配置有位于后述的涂布模块401的涂布部机械手432的方向形成有开口。配置于第一缓冲区320的支撑台322的数量及配置于第二缓冲区330的支撑台332的数量可相同或不同。在一个例子中，配置于第二缓冲区330的支撑台332的数量可大于配置于第一缓冲区320中的支撑台322的数量。
第一缓冲机械手360在第一缓冲区320及第二缓冲区330之间传送基板W。第一缓冲装置360包括手部361、臂部362及支撑台363。手部361固定安装于臂部362。臂部362为能够伸缩的结构，能够使手部361沿第二方向14移动。臂部362以能够随支撑台363沿第三方向16直线移动的方式结合于支撑台363。支撑台363具有从与第二缓冲区330对应的位置延伸至与第一缓冲区320对应的位置为止的长度。支撑台363可配置为与该长度相比沿上方或下方更长。第一缓冲机械手360可配置为仅使手部361实现沿第二方向14及第三方向16这二轴的驱动。
冷却腔室350冷却各基板W。冷却腔室350包括壳体351及冷却板352。冷却板352包括用于放置基板W的上表面及用于冷却基板W的冷却手段353。作为冷却手段353可使用利用冷却水的冷却或利用热电元件的冷却等多种方法。另外，在冷却腔室350可配置有将基板W放置于冷却板352上的升降销组件(未示出)。在壳体631的配置有分度机械手220的方向及配置有显影部机械手482的方向形成有开口(未示出)，以使分度机械手220及配置于后述的显影模块402的显影部机械手482能够向冷却板352搬入或搬出基板W。另外，在冷却腔室350可配置有用于开闭上述开口的多个门(未示出)。
在进行曝光工艺之前，涂布显影模块400进行在基板W上涂布光致抗蚀剂的工艺以及曝光工艺后的用于显影基板W的工艺。涂布显影模块400大致呈长方体形状。涂布显影模块400包括涂布模块401及显影模块402。涂布模块401与显影模块402以彼此之间分层的方式配置。在一个例子中，涂布模块401位于显影模块402的上部。
涂布模块401进行对基板W涂布如光致抗蚀剂的感光液的工艺以及在抗蚀剂涂布工艺前后如加热或冷却基板W的热处理工艺。涂布模块401包括抗蚀剂涂布腔室410、烘干腔室420及搬运腔室430。沿第二方向14依次配置有抗蚀剂涂布腔室410、搬运腔室430及烘干腔室420。因此，抗蚀剂涂布腔室410与烘干腔室420以在彼此之间配置有搬运腔室430的方式在第二方向14上相互隔开。配置有多个抗蚀剂涂布腔室410，沿第一方向12及第三方向16分别配置有多个抗蚀剂涂布腔室410。图中示出了配置有六个抗蚀剂涂布腔室410的例子。沿第一方向12及第三方向16分别配置有多个烘干腔室420。图中示出了配置有六个烘干腔室420的例子。但是，与此不同地，可配置有更多数量的烘干腔室420。
搬运腔室430与第一缓冲模块300的第一缓冲区320沿第一方向12并排配置。在搬运腔室430内配置有涂布部机械手432及导轨433。搬运腔室430大致呈矩形形状。涂布部机械手432在多个烘干腔室420、多个抗蚀剂涂布腔室400、第一缓冲模块300的第一缓冲区320及后述的第二缓冲模块500的第一冷却腔室520之间搬运基板W。导轨433的长度方向与第一方向12平行。导轨433引导涂布部机械手432沿第一方向12直线移动。涂布部机械手432包括手部434、臂部435、支撑台436及基座437。手部434固定安装于臂部435。臂部435为能够伸缩的结构，能够使手部434沿水平方向移动。支撑台436的长度方向沿第三方向16配置。臂部435以能够随支撑台223沿第三方向16直线移动的方式结合于支撑台223。支撑台436固定连接于基座437，基座437以能够沿导轨433移动的方式结合于导轨433。
多个抗蚀剂涂布腔室410都具有相同结构。但是，在各抗蚀剂涂布腔室410中所使用的光致抗蚀剂的种类可彼此不同。作为一个例子，可使用化学增幅抗蚀剂(chemicalamplification resist)作为光致抗蚀剂。抗蚀剂涂布腔室410作为在基板W上涂布光致抗蚀剂的基板处理装置来使用。基板处理装置800进行液体涂布工艺。图5是示出图1的基板处理装置的俯视图，图6是示出图5的基板处理装置的剖视图。参照图5及图6，基板处理装置800包括壳体810、气流供给单元820、基板支撑单元830、处理容器850、升降单元890、液体供给单元840及控制器1400。
壳体810形成为其内部具有处理空间812的矩形桶形状。在壳体810的一侧形成有开口(未示出)。开口发挥用于搬入搬出基板W的入口的功能。在开口配置有门(未示出)，门用于开闭开口。当进行基板处理工艺时，门通过关闭开口来封闭壳体810的处理空间812。在壳体810的下表面形成有内侧排气口814及外侧排气口816。在壳体810内形成的气流经由内侧排气口814及外侧排气口816向外部排出。在一个例子中，流入处理容器850内的气流可经由内侧排气口814排出，向处理容器850的外侧供给的气流可经由外侧排气口816排出。
气流供给单元820在壳体810处理空间812形成下降气流。气流供给单元820包括气流供给线822、风扇824及过滤器826。气流供给线822与壳体810连接。气流供给线822将外部的清洁空气向壳体810供给。过滤器826过滤从气流供给线822供给的清洁空气。过滤器826去除空气中包含的杂质。风扇824配置于壳体810的上表面。风扇824位于壳体810的上表面的中心区域。风扇824在壳体810的处理空间812形成下降气流。当从气流供给线822向风扇824供给清洁空气时，风扇824向下方供给清洁空气。在一个例子中，风扇824可根据不同的基板处理步骤向处理空间供给不同的流速的空气。
