CN109451252A - 紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片 - Google Patents

紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片 Download PDF

Info

Publication number
CN109451252A
CN109451252A CN201811292306.3A CN201811292306A CN109451252A CN 109451252 A CN109451252 A CN 109451252A CN 201811292306 A CN201811292306 A CN 201811292306A CN 109451252 A CN109451252 A CN 109451252A
Authority
CN
China
Prior art keywords
terahertz
image sensor
pixel array
thz wave
sensor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811292306.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109451252B (zh
Inventor
方桐
刘力源
刘剑
吴南健
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of Semiconductors of CAS
Original Assignee
Institute of Semiconductors of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Semiconductors of CAS filed Critical Institute of Semiconductors of CAS
Priority to CN201811292306.3A priority Critical patent/CN109451252B/zh
Publication of CN109451252A publication Critical patent/CN109451252A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109451252B publication Critical patent/CN109451252B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

本发明提供了一种紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片，涉及太赫兹波探测技术领域。该芯片包括：太赫兹像素阵列为CMOS工艺中的若干层金属；列并行读出电路、电源偏置电路和数字逻辑控制模块均置于所述太赫兹像素阵列的下方，且采用置于所述太赫兹像素阵列下方的CMOS工艺中的若干层金属作为互连线。本发明提供了一种紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片，大大提高了太赫兹阵列图像传感器的集成度，解决了读出电路占用芯片面积过大的问题，减小了芯片整体面积，为大规模阵列图像传感器打下基础。

