CN109509507A - Sram存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法，包括：发射脉冲激光的脉冲激光辐射装置；设置于步进机台上的被测模块，与脉冲激光辐射装置的激光出射口相对；与被测模块连接的器件供电和信号传输采集模块，用于为被测模块提供电源，并检测被测模块的单粒子翻转效应。提供一具有SRAM存储单元的被测模块，将数据写入SRAM存储单元，待器件供电和信号传输采集模块的输出信号稳定后，将SRAM存储单元配置为保持状态；开启脉冲激光辐射装置，对被测模块进行逐点辐照；当器件供电和信号传输采集模块的输出信号改变时，检测到单粒子翻转。本发明结构简单、试验费用低，基于本发明的单粒子翻转效应的研究周期短。

Description

SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法

技术领域

本发明涉及存储器的设计及测试领域，特别是涉及一种SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法。

背景技术

静态随机存储器(SRAM)由于其读写速度快、功耗低、高集成度等优点而被广泛使用。作为飞船、卫星中必不可少的存储器之一，在数据存储方面发挥着巨大的作用。

对于需要执行航天任务的卫星而言，在外层空间环境中，存在着大量的银河宇宙射线、太阳耀斑以及地磁俘获带的粒子，会对卫星上电子设备的可靠性产生不可忽视的影响，严重影响卫星的使用寿命。在众多辐射效应中，单粒子翻转效应作为主要的辐射效应而备受关注。单粒子翻转(Single Event Upset)是指粒子穿过芯片时，沿其路径会损失能量，产生大量的空穴电子对，这些电荷通过漂移和扩散被收集，产生瞬态脉冲，使器件的逻辑状态发生翻转。

SRAM存储单元是否发生单粒子翻转，取决于其翻转敏感区(截至NMOS和截至PMOS的漏极区域)临界电荷(Qmt)的大小。临界电荷的定义为，灵敏电极收集到的，可以导致器件逻辑状态翻转的最小电荷。随着集成电路向高集成度、低特征尺寸不断发展，器件的栅长、节点深度、氧化层厚度都相应的减小。可以看出，器件特征尺寸越小，临界电荷的数值也就越小，发生单粒子翻转也就越容易。

单粒子效应的机理研究和抗单粒子效应的实验评估主要有模拟试验和计算机仿真两种方法。模拟试验分为飞行试验和地面试验，飞行试验是研究单粒子效应比较直观的方法，能够真实反映空间环境中单粒子效应的实际情况，但存在试验费用高、研究周期长、限制条件多、单粒子效应发生具有随机性等特点。目前国内外研究单粒子效应和进行抗单粒子效应加固验证主要是采用地面模拟试验的手段。

目前高性能的数字系统、数模混合系统都需要用到SRAM作为内存，并且对于存储的容量要求随性能的提高而加大。一些大规模SOC系统中，SRAM的面积甚至芯片面积的90％。而SRAM存储单元是SRAM模块或者芯片最为核心的部分。为了减少SRAM模块的面积，一般SRAM存储单元的设计会选择在工艺设计规则(DRC)的指导下减少工艺制造的安全余量，绘制紧密的版图，但这样的设计思路必然导致，在辐射环境下，实际的存储器件相比于其他逻辑单元对于辐射更加敏感(更容易发生辐射效应)。

如何设计一种测试结构简单、试验费用低、研究周期短的针对SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法，已成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法，用于解决现有技术中SRAM存储单元单粒子翻转的测试结构复杂、测试步骤繁琐等问题。

实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路，所述SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路至少包括：

SRAM存储单元及测试单元；

其中，所述测试单元连接于所述SRAM存储单元的存储节点，用于检测所述SRAM存储单元中的单粒子翻转效应。

可选地，所述SRAM存储单元包括4T SRAM存储单元、6T SRAM存储单元、7T SRAM存储单元或8T SRAM存储单元。

可选地，所述测试单元包括振荡器及开关；所述开关连接于所述振荡器的振荡环路上，或连接于所述振荡器的输出端；所述开关的控制端连接所述SRAM存储单元的存储节点。

可选地，所述振荡器包括环形振荡器。

更可选地，所述开关包括PMOS管或NMOS管。

实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种上述SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路的测试系统，所述测试系统至少包括：

