CN109445132A - 一种基于相变材料的非易失性可调谐方向耦合器 - Google Patents
一种基于相变材料的非易失性可调谐方向耦合器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109445132A CN109445132A CN201811451093.4A CN201811451093A CN109445132A CN 109445132 A CN109445132 A CN 109445132A CN 201811451093 A CN201811451093 A CN 201811451093A CN 109445132 A CN109445132 A CN 109445132A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- phase
- gst
- change material
- directional coupler
- ducting layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 41
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 8
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 210000001367 artery Anatomy 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/025—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction in an optical waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/0151—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction modulating the refractive index
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于相变材料的非易失性可调方向耦合器，包括SOI基片，SOI基片上沿水平方向设置有平行分布的输入硅波导和输出硅波导，特点是输出硅波导的上表面沿长度方向设置有相变材料GST波导层，GST波导层位于耦合区域内且均匀的分为N段，每一段均能工作在晶态或非晶态状态，其中N为3‑20内的任意自然数，耦合器通过改变处于晶态和非晶态的GST波导层的段数实现任意比例的功率耦合，优点是便于片上集成、能量消耗低、较宽的工作带宽、较低的插入损耗以及输出功率可调。
Description
技术领域
本发明涉及一种非易失性可调谐耦合器，尤其是涉及一种基于相变材料的非易失性可调方向耦合器。
背景技术
基于绝缘体上硅（SOI）的光子器件由于其紧凑性以及与成熟的CMOS工艺的兼容性而备受关注，这使得其成本较低，而且具备大规模集成的潜力。由于其超高的折射率差和亚微米的结构尺寸使得基于SOI平台的集成光学器件往往是偏振相关的。方向耦合器是光子集成电路中最重要的器件之一，因为它具有分光和组合光的能力。得益于绝缘体上硅结构的简单和易于设计的特性，方向耦合器已经广泛应用于光开关、光功率分配器以及偏振处理器件。
特别地，可调谐的方向耦合器是一种分光比可动态调节的光子器件，在可编程光子回路具中有重要的应用价值。可编程光学回路借助电子芯片领域的现场可编程门阵列（FPGA）的概念，并将其应用于集成光学领域。其核心的编程单元可通过外接电路或者光路调节其分光比，实现可调谐的光功率耦合或者简单的cross或者bar态光开关。现有的可编程性光子回路中的编程单元依赖于电光或是热光效应。然而，这两种效应均会导致极小的折射率差（Δn < 0.01），进而导致器件具有很大的尺寸（毫米 × 毫米），以及较高的能量消耗（一般为几毫瓦）。而且调节机制是易失性的，需要持续的能量供给才能保持可编程的光学状态。
自从Ge2Sb2Te5(GST)相变材料被发现以来，在电子、物理、材料等领域都得到了广泛的应用。特别是在光存储领域获得了非常成功的商业化应用。相变材料GST具有优良的光学特性和电学特性。在晶态和非晶态特性差异巨大、纳秒级的相态转变速度以及不需要额外能量供给即可保持相态稳定，这些优点使得相变材料GST成为新型光调制器的理想候选材料。目前，国内外还没有公开任何关于基于相变材料的非易失性可调谐方向耦合器的相关研究报道。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种具有便于片上集成、能量消耗低、较宽的工作带宽、较低的插入损耗以及输出功率可调的基于相变材料的非易失性可调谐方向耦合器。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种基于相变材料的非易失性可调方向耦合器，包括SOI基片，所述的SOI基片上沿水平方向设置有平行分布的输入硅波导和输出硅波导，所述的输出硅波导的上表面沿长度方向设置有相变材料GST波导层，所述的GST波导层位于耦合区域内且均匀的分为N段，每一段均能工作在晶态或非晶态状态，其中N为3-20内的任意自然数。
