CN109491152B - 像素电极结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提出一种像素电极结构。所述像素电极结构包括：十字主干电极，所述十字主干电极包括第一主干电极与第二主干电极，所述第一主干电极与所述第二主干电极相交而呈十字形状；分支电极，所述分支电极从所述十字主干电极延伸在所述十字形状的对角线方向上；及侧边主干电极，所述侧边主干电极连接至所述第一主干电极或第二主干电极的端点，而与所述第二主干电极或所述第一主干电极平行；其中在所述侧边主干电极连接至所述第一主干电极或第二主干电极的端点的位置处于所述侧边主干电极的非狭缝侧具有缺口。

Description

像素电极结构
技术领域
本发明涉及显示器的技术领域，特别涉及一种像素电极结构。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，如：液晶电视、计算机屏幕、笔记本电脑屏幕、移动电话或数字相机等。
图1显示根据现有技术设置在液晶显示装置中的像素电极结构的平面图。像素电极结构会决定液晶分子的取向方向及LCD的穿透率。
为了解决LCD从前面看与从侧面看的两者显示亮度不同的问题，每个像素可以被分成两个子像素10、20，并且不同的电压可以分别被施加至两个子像素10、20。
另外，为了实现宽视角，可以在液晶显示器的每个像素或每个子像素中形成液晶分子取向方向彼此不同的多个区域11、12、13、14、21、22、23、24。又，可以在像素电极中形成狭缝(slit)，以控制液晶分子90的长轴的取向方向。
然而，请参照图2，图2为图1中A区域的放大图。对于在十字主干电极(cross trunkelectrode)30与侧边主干电极(side trunk electrode)40的交界处的狭缝(slit)51而言，例如对于最靠近交界处的狭缝51而言，由于所欲形成的狭缝51的尺寸甚小，再加上图案化工艺限制，难以通过图案化而实现获得如图2所示具有三角形形状的狭缝51，甚至完全无法通过图案化而实现获得狭缝51。另外，此交界处的电场同时存在来自十字主干电极30与侧边主干电极40的驱动力。这些因素导致此交界处的液晶分子取向控制效果差，并使得此交界处产生暗纹，影响穿透率。
因此，有必要提供一种像素电极结构，以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种像素电极结构，以解决现有技术中存在的侧边主干电极与十字主干电极交界处的液晶分子取向控制效果差、暗纹问题、穿透率低的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种像素电极结构，其特征在于，其特征在于，包括：
十字主干电极，所述十字主干电极包括第一主干电极与第二主干电极，所述第一主干电极与所述第二主干电极相交而呈十字形状；
分支电极，所述分支电极从所述十字主干电极延伸在所述十字形状的对角线方向上；及
侧边主干电极，所述侧边主干电极连接至所述第一主干电极或第二主干电极的端点，而与所述第二主干电极或所述第一主干电极平行；
其中在所述侧边主干电极连接至所述第一主干电极或第二主干电极的端点的位置处于所述侧边主干电极的非狭缝侧具有缺口。
根据本发明一优选实施例，所述侧边主干电极包括第三主干电极与第四主干电极；所述第三主干电极与所述第四主干电极分别连接至所述第一主干电极的两端点，而与所述第二主干电极平行；及
在所述第三主干电极与所述第四主干电极连接至所述第一主干电极的端点的位置处于所述第三主干电极与所述第四主干电极的非狭缝侧具有缺口。
根据本发明一优选实施例，所述侧边主干电极更包括第五主干电极，所述第五主干电极连接至所述第二主干电极的端点，而与所述第一主干电极平行；及
在所述第五主干电极连接至所述第二主干电极的端点的位置处于所述第五主干电极的非狭缝侧具有缺口。
根据本发明一优选实施例，所述缺口的形状相对于所述侧边主干电极的延伸方向的法线是对称的。
根据本发明一优选实施例，所述缺口的形状为三角形、梯形或半圆形。
根据本发明一优选实施例，所述十字主干电极具有线宽CD1，所述侧边主干电极具有线宽CD2，所述缺口具有高度CD3，所述缺口具有宽度CD4；及CD3大于或等于CD2。
根据本发明一优选实施例，所述十字主干电极的线宽CD1为介于4微米与8微米之间，所述侧边主干电极的线宽CD2为介于2微米与4微米之间，所述缺口的高度CD3为大于或等于2微米，所述缺口的宽度CD4为大于或等于1微米。
根据本发明一优选实施例，所述分支电极的延伸方向与所述侧边主干电极的延伸方向之间的夹锐角为α，α＝45°。
根据本发明一优选实施例，所述缺口的一边与所述侧边主干电极的延伸方向之间的夹锐角为β，β介于α+15°与α-15°之间。
本发明还提供一种液晶显示装置，其特征在于，至少包括上述所述的像素电极结构。
相较于现有技术，本发明提出一种像素电极结构，通过使得在侧边主干电极连接至十字主干电极的端点的位置处于侧边主干电极的非狭缝侧形成有缺口，可解决现有技术中存在的侧边主干电极与十字主干电极交界处的液晶分子取向控制效果差、暗纹问题、穿透率低的技术问题。
附图说明
图1显示根据现有技术设置在液晶显示装置中的像素电极结构的平面图。
图2为图1中A区域的放大图。
图3显示根据本发明实施例设置在液晶显示装置中的像素电极结构的平面图。
图4为图3中B区域的放大图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
请参照图3与图4。图3显示根据本发明实施例设置在LCD中的像素电极结构的平面图。图4为图3中B区域的放大图。
本发明实施例的像素电极结构包括十字主干电极(cross trunk electrode)300、分支电极(branch electrode)600及侧边主干电极(side trunk electrode)400。所述十字主干电极300包括第一主干电极310与第二主干电极320，所述第一主干电极310与所述第二主干电极320相交而呈十字形状。
所述侧边主干电极400可以包括第三主干电极410与第四主干电极420，所述第三主干电极410与所述第四主干电极420分别连接至所述第一主干电极310的两端点，而与所述第二主干电极320平行。
所述侧边主干电极400可以更包括第五主干电极430，所述第五主干电极430连接至所述第二主干电极320的端点，而与所述第一主干电极310平行。
所述分支电极600从所述十字主干电极300延伸在所述十字形状的对角线方向上。所述侧边主干电极400连接至所述第一主干电极310或第二主干电极320的端点，而与所述第二主干电极320或所述第一主干电极310平行。例如，当所述侧边主干电极400(即所述侧边主干电极400的第三主干电极410与第四主干电极420)连接至所述第一主干电极310的端点时，所述侧边主干电极400(即所述侧边主干电极400的第三主干电极410与第四主干电极420)与所述第二主干电极320平行。又例如，当所述侧边主干电极400(即所述侧边主干电极400的第五主干电极430)连接至所述第二主干电极320的端点时，所述侧边主干电极400(即所述侧边主干电极400的第五主干电极430)与所述第一主干电极310平行。根据本发明实施例，在所述侧边主干电极400连接至所述第一主干电极310或所述第二主干电极320的端点的位置处于所述侧边主干电极400的非狭缝侧形成有缺口700。亦即，在所述第三主干电极410与所述第四主干电极420分别连接至所述第一主干电极310的两端点的位置处于所述第三主干电极410与所述第四主干电极420的非狭缝侧形成有缺口700；在所述第五主干电极430连接至所述第二主干电极320的端点的位置处于所述第五主干电极430的非狭缝侧形成有缺口700。
在一优选实施例中，所述缺口700的形状相对于所述侧边主干电极400的延伸方向的法线是对称的。例如，如图4所示，所述缺口700的形状相对于所述侧边主干电极400的第五主干电极430的延伸方向的法线是对称的。
在一优选实施例中，所述缺口700的形状为三角形、梯形或半圆形。例如，如图4所示，所述缺口700为具有三角形形状的缺口700。
然而，本发明的侧边主干电极400的结构不限于此，可以根据产品需要与画面显示品质，而将本发明的侧边主干电极400形成为具有适当结构。举例而言，侧边主干电极400可以仅包括第三主干电极410与第四主干电极420，而不包括第五主干电极430。或者，侧边主干电极400可以包括第三主干电极410、第四主干电极420与第五主干电极430。可以了解的是，只要侧边主干电极400连接至所述第一主干电极310或第二主干电极320的端点，而使得交界处形成T形即可；通过使得在侧边主干电极连接至所述第一主干电极或第二主干电极的端点的位置处于侧边主干电极的非狭缝侧形成有缺口，可改善现有技术中存在的交界处的液晶分子取向控制效果差、暗纹问题、穿透率低的技术问题。