脉冲激光辐射装置、被测模块、器件供电和信号传输采集模块及步进机台；

所述脉冲激光辐射装置发射脉冲激光；

所述被测模块设置于所述步进机台上，与所述脉冲激光辐射装置的激光出射口相对，所述被测模块包括SRAM存储单元；

所述器件供电和信号传输采集模块与所述被测模块连接，包括测试单元；所述器件供电和信号传输采集模块用于为所述SRAM存储单元提供电源，并检测所述SRAM存储单元中的单粒子翻转效应。

可选地，所述测试系统还包括控制模块，所述控制模块连接所述脉冲激光辐射装置、所述器件供电和信号传输采集模块及所述步进机台，用于提供控制信号。

可选地，所述测试系统还包括连接于所述器件供电和信号传输采集模块输出端的波形显示器。

更可选地，所述波形显示器包括电脑、示波器或半导体参数测试仪。

实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种上述测试系统的测试方法，所述测试方法至少包括：

提供一具有SRAM存储单元的被测模块，将数据写入所述SRAM存储单元，待器件供电和信号传输采集模块的输出信号稳定后，将所述SRAM存储单元配置为保持状态；

开启脉冲激光辐射装置，移动所述被测模块，脉冲激光对所述被测模块进行逐点辐照；

当所述器件供电和信号传输采集模块的输出信号改变时，检测到单粒子翻转。

可选地，当所述SRAM存储单元中未发生单粒子翻转时，所述器件供电和信号传输采集模块输出振荡信号；当所述SRAM存储单元中发生单粒子翻转时，所述器件供电和信号传输采集模块输出单一电平或无输出信号。

可选地，当所述SRAM存储单元中未发生单粒子翻转时，所述器件供电和信号传输采集模块输出单一电平或无输出信号；当所述SRAM存储单元中发生单粒子翻转时，所述器件供电和信号传输采集模块输出振荡信号。

可选地，检测到单粒子翻转后，基于发生单粒子翻转的辐射位置、脉冲激光的光斑大小、脉冲激光的波长及脉冲激光的功率分析SRAM存储单元的单粒子翻转敏感区域或评估单粒子能量阈值。

如上所述，本发明的SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法，具有以下有益效果：

本发明的SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路及测试系统结构简单、试验费用低，通过测试机台对SRAM阵列进行信号配置及辐照扫描，以此获得单粒子翻转的发生位置、脉冲激光的光斑大小、脉冲激光的波长及脉冲激光的功率，进而分析SRAM存储单元的单粒子翻转敏感区域及评估单粒子能量阈值，将设计好的SRAM存储单元与控制电路、选址电路和读写电路配合后，可以高效的设计SRAM模块，大大缩减研究周期。

附图说明

图1显示为本发明的SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路示意图。

图2显示为本发明的SRAM存储单元单粒子翻转的测试系统示意图。

元件标号说明

1 SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路

11 SRAM存储单元

12 测试单元

2 脉冲激光辐射装置

3 被测模块

4 器件供电和信号传输采集模块

5 步进机台

6 控制模块

7 波形显示器

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1～图2。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

常见的地面模拟源有重离子、质子，放射源(锎源、α源)，脉冲激光等。在各种单粒子效应地面模拟源中，脉冲激光模拟单粒子效应具有诸多明显优势。高能粒子加速器试验受到对器件有辐射损伤、束流强度控制较难、LET值调节复杂、试验耗费大、机时紧张等因素限制；天然放射源受到LET值范围小、离子射程不足的限制；仿真模拟需要考虑器件的制造工艺、版图结构设计的因素使得建立有效的仿真模型非常困难。相对而言，脉冲激光模拟器件单粒子效应试验手段具有精确的单粒子效应空间和时间分辨特性，能量连续可调，无放射性，无须抽真空，操作便捷，试验效率高，成本低等特点。

考虑到SRAM的存储作用，当辐射粒子作用在SRAM存储单元时其99％的单元都是处于保持状态(即选通管处于关闭状态)；且集成电路设计流程复杂、流片周期长、生产成本高的特点，针对抗辐射效应SRAM模块的设计应该选择多种设计方式和模块层次相结合的方法。本发明就激光辐射模拟单粒子翻转(SEU)实验方式提出SRAM存储单元的设计方法和测试结构。

实施例一

如图1所示，本实施例提供一种SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路1，所述SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路1包括：

SRAM存储单元11及测试单元12。

如图1所示，所述SRAM存储单元11用于存储数据，作为待测试单元。

具体地，所述SRAM存储单元11位于SRAM存储阵列中，在本实施例中，所述SRAM存储单元11为6T SRAM存储单元结构，在实际应用中，所述SRAM存储单元11包括但不限于4TSRAM存储单元、7T SRAM存储单元及8T SRAM存储单元，不以本实施例为限。在本实施例中，所述SRAM存储单元11包括第一反相器not1、第二反相器not2、第一存取管AC1及第二存取管AC2，所述第一反相器not1与所述第二反相器not2的输入端和输出端交叉连接，形成锁存结构；所述第一存取管AC1的一端连接于所述第一反相器not1的输入端与所述第二反相器not2的输出端，另一端连接位线BL；所述第二存取管AC2的一端连接于所述第二反相器not2的输入端与所述第一反相器not1的输出端，另一端连接反位线BLB；所述第一存取管AC1及所述第二存取管AC2的控制端连接字线WL。其中，所述位线BL通过第一缓冲器Buf1连接第一焊盘pad1，所述反位线BLB通过第二缓冲器Buf2连接第二焊盘Pad2，所述字线WL通过第三缓冲器Buf3连接第三焊盘pad3，通过焊盘为所述SRAM存储单元11配置工作状态。其中，所述第一反相器not1的输入端为所述SRAM存储单元11的第一存储节点Q，所述第二反相器not2的输入端为所述SRAM存储单元11的第二存储节点QB，两存储节点的存储数据相反。

如图1所示，所述测试单元12连接于所述SRAM存储单元11的存储节点，用于检测所述SRAM存储单元11中的单粒子翻转效应。

具体地，所述测试单元12包括振荡器及开关SW。如图1所示，在本实施例中，所述振荡器为自激振荡的环形振荡器，所述振荡器包括首尾相接，形成环装结构的第三反相器not3、第四反相器not4、第五四反相器not5、第六反相器not6、第七反相器not7、第八反相器not8、第九反相器not9、第十反相器not10及第十一反相器not11，其中，反相器的数量为奇数个，级数可根据需要设定，不以本实施例为限。所述开关SW串联于振荡环路上，所述开关SW的控制端连接所述SRAM存储单元11的存储节点(所述第一存储节点Q或所述第二存储节点QB)，在本实施例中，所述开关SW为NMOS器件，在实际使用中，所述开关SW可为PMOS器件，所述开关SW的导通前后，所述测试单元12的输出结构不同即可，不以本实施例为限。所述振荡器的输出端通过第四缓冲器Buf4连接第四焊盘Pad4，以实现信号的输出。

需要说明的是，任意可实现振荡的振荡器结构均适用于本发明，包括但不限于RC振荡器、LC振荡器或晶体振荡器，不以本实施例为限。所述开关SW可连接于所述振荡器的输出端，不以本实施例为限。

需要说明的是，本发明的SRAM存储单元版图级别的设计优化独立于SRAM模块的控制电路、选址电路和读写电路而单独进行设计。将设计好的SRAM存储单元阵列的测试信号线与测试组件(Testkey)上的焊盘相连接，配合步进机台与波形显示器进行在片测试，或者划片封装后再进行测试。在较小的晶圆面积上，可以绘制多种设计好的SRAM存储单元结构，通过调整SRAM存储单元的结构，以及SRAM存储单元晶体管的器件类型和参数，一次流片就可以得到多种SRAM存储单元的测试结果，便于挑选出适合的SRAM存储单元设计。然后将设计好的SRAM存储单元与控制电路、选址电路和读写电路配合后，可以高效的设计SRAM模块。

实施例二

本实施例提供一种基于所述SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路的测试系统，所述测试系统包括：

脉冲激光辐射装置2、被测模块3、器件供电和信号传输采集模块4、步进机台5、控制模块6及波形显示器7。

如图2所示，所述脉冲激光辐射装置2连接所述控制模块6，并在所述控制模块6的控制下发射脉冲激光。

具体地，在本实施例中，所述控制模块6为所述脉冲激光辐射装置2提供触发信号，在实际使用中，可通过人工方式控制所述脉冲激光辐射装置2发出脉冲激光，不以本实施例为限。所述脉冲激光的束斑为亚微米级～微米级的微束，以准确获得所述被测模块3的抗辐照性能的阈值及敏感位置。本实施例在脉冲激光的辐照下，模拟所述SRAM存储单元11受到单粒子轰击，进而由单粒子效应(SEE)而发生单粒子翻转现象(SEU)。

如图2所示，所述被测模块3设置于所述步进机台5上，与所述脉冲激光辐射装置1的激光出射口相对，所述被测模块3包括SRAM存储单元。

具体地，所述被测模块3包括SRAM存储阵列，所述SRAM存储阵列中包括待测试的SRAM存储单元。在本实施例中，所述SRAM存储单元的结构包括但不限于实施例一中所述的SRAM存储单元11。

如图2所示，所述器件供电和信号传输采集模块4与所述被测模块3连接，包括测试单元。

具体地，所述器件供电和信号传输采集模块4包括电源单元、信号配置单元及测试单元，所述电源单元的输出信号与所述SRAM存储单元11中的电源线连接，为所述SRAM存储单元11提供电源；所述信号配置单元的输出信号与连接所述SRAM存储单元11字线WL、位线BL和反位线BLB的各焊盘(所述第一焊盘Pad1～所述第三焊盘Pad3)连接，用于对所述SRAM存储单元11的工作状态进行配置；所述测试单元的输入端连接所述SRAM存储单元11的输出端，基于单粒子翻转效应前后的所述SRAM存储单元11的存储节点数据给出不同输出结果，所述测试单元的结构包括但不限于实施例一中的所述测试单元12。所述器件供电和信号传输采集模块4的输出信号通过所述第四焊盘Pad4连接所述波形显示器7，用于直观显示所述器件供电和信号传输采集模块4的输出信号，所述波形显示器7包括但不限于电脑、示波器及半导体参数测试仪，在此不一一限定。

需要说明的是，在本实施例中，为了便于控制，所述被测模块3设置于所述器件供电和信号传输采集模块4上，所述器件供电和信号传输采集模块4设置于所述步进机台5上，以此实现所述被测模块3随所述步进机台5运动。在实际使用中，所述被测模块3与所述器件供电和信号传输采集模块4可分别设置于所述步进机台5上，或者仅所述被测模块3放置于所述步进机台5上，所述器件供电和信号传输采集模块4不设置于所述步进机台5上。

如图2所示，所述步进机台5控制所述被测模块3与所述脉冲激光辐射装置2做相对移动，进而实现脉冲激光对所述被测模块3的辐照扫描。

具体地，利用所述步进机台5实现所述测试模块3不同区域的激光辐照扫描测试，并在接收到所述控制模块6的触发信号时记录当前位置坐标。脉冲激光定位单粒子效应敏感区的基本原理是利用聚焦后的脉冲激光微束对测试器件进行逐点辐照，同时利用单粒子效应检测系统对测试器件是否发生相应的单粒子效应进行检测，这样就实现了单粒子效应信息与真实物理位置信息的匹配。

如图2所示，所述控制模块6连接所述脉冲激光辐射装置2、所述器件供电和信号传输采集模块4及所述步进机台5，用于提供控制信号。

所述测试系统的工作原理如下：

1)提供一具有SRAM存储单元11的被测模块3，将数据写入所述SRAM存储单元11，待器件供电和信号传输采集模块4的输出信号稳定后，将所述SRAM存储单元11配置为保持状态。

具体地，将所述SRAM存储单元11的位线BL、反位线BLB以及字线WL通用缓冲器与焊盘相连接，将所述SRAM存储单元11的数据存储结点Q(或者QB)与所述测试单元12中的开关SW的栅极相连接。基于所述器件供电和信号传输采集模块4将所述SRAM存储单元11的字线WL和位线BL设置为高电平(VDD)，反位线BLB设置为低电平(GND)，以此将逻辑1写入SRAM存储单元11中，此时，所述第一存储节点Q为高电平，所述第二存储节点QB为低电平，所述开关SW关断，所述振荡器不发生振荡，维持一段时间，保证所述第四焊盘Pad4没有振荡信号输出后(输出单一电平或无输出信号)，将所述字线WL、位线BL和反位线BLB均设置为低电平(GND)，此时所述SRAM存储单元11进入保持状态(Holdstate)。

需要说明的是，写入所述SRAM存储单元11的数据也可以是逻辑0，此时，所述振荡器输出均匀的振荡波形时，认为所述器件供电和信号传输采集模块4的输出信号稳定。

需要说明的是，所述开关SW也可以在低点平时导通，逻辑与高电平是导通相反，只要能区分单粒子翻转前后的不同状态即可。

2)开启脉冲激光辐射装置2，移动所述被测模块3，脉冲激光对所述被测模块3进行逐点辐照。

具体地，所述脉冲激光辐射装置2在所述控制模块6的触发下开启，并输出脉冲激光，所述步进机台5在所述控制模块6的控制下移动，实现所述脉冲激光对所述被测模块3的逐点辐射。

3)当所述器件供电和信号传输采集模块4的输出信号改变时，检测到单粒子翻转。

具体地，通过所述第四焊盘Pad4获得输出信号，基于输出信号的波形判断有无单粒子翻转现象发生。在本实施例中，若所述器件供电和信号传输采集模块4的输出信号为振荡波形，则表示所述脉冲激光辐照的位置发生单粒子翻转效应。

需要说明的是，在其他情况下，所述器件供电和信号传输采集模块4的输出信号从有振荡信号到无振荡信号表示所述脉冲激光辐照的位置发生单粒子翻转效应，在此不一一赘述。

4)检测到单粒子翻转后，基于发生单粒子翻转的辐射位置、脉冲激光的光斑大小、脉冲激光的波长及脉冲激光的功率分析SRAM存储单元11的单粒子翻转敏感区域或评估单粒子能量阈值。

具体地，将单粒子效应信息、物理位置坐标及脉冲激光能量匹配起来，通过图形绘制得到所述SRAM存储阵列的二维敏感区分布图形，进而分析所述SRAM存储阵列的单粒子翻转敏感区域以及对单粒子能量阈值进行评估。在准确获得所述测试模块3单粒子效应的敏感度与物理位置关系的基础上，结合器件结构和版图，可对单粒子翻转机理开展深入研究，进而有针对性地采取抗辐照加固措施。脉冲激光容易聚焦成微米量级的微束，配合亚微米的精密电动移动台，可对器件的不同区域进行单粒子效应测试。脉冲激光模拟单粒子效应试验技术以其准确定位单粒子翻转的优势，能够准确获得单粒子翻转敏感区的分布情况，这为深入研究提供了非常有效的手段。

本发明的SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路及测试系统结构简单、试验费用低，通过测试机台对SRAM阵列进行信号配置及辐照扫描，以此获得单粒子翻转的发生位置、脉冲激光的光斑大小、脉冲激光的波长及脉冲激光的功率，进而分析SRAM存储单元的单粒子翻转敏感区域及评估单粒子能量阈值，将设计好的SRAM存储单元与控制电路、选址电路和读写电路配合后，可以高效的设计SRAM模块，大大缩减研究周期。

综上所述，本发明提供一种SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法，包括：发射脉冲激光的脉冲激光辐射装置；设置于步进机台上的被测模块，与脉冲激光辐射装置的激光出射口相对，包括SRAM存储单元；与被测模块连接的器件供电和信号传输采集模块，用于为所述SRAM存储单元提供电源，并检测所述SRAM存储单元中的单粒子翻转效应，包括测试单元。提供一具有SRAM存储单元的被测模块，将数据写入所述SRAM存储单元，待器件供电和信号传输采集模块的输出信号稳定后，将所述SRAM存储单元配置为保持状态；开启脉冲激光辐射装置，移动所述被测模块，脉冲激光对所述被测模块进行逐点辐照；当所述器件供电和信号传输采集模块的输出信号改变时，检测到单粒子翻转。本发明结构简单、试验费用低；通过测试机台对SRAM阵列进行信号配置及辐照扫描，以此获得单粒子翻转的发生位置、脉冲激光的光斑大小、脉冲激光的波长及脉冲激光的功率，进而分析SRAM存储单元的单粒子翻转敏感区域及评估单粒子能量阈值，将设计好的SRAM存储单元与控制电路、选址电路和读写电路配合后，可以高效的设计SRAM模块，大大缩减研究周期。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (13)

1.一种SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路，其特征在于，所述SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路至少包括：

SRAM存储单元及测试单元；

其中，所述测试单元连接于所述SRAM存储单元的存储节点，用于检测所述SRAM存储单元中的单粒子翻转效应。

2.根据权利要求1所述的SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路，其特征在于：所述SRAM存储单元包括4T SRAM存储单元、6T SRAM存储单元、7T SRAM存储单元或8T SRAM存储单元。

3.根据权利要求1所述的SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路，其特征在于：所述测试单元包括振荡器及开关；所述开关连接于所述振荡器的振荡环路上，或连接于所述振荡器的输出端；所述开关的控制端连接所述SRAM存储单元的存储节点。

4.根据权利要求3所述的SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路，其特征在于：所述振荡器包括环形振荡器。

5.根据权利要求3所述的SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路，其特征在于：所述开关包括PMOS管或NMOS管。

6.一种基于权利要求1～5任意一项所述的SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路的测试系统，其特征在于，所述测试系统至少包括：

脉冲激光辐射装置、被测模块、器件供电和信号传输采集模块及步进机台；

所述脉冲激光辐射装置发射脉冲激光；

所述被测模块设置于所述步进机台上，与所述脉冲激光辐射装置的激光出射口相对，所述被测模块包括SRAM存储单元；

所述器件供电和信号传输采集模块与所述被测模块连接，包括测试单元；所述器件供电和信号传输采集模块用于为所述SRAM存储单元提供电源，并检测所述SRAM存储单元中的单粒子翻转效应。

7.根据权利要求6所述的测试系统，其特征在于：所述测试系统还包括控制模块，所述控制模块连接所述脉冲激光辐射装置、所述器件供电和信号传输采集模块及所述步进机台，用于提供控制信号。

8.根据权利要求6所述的测试系统，其特征在于：所述测试系统还包括连接于所述器件供电和信号传输采集模块输出端的波形显示器。

9.根据权利要求8所述的测试系统，其特征在于：所述波形显示器包括电脑、示波器或半导体参数测试仪。

10.一种如权利要求6～9任意一项所述的测试系统的测试方法，其特征在于，所述测试方法至少包括：

提供一具有SRAM存储单元的被测模块，将数据写入所述SRAM存储单元，待器件供电和信号传输采集模块的输出信号稳定后，将所述SRAM存储单元配置为保持状态；

开启脉冲激光辐射装置，移动所述被测模块，脉冲激光对所述被测模块进行逐点辐照；

当所述器件供电和信号传输采集模块的输出信号改变时，检测到单粒子翻转。

11.根据权利要求10所述的测试方法，其特征在于：当所述SRAM存储单元中未发生单粒子翻转时，所述器件供电和信号传输采集模块输出振荡信号；当所述SRAM存储单元中发生单粒子翻转时，所述器件供电和信号传输采集模块输出单一电平或无输出信号。

12.根据权利要求10所述的测试方法，其特征在于：当所述SRAM存储单元中未发生单粒子翻转时，所述器件供电和信号传输采集模块输出单一电平或无输出信号；当所述SRAM存储单元中发生单粒子翻转时，所述器件供电和信号传输采集模块输出振荡信号。

13.根据权利要求10所述的测试方法，其特征在于：检测到单粒子翻转后，基于发生单粒子翻转的辐射位置、脉冲激光的光斑大小、脉冲激光的波长及脉冲激光的功率分析SRAM存储单元的单粒子翻转敏感区域或评估单粒子能量阈值。