所述的耦合器通过改变处于晶态和非晶态的GST波导层的段数实现任意比例的功率耦合。
所述的SOI基片包括一层厚度为 220 nm的硅衬底和一层厚度为 3 μm的二氧化硅层，所述的二氧化硅层设置在所述的硅衬底上表面，所述的输入硅波导和所述的输出硅波导设置在所述的二氧化硅层的上表面。
在耦合区域内所述的输入硅波导与所述的输出硅波导之间的间距为 150 nm。
所述的输入硅波导厚度为 220 nm、宽度为 450 nm，所述的输出硅波导的厚度为220 nm，宽度为 450 nm。
所述的GST波导层首尾长度等于耦合区长度，每段所述的GST波导层的厚度为 20nm，相邻段的所述的GST波导层之间的间距大于10nm。
所述的GST波导层在耦合区域内均匀的分为5段。
所述的可调耦合器的耦合长度为 24 μm。
基于相变材料的非易失性可调方向耦合器工作原理：利用了相变材料GST在非晶态、晶态下具有差异较大的折射率。当GST为非晶态时，其折射率较小。此时输入的TE偏振光满足相位匹配条件，并与GST/Si组成的混合波导发生较强耦合，最终从输出波导的cross端输出。当GST从非晶态转换为晶态时，折射率急剧增大，此时输入的TE偏振光不再满足相位匹配条件，即不再与相邻的混合波导发生耦合，最终从输入波导的bar端输出。即当N个GST段全部工作在非晶态时，输入的TE偏振光会耦合到输出波导进行输出；当N个GST段全部工作在晶态时，输入的TE偏振光不会与输出波导发生耦合，从输入波导的bar端输出。当改变处于晶态和非晶态的GST段的数量时，可以实现任意比例的功率耦合。
与现有技术相比，本发明的优点在于：本发明公开了一种基于相变材料的非易失性可调方向耦合器，该耦合器由输入硅波导、输出硅波导和GST波导组成。相变材料GST分布于输出Si波导的上层，与输出Si波导一起可视为混合波导。当通过电或者光施加不同的脉冲信号激励相变材料GST时，GST相态发生相应的转变，以致混合波导的折射率也会随之发生改变，引起输出光信号的变化，通过控制GST波导层中处于晶态与非晶态的数量，可以在波导的bar端口和cross端口获得任意比例的功率分配，最终实现光信号的功率分配。优点如下：
1、与传统的耦合器相比，基于相变材料的新型可调耦合器具有较大的折射率差，极大地缩小了器件尺寸，使得器件结构更加紧凑，耦合长度仅为 24 μm，便于片上集成。此外，整个器件制作简单并且兼容CMOS工艺，有利于实现产业化。
2、相变材料GST在不同相态的转换速度快（纳秒级），使得新型可调谐耦合器具有较高的调制速率。
3、基于相变材料的非易失性可调谐耦合器，相变材料GST在晶态、非晶态下无需额外的能量供给，即可保证相态的稳定性。只在相变材料相态转换时消耗能量，且能量消耗极低为J/bit量级，器件极低的能量消耗符合器件向低功耗发展的趋势。
4、基于相变材料的非易失性可调谐耦合器的工作带宽大于C波段，在整个C波段的波长范围内有较低的插入损耗，具有广阔应用前景。
综上所述，本发明基于相变材料的非易失性可调谐方向耦合器，该方向耦合器具有便于片上集成、能量消耗低、较宽的工作带宽、较低的插入损耗和任意的功率分配比等特点。此外，该器件的制作简单，兼容CMOS工艺，有利于实现产业化，非常适合运用于集成光子线路中的可编程逻辑控制器件，具有广阔的发展与应用前景。
附图说明
图 1为本发明基于相变材料的非易失性可调方向耦合器的结构示意图；
图 2为本发明中GST段在不同状态下的归一化功率；
图 3为本发明可调方向耦合器的具体制作流程。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。
具体实施例
一种基于相变材料的非易失性可调方向耦合器，包括SOI基片，由图1所示，SOI基片上沿水平方向设置有平行分布的输入硅波导1和输出硅波导2，输出硅波导2的上表面沿长度方向设置有GST波导层3，GST波导层3位于耦合区域内且均匀的分为N段，每一段均能工作在晶态或非晶态状态，其中N为3-20内的任意自然数。该耦合器通过改变处于晶态和非晶态的GST波导层3的段数实现任意比例的功率耦合。
在此具体实施例中，SOI基片包括一层厚度为 220 nm的硅衬底4和一层厚度为 3μm的二氧化硅层5，二氧化硅层5设置在硅衬底4上表面，输入硅波导1和输出硅波导2设置在二氧化硅层5的上表面。在耦合区域内输入硅波导1与输出硅波导2之间的间距为 150 nm，输入硅波导1厚度为 220 nm、宽度为 450 nm，输出硅波导2的厚度为 220 nm，宽度为 450nm。GST波导层3首尾长度等于耦合区长度，每段GST波导层3的厚度为 20 nm，相邻段的GST波导层3之间的间距大于10nm，GST-on-Silicon的混合波导的有效折射率应该与输入波导的有效折射率相等，此时满足相位匹配条件，由此来确定GST层的宽度（高度20nm的情况下）；可调耦合器的耦合长度为 24 μm。
GST波导层3从非晶态到晶态转换，可以通过施加适当电脉冲或光脉冲激励加热GST，使其温度高于其结晶温度（413K）并低于其熔点（819Ｋ）实现。GST波导层3从晶态转换到非晶态，可以通过施加适当电脉冲或光脉冲激励加热GST，使其温度高于其熔点（819K）并迅速骤冷实现。GST相态的变化引起由输出硅波导2层和GST波导层3组成的混合波导的折射率变化，进而导致输出光信号的变化，从而实现对光信号耦合强度的调制。
例如，GST波导层3在耦合区域内均匀的分为5段，当5个GST段全部工作在非晶态时，输入的TE偏振光会耦合到输出波导进行输出；当5个GST段全部工作在晶态时，输入的TE偏振光不会与输出波导发生耦合，从输入波导的bar端输出。当改变处于晶态和非晶态的GST段的数量时（1个晶态+4个非晶态，2个晶态+3个非晶态，3个晶态+2个非晶态，4个晶态+1个非晶态），可以实现任意比例的功率耦合，如图2所示。除该例子外，GST波导层3在耦合区域内还可以均匀的分为3-20内的其它段数。
整个相变材料的非易失性可调方向耦合器的详细制作过程如图3所示，具体步骤如下：
1. 首先清洗标准SOI基片，烘干；
2. 第一次旋涂电子胶；
3. 进行第一轮电子束光刻，在电子胶上形成波导图形；
4. 进行刻蚀，将电子胶上的图形转移到SOI基片的器件层中；
5. 第二次在样品上旋涂电子胶，进行第二轮电子束光刻，形成GST沉积的窗口；
6. 利用磁控溅射沉积相变材料GST波导层3，通过剥离法得到器件。
当然，上述说明并非对本发明的限制，本发明也并不限于上述举例。本技术领域的普通技术人员在本发明的实质范围内，做出的变化、改型、添加或替换，也应属于本发明的保护范畴。
Claims (8)
1.一种基于相变材料的非易失性可调方向耦合器，包括SOI基片，所述的SOI基片上沿水平方向设置有平行分布的输入硅波导和输出硅波导，其特征在于：所述的输出硅波导的上表面沿长度方向设置有相变材料GST波导层，所述的GST波导层位于耦合区域内且均匀的分为N段，每一段均能工作在晶态或非晶态状态，其中N取值为3-20内的任意自然数。
2.根据权利要求1所述的一种基于相变材料的非易失性可调方向耦合器，其特征在于：所述的耦合器通过改变处于晶态和非晶态的GST波导层的段数实现任意比例的功率耦合。
3.根据权利要求1或2所述的一种基于相变材料的非易失性可调方向耦合器，其特征在于：所述的SOI基片包括一层厚度为 220 nm的硅衬底和一层厚度为 3 μm的二氧化硅层，所述的二氧化硅层设置在所述的硅衬底上表面，所述的输入硅波导和所述的输出硅波导设置在所述的二氧化硅层的上表面。
4.根据权利要求3所述的一种基于相变材料的非易失性可调方向耦合器，其特征在于：在耦合区域内所述的输入硅波导与所述的输出硅波导之间的间距为 150 nm。
5.根据权利要求4所述的一种基于相变材料的非易失性可调方向耦合器，其特征在于：所述的输入硅波导厚度为 220 nm、宽度为 450 nm，所述的输出硅波导的厚度为 220 nm，宽度为 450 nm。
6.根据权利要求5所述的一种基于相变材料的非易失性可调方向耦合器，其特征在于：所述的GST波导层首尾长度等于耦合区长度，每段所述的GST波导层的厚度为 20 nm，相邻段的所述的GST波导层之间的间距大于10nm。
7.根据权利要求6所述的一种基于相变材料的非易失性可调方向耦合器，其特征在于：所述的GST波导层在耦合区域内均匀的分为5段。
8.根据权利要求2-7中任一项所述的一种基于相变材料的非易失性可调方向耦合器，其特征在于：所述的可调耦合器的耦合长度为 24 μm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811451093.4A CN109445132B (zh) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | 一种基于相变材料的非易失性可调谐方向耦合器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811451093.4A CN109445132B (zh) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | 一种基于相变材料的非易失性可调谐方向耦合器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109445132A true CN109445132A (zh) | 2019-03-08 |
| CN109445132B CN109445132B (zh) | 2023-10-20 |
Family
ID=65555891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811451093.4A Active CN109445132B (zh) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | 一种基于相变材料的非易失性可调谐方向耦合器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109445132B (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111999802A (zh) * | 2020-08-11 | 2020-11-27 | 华中科技大学 | 一种非易失可编程的集成光子器件及其设计方法 |
| CN111999957A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-11-27 | 宁波大学 | 基于锗锑碲化合物相变材料辅助的偏振不敏感光开关 |
| CN113191115A (zh) * | 2021-05-13 | 2021-07-30 | 中国人民解放军国防科技大学 | 基于dbs算法的可编程任意功率分配器 |
| CN113655565A (zh) * | 2021-08-28 | 2021-11-16 | 北京工业大学 | 一种基于相变材料调控的y分支波导结构偏振分束器 |
| CN115061237A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-09-16 | 华中科技大学 | 基于相变材料的可重构功率分支器及功率分支比调节方法 |
| CN115308847A (zh) * | 2022-07-11 | 2022-11-08 | 宁波大学 | 一种基于相变材料的双模干涉2×2光波导开关 |
| WO2023284090A1 (zh) * | 2021-07-12 | 2023-01-19 | 华中科技大学 | 基于相变材料的全光布尔逻辑器件及其二元逻辑实现方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1175001A (zh) * | 1996-07-23 | 1998-03-04 | 三星电子株式会社 | 集成光学偏振器件 |
| CN1576921A (zh) * | 2003-07-29 | 2005-02-09 | Jds尤尼费斯公司 | 偏振补偿的光分路器 |
| CN106873077A (zh) * | 2017-03-17 | 2017-06-20 | 东南大学 | 一种基于非对称定向耦合器的硅基te模检偏器 |
| CN108152998A (zh) * | 2017-12-25 | 2018-06-12 | 电子科技大学 | 一种基于多级黑磷吸收单元的可调光衰减器 |
| CN108563030A (zh) * | 2018-01-31 | 2018-09-21 | 中国地质大学（武汉） | 一种偏振分束器 |
-
2018
- 2018-11-30 CN CN201811451093.4A patent/CN109445132B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1175001A (zh) * | 1996-07-23 | 1998-03-04 | 三星电子株式会社 | 集成光学偏振器件 |
| CN1576921A (zh) * | 2003-07-29 | 2005-02-09 | Jds尤尼费斯公司 | 偏振补偿的光分路器 |
| CN106873077A (zh) * | 2017-03-17 | 2017-06-20 | 东南大学 | 一种基于非对称定向耦合器的硅基te模检偏器 |
| CN108152998A (zh) * | 2017-12-25 | 2018-06-12 | 电子科技大学 | 一种基于多级黑磷吸收单元的可调光衰减器 |
| CN108563030A (zh) * | 2018-01-31 | 2018-09-21 | 中国地质大学（武汉） | 一种偏振分束器 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| YIPENG SONG ETC.: "Design of ultra-low insertion loss active transverse electric-pass polarizer based Ge2Sb2Te5 on silicon waveguide", 《OPTICS COMMUNICATIONS》 * |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111999957A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-11-27 | 宁波大学 | 基于锗锑碲化合物相变材料辅助的偏振不敏感光开关 |
| CN111999957B (zh) * | 2020-07-17 | 2022-08-05 | 宁波大学 | 基于锗锑碲化合物相变材料辅助的偏振不敏感光开关 |
| CN111999802A (zh) * | 2020-08-11 | 2020-11-27 | 华中科技大学 | 一种非易失可编程的集成光子器件及其设计方法 |
| CN113191115A (zh) * | 2021-05-13 | 2021-07-30 | 中国人民解放军国防科技大学 | 基于dbs算法的可编程任意功率分配器 |
| CN113191115B (zh) * | 2021-05-13 | 2022-08-09 | 中国人民解放军国防科技大学 | 基于dbs算法的可编程任意功率分配器 |