在一优选实施例中，所述十字主干电极300(例如第二主干电极320，如图4所示)具有线宽CD1，所述侧边主干电极400(例如第五主干电极430，如图4所示)具有线宽CD2，所述缺口700具有高度CD3，所述缺口700具有宽度CD4。为了获得更优的液晶分子取向控制效果，CD3大于或等于CD2。
在一优选实施例中，所述十字主干电极的线宽CD1为介于4微米与8微米之间，所述侧边主干电极的线宽CD2为介于2微米与4微米之间，所述缺口的高度CD3为大于或等于2微米，所述缺口的宽度CD4为大于或等于1微米。
如图4所示，通过使得在侧边主干电极400连接至所述第一主干电极310或第二主干电极320的端点的位置处于侧边主干电极400的非狭缝侧形成有缺口700，液晶分子90的取向方向可以良好地受到控制。在一优选实施例中，所述分支电极600的延伸方向与所述侧边主干电极400(例如图4所示的第五主干电极430)的延伸方向之间的夹锐角为α，α＝45°。为了获得更优的液晶分子取向控制效果，所述缺口的一边与所述侧边主干电极(例如图4所示的第五主干电极430)的延伸方向之间的夹锐角为β，β介于α+15°与α-15°之间。更优地，β＝α。
在一优选实施例中，液晶显示装置的每个像素可以具有两个子像素10、20，每个子像素10、20均具有如上所述的像素电极结构。
在一优选实施例中，本发明的像素电极是一透明像素电极，例如由铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)形成。
本发明还提供一种液晶显示装置，所述液晶显示装置至少包括如上所述的像素电极结构。
相较于现有技术，本发明提出一种像素电极结构，通过使得在侧边主干电极连接至十字主干电极的端点的位置处于侧边主干电极的非狭缝侧形成有缺口，可解决现有技术中存在的侧边主干电极与十字主干电极交界处的液晶分子取向控制效果差、暗纹问题、穿透率低的技术问题。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (9)

1.一种像素电极结构，其特征在于，包括：
十字主干电极，包括第一主干电极与第二主干电极，其中所述第一主干电极与所述第二主干电极相交而呈十字形状；
多个分支电极，从所述十字主干电极延伸在所述十字形状的对角线方向上；及
至少一个侧边主干电极，其中每个侧边主干电极连接至所述第一主干电极及所述第二主干电极中的一者的端点，且与另一者平行，每个侧边主干电极在连接至所述第一主干电极或所述第二主干电极的端点的位置处的非狭缝侧设有缺口，所述缺口的形状为三角形、梯形或半圆形，所述缺口在平行于对应的侧边主干电极的方向上的最大宽度小于或等于所述十字主干电极的线宽，以及所述缺口在垂直于其所在侧边主干电极的方向上的最大高度大于或等于其所在侧边主干电极的线宽。
2.根据权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述侧边主干电极包括第三主干电极与第四主干电极；所述第三主干电极与所述第四主干电极分别连接至所述第一主干电极的两端点，而与所述第二主干电极平行；及
在所述第三主干电极与所述第四主干电极连接至所述第一主干电极的端点的位置处，于所述第三主干电极与所述第四主干电极的非狭缝侧具有缺口。
3.根据权利要求2所述的像素电极结构，其特征在于，所述侧边主干电极更包括第五主干电极，所述第五主干电极连接至所述第二主干电极的端点，而与所述第一主干电极平行；及
在所述第五主干电极连接至所述第二主干电极的端点的位置处，于所述第五主干电极的非狭缝侧具有缺口。
4.根据权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述缺口的形状相对于所述侧边主干电极的延伸方向的法线是对称的。
5.根据权利要求4所述的像素电极结构，其特征在于，所述分支电极的延伸方向与所述侧边主干电极的延伸方向之间的夹锐角为α，所述缺口的一边与所述侧边主干电极的延伸方向之间的夹锐角为β，β介于α+15°与α-15°之间。
6.根据权利要求5所述的像素电极结构，其特征在于，β大于α。
7.根据权利要求5所述的像素电极结构，其特征在于，β小于α。
8.根据权利要求5所述的像素电极结构，其特征在于，α＝45°。
9.一种液晶显示装置，其特征在于，至少包括如权利要求1至8中任一项所述的像素电极结构。
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