基板支撑单元830在壳体810的处理空间812支撑基板W。基板支撑单元830使基板W旋转。基板支撑单元830包括旋转卡盘832、旋转轴834及驱动器836。旋转卡盘832用作支撑基板的基板支撑部件832。旋转卡盘832形成为圆形的板形状。旋转卡盘832的上表面与基板W接触。旋转卡盘832具有比基板W小的直径。在一个例子中，旋转卡盘832可通过真空吸附来夹持(Chucking)基板W。可选地，旋转卡盘832可以是利用静电夹持基板W的静电卡盘。另外，旋转卡盘832可通过物理力夹持基板W。
旋转轴834及驱动器836用作旋转旋转卡盘832的旋转驱动部件834、836。旋转轴834从旋转卡盘832的下方支撑旋转卡盘832。旋转轴834的长度方向沿上下方向配置。旋转轴834能够以中心轴为中心旋转。驱动器836向旋转轴834供给驱动力来使该旋转轴834旋转。例如，驱动器836可以是能够改变旋转轴的旋转速度的电动机。旋转驱动部件834、836可根据不同的基板处理步骤来使旋转卡盘832以不同的旋转速度旋转。
处理容器850位于壳体810的处理空间812。处理容器850包围基板支撑单元830。处理容器850形成为上部形成开放的杯形状。处理容器850包括内侧杯852及外侧杯862。
内侧杯852形成为包围旋转轴834的圆形杯形状。从上方观察时，内侧杯852与内侧排气口814重叠。从上方观察时，内侧杯852的上表面的外侧区域及内侧区域分别以不同的角度倾斜。在一个例子中，内侧杯852的外侧区域越远离基板支撑单元830则越向下倾斜，而内侧区域越远离基板支撑单元830越向上倾斜。内侧杯852的外侧区域与内侧区域相接的部分在上下方向上与基板W的侧端部对应。内侧杯852的上表面的外侧区域形成为弧形状。内侧杯852的上表面的外侧区域向下凹陷。内侧杯852的上表面的外侧区域为处理液流动的区域。
外侧杯862形成为包围基板支撑单元830及内侧杯852的杯形状。外侧杯862包括底壁864、侧壁866及倾斜壁870。底壁864形成为具有中空的圆形板形状。在底壁864形成有回收线865。回收线865回收供给到基板W上的处理液。可通过外部的液体再生系统重复使用经由回收线865回收的处理液。侧壁866形成为包围基板支撑单元830的圆形的桶形状。侧壁866从底壁864的侧端沿垂直的方向延伸。侧壁866从底壁864向上延伸。
倾斜壁870从侧壁866的上端沿外侧杯862的内侧方向延伸。倾斜壁870沿朝向上方的方向靠近基板支撑单元830。倾斜壁870形成为环形状。倾斜壁870的上端位于比支撑于基板支撑单元830上的基板W高的位置。
升降单元890使移动内侧杯852及外侧杯862分别升降。升降单元890包括内侧移动部件892及外侧移动部件894。内侧移动部件892使内侧杯852升降移动，外侧移动部件894使外侧杯862升降移动。
液体供给单元840向基板W上供给感光液及前处理液。液体供给单元840包括移动部件846及喷嘴部件1000。移动部件846将喷嘴部件1000移动到工艺位置或待机位置。在此，工艺位置是使喷嘴部件1000与由基板支撑单元830支撑的基板W相对的位置，待机位置是从工艺位置脱离的位置。例如，在工艺位置上，可使喷嘴部件1000与基板W在垂直的上下方向上彼此对向。
移动部件846使喷嘴部件1000在一方向上移动。在一个例子中，移动部件846可使喷嘴部件1000在一方向上直线移动。一方向可以是与第一方向12平行的方向。移动部件846包括导轨842及臂部844。导轨842的长度方向沿水平方向配置。导轨842可具有沿第一方向12的长度方向。导轨842位于处理容器850的一侧。在导轨842设置有臂部844。可通过配置于导轨842内的驱动部件(未示出)来使臂部844移动。例如，驱动部件可以是线性电机。当从上方观察时，臂部844形成为具有垂直于导轨842的长度方向的杆形状。臂部844的末端底面设置有喷嘴部件1000。喷嘴部件1000与臂部844一起移动。
图7是放大示出图6的喷嘴部件的立体图。参照图7，喷嘴部件1000吐出感光液及前处理液。喷嘴部件1000包括支撑本体1220、前处理喷嘴1240及涂布喷嘴1260。支撑本体1220同时支撑前处理喷嘴1240及涂布喷嘴1260。各喷嘴1240、1260的吐出口朝向垂直的下方。从上方观察时，前处理喷嘴1240及涂布喷嘴1260沿与喷嘴部件1000的移动方向平行的方向排列。在一个例子中，前处理喷嘴1240及涂布喷嘴1260可沿作为喷嘴部件1000的移动方向的一方向排成一列。配置有多个涂布喷嘴1260。多个涂布喷嘴1260可以以在它们之间配置有前处理喷嘴1240的方式沿一方向排列。即，多个涂布喷嘴1260、前处理喷嘴1240及多个涂布喷嘴1260可沿喷嘴构件1000的移动方向排成一列。
前处理喷嘴1240吐出前处理液。前处理液可包括在亲水性及疏水性中接近感光液的性质的液体。在感光液具有疏水性时，前处理液可以是稀释剂(Thinner)。前处理液可提高基板W与感光液之间的附着力。