Description

紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片
技术领域
本发明涉及太赫兹波探测技术领域，尤其地涉及一种紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片。
背景技术
太赫兹波是指频率在0.1THz～10THz范围内的电磁波，其波段位于毫米波和红外光之间。太赫兹波具有许多独特的性质，在安全检查、生物医学成像、质量监控及无损探测等领域具有巨大的应用前景，目前基于CMOS工艺的太赫兹波阵列图像传感器，像素阵列较大时用于处理信号的读出电路面积也会变大，芯片整体面积会过大，流片费用会比较昂贵。
发明内容
(一)要解决的技术问题
鉴于上述技术问题，本发明提出了一种紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片以至少部分解决上述技术问题。
(二)技术方案
根据本发明的一方面，提供一种紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片，其特征在于，包括：
太赫兹像素阵列，用于接收太赫兹波信号；
列并行读出电路，用于将所述太赫兹像素阵列中列像素输出的模拟信号进行放大并转换为数字信号；
电源偏置电路，用于给所述太赫兹像素阵列和读出电路提供偏置电压和偏置电流；
数字逻辑控制模块，用于给读出电路提供参数配置以及控制像素阵列的行选时间以实现不同的成像帧率；
其中，所述列并行读出电路、电源偏置电路和数字逻辑控制模块均置于所述太赫兹像素阵列的下方，且采用置于所述太赫兹像素阵列下方的CMOS工艺中的若干层金属作为互连线。
在进一步的实施方案中，所述太赫兹像素阵列的像素包括：片上天线、场效应晶体管、匹配网络、陷波滤波器和行选择管；其中，所述场效应晶体管的源极通过所述匹配网络与所述片上天线相连接，所述场效应晶体管的栅极加载所述陷波滤波器，所述场效应晶体管的漏极与所述行选择管相连接。
在进一步的实施方案中，所述片上天线为贴片天线、蝶形天线、环形天线或偶极子天线。
在进一步的实施方案中，所述片上天线是CMOS工艺中的顶层金属，所述片上天线包括辐射贴片和微带线，且所述微带线与所述辐射贴片和所述场效应晶体管的源极相连接。
在进一步的实施方案中，所述太赫兹像素阵列包括接地平面，所述接地平面位于所述太赫兹像素阵列的底部。
在进一步的实施方案中，所述列并行读出电路包括数列读出电路，且每一列读出电路均包括：放大器，用于将太赫兹像素阵列中列像素输出的模拟信号进行放大；模数转换器，用于将放大器放大后的模拟信号转换为数字信号。
在进一步的实施方案中，所述放大器为斩波放大器；所述模数转换器为过采样型模数转换器。
在进一步的实施方案中，所述太赫兹像素阵列为CMOS工艺中的若干层金属。
在进一步的实施方案中，所述的紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片，还包括衬底，位于所述芯片的底部。
(三)有益效果
从上述技术方案可以看出，本发明紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片具有以下有益效果：
(1)本发明提供的紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片，用于接收太赫兹波信号的太赫兹像素阵列由CMOS工艺中的较高层金属构成，读出电路、数字逻辑控制模块及电源偏置电路，置于太赫兹像素阵列的下方，使用CMOS工艺中的较低层金属作为互连线，大大提高了太赫兹阵列图像传感器的集成度，能有效减小芯片面积，减少研发所需要的流片费用，也便于进行大批量生产。
附图说明
图1为本发明实施例紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片的结构示意图；
图2为本发明实施例紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片像素单元及读出电路结构示意图；
图3为本发明实施例紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片的剖面结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。
本发明的实施例于后方将参照所附附图做更全面性地描述，其中一些但并非全部的实施例将被示出。实际上，本发明的各种实施例可以许多不同形式实现，而不应被解释为限于此数所阐述的实施例；相对地，提供这些实施例使得本发明满足适用的法律要求。
根据本发明的一个实施例，提供一种紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片，包括太赫兹像素阵列，用于接收太赫兹波信号；
列并行读出电路，用于将所述太赫兹像素阵列中列像素输出的模拟信号进行放大并转换为数字信号；
电源偏置电路，用于给所述太赫兹像素阵列和读出电路提供偏置电压和偏置电流；
数字逻辑控制模块，用于给读出电路提供参数配置以及控制像素阵列的行选时间以实现不同的成像帧率；
其中，所述列并行读出电路、电源偏置电路和数字逻辑控制模块均置于所述太赫兹像素阵列的下方，且采用置于所述太赫兹像素阵列下方的CMOS工艺中的若干层金属作为互连线。通常工作在太赫兹波频率下的天线，其尺寸至少在几十微米以上，比如贴片天线或者蝶形天线等，使用上述天线组成天线阵列时，阵列的面积会比较大，加上读出电路和数字逻辑处理模块等芯片的面积会更大。在本实施例中，所述太赫兹像素阵列为CMOS工艺中的若干层金属。在CMOS工艺中通常有多层金属作为互连线，在不影响像素性能或者稍微降低像素性能的前提下，使用较高层的金属构成像素阵列，较低层的金属为列并行读出电路、数字逻辑控制模块及电源偏置电路布线使用，芯片整体布局是：芯片上层是用于探测太赫兹波的像素阵列，下层是用于信号读出及控制电路，芯片的总面积最小情况下即为像素阵列的面积。如此设计，大大提高了太赫兹阵列图像传感器的集成度，解决了读出电路占用芯片面积过大的问题，减小了芯片整体面积。在本实施例中，所述太赫兹像素阵列的像素包括：片上天线、场效应晶体管、匹配网络、陷波滤波器、行选择管；其中，所述场效应晶体管的源极通过所述匹配网络与所述片上天线相连接，所述场效应晶体管的栅极加载所述陷波滤波器，所述场效应晶体管的漏极与所述行选择管相连接。优选地，所述片上天线为贴片天线、蝶形天线、环形天线或偶极子天线。
在本实施例中，所述片上天线是CMOS工艺中的顶层金属，所述片上天线包括辐射贴片和微带线，且所述微带线与所述辐射贴片和所述场效应晶体管的源极相连接。所述太赫兹像素阵列包括接地平面，所述接地平面位于所述太赫兹像素阵列的底部。
在本实施例中，所述列并行读出电路包括数列读出电路，且每一列读出电路均包括：放大器，用于将太赫兹像素阵列中列像素输出的模拟信号进行放大；模数转换器，用于将放大器放大后的模拟信号转换为数字信号。优选地，所述放大器为斩波放大器；所述模数转换器为过采样型模数转换器。
在本实施例中，所述紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片还包括衬底，位于所述芯片的底部。
接下来，以工作在3THz频率下的太赫兹图像传感器芯片为一个示例性实施例，对本发明进一步详细说明。
图1为本发明实施例紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片的结构示意图，如图1所示，本发明紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片将太赫兹像素阵列、列并行读出电路、电源偏置电路、数字逻辑控制模集成在同一CMOS硅片上，使用65nm CMOS标准工艺，互连金属一共有九层。图1右边所示为一阵列规模为32×32的太赫兹像素阵列，由CMOS工艺中的较高层金属构成，用于接收太赫兹波信号，列并行读出电路、电源偏置电路及数字逻辑控制模置于像素阵列的下方，使用CMOS工艺中的较低层金属作为互连线。
