CN109462328B

CN109462328B - 一种具有多种输入保护功能的低损耗双向开关电路

Info

Publication number: CN109462328B
Application number: CN201811277142.7A
Authority: CN
Inventors: 佟强; 姚双伟; 张东来; 邢浩江
Original assignee: Shenzhen Aerospace New Power Technology Ltd
Current assignee: Shenzhen Aerospace New Power Technology Ltd
Priority date: 2018-10-30
Filing date: 2018-10-30
Publication date: 2020-09-08
Anticipated expiration: 2038-10-30
Also published as: CN109462328A

Abstract

本发明提供了一种具有多种输入保护功能的低损耗双向开关电路，Vin输入端通过双向开关与Vout输出端连接；所述双向开关的第一开关端通过正反向输入供电电路与欠压保护电路连接，所述欠压保护电路分别与过压保护电路、外置开关机电路连接；所述双向开关的第二开关端与过流保护电路连接；所述欠压保护电路、过压保护电路、过流保护电路与AND电路连接，所述AND电路通过隔离驱动电路与双向开关的两个基极连接；所述正反向输入反接保护电路分别与双向开关的两个开关端连接。本发明的技术方案具有双向输入保护功能，并且包含多重保护功能，还具有通断切换延时短、导通阻抗小、使用寿命长等特点，可广泛地应用于双向直流变换技术领域。

Description

一种具有多种输入保护功能的低损耗双向开关电路

技术领域

本发明属于电子电路技术领域，尤其涉及一种具有多种输入保护功能的低损耗双向开关电路，具体涉及直流系统中一种具有多种输入保护功能且能量可双向流动的开关电路。

背景技术

随着我国经济的迅速发展，直流用电负荷容量也逐渐增加，其中不乏一些低压大电流或高压大电流的用电需求。然而这类大容量直流短路电流的开断会随着电压和电流的增加而变得异常困难，市面上多使用直流接触器(如继电器)配合半导体器件来构建双向开关电路。这类电路通过控制半导体器件和继电器的开关时序来实现高压大电流回路的双向通断，并避免通断瞬间的高压拉弧，如专利CN201711129957.6所述。然而由于继电器关断延时长、导通损耗大等缺点，此类双向开关电路在一些对于通断切换时间要求严格、需过大电流的电路系统中仍无法使用。并且继电器触头容易机械失效，这也会限制此类电路的使用寿命。

由于理想二极管电路导通阻抗小、转换效率高、切换延时短等优点，市面上也有使用两个MOSFET对接来搭建的双向开关电路。随着新能源使用的推广，此类双向开关电路广泛使用于电池的充放电电路系统中。但是使用者多只在电路系统中增加恒压或恒流充电电路来控制电池的充电方式，并未增加保护电路对整体电路进行保护。

由于电路缺少完善的保护功能，使用中多发生输入过压、过流或者输入端电池反接而造成电路损坏的现象。并且由于上述双向开关电路架构单一，使用灵活性较差，这也限制了整套电路的使用范围及其适用性。

发明内容

针对以上技术问题，本发明公开了一种具有多种输入保护功能的低损耗双向开关电路，具有多种双向输入保护功能，且可双向通断。

对此，本发明采用的技术方案为：

一种具有多种输入保护功能的低损耗双向开关电路，其包括双向开关、正反向输入供电电路、正反向输入反接保护电路、隔离驱动电路、AND电路、欠压保护电路、过压保护电路、过流保护电路、外置开关机电路；Vin输入端通过双向开关与Vout输出端连接；所述双向开关的第一开关端通过正反向输入供电电路与欠压保护电路连接，所述欠压保护电路分别与过压保护电路、外置开关机电路连接；所述双向开关的第二开关端与过流保护电路连接；所述欠压保护电路、过压保护电路、过流保护电路与AND电路连接，所述AND电路通过隔离驱动电路与双向开关的两个基极连接；所述正反向输入反接保护电路分别与双向开关的两个开关端连接。其中，所述正反向输入供电电路通过辅助源电路及基准生成电路U0产生12V电压、5V电压、Vref1、Vref2分别给内部检测芯片或采样电路供电。

采用此技术方案，解决了市面现有的双向开关电路多采用单向供电，电路保护功能不完善且只能实现部分单向输入保护的问题，本发明的技术方案提出的开关电路具有双向输入保护功能。其中包含正反向输入过压保护、正反向输入欠压保护、正反向输入浪涌电压抑制、正反向输入防反接保护、正反向输入浪涌电流抑制、正反向输入过流保护及外置开关机功能。

作为本发明的进一步改进，所述正反向输入供电电路包括二极管D2、二极管D3和辅助源电路及基准生成电路U0，Vin输入端与二极管D2的正极、双向开关的第一开关端连接，所述二极管D2的负极与二极管D3的负极和辅助源连接，所述二极管D3的正极与Vout输出端连接。

作为本发明的进一步改进，所述双向开关包括互相连接的两个场效应管V1和V2，所述正反向输入反接保护电路包括比较器U4、比较器U6、三极管Q2、三极管Q3，所述场效应管V1的输出端与比较器U4的负极连接，比较器U4的正极接地，所述比较器U4的输出端与三极管Q2的B极连接，所述三极管Q2的C极与比较器U4的负极连接，所述三极管Q2的E极与隔离驱动电路U1的输出端、三极管Q3的C极连接，三极管Q3的E极与场效应管V2的输出端、比较器U6的负极连接，三极管Q3的B极与比较器U6的输出端连接，比较器U6的正极接地。

作为本发明的进一步改进，所述欠压保护电路包括电阻R2、电阻R3、比较器U2，所述二极管D2的负极通过电阻R1与电阻R2连接，所述电阻R2与电阻R3串联，所述电阻R1与电阻R2的连接端与比较器U2的正极连接，所述比较器U2的负极接地，所述比较器U2的输出端与AND电路连接，所述电阻R3接地。进一步的，所述R2的阻值大于R3的阻值。

作为本发明的进一步改进，所述过压保护电路包括比较器U3，所述比较器U2的负极与比较器U3的正极连接，所述比较器U3的负极分别与电阻R2、电阻R3连接，所述比较器U3的输出端与AND电路连接。

作为本发明的进一步改进，所述外置开关机电路包括MCU、电阻R4和三极管Q1，所述MC通过电阻R4与三极管Q1的B极连接，所述三极管Q1的C极与电阻R1、电阻R2的连接端连接，所述三极管Q1的E极接地。

作为本发明的进一步改进，所述过流保护电路包括比较器U5、运放U7、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R9A、电阻R10、电阻R11、稳压管D4A、过流保护元件，所述双向开关的第二开关端与电阻R6的一端连接，所述电阻R6的另一端与电阻R8的一端、电阻R7的一端连接，所述电阻R8的另一端与运放U7的正极、电阻R9连接，所述电阻R9与电阻R9A、稳压管D4A连接，所述电阻R9A与辅助源U0的5V输出端口连接，所述电阻R7的另一端与运放U7的负极、电阻R11的一端、电阻R10连接，所述电阻R10接地；所述电阻R11的另一端与运放U7的输出端连接，所述运放U7的输出端与比较器U5的负极连接，所述比较器U5的正极与过流保护元件连接后接地，所述比较器U5的输出端与AND电路连接。

进一步的，所述过流保护元件为保险丝或PTC。

作为本发明的进一步改进，Vin输入端与电容Cin、TVS管D1、双向开关的第一开关端连接，所述电容Cin、TVS管D1接地。

作为本发明的进一步改进，所述双向开关的第二开关端通过过流保护电路与电容Cout、TVS管D4和Vout输出端连接，所述电容Cout、TVS管D4接地。

作为本发明的进一步改进，所述双向开关包括场效应管V1和场效应管V2，所述场效应管V1的D极作为双向开关的第一开关端，所述场效应管V2的D极作为双向开关的第二开关端，所述场效应管V1的S极与场效应管V2的S极连接，所述场效应管V1的G极、场效应管V2的G极连接。

作为本发明的进一步改进，所述双向开关包括场效应管V1和场效应管V2，所述场效应管V1的S极作为双向开关的第一开关端，所述场效应管V2的S极作为双向开关的第二开关端，所述场效应管V1的D极与场效应管V2的D极连接，所述场效应管V1的G极、场效应管V2的G极连接。

作为本发明的进一步改进，所述双向开关包括第一双向开关和第二双向开关，所述第一双向开关包括场效应管V1和场效应管V2，所述第二双向开关包括场效应管V1’和场效应管V2’，所述包括场效应管V1、场效应管V2，所述场效应管V1的D极与场效应管V1’的D极连接并作为双向开关的第一开关端，所述场效应管V2的D极与场效应管V2’的D极连接并作为双向开关的第二开关端，所述场效应管V1的S极与场效应管V2的S极连接，所述场效应管V1’的S极与场效应管V2’的S极连接，所述场效应管V1的G极、场效应管V1’的G极、场效应管V2的G极、场效应管V2’的G极连接。

本发明的技术方案提出了一种新型的供电方式，通过两个二极管“与”的方式将输入电压和输出电压汇集到辅助源电路及基准生成电路U0。这样无论能量是从输入端经开关电路流到输出端，还是从输出端经开关电路流到输入端，辅助源电路均可为双向开关电路内部的检测电路进行供电，确保双向开关电路能正常工作。

本发明中介绍的双向开关电路，因为其利用理想二极管来实现开关切换，所以无论在低压大电流还是高压大电流的环境中使用，开关电路上的损耗均非常小。并且MOSFET的通断切换速度极快，完全适用于对通断切换时间有严格要求的场所。此外，该电路系统中具有完善的保护功能，当电路中出现电压或电流异常时，双向开关会立即断开，从而确保电路中各器件及与之连接的电路不会受损。

与现有技术相比，本发明的有益效果为：

采用本发明的技术方案，具有双向输入保护功能，其中包含正反向输入过压保护、正反向输入欠压保护、正反向输入浪涌电压抑制、正反向输入防反接保护、正反向输入浪涌电流抑制、正反向输入过流保护、外置开关机等功能；还具有通断切换延时短、导通阻抗小、使用寿命长等特点，可广泛地应用于双向直流变换技术领域。

附图说明

图1是本发明一种实施例的第一种双向开关形式的开关电路图。

图2是本发明一种实施例的第二种双向开关形式的电路图。

图3是本发明一种实施例的第三种双向开关形式的电路图。

具体实施方式

下面对本发明的较优的实施例作进一步的详细说明。

实施例1

如图1所示，一种具有多种输入保护功能的低损耗双向开关电路，其包括双向开关、正反向输入供电电路、正反向输入反接保护电路、隔离驱动电路、AND电路、欠压保护电路、过压保护电路、过流保护电路、外置开关机电路；Vin输入端通过双向开关与Vout输出端连接；所述双向开关的第一开关端通过正反向输入供电电路与欠压保护电路连接，所述欠压保护电路分别与过压保护电路、外置开关机电路连接；所述双向开关的第二开关端与过流保护电路连接；所述欠压保护电路、过压保护电路、过流保护电路与AND电路连接，所述AND电路通过隔离驱动电路与双向开关的两个基极连接；所述正反向输入反接保护电路分别与双向开关的两个开关端连接。

具体而言，如图1所示，所述双向开关包括场效应管V1和场效应管V2，所述场效应管V1的D极作为双向开关的第一开关端，所述场效应管V2的D极作为双向开关的第二开关端，所述场效应管V1的S极与场效应管V2的S极连接，所述场效应管V1的G极、场效应管V2的G极连接。

如图1所示，所述正反向输入供电电路包括二极管D2、二极管D3和辅助源电路及基准生成电路U0，Vin输入端与二极管D2的正极、双向开关的第一开关端连接，所述二极管D2的负极与二极管D3的负极连接并连接至辅助源电路及基准生成电路U0，所述二极管D3的正极与Vout输出端连接。

如图1所示，所述双向开关包括互相连接的两个场效应管V1和V2，所述正反向输入反接保护电路包括比较器U4、比较器U6、三极管Q2、三极管Q3，所述场效应管V1的输出端与比较器U4的负极连接，比较器U4的正极接地，所述比较器U4的输出端与三极管Q2的B极连接，所述三极管Q2的C极与比较器U4的负极连接，所述三极管Q2的E极与隔离驱动电路U1的输出端、三极管Q3的C极连接，三极管Q3的E极与场效应管V2的输出端、比较器U6的负极连接，三极管Q3的B极与比较器U6的输出端连接，比较器U6的正极接地。

如图1所示，所述欠压保护电路包括电阻R2、电阻R3、比较器U2，所述二极管D2的负极通过电阻R1与电阻R2连接，所述电阻R2与电阻R3串联，所述电阻R1与电阻R2的连接端与比较器U2的正极连接，所述比较器U2的负极接地，所述比较器U2的输出端与AND电路连接，所述电阻R3接地。

如图1所示，所述过压保护电路包括比较器U3，所述比较器U2的负极与比较器U3的正极连接，所述比较器U3的负极分别与电阻R2、电阻R3连接，所述比较器U3的输出端与AND电路连接。

如图1所示，所述外置开关机电路包括MCU、电阻R4和三极管Q1，所述MC通过电阻R4与三极管Q1的B极连接，所述三极管Q1的C极与电阻R1、电阻R2的连接端连接，所述三极管Q1的E极接地。

如图1所示，所述过流保护电路包括比较器U5、运放U7、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R9A、电阻R10、电阻R11、稳压管D4A、过流保护元件，所述双向开关的第二开关端与电阻R6的一端连接，所述电阻R6的另一端与电阻R8的一端、电阻R7的一端连接，所述电阻R8的另一端与运放U7的正极、电阻R9连接，所述电阻R9与电阻R9A、稳压管D4A连接，所述电阻R9A与辅助源U0的5V输出端口连接，所述电阻R7的另一端与运放U7的负极、电阻R11的一端、电阻R10连接，所述电阻R10接地；所述电阻R11的另一端与运放U7的输出端连接，所述运放U7的输出端与比较器U5的负极连接，所述比较器U5的正极与过流保护元件连接后接地，所述比较器U5的输出端与AND电路连接。

如图1所示，Vin输入端与电容Cin、TVS管D1、双向开关的第一开关端连接，所述电容Cin、TVS管D1接地。所述双向开关的第二开关端通过过流保护电路与电容Cout、TVS管D4和Vout输出端连接，所述电容Cout、TVS管D4接地。

利用上述器件，搭建出具有上述保护功能且可双向通断的开关电路，该电路还具有通断切换延时短、导通阻抗小、使用寿命长等特点，可广泛地应用于双向直流变换技术领域，工作原理如下：

工作模式1：

能量从Vin端口接入，经开关电路正向流通到Vout端口。其中能量经过二极管D2连接到电阻R1～R3。通过设定R1、R2和R3的阻值(其中R2>R3)来设定三个电阻上的分压。

随着输入电压逐渐增高，R2和R3上分得的电压逐渐增加，当比较器U2的正向输入端的电压高于其反向输入端Vref1提供的基准电压时，U2输出高电平(见公式1)；设定R2和R3的阻值，确保此时比较器U3的输出为高电平(见公式2)；U2和U3输出的高电平信号经过‘与’电路U8及隔离驱动电路U1，该信号经过U1隔离传输，连接到MOSFET V1和V2的栅极，从而确保V1和V2能饱和导通，这样能量就实现了从Vin端经过开关电路传递到Vout端。当输入电压降低时，R2和R3分得的电压也减小。当U2的正向输入端电压小于基准电压Vref1时，此时U2输出为低电平，U3输出为高电平(见公式4)。这一组高低电平经过‘与’电路U8后输出为低电平，该低电平通过隔离驱动电路U1连接到MOSFET V1和V2的栅极，此时V1和V2将关闭。这样电路就实现了正向导通时输入欠压保护功能。

当输入电压继续增加，则R2和R3上分得的电压也继续增加。当比较器U3的反向输入端电压高于其正向输入端的基准电压Vref1时，此时比较器U3输出为低电平，U2输出为高电平(见公式4)。U2输出的高电平信号和U3输出的低电平信号经过‘与’电路U8后输出为低电平信号，该低电平通过隔离驱动电路U1连接到MOSFET V1和V2的栅极，此时V1和V2将关闭。这样可实现电路正向导通时的过压保护功能。

当开关V1、V2均导通后，能量从Vin端口经过电流采样电阻R6接到输出端。通过采集R6两端的电压，将其经过运放输出连接到比较器U5的反向输入端，与基准电压Vref2进行比较(见公式5)。当流经R6的电流增大时，U5反向输入端的电压将增加，当该电压高于基准电压Vref2时，比较器U5输出为低电平，该低电平通过U8、U1接到MOSFET V1、V2的基极，从而将MOSFET关闭，电路进入正向过流保护。

(I×R₆)×A>Vref2 公式5

当电源的正负极反向接入到电路的Vin端口时，此时比较器U4输出为高电平，这样三极管Q2将导通，从而将MOSFET V1和V2的栅极接地，这样MOSFET将不会导通，此时开关开路处于开路状态。这样可实现电路正向输入时的反接保护。

正向输入，如果输出端连接有大容值电容，当开关管V1、V2导通时，会有大的浪涌电流流过开关电路，这会损坏电路中元器件。通过增加R5和C1来减缓开关管V1、V2的导通速度从而实现输入浪涌电流抑制。

因为在电路的Vin端口放置有双向TVS D1，当正向输入有瞬态高压接入时，TVS可将电压钳位为一个低电压，这样可避免瞬态高压对后续电路中的MOSFET等元器件造成损坏，确保电路可正常使用。

此外，该双向开关电路还可配合单片机进行外置开关机控制。当电路处于正常工作状态，此时单片机输出一个高电平到Q1的基极，此时Q1导通，从而将V2的正向输入端接地，此时U2输出低电平，MOSFET均关闭，整个开关电路处于断开状态。当单片机再次输出低电平到Q1的基极，此时Q1关闭，U2输出高电平，MOSFET饱和导通，整个开关电路又恢复原正向导通状态。

开关电路导通时，MOSFET V1和V2均饱和导通。这样即使有大电流流经整个开关电路时，电路的整体损耗就非常低，从而实现能量的高效率传输。

工作模式2：

能量从Vout端口进入，经开关电路反向流通到Vin端口，其中能量经过二极管D3连接到电阻R1～R3。通过设定R1、R2和R3的阻值来设定三个电阻上的分压来控制比较器U2和U3的输出电平，从而来控制MOSFET V1和V2的通断，从而设定开关电路的欠压保护点和过压保护点。这种控制方法与工作模式1中介绍的相同，这里就不再重复描述。

反向输入时，当开关V1、V2均导通后，能量从Vout端口经过电流采样电阻R6接到输入端。通过采集R6两端的电压，将其经过运放输出连接到比较器U5的反向输入端，与基准电压Vref2进行比较。当流经R6的电流增大时，U5反向输入端的电压将增加，当该电压高于基准电压Vref2时，比较器U5输出为低电平，该低电平通过U8、U1接到MOSFET V1、V2的基极，从而将MOSFET关闭，电路进入反向过流保护。

因为在电路的Vout端口也放置有双向TVS D4，当反向输入有瞬态高压接入时，TVS可将电压钳位为一个低电压，这样可避免瞬态高压对后续电路中的元器件造成损坏，确保电路可正常使用。

反向输入，当电源的正负极反向接入到电路的Vout端口时，此时比较器U6输出为高电平，这样三极管Q3将导通，从而将MOSFET V1和V2的栅极接地，这样MOSFET将不会导通，此时开关开路处于开路状态。这样可实现电路反向输入时的反接保护。

实施例2

如图2所示，在实施例1的基础上，本实施例中，所述场效应管V1的S极作为双向开关的第一开关端，所述场效应管V2的S极作为双向开关的第二开关端，所述场效应管V1的D极与场效应管V2的D极连接，所述场效应管V1的G极、场效应管V2的G极连接。

实施例3

如图3所示，在实施例1的基础上，本实施例中，所述双向开关包括第一双向开关和第二双向开关，所述第一双向开关包括场效应管V1和场效应管V2，所述第二双向开关包括场效应管V1’和场效应管V2’，所述包括场效应管V1、场效应管V2，所述场效应管V1的D极与场效应管V1’的D极连接并作为双向开关的第一开关端，所述场效应管V2的D极与场效应管V2’的D极连接并作为双向开关的第二开关端，所述场效应管V1的S极与场效应管V2的S极连接,所述场效应管V1’的S极与场效应管V2’的S极连接，所述场效应管V1的G极、场效应管V1’的G极、场效应管V2的G极、场效应管V2’的G极连接。

该发明中电路架构灵活可变、适用性强；整体电路元器件较少、成本低；并且电路具有完善的保护功能。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims

1.一种具有多种输入保护功能的低损耗双向开关电路，其特征在于：其包括双向开关、正反向输入供电电路、正反向输入反接保护电路、隔离驱动电路、AND电路、欠压保护电路、过压保护电路、过流保护电路、外置开关机电路；Vin输入端通过双向开关与Vout输出端连接；所述双向开关的第一开关端通过正反向输入供电电路与欠压保护电路连接，所述欠压保护电路分别与过压保护电路、外置开关机电路连接；所述双向开关的第二开关端与过流保护电路连接；所述欠压保护电路、过压保护电路、过流保护电路与AND电路连接，所述AND电路通过隔离驱动电路与双向开关的两个基极连接；所述正反向输入反接保护电路分别与双向开关的两个开关端连接;

所述正反向输入供电电路包括二极管D2、二极管D3和辅助源电路及基准生成电路U0，Vin输入端与二极管D2的正极、双向开关的第一开关端连接，所述二极管D2的负极与二极管D3的负极和辅助源连接，所述二极管D3的正极与Vout输出端连接。

2.根据权利要求1所述的具有多种输入保护功能的低损耗双向开关电路，其特征在于：所述双向开关包括互相连接的两个场效应管V1和V2，所述正反向输入反接保护电路包括比较器U4、比较器U6、三极管Q2、三极管Q3，所述场效应管V1的输出端与比较器U4的负极连接，比较器U4的正极接地，所述比较器U4的输出端与三极管Q2的B极连接，所述三极管Q2的C极与比较器U4的负极连接，所述三极管Q2的E极与隔离驱动电路U1的输出端、三极管Q3的C极连接，三极管Q3的E极与场效应管V2的输出端、比较器U6的负极连接，三极管Q3的B极与比较器U6的输出端连接，比较器U6的正极接地。

3.根据权利要求2所述的具有多种输入保护功能的低损耗双向开关电路，其特征在于：所述欠压保护电路包括电阻R2、电阻R3、比较器U2，所述二极管D2的负极通过电阻R1与电阻R2连接，所述电阻R2与电阻R3串联，所述电阻R1与电阻R2的连接端与比较器U2的正极连接，所述比较器U2的负极与辅助源电路及基准生成电路U0的Vrefl端连接，所述比较器U2的输出端与AND电路连接，所述电阻R3接地；所述R2的阻值大于R3的阻值。

4.根据权利要求3所述的具有多种输入保护功能的低损耗双向开关电路，其特征在于：所述过压保护电路包括比较器U3，所述比较器U2的负极与比较器U3的正极连接，所述比较器U3的负极分别与电阻R2、电阻R3连接，所述比较器U3的输出端与AND电路连接。

5.根据权利要求4所述的具有多种输入保护功能的低损耗双向开关电路，其特征在于：所述外置开关机电路包括MCU、电阻R4和三极管Q1，所述MCU通过电阻R4与三极管Q1的B极连接，所述三极管Q1的C极与电阻R1、电阻R2的连接端连接，所述三极管Q1的E极接地。

6.根据权利要求4所述的具有多种输入保护功能的低损耗双向开关电路，其特征在于：

所述过流保护电路包括比较器U5、运放U7、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R9A、电阻R10、电阻R11、稳压管D4A、过流保护元件，所述双向开关的第二开关端与电阻R6的一端连接，所述电阻R6的一端与电阻R8的一端连接，所述电阻R6的另一端电阻R7的一端连接，所述电阻R8的另一端与运放U7的正极、电阻R9连接，所述电阻R9与电阻R9A、稳压管D4A连接，所述电阻R9A与辅助源U0的5V输出端口连接，所述电阻R7的另一端与运放U7的负极、电阻R11的一端、电阻R10连接，所述电阻R10接地；所述电阻R11的另一端与运放U7的输出端连接，所述运放U7的输出端与比较器U5的负极连接，所述比较器U5的正极与过流保护元件连接后接地，所述比较器U5的输出端与AND电路连接。

7.根据权利要求1所述的具有多种输入保护功能的低损耗双向开关电路，其特征在于：Vin输入端与电容Cin、TVS管D1、双向开关的第一开关端连接，所述电容Cin、TVS管D1接地。

8.根据权利要求7所述的具有多种输入保护功能的低损耗双向开关电路，其特征在于：所述双向开关的第二开关端通过过流保护电路与电容Cout、TVS管D4和Vout输出端连接，所述电容Cout、TVS管D4接地。

9.根据权利要求1~8任意一项所述的具有多种输入保护功能的低损耗双向开关电路，其特征在于：所述双向开关包括第一双向开关和第二双向开关，所述第一双向开关包括场效应管V1和场效应管V2，所述第二双向开关包括场效应管V1’和场效应管V2’，所述场效应管V1的D极与场效应管V1’的D极连接并作为双向开关的第一开关端，所述场效应管V2的D极与场效应管V2’的D极连接并作为双向开关的第二开关端，所述场效应管V1的S极与场效应管V2的S极连接, 所述场效应管V1’的S极与场效应管V2’的S极连接，所述场效应管V1的G极、场效应管V1’的G极、场效应管V2的G极、场效应管V2’的G极连接。