| WO2023284090A1 (zh) * | 2021-07-12 | 2023-01-19 | 华中科技大学 | 基于相变材料的全光布尔逻辑器件及其二元逻辑实现方法 |
| CN113655565A (zh) * | 2021-08-28 | 2021-11-16 | 北京工业大学 | 一种基于相变材料调控的y分支波导结构偏振分束器 |
| CN115061237A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-09-16 | 华中科技大学 | 基于相变材料的可重构功率分支器及功率分支比调节方法 |
| CN115061237B (zh) * | 2022-06-30 | 2024-02-06 | 华中科技大学 | 基于相变材料的可重构功率分支器及功率分支比调节方法 |
| CN115308847A (zh) * | 2022-07-11 | 2022-11-08 | 宁波大学 | 一种基于相变材料的双模干涉2×2光波导开关 |
| CN115308847B (zh) * | 2022-07-11 | 2023-10-24 | 宁波大学 | 一种基于相变材料的双模干涉2×2光波导开关 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109445132B (zh) | 2023-10-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109445132A (zh) | 一种基于相变材料的非易失性可调谐方向耦合器 | |
| CN108279511A (zh) | 一种基于相变材料的电光调制器 | |
| CN106324865A (zh) | 一种基于相变材料三维集成光开关 | |
| CN115032819B (zh) | 共封装光引擎系统及用于其的相变材料阵列的硅基调制器 | |
| CN113267907A (zh) | 一种基于相变材料GemSbnTek的石墨烯辅助驱动微环光开关 | |
| CN114371532A (zh) | 一种基于相变材料的分支波导交互调控超快全光开关 | |
| Zhang et al. | Nonvolatile multilevel switching of silicon photonic devices with In2O3/GST segmented structures | |
| CN106707657A (zh) | 一种基于微环谐振器的控制交换门光学逻辑器件 | |
| CN111258001A (zh) | 基于Si-Ge2Sb2Te5混合波导的片上光子多级开关 | |
| CN113933931A (zh) | 一种基于二氧化钒纳米线的环形腔光调制器 | |
| CN110275365A (zh) | 一种二进制全光四选一数据选择器 | |
| CN114137745A (zh) | 一种三硒化二锑硅基电调光开关、光开关阵列及芯片 | |
| WO2024045491A1 (zh) | 一种基于相变材料-硅混合集成波导的片上起偏器 | |
| Lin et al. | Improving performance of silicon thermo-optic switch by combing spiral phase shifter and optimized pulse driving | |
| CN116088245A (zh) | 基于相变材料Sb2Se3的非易失性可重构紧凑型全光逻辑门 | |
| CN104678676A (zh) | 一种基于微环谐振器的可逆光学逻辑器件 | |
| Adam | Proposal for a universal nonvolatile logic device based on the phase change magnetic material | |
| CN104865772B (zh) | 一种基于微环谐振器的三值光学可逆逻辑器件 | |
| Pérez et al. | Integrated microwave photonics: The quest for the universal programmable processor | |
| CN209514132U (zh) | 一种全光二极管可控单向光传输装置 | |
| CN112327517A (zh) | 窄带宽马赫曾德尔干涉仪及光谱整形装置、方法 | |
| Shadmani et al. | Design and simulation of dual polarization GST-on-silicon nitride optical modulator | |
| CN109683242A (zh) | 一种全光二极管可控单向光传输装置及方法 | |
| CN107872740A (zh) | 一种全光数据选路装置 | |
| CN114895502B (zh) | 一种基于光开关切换网络的重频大范围可调氮化硅微光梳阵列 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |