CN109445348A - 一种用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，由控制箱、跟踪装置及导通电阻和绝缘电阻板组成；所述控制箱由箱体和箱盖组成；所述箱盖其后侧通过铰链与箱体铰接，其前侧通过搭扣与箱体锁定；所述箱体顶部可拆卸安装有面板；所述面板下方安装有电源模块；所述箱体内部设有机笼结构；所述机笼结构中通过角铁安装有线路板；所述线路板与电源模块电连接；所述面板通过母线板与线路板、跟踪装置与导通电阻和绝缘电阻板电连接；本发明的用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，系统实现了反坦克导弹武器系统二级技术维护参数和信号的模拟，可进行检测训练；同时，为导弹检测设备的研制与生产提供了先进可靠的计量和调试手段。

Description

一种用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置

技术领域

本发明涉及一种用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，属于军用设备技术领域。

背景技术

本发明研制了一种导弹武器系统控制箱模拟设备，用以代替AFT07A/B、AFT07C导弹武器系统控制箱，可以达到下列目的：(1)作为部队导弹装备技术人员的检测训练设备；(2)作为“导弹装备检测系统”的生产工厂的工装；(3)作为导弹检测车综合调试的计量设备奔马。

发明内容

为解决上述问题，本发明提出了一种用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，系统实现了反坦克导弹武器系统二级技术维护参数和信号的模拟，可进行检测训练。

本发明的用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，由控制箱、跟踪装置及导通电阻和绝缘电阻板组成；所述导通电阻和绝缘电阻板由固定阻值的精密电阻构成；所述控制箱由箱体和箱盖组成；所述箱盖其后侧通过铰链与箱体铰接，其前侧通过搭扣与箱体锁定；所述箱体顶部可拆卸安装有面板；所述面板下方安装有电源模块；所述箱体内部设有机笼结构；所述机笼结构中通过角铁安装有线路板，机笼结构、线路板、电源模块和面板为一体，可随面板一起拿出控制箱，以方便拆卸和维修；所述线路板与电源模块电连接；所述面板通过母线板与线路板、跟踪装置与导通电阻和绝缘电阻板电连接；

所述面板上设置有武器系统专用插座、串行口插座，及与武器系统对应的多个拨动开关、发射旋钮、自检指示灯和装弹指示灯；所述拨动开关包括用于选择左转12°低电平或右转12°低电平的第一拨动开关，及用于选择自检或工作模式的第二拨动开关，及用于选择不同型号导弹的第三拨动开关，及用于选择是否开启夜视功能的第四拨动开关；

所述线路板包括主单片机电路，及与主单片机电路其输入端电连接的Uxx信息信号处理电路和双线串行通信变单线通信电路，及与主单片机电路其输出端连接的高压指令形成电路、在系统可编程逻辑器件和指令数据存贮器；所述高压指令形成电路包括ISP指令单片机电路，及与ISP指令单片机电路其输出端电连接的电连接的指令功率放大电路；所述Uxx信息信号处理电路由回输信号处理电路、温度补偿电路、脉冲检测电路和信号缓冲电路构成，Uxx信息信号处理电路的功能是将Uxx信号变成TTL信息信号,并控制当信息信号Uxx幅值小于70V时，停止指令的输出；所述Uxx信息信号处理电路其输入端电连接有输入单元；所述输入单元包括光电耦合输入电路和放大限幅滤波电路；所述输入单元经三芯传输线连接有弹上信息信号；所述指令功率放大电路由光电耦合电路和高压驱动电路组成。

进一步地，所述主单片机电路由AT89C51主控单片机及其外围电路组成，主单片机是整个电路的控制核心，以晶振输出为基准信号，检测信息信号、发射旋钮输入、光电编码信号(CLKA和CLKB，相位相差90度、周期为2.93±0.02ms)、左转(右转)12°低电平、串行控制命令等，产生指令脉冲发(UK)、发射同步脉冲(XPRET)、光电编码输出(A模和B模)、电源变换控制等信号，经变换或驱动后形成模拟输出信号；由于逻辑结构复杂，控制箱的逻辑功能由89C51单片机和ISP在系统可编程单片机89S2051完成。

进一步地，所述ISP指令单片机电路由SIP89S2051指令单片机及其外围电路组成。

进一步地，所述回输信号处理电路由第八电容、第二十电容、第三光电耦合器和第四光电耦合器组成；所述第八电容和第二十电容电连接后分别与第三光电耦合器的光电二极管正极和第四光电耦合器的光电二极管负极电连接；所述第三光电耦合器其光电二极管负极和第四光电耦合器其光电二极管正极电连接，且其连接端与输入单元的放大限幅滤波电路其输出端电连接；所述第二十电容其另一端与与输入单元的放大限幅滤波电路其另一输出端电连接；

所述温度补偿电路包括第一电阻、第二变阻器、第三滑动变阻器、第四变阻器、第六电阻和第四十一电阻；所述第一电阻和第二变阻器并联后与第三滑动变阻器的固定端电连接；所述第三滑动变阻器其另一固定端与第六电阻串联；所述第三滑动变阻器其滑动端分别与第四变阻器和第四十一电阻电连接；所述第六电阻其另一端连接至第三光电耦合器的光敏三极管集电极；所述第四变阻器和第四十一电阻其另一端分别连接至第三光电耦合器的光敏三极管基极和第四光电耦合器的光敏三极管基极；

所述脉冲检测电路包括与第三光电耦合器电连接的第一脉冲单元及与第四光电耦合器电连接的第二脉冲单元，且第一脉冲单元和第二脉冲单元结构相同；所述第一脉冲单元包括与第三光电耦合器其光敏三极管发射极电连接的第二十七电阻，及与第二十七电阻其另一端电连接的第五三极管，及与第五三极管其集电极电连接的第八电阻和第八十二电阻，及分别与第五三极管其基极和发射极连接的第二十一电容；所述第二脉冲单元包括与第四光电耦合器其光敏三极管发射极电连接的第二百七十一电阻，及与第二百七十一电阻其另一端电连接的第八三极管，及与第八三极管其集电极电连接的第八十一电阻和第八十三电阻，及分别与第八三极管其基极和发射极连接的第二百十一电容；

所述信号缓冲电路包括分别与第五三极管其集电极和第八三极管其集电极电连接的反向器，且反向器其第二引脚和第四引脚分别与AT89C51主控单片机电连接，弹上信息信号经三芯传输线进入控制箱的输入单元，经输入单元的光电耦合输入电路和放大限幅滤波电路后，信息信号进入由第八电容、第二十电容和第三光电耦合器、第四光电耦合器组成的回输信号处理电路，并进行微分；经微分的回输信号的上升沿、下降沿，分别在第三光电耦合器、第四光电耦合器的三极管脚部分产生相应的脉冲信号，经第五三极管和第八三极管放大，在第五三极管和第八三极管的集电极形成满足TTL电平要求的电压幅值脉冲；第五三极管的集电极输出的脉冲信号，对应弹上回输信号的上升沿，第八三极管的集电极输出的脉冲信号，对应弹上回输信号的下降沿；第五三极管和第八三极管的输出是从同一弹上信息信号所产生在不同相位的两路脉冲信号；第五三极管、第八三极管的集电极输出的回输信号的参考点，是相对+5V电源，已不同于弹上来的回输信号参考点，即通过第三、第四光电耦合器的隔离，主控单片机接口信号与外界隔离；这样，提高了系统的抗干扰能力；第三、第四光电耦合器的光敏三极管基极由第一电阻、第六电阻和第三滑动变阻器分压后提供一正向电压偏置，改变此偏压，可以抑制干扰信号，使光敏三极管不能导通；由第五三极管、第八三极管集电极输出的回输信号经反向器反向整形后，送入主控单片机接口，由主控单片机处理；74HC14是施密特型反向器，用于进一步抑制干扰脉冲和对回输信号脉冲的整形，使脉冲沿符合单片机接口电路要求；这样，在74HC14的输出端形成两路脉冲，频率与导弹旋转频率相同，相位反应导弹的空间位置，该两路脉冲即作为主控单片机识别导弹转速从而形成控制指令的基准。

进一步地，所述光电耦合电路包括第十四光电耦合器和第十五光电耦合器；所述第十五光电耦合器其光电二极管负极经反向器反向后与第十四光电耦合器其光电二极管负极电连接。

进一步地，所述高压驱动电路包括与第十四光电耦合器电连接的第一驱动单元及与第十五光电耦合器电连接的第二驱动单元；所述第一驱动单元包括第三十七滑动变阻器，及与第三十七滑动变阻器电连接的第六三极管，及与第六三极管其集电极电连接的第一阻容并联电路；所述第二驱动单元包括第三十八滑动变阻器，及与第三十八滑动变阻器电连接的第七三极管，及与第七三极管其发射极电连接的第二阻容并联电路；所述第六三极管其发射极和第七三极管其集电极电连接，且其电连接端经保护电阻连接有二极管钳位电路；所述二极管钳位电路由两反向并联的发光二极管组成；所述第一阻容并联电路由第三十一电容和第三十九电阻并联而成；所述第二阻容并联电路由第三十二电容和第四十电阻并联而成；所述第三十一电容和第三十二电容均为高压大容量电解电容；所述二极管钳位电路其与保护电阻连接端还与回输信号处理电路的第二十电容电连接，由主控单片机给出的HO0输出的低压指令，送到第十五光电耦合器，并经74HC14反向器反相后，送入第十四光电耦合器进行隔离输出，使主控单片机部分与功放高压隔离，这样，在功放管第六三极管和第七三极管基极的信号相位是相反的，以保证第六三极管和第七三极管在工作时轮流导通和截止，即第六三极管和第七三极管在工作时，当一只管子导通时，另一只管子处于截止状态；当第六三极管导通，第七三极管处于截止状态，在2K线上输出为+220V电压；当第六三极管截止，第七三极管处于导通状态，在B2K线上输出为-220V电压；这样，组成了在开关状态下的功率放大器，产生了±220V调宽指令方波电压用以驱动弹上舵机，控制导弹作机动飞行；保护电阻是1个330Ω起过流保护作用的电阻，当B2K线外界短路时，限制了功放管的电流值而不致损坏2个高反压大功率管；第三十七滑动变阻器和第三十八滑动变阻器可以分别改变高压指令的上升沿和下降沿；第三十一电容和第三十二电容为高压大容量电解电容，起到高压滤波作用。

进一步地，所述电源模块由驱动单元、电源变换单元和DC-DC降压单元组成；所述驱动单元其输出端及DC-DC降压单元其输入端分别与电源变换单元电连接；所述驱动单元包括与AT89C51主控单片机电连接的MAX627驱动芯片；所述电源变换单元包括MOSFETS场效应管，及与MOSFETS场效应管其漏极电连接的12V直流电源稳压电路和交流变压器；所述MAX627驱动芯片其第二引脚与AT89C51主控单片机电连接，其第七引脚与MOSFETS场效应管的栅极电连接；所述12V直流电源稳压电路包括7812稳压芯片，及与7812稳压芯片其输出端电连接的第五十七电容、第五十八电容和二极管组；所述二极管组由两负极相连的二极管组成；两所述二极管其正极分别电连接至交流变压器其初级线圈两端；所述交流变压器包括三个次级线圈，且其一次级线圈电连接有整流滤波电路，其另两次级线圈分别输出有两组交流10V电压；所述DC-DC降压单元为7805三端稳压电路，其由7805降压芯片及其外围电路组成，且其输出电压为5V，由主控单片机产生100KHz的脉冲，经过MAX627驱动芯片处理，将主控单片机输出的100KHz脉冲与MOSFETS场效应管输入阻抗匹配，消除场效应管输入端的寄生电容对波形的影响，使MOSFETS场效应根据脉冲的高低电平始终工作在开关状态，12V的直流电压经MOSFETS场效应导通/截止控制，通过交流变压器变换，可整流出+220V、-220V，和两组交流10V电压，提供给高压指令形成电路；12V电压经7805三端稳压电路处理输出+5V电压供系统使用。

进一步地，所述双线串行通信变单线通信电路包括与反向器其第十二引脚电连接的电阻，及与电阻其另一端短连接的三极管，及与三极管其集电极电连接的光电耦合器；所述光电耦合器的光电二极管负极与三极管的集电极电连接端为串行通讯线，且其与输入单元的光电耦合输入电路电连接；所述光电耦合器其光敏三极管集电极电连接至反向器的第九引脚；所述反向器其第八引脚与其第十一引脚电连接；所述反向器其第十引脚为串行口数据输入线，且其与第九缓存器的第八引脚电连接；所述反向器其第十三引脚为串口数据输出线，且其与第九缓存器电连接电连接。

作为优选的实施方案，所述控制箱由合金铝板制成；所述机笼结构为钢制材料；所述机笼结构与面板通过支柱固定，且机笼结构与面板之间间隔30mm，以保证器件和插座的安装，以及走线的空间；所述箱体前侧安装有提手；所述箱体底部安装有防震橡皮垫脚，结构紧凑，方便拆卸，可靠性高，可维修性强，防震性能好，方便运输，外形美观。

进一步地，所述面板上留设有测试插座；所述跟踪装置与面板上的武器系统专用插座电连接。

本发明与现有技术相比较，本发明的用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，系统实现了AFT07A、AFT07B、AFT07C三种反坦克导弹武器系统二级技术维护参数和信号的模拟，可取代上述三种型号武器系统进行检测训练；同时，为导弹检测设备的研制与生产提供了先进可靠的计量和调试手段；综合运用大规模集成电路、在系统可编程、电路自动化设计等技术，大量采用CPLD进行电路设计，使系统的硬件设计像软件设计一样，设计方法先进、灵活，电路修改方便，使系统设计时间大大缩短；更重要的是，使系统构成纯硬件设计，不仅电路简单，而且不存在“死机”等现象，电路抗干扰能力强、可靠性高；晶体振荡器产生时间基准，时间和频率等信号精度高、稳定性好；产生信息信号波形稳定、逼真，输出信号准确；硬件电路实现串行数据通信，波特率稳定，数据传输准确、可靠；数字电路实现脉冲量化与窄脉冲滤除，信号量化与时延不受电路参数影响、窄脉冲滤除完全；复位信号的可靠性设计，保证系统各电路复位完全、可靠；指令信号产生策略与可靠性处理，保证指令稳定可靠，抗干扰能力强。

附图说明

图1是本发明的整体结构示意框图。

图2是本发明的控制箱外部示意图。

图3是本发明的控制箱内部结构示意图。

图4是本发明的面板结构示意图。

图5是本发明的整体电路原理示意框图。

图6是本发明的主单片机电路原理图。

图7是本发明的ISP指令单片机电路原理图。

图8是本发明的Uxx信息信号处理电路原理图。

图9是本发明的输入单元原理图。

图10是本发明的高压指令形成电路原理图。

图11是本发明的双线串行通信变单线通信电路原理图。

图12是本发明的电源模块电路原理图。

附图中各部件标注为：1-控制箱，2-跟踪装置，3-导通电阻和绝缘电阻板，4-角铁，5-搭扣，6-面板，7-电源模块，71-驱动单元，72-电源变换单元，73-DC-DC降压单元，8-机笼结构，9-线路板，10-母线板，11-箱体，12-箱盖，13-武器系统专用插座，15-发射旋钮，16-自检指示灯，17-装弹指示灯，18-第一拨动开关，19-第二拨动开关，20-第三拨动开关，21-第四拨动开关，22-支柱，23-提手，24-防震橡皮垫脚，91-主单片机电路，92-Uxx信息信号处理电路，93-双线串行通信变单线通信电路，94-ISP指令单片机电路，95-指令功率放大电路，96-输入单元，921-回输信号处理电路，922-温度补偿电路，923-脉冲检测电路，924-信号缓冲电路，951-光电耦合电路，952-高压驱动电路，961-光电耦合输入电路，962-放大限幅滤波电路，U-光电耦合器，U1-AT89C51主控单片机，U3-第三光电耦合器，U4-第四光电耦合器，U8-反向器，U9-第九缓存器，U11-SIP89S2051指令单片机，U14-第十四光电耦合器，U15-第十五光电耦合器，U19-MAX627驱动芯片，U20-7812稳压芯片，IRF640-MOSFETS场效应管，G-栅极，D-漏极，S-源极，T2-交流变压器，Z-整流滤波电路，C8-第八电容，C20-第二十电容，C21-第二十一电容，C211-第二百十一电容，C31-第三十一电容，C32-第三十二电容，C57-第五十七电容，C58-第五十八电容，R-电阻，R1-第一电阻，R-2第二变阻器，R3-第三滑动变阻器，R4-第四变阻器，R6-第六电阻，R41-第四十一电阻，R27-第二十七电阻，R271-第二百七十一电阻，R8-第八电阻，R81-第八十一电阻，R82-第八十二电阻，R83-第八十三电阻，R37-第三十七滑动变阻器，R38-第三十八滑动变阻器，R51-保护电阻，R39-第三十九电阻，R40-第四十电阻，Q-三极管，Q5-第五三极管，Q6-第六三极管，Q7-第七三极管，Q8-第八三极管，D5、D6-发光二极管，SIO-串行通讯线，SDRXD-串行口数据输入线，TXD0-串口数据输出线，XS1、XS2、XS4、XS5、XS6、XS7-测试插座，XS3-串行口插座。

具体实施方式

如图1至图12所示的用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，由控制箱1、跟踪装置2及导通电阻和绝缘电阻板3组成；所述导通电阻和绝缘电阻板3由固定阻值的精密电阻构成；所述控制箱1由箱体11和箱盖12组成；所述箱盖12其后侧通过铰链与箱体11铰接，其前侧通过搭扣5与箱体11锁定；所述箱体11顶部可拆卸安装有面板6；所述面板6下方安装有电源模块7；所述箱体11内部设有机笼结构8；所述机笼结构8中通过角铁4安装有线路板9；所述线路板9与电源模块7电连接；所述面板6通过母线板10与线路板9、跟踪装置2与导通电阻和绝缘电阻板3电连接；

所述面板6上设置有武器系统专用插座13、串行口插座XS3，及与武器系统对应的多个拨动开关、发射旋钮15、自检指示灯16和装弹指示灯17；所述拨动开关包括用于选择左转12°低电平或右转12°低电平的第一拨动开关18，及用于选择自检或工作模式的第二拨动开关19，及用于选择不同型号导弹的第三拨动开关20，及用于选择是否开启夜视功能的第四拨动开关21；

所述线路板9包括主单片机电路91，及与主单片机电路91其输入端电连接的Uxx信息信号处理电路92和双线串行通信变单线通信电路93，及与主单片机电路91其输出端连接的高压指令形成电路、在系统可编程逻辑器件CPLD和指令数据存贮器EPROM；所述高压指令形成电路包括ISP指令单片机电路94，及与ISP指令单片机电路94其输出端电连接的电连接的指令功率放大电路95；所述Uxx信息信号处理电路92由回输信号处理电路921、温度补偿电路922、脉冲检测电路923和信号缓冲电路924构成；所述Uxx信息信号处理电路92其输入端电连接有输入单元96；所述输入单元96包括光电耦合输入电路961和放大限幅滤波电路962；所述输入单元96经三芯传输线连接有弹上信息信号；所述指令功率放大电路95由光电耦合电路951和高压驱动电路952组成。

所述主单片机电路91由AT89C51主控单片机U1及其外围电路组成。

所述ISP指令单片机94电路由SIP89S2051指令单片机U11及其外围电路组成。

所述回输信号处理电路921由第八电容C8、第二十电容C20、第三光电耦合器U3和第四光电耦合器U4组成；所述第八电容C8和第二十电容C20电连接后分别与第三光电耦合器U3的光电二极管正极和第四光电耦合器U4的光电二极管负极电连接；所述第三光电耦合器U3其光电二极管负极和第四光电耦合器U4其光电二极管正极电连接，且其连接端与输入单元96的放大限幅滤波电路962其输出端电连接；所述第二十电容C20其另一端与与输入单元96的放大限幅滤波电路962其另一输出端电连接；

所述温度补偿电路922包括第一电阻R1、第二变阻器R2、第三滑动变阻器R3、第四变阻器R4、第六电阻R6和第四十一电阻R41；所述第一电阻R1和第二变阻器R2并联后与第三滑动变阻器R3的固定端电连接；所述第三滑动变阻器R3其另一固定端与第六电阻R6串联；所述第三滑动变阻器R3其滑动端分别与第四变阻器R4和第四十一电阻R41电连接；所述第六电阻R6其另一端连接至第三光电耦合器U3的光敏三极管集电极；所述第四变阻器R4和第四十一电阻R41其另一端分别连接至第三光电耦合器U3的光敏三极管基极和第四光电耦合器U4的光敏三极管基极；

所述脉冲检测电路923包括与第三光电耦合器U3电连接的第一脉冲单元及与第四光电耦合器U4电连接的第二脉冲单元，且第一脉冲单元和第二脉冲单元结构相同；所述第一脉冲单元包括与第三光电耦合器U3其三极管发射极电连接的第二十七电阻R27，及与第二十七电阻R27其另一端电连接的第五三极管Q5，及与第五三极管Q5其集电极电连接的第八电阻R8和第八十二电阻R82，及分别与第五三极管Q5其基极和发射极连接的第二十一电容C21；所述第二脉冲单元包括与第四光电耦合器U4其三极管发射极电连接的第二百七十一电阻R271，及与第二百七十一电阻R271其另一端电连接的第八三极管Q8，及与第八三极管Q8其集电极电连接的第八十一电阻R81和第八十三电阻R83，及分别与第八三极管Q8其基极和发射极连接的第二百十一电容C211；

所述信号缓冲电路924包括分别与第五三极管Q5其集电极和第八三极管Q8其集电极电连接的反向器U8，且反向器U8其第二引脚和第四引脚分别与AT89C51主控单片机U1电连接。

所述光电耦合电路951包括第十四光电耦合器U14和第十五光电耦合器U15；所述第十五光电耦合器U15其光电二极管负极经反向器U8反向后与第十四光电耦合器U14其光电二极管负极电连接。

所述高压驱动电路952包括与第十四光电耦合器U14电连接的第一驱动单元及与第十五光电耦合器U15电连接的第二驱动单元；所述第一驱动单元包括第三十七滑动变阻器R37，及与第三十七滑动变阻器R37电连接的第六三极管Q6，及与第六三极管Q6其集电极电连接的第一阻容并联电路；所述第二驱动单元包括第三十八滑动变阻器R38，及与第三十八滑动变阻器R38电连接的第七三极管Q7，及与第七三极管Q7其发射极电连接的第二阻容并联电路；所述第六三极管Q6其发射极和第七三极管Q7其集电极电连接，且其电连接端经保护电阻R51连接有二极管钳位电路；所述二极管钳位电路由两反向并联的发光二极管D5、D6组成；所述第一阻容并联电路由第三十一电容C31和第三十九电阻R39并联而成；所述第二阻容并联电路由第三十二电容C32和第四十电阻R40并联而成；所述第三十一电容C31和第三十二电容C32均为高压大容量电解电容；所述二极管钳位电路其与保护电阻R51连接端还与回输信号处理电路的第二十电容C20电连接。

所述电源模块7由驱动单元71、电源变换单元72和DC-DC降压单元73组成；所述驱动单元71其输出端及DC-DC降压单元其73输入端分别与电源变换单元72电连接；所述驱动单元71包括与AT89C51主控单片机U1电连接的MAX627驱动芯片U19；所述电源变换单元72包括MOSFETS场效应管IRF640，及与MOSFETS场效应管IRF640其漏极D电连接的12V直流电源稳压电路和交流变压器T2；所述MAX627驱动芯片U19其第二引脚与AT89C51主控单片机U1电连接，其第七引脚与MOSFETS场效应管IRF640的栅极G电连接；所述12V直流电源稳压电路包括7812稳压芯片U20，及与7812稳压芯片U20其输出端电连接的第五十七电容C57、第五十八电容C58和二极管组；所述二极管组由两负极相连的二极管组成；两所述二极管其正极分别电连接至交流变压器T2其初级线圈两端；所述交流变压器T2包括三个次级线圈，且其一次级线圈电连接有整流滤波电路Z，其另两次级线圈分别输出有两组交流10V电压；所述DC-DC降压单元73为7805三端稳压电路，其由7805降压芯片及其外围电路组成，且其输出电压为5V。

所述双线串行通信变单线通信电路93包括与反向器U8其第十二引脚电连接的电阻R，及与电阻其另一端短连接的三极管Q，及与三极管Q其集电极电连接的光电耦合器U；所述光电耦合器U的光电二极管负极与三极管Q的集电极电连接端为串行通讯线SIO，且其与输入单元96的光电耦合输入电路961电连接；所述光电耦合器U其光敏三极管集电极电连接至反向器U8的第九引脚；所述反向器U8其第八引脚与其第十一引脚电连接；所述反向器U8其第十引脚为串行口数据输入线SDRXD，且其与第九缓存器U9的第八引脚电连接；所述反向器U8其第十三引脚为串口数据输出线TXD0，且其与第九缓存器U9电连接电连接。

所述控制箱1由合金铝板制成；所述机笼结构8为钢制材料；所述机笼结构8与面板6通过支柱22固定，且机笼结构8与面板6之间间隔30mm；所述箱体11前侧安装有提手23；所述箱体11底部安装有防震橡皮垫脚24。

所述面板6上留设有测试插座XS1、XS2、XS4、XS5、XS6、XS7；所述跟踪装置2与面板6上的武器系统专用插座13电连接。

本发明的用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，系统实现了AFT07A、AFT07B、AFT07C三种反坦克导弹武器系统二级技术维护参数和信号的模拟，可取代上述三种型号武器系统进行检测训练；同时，为导弹检测设备的研制与生产提供了先进可靠的计量和调试手段；综合运用大规模集成电路、在系统可编程、电路自动化设计等技术，大量采用CPLD进行电路设计，使系统的硬件设计像软件设计一样，设计方法先进、灵活，电路修改方便，使系统设计时间大大缩短；更重要的是，使系统构成纯硬件设计，不仅电路简单，而且不存在“死机”等现象，电路抗干扰能力强、可靠性高；晶体振荡器产生时间基准，时间和频率等信号精度高、稳定性好；产生信息信号波形稳定、逼真，输出信号准确；硬件电路实现串行数据通信，波特率稳定，数据传输准确、可靠；数字电路实现脉冲量化与窄脉冲滤除，信号量化与时延不受电路参数影响、窄脉冲滤除完全；复位信号的可靠性设计，保证系统各电路复位完全、可靠；指令信号产生策略与可靠性处理，保证指令稳定可靠，抗干扰能力强。

上述实施例，仅是本发明的较佳实施方式，故凡依本发明专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均包括于本发明专利申请范围内。

Claims (10)

1.一种用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，由控制箱、跟踪装置及导通电阻和绝缘电阻板组成；所述导通电阻和绝缘电阻板由固定阻值的精密电阻构成；其特征在于：所述控制箱由箱体和箱盖组成；所述箱盖其后侧通过铰链与箱体铰接，其前侧通过搭扣与箱体锁定；所述箱体顶部可拆卸安装有面板；所述面板下方安装有电源模块；所述箱体内部设有机笼结构；所述机笼结构中通过角铁安装有线路板；所述线路板与电源模块电连接；所述面板通过母线板与线路板、跟踪装置与导通电阻和绝缘电阻板电连接；

所述面板上设置有武器系统专用插座、串行口插座，及与武器系统对应的多个拨动开关、发射旋钮、自检指示灯和装弹指示灯；所述拨动开关包括用于选择左转12°低电平或右转12°低电平的第一拨动开关，及用于选择自检或工作模式的第二拨动开关，及用于选择不同型号导弹的第三拨动开关，及用于选择是否开启夜视功能的第四拨动开关；

所述线路板包括主单片机电路，及与主单片机电路其输入端电连接的Uxx信息信号处理电路和双线串行通信变单线通信电路，及与主单片机电路其输出端连接的高压指令形成电路、在系统可编程逻辑器件和指令数据存贮器；所述高压指令形成电路包括ISP指令单片机电路，及与ISP指令单片机电路其输出端电连接的电连接的指令功率放大电路；所述Uxx信息信号处理电路由回输信号处理电路、温度补偿电路、脉冲检测电路和信号缓冲电路构成；所述Uxx信息信号处理电路其输入端电连接有输入单元；所述输入单元包括光电耦合输入电路和放大限幅滤波电路；所述输入单元经三芯传输线连接有弹上信息信号；所述指令功率放大电路由光电耦合电路和高压驱动电路组成，高压指令通过TTL电平的HO0低压指令变成±220V高压指令。

2.根据权利要求1所述的用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，其特征在于：所述主单片机电路由AT89C51主控单片机及其外围电路组成。

3.根据权利要求1所述的用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，其特征在于：所述ISP指令单片机电路由SIP89S2051指令单片机及其外围电路组成。

4.根据权利要求1所述的用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，其特征在于：所述回输信号处理电路由第八电容、第二十电容、第三光电耦合器和第四光电耦合器组成；所述第八电容和第二十电容电连接后分别与第三光电耦合器的光电二极管正极和第四光电耦合器的光电二极管负极电连接；所述第三光电耦合器其光电二极管负极和第四光电耦合器其光电二极管正极电连接，且其连接端与输入单元的放大限幅滤波电路其输出端电连接；所述第二十电容其另一端与与输入单元的放大限幅滤波电路其另一输出端电连接；

所述温度补偿电路包括第一电阻、第二变阻器、第三滑动变阻器、第四变阻器、第六电阻和第四十一电阻；所述第一电阻和第二变阻器并联后与第三滑动变阻器的固定端电连接；所述第三滑动变阻器其另一固定端与第六电阻串联；所述第三滑动变阻器其滑动端分别与第四变阻器和第四十一电阻电连接；所述第六电阻其另一端连接至第三光电耦合器的光敏三极管集电极；所述第四变阻器和第四十一电阻其另一端分别连接至第三光电耦合器的光敏三极管基极和第四光电耦合器的光敏三极管基极；

所述脉冲检测电路包括与第三光电耦合器电连接的第一脉冲单元及与第四光电耦合器电连接的第二脉冲单元，且第一脉冲单元和第二脉冲单元结构相同；所述第一脉冲单元包括与第三光电耦合器其光敏三极管发射极电连接的第二十七电阻，及与第二十七电阻其另一端电连接的第五三极管，及与第五三极管其集电极电连接的第八电阻和第八十二电阻，及分别与第五三极管其基极和发射极连接的第二十一电容；所述第二脉冲单元包括与第四光电耦合器其光敏三极管发射极电连接的第二百七十一电阻，及与第二百七十一电阻其另一端电连接的第八三极管，及与第八三极管其集电极电连接的第八十一电阻和第八十三电阻，及分别与第八三极管其基极和发射极连接的第二百十一电容；

所述信号缓冲电路包括分别与第五三极管其集电极和第八三极管其集电极电连接的反向器，且反向器其第二引脚和第四引脚分别与AT89C51主控单片机电连接。

5.根据权利要求1所述的用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，其特征在于：所述光电耦合电路包括第十四光电耦合器和第十五光电耦合器；所述第十五光电耦合器其光电二极管负极经反向器反向后与第十四光电耦合器其光电二极管负极电连接。

6.根据权利要求1所述的用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，其特征在于：所述高压驱动电路包括与第十四光电耦合器电连接的第一驱动单元及与第十五光电耦合器电连接的第二驱动单元；所述第一驱动单元包括第三十七滑动变阻器，及与第三十七滑动变阻器电连接的第六三极管，及与第六三极管其集电极电连接的第一阻容并联电路；所述第二驱动单元包括第三十八滑动变阻器，及与第三十八滑动变阻器电连接的第七三极管，及与第七三极管其发射极电连接的第二阻容并联电路；所述第六三极管其发射极和第七三极管其集电极电连接，且其电连接端经保护电阻连接有二极管钳位电路；所述二极管钳位电路由两反向并联的发光二极管组成；所述第一阻容并联电路由第三十一电容和第三十九电阻并联而成；所述第二阻容并联电路由第三十二电容和第四十电阻并联而成；所述第三十一电容和第三十二电容均为高压大容量电解电容；所述二极管钳位电路其与保护电阻连接端还与回输信号处理电路的第二十电容电连接。

7.根据权利要求1所述的用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，其特征在于：所述电源模块由驱动单元、电源变换单元和DC-DC降压单元组成；所述驱动单元其输出端及DC-DC降压单元其输入端分别与电源变换单元电连接；所述驱动单元包括与AT89C51主控单片机电连接的MAX627驱动芯片；所述电源变换单元包括MOSFETS场效应管，及与MOSFETS场效应管其漏极电连接的12V直流电源稳压电路和交流变压器；所述MAX627驱动芯片其第二引脚与AT89C51主控单片机电连接，其第七引脚与MOSFETS场效应管的栅极电连接；所述12V直流电源稳压电路包括7812稳压芯片，及与7812稳压芯片其输出端电连接的第五十七电容、第五十八电容和二极管组；所述二极管组由两负极相连的二极管组成；两所述二极管其正极分别电连接至交流变压器其初级线圈两端；所述交流变压器包括三个次级线圈，且其一次级线圈电连接有整流滤波电路，其另两次级线圈分别输出有两组交流10V电压；所述DC-DC降压单元为7805三端稳压电路，其由7805降压芯片及其外围电路组成，且其输出电压为5V。

8.根据权利要求1所述的用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，其特征在于：所述双线串行通信变单线通信电路包括与反向器其第十二引脚电连接的电阻，及与电阻其另一端短连接的三极管，及与三极管其集电极电连接的光电耦合器；所述光电耦合器的光电二极管负极与三极管的集电极电连接端为串行通讯线，且其与输入单元的光电耦合输入电路电连接；所述光电耦合器其光敏三极管集电极电连接至反向器的第九引脚；所述反向器其第八引脚与其第十一引脚电连接；所述反向器其第十引脚为串行口数据输入线，且其与第九缓存器的第八引脚电连接；所述反向器其第十三引脚为串口数据输出线，且其与第九缓存器电连接电连接。

9.根据权利要求1所述的用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，其特征在于：所述控制箱由合金铝板制成；所述机笼结构为钢制材料；所述机笼结构与面板通过支柱固定，且机笼结构与面板之间间隔30mm；所述箱体前侧安装有提手；所述箱体底部安装有防震橡皮垫脚。

10.根据权利要求1所述的用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，其特征在于：所述面板上留设有测试插座；所述跟踪装置与面板上的武器系统专用插座电连接。