多个涂布喷嘴1260吐出感光液。各涂布喷嘴1260吐出相同流量的感光液。在一个例子中，以前处理喷嘴1240为基准，在前处理喷嘴1240的一侧配置有多个涂布喷嘴1260，并在与此相反的侧面配置多个涂布喷嘴1260。在前处理喷嘴1240的两侧分别对称排列有相同数量的多个涂布喷嘴1260。多个涂布喷嘴1260中的各涂布喷嘴1260可吐出彼此不同种类的光敏液。例如，在处理单个基板W的工艺中可利用多个涂布喷嘴1260中的一个涂布喷嘴1260吐出感光液。前处理喷嘴1240包括比多个施加喷嘴1260的吐出端高的吐出端。这是为了防止在吐出感光液的过程中感光液飞散并附着于前处理喷嘴1240。
控制器1400控制液体供给单元840及基板支撑单元830。控制器以根据预湿润步骤、液体施加步骤、回流步骤及扩散步骤的各步骤来使基板W的旋转速度变化的方式控制旋转驱动构件834、836。另外，控制器1400以向基板W上供给感光液到之前供给前处理液的方式控制液体供给单元840。在一个例子中，控制器1400可以以向基板W上供给前处理液之后使多个涂布喷嘴1260中的某一个供给感光液的方式控制各喷嘴。
另外，控制器1400可以以将前处理液及光敏液向作为基板W中心区域的第一供给位置供给的方式控制移动部件846。例如，第一供给位置可以是基板W的中心。
可选地，可将前处理液及感光液一边向与第一供给位置隔开的第二供给位置移动一边供给。
以下说明利用上述的基板处理装置在基板W上形成液膜的过程。图8是示出利用图5装置处理基板时基板的旋转速度的图表。参照图8，在基板W上形成液膜的方法包括前处理步骤、液体涂布步骤、回流步骤及扩散步骤。依次进行前处理步骤、液体涂布步骤、回流步骤及扩散步骤。
在基板W的液膜形成方法中，在前处理步骤中基板W以第一速度V1旋转。前处理喷嘴向以第一速度V1旋转的基板W上供给前处理液。将前处理液向基板W的中心供给。前处理液向基板W的全部区域扩散，由此提高基板W表面与感光液之间的附着力。
当前处理步骤结束时，进行液体涂布步骤。在液体涂布步骤中，通过向基板W上供给感光液来形成感光液膜。液体涂布步骤包括加速步骤及匀速步骤。依次进行加速步骤及匀速步骤。在进行加速步骤及匀速步骤的期间，将感光液向基板W的中心持续供给。
在加速步骤中，基板W的旋转速度从第一速度V1加速至高于第一速度V1的第二速度V2。加速步骤进行从第一速度V1达到第二速度V2为止的时间即达到时间。在达到时间的期间内以匀加速增加基板W的速度。图9是示出在涂布图8的粘度低的感光液时在加速步骤中与达到时间的变更对应的基板上液膜厚度的变化的图表，图10是示出在涂布图8的粘度高的感光液时在加速步骤中与达到时间的变更对应的基板上液膜厚度的变化的图表。参照图9及图10，在感光液的粘度比基准值大时，与达到时间的变更对应地，与基板W的缘部区域的感光液膜的厚度相比，基板W的中心区域的感光液膜的厚度大幅发生变化。
在一个例子中，在感光液的粘度比基准值大时，达到时间越长则在基板W的中心区域的感光液膜的厚度变得越薄，而达到时间越短则在基板W的中心区域的感光液膜的厚度变得越厚。因此，在感光液的粘度比基准值大时，可通过控制达到时间来改变基板W的中心区域的光感液膜的厚度。
因此，在感光液的粘度比基准值大时，若希望增加在基板W的中心区域的液膜厚度，则将达到时间控制得短，而若希望减小在基板W的中心区域的液膜厚度，则将达到时间控制得长。
与此相反地，在感光液的粘度比基准值小时，与达到时间的变更对应地，与基板W的中心区域的感光液膜的厚度相比，基板W的缘部区域的感光液膜的厚度大幅发生变化。
在一个例子中，在感光液的粘度比基准值小时，达到时间越长则在基板W的中心区域的感光液膜的厚度变得越厚，而达到时间越短则在基板W的中心区域的感光液膜的厚度变得越薄。因此，在感光液的粘度比基准值小时，可通过控制达到时间来改变基板W的中心区域的光感液膜的厚度。
因此，在感光液的粘度比基准值大时，若希望增加在基板W的中心区域的液膜厚度，则将达到时间控制得较长，而若希望减小在基板W的中心区域的液膜厚度，则将达到时间控制得较短。
例如，基准值可以是90cP。
在匀速步骤中，基板W的旋转速度以第二速度V2保持一定时间。在一个例子中，可使加速步骤所需的时间与匀速步骤所需的时间的合计值具有恒定值。因此，若达到时间短则需要较长的匀速步骤，若达到时间长则需要较短的匀速步骤。
当液体涂布步骤结束时，进行回流步骤。在回流步骤中，将基板W的旋转速度从第二速度V2大幅减速至比第二速度V2小的第三速度V3。例如，第三速度V3可以是比第一速度V1慢的速度。从第二速度V2达到第三速度V3为止的时间可短于在加速步骤中的从第一速度V1达到第二速度V2为止的时间。由此，可使向基板W上供给的感光液以向与基板W中心靠近的方向移动的方式回流。
当回流步骤结束时，进行扩散步骤。在扩散步骤中，将基板W的旋转速度从第二速度V3大幅加速至比第三速度V3大的第四速度V4。例如，第四速度V4可以是比第二速度V2快的速度。从第三速度V3达到第四速度V4为止的时间可短于在加速步骤中从第一速度V1达到第二速度V2为止的时间。因此，可使向基板W上供给的感光液向与基板W中心远离的方向移动。
以下说明通过上述方法在第一基板及与该第一基板不同的各第二基板形成液膜的方法。如下说明该方法，即：对第一基板通过供给作为多个感光液中的一个感光液的第一液体来涂布处理第一液膜，而对第二基板通过供给作为另一感光液的第二液体来涂布处理第二液膜。
在一个例子中，第一液体具有第一粘度，第二液体具有比第一粘度高的第二粘度。第一粘度可比基准值低，第二粘度可比基准值高。
在一实施例中，在将第一液膜向第一基板供给来进行涂布处理时，通过在加速步骤中将达到时间调节为第一时间，来调节第一基板的缘部区域的第一液膜的厚度。
在将第二液膜向第二基板供给来进行涂布处理时，通过在加速步骤中将达到时间调节为第二时间，来调节第一基板的中心区域的第二液膜的厚度。
在一个例子中，可将处理第一基板时的加速步骤及匀速步骤所需的时间的合计值设定为与处理第二基板时的加速步骤及匀速步骤所需的时间的合计值相同。
根据上述实施例，如下说明涂布处理，即，涂布步骤包括加速步骤及匀速步骤，并依次进行加速步骤及匀速步骤。但是，如图11所示，可在涂布处理步骤中仅进行加速步骤。在涂布处理步骤中，将基板的旋转速度从第一速度V1加速至第二速度V2为止，并且若达到第二速度V2则立即减速至第三速度V3为止来进行回流步骤。
另外，上面说明了如下情况，即，在基板上涂布处理液膜时将基板W的旋转速度从第一速度V1加速至第二速度V2为止，并调节与所使用的液体的粘度对应地发生变化的液膜的区域厚度。此时，说明了将感光液向基板W的中心供给的情况。但是，如图12所示，可通过将感光液以从基板W的中心向与此远离的位置移动的方式进行供给，来减小液膜的中心区域的厚度。
再次参照图1至图4，烘干腔室420对基板W进行热处理。例如，多个烘干腔室420进行在涂布光致抗蚀剂之前通过以规定的温度加热基板W来去除基板W表面的有机物或水分的预烘干(prebake)工艺，或者进行在基板W上涂布光致抗蚀剂之后进行的软烘干(softbake)工艺等，并且在各加热工艺之后进行冷却基板W的冷却工艺等。烘干腔室420包括冷却板421或加热板422。在冷却板421配置有如冷却水或热电原件那样的冷却装置423。另外，在加热板422配置有如热线或热电原件那样的加热装置424。冷却板421及加热板422可分别配置于一个烘干腔室420内。可选地，多个烘干腔室420中的一部分烘干腔室420可仅包括冷却板421，而另一部分烘干腔室420可仅包括加热板422。
显影模块402包括：显影工艺，为了在基板W上得到图案，通过供给显影液来去除光致抗蚀剂的一部分；以及热处理工艺，在显影工艺前后，如对基板W进行加热及冷却。显影模块402包括显影腔室460、烘干腔室470及搬运腔室480。沿第二方向14依次配置有显影腔室460、搬运腔室480及烘干腔室470。因此，显影腔室460与烘干腔室470以在彼此之间配置有搬运腔室480的方式在第二方向14上相互隔开。配置有多个显影腔室460，沿第一方向12及第三方向16配置有多个显影腔室460。图中示出了配置有六个显影腔室460的例子。沿第一方向12及第三方向16分别配置有多个烘干腔室470。图中示出了配置有六个烘干腔室470的例子。但是，与此不同地，可配置有更多数量的烘干腔室470。
搬运腔室480与第一缓冲模块300的第二缓冲区330沿第一方向12并排配置。在搬运腔室480内配置有显影部机械手482及导轨483。搬运腔室480大致呈矩形形状。显影部机械手482在多个烘干腔室470、多个显影腔室460、第一缓冲模块300的第二缓冲区330和冷却腔室350以及第二缓冲模块500的第二冷却腔室540之间搬运基板W。导轨483的长度方向与第一方向12平行。导轨483引导显影机械手482沿第一方向12直线移动。显影部机械手482包括手部484、臂部485、支撑台486及基座487。手部484固定安装于臂部485。臂部485为能够伸缩的结构，能够手部484沿水平方向移动。支撑台486的长度方向沿第三方向16配置。臂部485以能够随支撑件486沿第三方向16直线移动的方式结合于支撑台486。支撑台486固定地连接于基座487。基座487以能够沿导轨483移动的方式结合于导轨483。
多个显影腔室460都具有相同结构。但是，在各显影腔室460所使用的显影液的种类可彼此不同。显影腔室460去除基板W上的光致抗蚀剂中的被光照射的区域。此时，保护膜中的被光照射的区域也一同被去除。可选地，可根据所使用的光致抗蚀剂的种类来仅去除光致抗蚀剂及保护膜的多个区域中的未被光照射的区域。
显影腔室460包括容器461、支撑板462及喷嘴463。容器461形成为上部开放的杯形状。支撑板462位于容器461内，用于支撑基板W。以能够旋转的的方式配置有支撑板462。喷嘴463向在支撑板462放置的基板W上供给显影剂。喷嘴463形成为圆形的管形状，可向基板W的中心供给显影液。可选地，喷嘴463具有与基板W的直径相应的长度，并且喷嘴463的排出口可形成为夹缝。另外，为清洗供给有显影液的基板W的表面，还在显影腔室460内还可配置有用于供给如去离子水的清洗液的喷嘴464。
烘干腔室470对基板W进行热处理。例如，多个烘干腔室470进行在进行显影工艺之前加热基板W的后烘干工艺、在进行显影工艺之后加热基板W的硬烘干工艺以及在进行各烘干工艺之后将加热的基板W进行冷却的冷却工艺等。烘干腔室470包括冷却板471或加热板472。在冷却板471配置有如冷却水或热电原件那样的冷却装置473。或者，在加热板472配置有如热线或热电原件那样的加热装置474。冷却板471及加热板472可分别配置于一个烘干腔室470。可选地，多个烘干腔室470中的一部分烘干腔室470可仅包括冷却板471，而另一部分烘干腔室470可仅包括加热板472。
如上所述，在涂布显影模块400内以彼此间分离的方式配置有涂布模块401及显影模块402。另外，从上方观察时，涂布模块401及显影模块402可具有相同腔室配置方式。
第二缓冲模块500用作在涂布显影模块400与曝光前后处理模块600之间搬运基板W的通道。另外，第二缓冲模块500对基板W进行如冷却工艺或缘部曝光工艺等的规定的工艺。第二缓冲模块500包括框架510、缓冲区520、第一冷却腔室530、第二冷却腔室540、缘部曝光腔室550及第二缓冲区机械手560。框架510形成为长方体形状。缓冲区520、第一冷却腔室530、第二冷却腔室540、缘部曝光腔室550及第二缓冲区机械手560位于框架510内。缓冲区520、第一冷却腔室530及缘部曝光腔室550配置在与涂布模块401对应的高度。第二冷却腔室540配置在与显影模块402对应的高度。将缓冲区520、第一冷却腔室530及第二冷却腔室540沿第三方向16依次配置为一列。从上方观察时，缓冲区520与涂布模块401的搬运腔室430沿第一方向12配置。缘部曝光腔室550在第二方向14上与缓冲区520或第一冷却腔室530隔开一定距离。
第二缓冲区机械手560在缓冲区520、第一冷却腔室530及缘部曝光腔室550之间搬运基板W。第二缓冲区机械手560位于缘部曝光腔室550与缓冲区520之间。第二缓冲区机械手560可具有与第一缓冲机械手360类似的结构。第一冷却腔室530及缘部曝光腔室550对在涂布模块401进行工艺后的多个基板W进行后续工艺。第一冷却腔室530对在涂布模块401进行工艺后的基板W进行冷却。第一冷却腔室530可具有与第一缓冲模块300的冷却腔室350类似的结构。缘部曝光腔室550对在第一冷却腔室530进行冷却工艺后的多个基板W的缘部进行曝光。缓冲区520在将在缘部曝光腔室550进行工艺后的多个基板W向后述的前处理模块601搬运之前暂时保管上述基板W。第二冷却腔室540在将在后述的后处理模块602进行工艺后的多个基板W向显影模块402搬运之前冷却上述基板W。第二缓冲模块500还可包括在与显影模块402对应的高度另行配置的缓冲区。此时，可将在后处理模块602进行工艺后的多个基板W暂时保管在另行配置的缓冲区中之后向显影模块402搬运。
在通过曝光装置900进行液浸曝光工艺时，曝光前后处理模块600可进行用于涂布保护膜的工艺，其中，该保护膜用于在进行液浸曝光时保护在基板W上涂布的光致抗蚀剂膜。另外，曝光前后处理模块600可进行在进行曝光之后清洗基板W的工艺。另外，在使用化学增幅抗蚀剂进行了涂布工艺的情况下，曝光前后处理模块600可进行曝光后烘干工艺。
曝光前后处理模块600包括前处理模块601及后处理模块602。前处理模块601进行在进行曝光工艺之前处理基板W的工艺，后处理模块602进行在进行曝光工艺之后处理基板W的工艺。前处理模块601与后处理模块602以彼此之间分层的方式配置。在一个例子中，前处理模块601位于后处理模块602的上部。前处理模块601配置于与涂布模块401相同高度。后处理模块602配置于与显影模块402相同高度。前处理模块601包括保护膜涂布腔室610、烘干腔室620及搬运腔室630。沿第二方向14依次配置有保护膜涂布腔室610、搬运腔室630及烘干腔室620。因此，保护膜涂布腔室610与烘干腔室620以在彼此之间配置有搬运腔室630的方式在第二方向14上相互隔开。可配置有多个保护膜涂布腔室610，并可以以彼此之间分层的方式沿第三方向16配置有多个保护膜涂布腔室610。可选地，可沿第一方向12及第三方向16分别配置有多个保护膜涂布腔室610。可配置有多个烘干腔室620，并可以以彼此之间分层的方式沿第三方向16配置有多个烘干腔室620。可选地，可沿第一方向12及第三方向16分别配置有多个烘干腔室620。
搬运腔室630与第二缓冲模块500的第一冷却腔室530沿第一方向12并排配置。前处理机械手632位于搬运腔室630内。搬运腔室630大致呈正方形形状或矩形形状。前处理机械手632在多个保护膜涂布腔室610、多个烘干腔室620、第二缓冲模块500的缓冲区520及后述的接口模块700的第一缓冲区720之间搬运基板W。前处理机械手632包括手部633、臂部634及支撑台635。手部633固定安装于臂部634。臂部634为能够伸缩且能够旋转结构。臂部634以能够随支撑台635沿第三方向16直线移动的方式结合于支撑台635。
保护膜涂布腔室610将用于在进行液浸曝光时保护抗蚀剂膜的保护膜涂布于基板W上。保护膜涂布腔室610包括壳体611、支撑板612及喷嘴613。壳体611形成为上部开放的杯形状。支撑板612位于壳体611内，用于支撑基板W。以能够旋转的方式配置有支撑板612。喷嘴613向放置在支撑板612上的基板W上供给用于形成保护膜的保护液。喷嘴613形成为圆形的管形状，可将保护液向基板W的中心供给。可选地，喷嘴613具有与基板W的直径相应的长度，并且喷嘴613的排出口可形成为夹缝。此时，支撑板612可以为固定的状态。保护液包括发泡材料。保护液可使用如光刻胶及亲水性低的材料。例如，保护液可包括氟系溶剂。保护膜涂布腔室610一边使放置于支撑板612上的基板W旋转一边向基板W的中心区域供给保护液。
烘干腔室620对涂布保护膜后的基板W进行热处理。烘干腔室620包括冷却板621或加热板622。在冷却板621配置有如冷却水或热电原件那样的冷却装置623。或者，在加热板622配置有如热线或热电原件那样的加热装置624。加热板622及冷却板621可分别配置于一个烘干腔室620内。可选地，多个烘干腔室620中的一部分烘干腔室620可仅包括加热板622，而另一部分烘干腔室620可仅包括冷却板621。
后处理模块602包括清洗腔室660、曝光后烘干腔室670及搬运腔室680。清洗腔室660、搬运腔室680及曝光后烘干腔室670沿第二方向依次配置。因此，清洗腔室660及曝光后烘干腔室670以在彼此之间配置有搬运腔室680的方式沿第二方向14隔开配置。可配置有多个清洗腔室660，并可以以彼此之间分层的方式沿第三方向16配置有上述多个清洗腔室660。可选地，分别沿第一方向12及第三方向16配置有多个清洗腔室660。可配置有多个曝光后烘干腔室670，并可以以彼此之间分层的方式沿第三方向16配置有多个曝光后烘干腔室670。可选地，可沿第一方向12及第三方向16分别配置有多个曝光后烘干腔室670。
从上方观察时，搬运腔室680与第二缓冲模块500的第二冷却腔室540沿第一方向12并排配置。搬运腔室680大致呈正方形形状或矩形形状。后处理机械手682位于搬运腔室内。后处理机械手682在多个清洗腔室660、多个曝光后烘干腔室670、第二缓冲模块500的第二冷却腔室540及后述的接口模块700的第二缓冲区730之间搬运基板W。配置于后处理模块602的后处理机械手682可与配置于前处理模块601的前处理机械手632具有相同结构。
清洗腔室660在进行曝光工艺之后清洗基板W。清洗腔室660包括壳体661、支撑板662及喷嘴663。壳体661形成为上部开放的杯形状。支撑板662位于壳体661内，用于支撑基板W。以能够旋转的方式配置有支撑板662。喷嘴663向放置于支撑板662的基板W上供给清洁液。作为清洁液可使用如去离子水的水。清洁室660一边使放置于支撑板662的基板W旋转一边向基板W的中心区域供给清洁液。可选地，在基板W旋转的期间内，喷嘴663可从基板W的中心区域直线移动或旋转移动至缘部区域。
曝光后烘干腔室670利用远紫外线对进行曝光工艺后的基板W进行加热。曝光后烘干工艺通过加热基板W来使因曝光而产生于光致抗蚀剂内的酸(acid)扩散，由此完成光致抗蚀剂的性质变化。曝光后烘干腔室670包括加热板672。在加热板672配置有如热线或热电原件那样的加热装置674。在曝光后烘干腔室670的内部还可包括冷却板671。在冷却板671配置有如冷却水或热电原件那样的冷却装置673。另外，可选地，还可配置仅包括冷却板671的烘干腔室。
如上所述，在曝光前后处理模块600内以彼此间完全分离的方式配置前处理模块601及后处理模块602。另外，处理模块601的搬运腔室630与后处理模块602的搬运腔室680可具有相同大小，从上方观察时彼此完全重叠。另外，保护膜涂布腔室610与清洗腔室660可具有相同大小，从上方观察时彼此完全重叠。另外，烘干腔室620与曝光后烘干腔室670可具有相同大小，从上方观察时彼此完全重合。
接口模块700在曝光前后处理模块600及曝光装置900之间搬运基板W。接口模块700包括框架710、第一缓冲区720、第二缓冲区730及接口机械手740。第一缓冲区720、第二缓冲区730及接口机械手740位于框架710内。第一缓冲区720与第二缓冲区730之间相隔一定距离，并且彼此层叠。第一缓冲区720以高于第二缓冲区730的方式配置。第一缓冲区720位于与前处理模块601对应的高度，第二缓冲区730配置于与后处理模块602对应的高度。从上方观察时，第一缓冲区720与前处理模块601的搬运腔室630沿第一方向12配置为一列，第二缓冲区730与后处理模块602的搬运腔室630沿第一方向12配置为一列。
接口机械手740与第一缓冲区720及第二缓冲区730沿第二方向14相互隔开。接口机械手740在第一缓冲区720、第二缓冲区730及曝光装置900之间搬运基板W。接口机械手740具有与第二缓冲区机械手560大致类似的结构。
第一缓冲区720在将在前处理模块601进行工艺后的多个基板W向曝光装置900移动之前暂时保管上述多个基板W。并且，第二缓冲区730在将在曝光装置900进行工艺后的多个基板W向后处理模块602移动之前暂时保管上述多个基板W。第一缓冲区720包括壳体721及多个支撑台722。多个支撑台722配置在壳体721内，并且沿第三方向16彼此隔开。在各支撑台722放置一个基板W。在壳体721的配置有接口机械手740的方向以及配置有前处理机械手632的方向形成有开口(未示出)，以使接口机械手740及前处理机械手632能够向壳体721内的支撑台722搬入或搬出基板W。第二缓冲区730具有与第一缓冲区720大致类似的结构。但是，在第二缓冲区730的壳体731的配置有接口机械手740的方向以及配置有后处理机械手682的方向形成有开口(未示出)。在接口模块上可仅配置有如上所述的缓冲区及机械手，而未配置有对基板W进行规定工艺的腔室。
接着，说明使用上述基板处理设备1进行工艺的一个例子。
容纳有多个基板W的盒20放置于装载端100的载置台120。盒20的门被开门器打开。分度机械手220从盒20中取出基板W并向第二缓冲区330搬运。
第一缓冲机械手360将保管于第二缓冲区330的基板W向第一缓冲区320搬运。涂布部机械手432从第一缓冲区320取出基板W并向涂布模块401的烘干腔室420搬运。烘干腔室420依次进行预烘干及冷却工艺。涂布部机械手432从烘干腔室420取出基板W并向抗蚀剂涂布腔室410搬运。抗蚀剂涂布腔室410在基板W上涂布光致抗蚀剂。此后，当在基板W上涂布了光致抗蚀剂时，涂布部机械手432将基板W从抗蚀剂涂布腔室410向烘干腔室420搬运。烘干腔室420对基板W进行软烘干工艺。
涂布部机械手432从烘干腔室420取出基板W并向第二缓冲模块500的第一冷却腔室530搬运。在第一冷却腔室530对基板W进行冷却工艺。第二缓冲机械手560将在第一冷却腔室530中进行工艺后的基板W向缘部曝光腔室550搬运。在缘部曝光腔室550进行对基板W的缘部区域进行曝光的工艺。第二缓冲机械手560将在缘部曝光腔室550进行工艺后的基板W向缓冲区520搬运。
前处理机械手632从缓冲区520取出基板W并向前处理模块601的保护膜涂布腔室610搬运。在保护膜涂布腔室610向基板W上涂布保护膜。接着，前处理机械手632将基板W从保护膜涂布腔室610向烘干腔室620搬运。烘干腔室620对基板W进行如加热及冷却等的热处理。
前处理机械手632从烘干腔室620取出基板W并向接口模块700的第一缓冲区720搬运。接口机械手740从第一缓冲区720向曝光装置900搬运基板W。曝光装置900对基板W的处理面进行曝光工艺，例如进行液浸曝光工艺。当在曝光装置900对基板W的曝光工艺结束时，接口机械手740从曝光装置900向第二缓冲区730搬运基板W。
后处理机械手682从第二缓冲区730取出基板W并向后处理模块602的清洗腔室660搬运。在清洗腔室660通过向基板W的表面供给清洗液来进行清洗工艺。当对基板W的利用清洗液的清洗结束时，后处理机械手682立即从清洁室660取出基板W并向曝光后烘干腔室670搬运上述基板W。通过在曝光后烘干腔室670的加热板672加热基板W来去除基板W上附着的清洗液，与此同时，通过使在光致抗蚀剂内生成的酸(acid)扩散来完成光致抗蚀剂的性质变化。后处理机械手682从曝光后烘干腔室670向第二缓冲模块500的第二冷却腔室540搬运基板W。在第二冷却腔室540进行对基板W的冷却。
显影部机械手482从第二冷却腔室540取出基板W并向显影模块402的烘干腔室470搬运。烘干腔室470依次进行后烘干工艺及冷却工艺。显影部机械手482从烘干腔室470取出基板W并向显影腔室460搬运。显影腔室460向基板W上供给显影液来进行显影工艺。接着，显影部机械手482将基板W从显影腔室460向烘干腔室470搬运。烘干腔室470对基板W进行硬烘干工艺。
显影部机械手482从烘干腔室470取出基板W并向第一缓冲模块300的冷却腔室350搬运。在冷却腔室350进行冷却基板W的工艺。分度机械手360从冷却腔室350向盒20搬运基板W。与此不同地，显影部机械手482可从烘干腔室470取出基板W并向第一缓冲模块300的第二缓冲区330搬运，并接着由分度机械手360向盒20搬运上述基板W。

Claims (23)

1.一种基板处理方法，对基板进行液体处理，其中，
该基板处理方法包括液体涂布步骤，在该液体涂布步骤中，向旋转的上述基板供给感光液来将感光液涂布于上述基板上，
上述液体涂布步骤包括加速步骤，在该加速步骤中，在供给上述感光液的期间，将上述基板的旋转速度从第一速度加速至第二速度为止，
通过根据上述感光液的粘度与基准值的比较结果控制从上述第一速度达到上述第二速度为止的时间即达到时间，来控制与上述基板上的不同区域对应的上述感光液的厚度，
上述基准值为，与上述达到时间的变更对应地，在上述基板的中心区域的上述感光液膜的厚度变化量与在上述基板的缘部区域的上述感光液膜的厚度变化量相同的粘度。
2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，
上述感光液包括第一液体及第二液体，其中，上述第一液体用于向第一基板供给，并且具有第一粘度，上述第二液体用于向第二基板供给，并且具有与上述第一粘度不同的第二粘度，
通过控制上述达到时间，彼此不同地调节由上述第一液体形成的第一液膜与由上述第二液体形成的第二液膜各自的与不同区域对应的厚度的变化量。
3.如权利要求2所述的基板处理方法，其中，
上述液体涂布步骤还包括匀速步骤，在该匀速步骤中，在进行上述加速步骤之后供给上述感光液的期间，将上述第二速度保持一定时间，
处理上述第一基板时上述加速步骤及上述匀速步骤所需的时间的合计值与处理上述第二基板时上述加速步骤及上述匀速步骤所需的时间的合计值相同，
上述一定时间为在上述加速步骤和上述匀速步骤所需时间之和中去除上述达到时间的时间。
4.如权利要求3所述的基板处理方法，其中，
在上述加速步骤中，形成上述第一液膜时上述达到时间为第一时间，形成上述第二液膜时上述达到时间为第二时间。
5.如权利要求2所述的基板处理方法，其中，
上述第一粘度具有比基准值低的粘度，
需要在上述基板的缘部区域增大上述第一液膜的厚度时，延长上述达到时间。
6.如权利要求2所述的基板处理方法，其中，
上述第一粘度具有比基准值低的粘度，
需要在上述基板的缘部区域减小上述第一液膜的厚度时，缩短上述达到时间。
7.如权利要求2所述的基板处理方法，其中，
上述第二粘度具有比基准值高的粘度，
需要在上述基板的中心区域增大上述第二液膜的厚度时，缩短上述达到时间。
8.如权利要求2所述的基板处理方法，其中，
上述第二粘度具有比基准值高的粘度，
需要在上述基板的缘部区域减少上述第二液膜的厚度时，延长上述达到时间。
9.如权利要求2至4中任一项所述的基板处理方法，其中，
上述第一粘度比上述第二粘度小，
向上述第一基板供给上述第一液体时的上述达到时间比向上述第二基板供给上述第二液体时的上述达到时间长。
10.如权利要求2至4中任一项所述的基板处理方法，其中，
上述第一粘度比上述第二粘度小，
向上述第一基板供给上述第一液体时的上述达到时间比向上述第二基板供给上述第二液体时的上述达到时间短。
11.一种基板处理方法，对基板进行液体处理，其中，
该基板处理方法包括：
液体涂布步骤，向旋转的上述基板供给感光液来将感光液涂布于上述基板上；以及
回流步骤，中断上述感光液的供给，并使上述基板旋转，由此使在上述基板上涂布的上述感光液在上述基板上回流，
上述液体涂布步骤加速步骤，在该加速步骤中，将上述基板的旋转速度从第一速度加速至第二速度为止，
上述感光液包括具有第一粘度的第一液体及具有第二粘度的第二液体，
在上述加速步骤中，在第一基板上涂布上述第一液体时，从上述第一速度达到上述第二速度为止的时间的达到时间为第一时间，在第二基板上涂布上述第二液体时，从上述第一速度达到上述第二速度为止的达到时间为第二时间，
上述第一时间与上述第二时间彼此不同，
上述第一粘度与上述第二粘度彼此不同。
12.如权利要求11所述的基板处理方法，其中，
上述液体涂布步骤还包括匀速步骤，在该匀速步骤中，在进行上述加速步骤之后供给上述感光液的期间，将上述第二速度保持一定时间，
处理上述第一基板时上述加速步骤及上述匀速步骤所需的时间的合计值与处理上述第二基板时上述加速步骤及上述匀速步骤所需的时间的合计值相同，
上述一定时间为在上述加速步骤和上述匀速步骤所需时间之和中去除上述达到时间的时间。
13.如权利要求12所述的基板处理方法，其中，
处理上述第一基板时上述加速步骤及上述匀速步骤所需的时间的合计值与处理上述第二基板时上述加速步骤及上述匀速步骤所需的时间的合计值相同。
14.如权利要求11至13中任一项所述的基板处理方法，其中，
通过分别控制上述第一时间及上述第二时间，彼此不同地调节由上述第一液体形成的第一液膜及由上述第二液体形成的第二液膜各自的与不同区域对应的厚度的变化量。
15.如权利要求11所述的基板处理方法，其中，
上述第一粘度具有比基准值低的粘度，
需要在上述基板的缘部区域增大第一液膜的厚度时，延长上述第一时间，
上述基准值为，与上述达到时间的变更对应地，在上述基板的中心区域的上述感光液膜的厚度变化量与在上述基板的缘部区域的上述感光液膜的厚度变化量相同的粘度。
16.如权利要求11所述的基板处理方法，其中，
上述第一粘度具有比基准值低的粘度，
需要在上述基板的缘部区域减小第一液膜的厚度时，缩短上述第一时间，
上述基准值为，与上述达到时间的变更对应地，在上述基板的中心区域的上述感光液膜的厚度变化量与在上述基板的缘部区域的上述感光液膜的厚度变化量相同的粘度。
17.如权利要求11所述的基板处理方法，其中，
上述第二粘度具有比基准值高的粘度，
需要在上述基板的中心区域增大第二液膜的厚度时，缩短上述第二时间，
上述基准值为，与上述达到时间的变更对应地，在上述基板的中心区域的上述感光液膜的厚度变化量与在上述基板的缘部区域的上述感光液膜的厚度变化量相同的粘度。
18.如权利要求11所述的基板处理方法，其中，
上述第二粘度具有比基准值高的粘度，
需要在上述基板的中心区域减小第二液膜的厚度时，延长上述第二时间，
上述基准值为，与上述达到时间的变更对应地，在上述基板的中心区域的上述感光液膜的厚度变化量与在上述基板的缘部区域的上述感光液膜的厚度变化量相同的粘度。
19.一种基板处理方法，在基板上形成液膜，其中，
该基板处理方法通过向上述基板供给感光液来在上述基板上涂布处理上述感光液，
该基板处理方法包括加速步骤，在该加速步骤中，在向上述基板供给上述感光液期间将上述基板从第一速度加速至第二速度为止，
通过调节从上述第一速度达到上述第二速度为止的时间即达到时间，来根据上述基板上的不同区域调节上述感光液的液膜的厚度。
20.如权利要求19所述的基板处理方法，其中，
上述感光液具有比基准值高的粘度时，通过控制上述达到时间来调节在上述基板的中心区域的上述液膜的厚度，
上述基准值为，与上述达到时间的变更对应地，在上述基板的中心区域的上述感光液膜的厚度变化量与在上述基板的缘部区域的上述感光液膜的厚度变化量相同的粘度。
21.如权利要求19所述的基板处理方法，其中，
上述感光液具有比基准值低的粘度时，通过控制上述达到时间来调节在上述基板的缘部区域的上述液膜的厚度，
上述基准值为，与上述达到时间的变更对应地，在上述基板的中心区域的上述感光液膜的厚度变化量与在上述基板的缘部区域的上述感光液膜的厚度变化量相同的粘度。
22.如权利要求19至21中任一项所述的基板处理方法，其中，
上述方法还包括匀速步骤，在该匀速步骤中，在向上述基板供给上述感光液的期间的上述加速步骤之后，将上述基板以上述第二速度保持一定时间，
处理基板时加速步骤及匀速步骤所需的时间的合计值相同，
上述一定时间为在上述加速步骤和上述匀速步骤所需时间之和中去除对应于各基板的上述达到时间的时间。
23.如权利要求22所述的基板处理方法，其中，
上述方法还包括：
前处理步骤，在涂布处理上述感光液之前，一边使上述基板以上述第一速度旋转一边向上述基板上供给前处理液；以及
回流步骤，在涂布处理上述感光液之后，中断上述感光液的供给，并使上述基板以比上述第一速度慢的第三速度旋转，且使在上述基板上涂布的上述感光液在上述基板上回流。
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