图2为本发明实施例紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片像素单元及读出电路结构示意图，如图2所示，所述像素由片上天线、场效应晶体管、匹配网络、陷波滤波器、行选择管构成，按照如图所示的方式连接。所述列并行读出电路，每一列读出电路都由一个斩波放大器和一个高精度∑ΔADC构成。
图3为本发明实施例紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片剖面结构示意图，如图3所示，65nm CMOS标准工艺，互连金属一共有九层，天线使用的是贴片天线，第九层金属(M9)构成天线的辐射贴片及微带线，微带线的末端通过九层金属的通孔连接到用于探测的场效应晶体管的源端，如图虚线所示的九层金属通孔和微带线构成匹配网络，第四层金属(M4)构成天线的接地平面，第一、二、三层金属作为读出电路、数字控制逻辑模块及电源偏置电路的互连金属。像素阵列为32×32，单像素面积为60um×60um，阵列面积约为1.9mm×1.9mm，预估单列读出电路面积为100um×800um，在像素阵列的下方正好能放置两排16列读出电路并且面积还有结余，数字逻辑控制模块和电源偏置电路占用面积较小，约200um×1.9mm，芯片总面积即为像素阵列面积约为1.9mm×1.9mm＝3.61mm2，若采用常规并排放置总面积约为6.55mm2，面积为本发明紧凑型图像传感器芯片面积的近两倍。
至此，已经结合附图对本实施例进行了详细描述。依据以上描述，本领域技术人员应当对本发明太赫兹波探测器有了清楚的认识。本发明提供的紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片，用于接收太赫兹波信号的太赫兹像素阵列由CMOS工艺中的较高层的金属构成，读出电路、数字逻辑控制模块及电源偏置电路，置于太赫兹像素阵列的下方，使用CMOS工艺中的较低层的金属作为互连线，大大提高了太赫兹阵列图像传感器的集成度，能有效减小芯片面积，减少研发所需要的流片费用，也便于进行大批量生产。
需要说明的是，在附图或说明书正文中，未绘示或描述的实现方式，均为所属技术领域中普通技术人员所知的形式，并未进行详细说明。此外，上述对各元件和方法的定义并不仅限于实施例中提到的各种具体结构、形状或方式，本领域普通技术人员可对其进行简单地更改或替换，例如：
用于构成像素所用的上层互连金属层数可根据实际情况变化，列并行读出电路、数字逻辑控制模块及电源偏置模块的版图总面积可大于像素阵列的面积，也就是说上述模块不一定能全部置于像素阵列的下方，会有部分面积超出像素阵列；
还需要说明的是，本文可提供包含特定值的参数的示范，但这些参数无需确切等于相应的值，而是可在可接受的误差容限或设计约束内近似于相应值。实施例中提到的方向用语，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向，并非用来限制本发明的保护范围。
综上所述，本发明提供的紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片，用于接收太赫兹波信号的太赫兹像素阵列由CMOS工艺中的较高层金属构成，读出电路、数字逻辑控制模块及电源偏置电路，置于太赫兹像素阵列的下方，使用CMOS工艺中的较低层金属作为互连线，大大提高了太赫兹阵列图像传感器的集成度，能有效减小芯片面积错，减少研发所需要的流片费用，也便于进行大批量生产。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片，其特征在于，包括：
太赫兹像素阵列，用于接收太赫兹波信号；
列并行读出电路，用于将所述太赫兹像素阵列中列像素输出的模拟信号进行放大并转换为数字信号；
电源偏置电路，用于给所述太赫兹像素阵列和读出电路提供偏置电压和偏置电流；
数字逻辑控制模块，用于给读出电路提供参数配置以及控制像素阵列的行选时间以实现不同的成像帧率；
其中，所述列并行读出电路、电源偏置电路和数字逻辑控制模块均置于所述太赫兹像素阵列的下方，且采用置于所述太赫兹像素阵列下方的CMOS工艺中的若干层金属作为互连线。
2.根据权利要求1所述的紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片，其特征在于，所述太赫兹像素阵列的像素包括：片上天线、场效应晶体管、匹配网络、陷波滤波器和行选择管；其中，所述场效应晶体管的源极通过所述匹配网络与所述片上天线相连接，所述场效应晶体管的栅极加载所述陷波滤波器，所述场效应晶体管的漏极与所述行选择管相连接。
3.根据权利要求2所述的紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片，其特征在于，所述片上天线为贴片天线、蝶形天线、环形天线或偶极子天线。
4.根据权利要求2所述的紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片，其特征在于，所述片上天线是CMOS工艺中的顶层金属，所述片上天线包括辐射贴片和微带线，且所述微带线与所述辐射贴片和所述场效应晶体管的源极相连接。
5.根据权利要求1所述的紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片，其特征在于，所述太赫兹像素阵列包括接地平面，所述接地平面位于所述太赫兹像素阵列的底部。
6.根据权利要求1所述的紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片，其特征在于，所述列并行读出电路包括数列读出电路，且每一列读出电路均包括：放大器，用于将太赫兹像素阵列中列像素输出的模拟信号进行放大；模数转换器，用于将放大器放大后的模拟信号转换为数字信号。
7.根据权利要求6所述的紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片，其特征在于，所述放大器为斩波放大器；所述模数转换器为过采样型模数转换器。
8.根据权利要求1至7任一项所述的紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片，其特征在于，所述太赫兹像素阵列为CMOS工艺中的若干层金属。
9.根据权利要求1至7任一项所述的紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片，其特征在于，还包括衬底，位于所述芯片的底部。
CN201811292306.3A 2018-10-31 2018-10-31 紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片 Active CN109451252B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811292306.3A CN109451252B (zh) 2018-10-31 2018-10-31 紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811292306.3A CN109451252B (zh) 2018-10-31 2018-10-31 紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109451252A true CN109451252A (zh) 2019-03-08
CN109451252B CN109451252B (zh) 2020-12-25

