CN109450384A - 一种基于斩波调制和相关双采样的读出电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基于斩波调制和相关双采样的读出电路，包括斩波器，斩波器输出端依次串联前置放大器、GmC低通滤波器、相关双采样单元和低通滤波器；信号经过斩波器被调制到高频，再通过前置放大器进行放大，之后进入GmC低通滤波器，输出一个频率为斩波频率的差分正弦信号，经过相关双采样单元，将前置放大器引入的闪烁噪声抵消，同时由斩波器引入的失调噪声也被消除，最后信号经过一个低通滤波器被滤出。本发明提供了足够的增益来放大传感器输出的电压信号，可以抑制噪声，主要是抑制闪烁噪声。

Description

一种基于斩波调制和相关双采样的读出电路
技术领域
本发明涉及传感器领域，更具体的说，是涉及一种基于斩波调制和相关双采样的读出电路。
背景技术
太赫兹波段，位于毫米波段和红外波段之间，我们把频率范围在300GHz-3THz的电磁波段定义为太赫兹波段。由于太赫兹光子的能量很低，1THz的光子的能量大概只有4毫电子伏特左右，因此其不容易破坏被检测的物质，这也使得太赫兹在成像方面较红外成像有一定的优势。
太赫兹焦平面探测器在海外采取的主流技术是基于微测辐射热计实现的，材料类型包括VOx与多晶硅。2006年，美国喷气推进实验室成功研制了能够高分辨率测距的太赫兹成像系统[1]，当距离目标为4米时，分辨率大概为2cm。2010年，美国马诸塞州立大学STL实验室进行了逆合成孔径雷达成像实验，该实验已经能获得高分辨率的缩比模型。
无论是哪种形式的太赫兹探测器，其输出信号特别小，导致输出信号的信噪比很低，因此需要一个额外的读出电路，在放大信号的同时还能够有效地抑制噪声，基于目前这种读出电路特性的需要，提出了一种基于斩波调制，选择性放大器和相关双采样结合的读出电路。
【参考文献】
[1]Reck T,Siles J,Jung C et al.Array Technology for Terahertz ImagingPassive andActive Millimeter-Wave Imaging XV[C].Proc.SPIE.Baltimore,2012.
[2]Cezary Kolacinski,Dariusz Obrebski.The integrated selectivereadout amplifier for NMOS THz detectors[C].Mixed Design of integratedCircuits and Systems,2014:272-277.
[3]C.C.Enz,G.C.Temes.Circuit techniques for reducing the effects ofop-amp imperfections:autozeroing,correlated double[J].Proceedings of theIEEE,1996,84(11):1584-1614.
[4]Massimiliano Belloni,Edoardo Bonizzoni,Andrea Fornasari,FrancoMaloberti.A Micropower Chopper—CDS Operational Amplifier[J].IEEE Journal ofSolid-State Circuits,2010,45(12):2521-2529.
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种基于斩波调制和相关双采样的读出电路，提供了足够的增益来放大传感器输出的电压信号，可以抑制噪声，主要是抑制闪烁噪声。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的。
本发明的基于斩波调制和相关双采样的读出电路，包括斩波器，所述斩波器输出端依次串联有前置放大器、GmC低通滤波器、相关双采样单元和低通滤波器；
信号经过斩波器被调制到高频，再通过前置放大器进行放大，之后进入GmC低通滤波器，输出一个频率为斩波频率的差分正弦信号，经过相关双采样单元，将前置放大器引入的闪烁噪声抵消，同时由斩波器引入的失调噪声也被消除，最后信号经过一个低通滤波器被滤出。
所述斩波器的三路输入端中，一路接信号源，一路接地，一路接时钟信号。
与现有技术相比，本发明的技术方案所带来的有益效果是：
本发明相比于简单的斩波调制加上滤波器的低噪声读出电路，由于引入了相关双采样电路来作为解调单元，可以更大程度的降低由斩波器引入的失调噪声，从而进一步降低了闪烁噪声的转角频率，提高读出电路输出的信噪比
附图说明
图1是基本的基于斩波调制的读出电路原理图；
图2是本发明基于斩波调制和相关双采样的读出电路原理图。
附图标记:Vin信号源，GND地，fchop时钟信号。
具体实施方式
为了更清楚的说明本发明的技术方案，下面结合附图对本发明作进一步说明。
本发明是基于斩波调制方式的读出电路的一种改进。简单的基于斩波调制的读出电路，如图1所示。直流信号经过第一级斩波器调制到高频，经过AC放大器放大，同时引入AC放大器的噪声，最后经过第二级斩波器，信号被解调回低频，而由AC放大器引入的噪声由于只经过了第二级斩波器的调制，因此噪声被调制到高频，从而实现了噪声和信号的分离，最后经过低通滤波器就可以把有用的信号过滤出来。有团队在此基础上进行了改进，既在AC放大器的后面接上低通滤波器来限制AC放大器的带宽[2]，这样可以进一步减小读出电路产生的噪声。因为如果放大τ器的带宽是无限的，那么斩波调制这种方式产生的失调噪声为[3]：
但是如果在AC放大器之后接入带通滤波器，并把阻带频率限制在斩波调制频率的两倍左右，那么产生的失调噪声为：
由于τ≤T/2，因此限制带宽之后产生的失调噪声可以降低。但是由于斩波器本身会引入失调噪声，因此本发明在此基础上，将第二级斩波器替换成相关双采样电路来实现信号的解调，这样可以克服斩波器引入的失调噪声，从而更进一步的降低了闪烁噪声的转角频率。
本发明的的基于斩波调制和相关双采样的读出电路，如图2所示，包括斩波器，所述斩波器输出端依次串联有前置放大器、GmC低通滤波器、相关双采样单元和低通滤波器。所述斩波器的三路输入端中，一路接信号源Vin，一路接地GND，一路接时钟信号fchop。所述斩波器正向输出端连接前置放大器正向输入端，斩波器反向输出端连接前置放大器反相输入端，所述前置放大器正向输出端连接GmC低通滤波器正向输入端，前置放大器反向输出端连接GmC低通滤波器反向输入端，相关双采样单元和低通滤波器以此类推，均是正向输出端连接正向输入端，反相输出端连接反相输入端。
探测器输出的直流信号进入本发明基于斩波调制和相关双采样的读出电路，经过斩波器被调制到高频，再通过前置放大器进行放大，GmC低通滤波器的截止频率被设置在斩波器斩波频率的两倍左右，因此信号通过前置放大器放大之后进入GmC低通滤波器，输出的是一个频率为斩波频率的差分正弦信号，经过相关双采样单元，由于低频下的闪烁噪声时间相关性很强，因此相关双采样单元可以将前置放大器引入的闪烁噪声抵消，同时由斩波器引入的失调噪声也被消除，最后信号经过一个低通滤波器被滤出。因此该结构较基本的基于斩波调制的读出电路可以更好的抑制闪烁噪声。
尽管上面结合附图对本发明的功能及工作过程进行了描述，但本发明并不局限于上述的具体功能和工作过程，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可以做出很多形式，这些均属于本发明的保护之内。

Claims (2)

1.一种基于斩波调制和相关双采样的读出电路，包括斩波器，其特征在于，所述斩波器输出端依次串联有前置放大器、GmC低通滤波器、相关双采样单元和低通滤波器；
信号经过斩波器被调制到高频，再通过前置放大器进行放大，之后进入GmC低通滤波器，输出一个频率为斩波频率的差分正弦信号，经过相关双采样单元，将前置放大器引入的闪烁噪声抵消，同时由斩波器引入的失调噪声也被消除，最后信号经过一个低通滤波器被滤出。
2.根据权利要求1所述的基于斩波调制和相关双采样的读出电路，其特征在于，所述斩波器的三路输入端中，一路接信号源，一路接地，一路接时钟信号。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112212984A (zh) * 2020-09-30 2021-01-12 上海理工大学 一种提高太赫兹被动成像单元灵敏度的调制解调方法
CN112583363A (zh) * 2019-09-29 2021-03-30 天津大学 一种温度补偿式低噪声太赫兹读出电路

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070222509A1 (en) * 2006-02-07 2007-09-27 Hirokazu Yoshizawa Amplifier circuit
CN101394163A (zh) * 2008-10-09 2009-03-25 捷顶微电子（上海）有限公司 信号调理电路及其调理方法双采样保持电路
CN202957808U (zh) * 2012-11-05 2013-05-29 戴祖渝 一种超低输入端直流失调的放大器和a/d转换器
US20140048682A1 (en) * 2012-08-14 2014-02-20 Luxen Technologies, Inc. Digital image processing readout integrated circuit (roic) having multiple sampling circuits
CN105897248A (zh) * 2016-03-30 2016-08-24 中国科学院微电子研究所 一种微弱信号读出电路
CN106931995A (zh) * 2017-03-29 2017-07-07 南京邮电大学 一种基于电流输出模式的四相旋转电流电路和方法
CN107246890A (zh) * 2017-04-19 2017-10-13 上海矽睿科技有限公司 电容式传感器检测电路及双采样斩波级联结构

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070222509A1 (en) * 2006-02-07 2007-09-27 Hirokazu Yoshizawa Amplifier circuit
CN101102094A (zh) * 2006-02-07 2008-01-09 精工电子有限公司 放大器电路
CN101394163A (zh) * 2008-10-09 2009-03-25 捷顶微电子（上海）有限公司 信号调理电路及其调理方法双采样保持电路
US20140048682A1 (en) * 2012-08-14 2014-02-20 Luxen Technologies, Inc. Digital image processing readout integrated circuit (roic) having multiple sampling circuits
CN202957808U (zh) * 2012-11-05 2013-05-29 戴祖渝 一种超低输入端直流失调的放大器和a/d转换器
CN105897248A (zh) * 2016-03-30 2016-08-24 中国科学院微电子研究所 一种微弱信号读出电路
CN106931995A (zh) * 2017-03-29 2017-07-07 南京邮电大学 一种基于电流输出模式的四相旋转电流电路和方法
CN107246890A (zh) * 2017-04-19 2017-10-13 上海矽睿科技有限公司 电容式传感器检测电路及双采样斩波级联结构

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112583363A (zh) * 2019-09-29 2021-03-30 天津大学 一种温度补偿式低噪声太赫兹读出电路
CN112212984A (zh) * 2020-09-30 2021-01-12 上海理工大学 一种提高太赫兹被动成像单元灵敏度的调制解调方法

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