Family

ID=65550694

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811292306.3A Active CN109451252B (zh) 2018-10-31 2018-10-31 紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109451252B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112289816A (zh) * 2019-12-12 2021-01-29 友达光电股份有限公司 芯片
CN113359206A (zh) * 2021-06-01 2021-09-07 中国科学院半导体研究所 太赫兹开关阵列成像装置及成像方法

Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110062336A1 (en) * 2009-09-14 2011-03-17 David Ben-Bassat ELECTROMAGNETIC BASED THERMAL SENSING AND IMAGING INCORPORATING STACKED SEMICONDUCTOR STRUCTURES FOR THz DETECTION
CN103379298A (zh) * 2012-04-19 2013-10-30 精工爱普生株式会社 传感器器件以及电子设备
CN104101427A (zh) * 2013-04-15 2014-10-15 袁博 立体封装太赫兹辐射探测器
US9234797B1 (en) * 2013-03-05 2016-01-12 Exelis, Inc. Compact THz imaging detector with an integrated micro-spectrometer spectral tuning matrix
CN105445186A (zh) * 2014-09-24 2016-03-30 精工爱普生株式会社 太赫兹波检测装置、照相机、成像装置以及计测装置
CN105784123A (zh) * 2016-05-04 2016-07-20 南京大学 用于常温太赫兹检测器的读出电路
CN106454165A (zh) * 2015-08-03 2017-02-22 光子科学研究所 具有非局部读出电路的图像传感器以及包括所述图像传感器的光电装置
CN106534728A (zh) * 2016-09-30 2017-03-22 天津大学 用于螺旋ct机的cmos图像传感器架构
CN206362698U (zh) * 2016-12-05 2017-07-28 山东省科学院自动化研究所 一种基于fpga的太赫兹成像快速扫描装置
US20170295337A1 (en) * 2011-11-07 2017-10-12 The Johns Hopkins University Flexible readout and signal processing in a computational sensor array
CN107356332A (zh) * 2017-06-28 2017-11-17 东南大学 太赫兹收发芯片、收发方法及其成像探测系统
US20170373114A1 (en) * 2014-12-22 2017-12-28 Google Inc. Stacked Semiconductor Chip RGBZ Sensor
CN108074944A (zh) * 2016-11-14 2018-05-25 三星电子株式会社 图像传感器封装
CN108180931A (zh) * 2017-12-28 2018-06-19 中国科学院半导体研究所 一种太赫兹波探测器
CN108259796A (zh) * 2018-03-20 2018-07-06 上海微阱电子科技有限公司 一种3d堆叠红外图像传感器
CN207779553U (zh) * 2017-12-29 2018-08-28 同方威视技术股份有限公司 太赫兹探测器
US20180301809A1 (en) * 2009-10-22 2018-10-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for dynamically processing an electromagnetic beam

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110062329A1 (en) * 2009-09-14 2011-03-17 David Ben-Bassat Electromagnetic based thermal sensing and imaging
US20110062336A1 (en) * 2009-09-14 2011-03-17 David Ben-Bassat ELECTROMAGNETIC BASED THERMAL SENSING AND IMAGING INCORPORATING STACKED SEMICONDUCTOR STRUCTURES FOR THz DETECTION
US20180301809A1 (en) * 2009-10-22 2018-10-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for dynamically processing an electromagnetic beam
US20170295337A1 (en) * 2011-11-07 2017-10-12 The Johns Hopkins University Flexible readout and signal processing in a computational sensor array
CN103379298A (zh) * 2012-04-19 2013-10-30 精工爱普生株式会社 传感器器件以及电子设备
US9234797B1 (en) * 2013-03-05 2016-01-12 Exelis, Inc. Compact THz imaging detector with an integrated micro-spectrometer spectral tuning matrix
CN104101427A (zh) * 2013-04-15 2014-10-15 袁博 立体封装太赫兹辐射探测器
CN105445186A (zh) * 2014-09-24 2016-03-30 精工爱普生株式会社 太赫兹波检测装置、照相机、成像装置以及计测装置
US20170373114A1 (en) * 2014-12-22 2017-12-28 Google Inc. Stacked Semiconductor Chip RGBZ Sensor
CN106454165A (zh) * 2015-08-03 2017-02-22 光子科学研究所 具有非局部读出电路的图像传感器以及包括所述图像传感器的光电装置
CN105784123A (zh) * 2016-05-04 2016-07-20 南京大学 用于常温太赫兹检测器的读出电路
CN106534728A (zh) * 2016-09-30 2017-03-22 天津大学 用于螺旋ct机的cmos图像传感器架构
CN108074944A (zh) * 2016-11-14 2018-05-25 三星电子株式会社 图像传感器封装
CN206362698U (zh) * 2016-12-05 2017-07-28 山东省科学院自动化研究所 一种基于fpga的太赫兹成像快速扫描装置
CN107356332A (zh) * 2017-06-28 2017-11-17 东南大学 太赫兹收发芯片、收发方法及其成像探测系统
CN108180931A (zh) * 2017-12-28 2018-06-19 中国科学院半导体研究所 一种太赫兹波探测器
CN207779553U (zh) * 2017-12-29 2018-08-28 同方威视技术股份有限公司 太赫兹探测器
CN108259796A (zh) * 2018-03-20 2018-07-06 上海微阱电子科技有限公司 一种3d堆叠红外图像传感器

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
LI-YUAN LIU1 ET AL.: "A Fully-Integrated 860-GHz CMOS Terahertz Sensor", 《IEEE ASIAN SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE》 *
ZHAO-YANG LIU ET AL.: "A CMOS Fully Integrated 860-GHz Terahertz Sensor", 《IEEE TRANSACTIONS ON TERAHERTZ SCIENCE AND TECHNOLOGY》 *
刘朝阳 等: "采用CMOS太赫兹波探测器的成像系统", 《红外与激光工程》 *
柳卫天: "基于CMOS工艺的太赫兹成像芯片研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库（信息科技辑）》 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112289816A (zh) * 2019-12-12 2021-01-29 友达光电股份有限公司 芯片
US11610921B2 (en) 2019-12-12 2023-03-21 Au Optronics Corporation Chip having a flexible substrate
CN112289816B (zh) * 2019-12-12 2023-06-27 友达光电股份有限公司 芯片
CN113359206A (zh) * 2021-06-01 2021-09-07 中国科学院半导体研究所 太赫兹开关阵列成像装置及成像方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109451252B (zh) 2020-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7615731B2 (en) High fill-factor sensor with reduced coupling
Sherry et al. A 1kpixel CMOS camera chip for 25fps real-time terahertz imaging applications
DE112015005713B4 (de) RGBZ-Pixeleinheitszelle mit ersten und zweiten Z-Transfergates
US7902512B1 (en) Coplanar high fill factor pixel architecture
CN109451252A (zh) 紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片
TW201203528A (en) Image sensors employing sensitized semiconductor diodes
CN113259607A (zh) 高动态范围图像传感器
CN108180931A (zh) 一种太赫兹波探测器
CN108391070A (zh) 像素级混合键合图像传感器中的二级放大器读取电路
US20070122948A1 (en) Thin-film transistor and diode array for an imager panel or the like
Skorka et al. Design and fabrication of vertically-integrated CMOS image sensors
TW201417254A (zh) 寬動態範圍像素單元、其製造方法及其構成的圖像感測器
CN208227176U (zh) 像素电路及图像传感器装置
CN208210138U (zh) 像素电路及成像装置
US20150124135A1 (en) Sharp pixel with fixed conversion gain
CN109547717A (zh) 太赫兹波阵列图像传感器芯片
CN102346260A (zh) 具有温度感应功能的平板x射线探测器及其制备方法
US20230059912A1 (en) Image sensor
CN108495064A (zh) 像素电路及图像传感器装置
Alchaar et al. Focal plane array based on HgTe nanocrystals with photovoltaic operation in the short-wave infrared
Kumar et al. X-ray imaging sensor arrays on foil using solution processed organic photodiodes and organic transistors
Martin-Gonthier et al. CMOS detectors for space applications: from R&D to operational program with large volume foundry
Li et al. 160 dB dynamic range pixel with charge compensation for CMOS image sensor
US8513760B2 (en) Image sensor
CN103681722B (zh) 一种用于图像传感器的结构的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant