CN109444224A - 一种微结构气体探测器及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种用于微结构气体探测器的阻性电极的制备方法，其中，所述微结构气体探测器采用锗金属膜作为微结构气体探测器的阻性电极；发明人发现，锗金属膜的膜层厚度与膜层的表面电阻率高度相关，可以通过调整锗金属膜的膜层厚度得到不同表面电阻率的阻性电极；并且锗金属膜相较于现有技术中的阻性电极的制备材料而言，具有稳定性好、薄膜阻值易于控制、均一性好以及较易在印刷线路板上制备的特点，从而一方面降低了微结构气体探测器中阻性电极的制备难度，降低了微结构气体探测器的整体制备难度，进而降低了微结构气体探测器的成本，另一方面提高了阻性电极的品质，提升了微结构探测器的性能指标。
Description
技术领域
本申请涉及半导体材料及核仪器仪表领域，更具体地说，涉及一种微结构气体探测器及基于锗膜材料的微结构气体探测器的制备方法。
背景技术
随着大型对撞机实验中粒子能量和亮度的不断提高，对探测谱仪中的各个探测器的计数能力、抗辐照性能、空间和时间分辨等提出了更高的要求。传统的探测器，例如多丝室和正比管已经很难满足这些需求。而微结构气体探测器(Micro-Pattern GaseousDetector，GPGD)的出现为满足这些需求提供了一种新的解决方案。
微结构气体探测器具有高计数率、抗辐射、高精度位置灵敏等诸多优异特性，很快成为了气体探测器的重要研究方向，在过去的一段时间内得到了长足的发展。但是微结构气体探测器的放电问题一直制约着微结构气体探测器的发展应用。而长期的实验经验表明，阻性电极是解决这一问题的很好的解决方案。
现有技术中作为微结构气体探测器的阻性电极的形成材料有以下两种，一种是阻性浆料，一种是类金刚石碳(Diamond like Carbon，DLC)薄膜。但无论是利用阻性浆料形成阻性电极，还是利用类金刚石碳薄膜作为阻性电极，其制备工艺难度均较高，阻性电极的电阻值稳定性、可控性、均一性等品质难以保证，使得微结构气体探测器的整体制备工艺难度较高。
发明内容
为解决上述技术问题，本申请提供了一种微结构气体探测器及其制备方法，以实现降低微结构气体探测器中阻性电极的制备工艺难度，提升阻性电极的品质，从而降低微结构气体探测器的整体制备难度，进而提升微结构气体探测器的性能指标。
为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：
一种微结构气体探测器，包括：
基板，所述基板具有相对的第一面和第二面，所述第一面具有探测区域；
位于所述基板一侧，至少覆盖所述探测区域的阻性电极，所述阻性电极为锗金属膜；
位于所述阻性电极背离所述基板一侧的支撑层；
位于所述支撑层背离所述基板一侧的阴极。
可选的，所述基板包括：
印刷线路板，所述印刷线路板包括第一绝缘层，位于第一绝缘层一侧的接地层，以及贯穿所述第一绝缘层的多个接地端子，所述接地端子与所述接地层电连接；
位于所述第一绝缘层背离所述接地层一侧的读出层；
覆盖所述读出层的油墨绝缘层。
可选的，所述基板包括：读出层和印刷线路板；其中，
所述印刷线路板包括第一绝缘层，位于所述第一绝缘层一侧的接地层，以及贯穿所述第一绝缘层的多个接地端子，所述接地端子与所述接地层电连接；
所述读出层包覆于所述第一绝缘层中，且与所述接地层和接地端子均绝缘。
可选的，多个所述接地端子在所述第一绝缘层上的正投影分布于所述读出层在所述第一绝缘层上的正投影的四周。
可选的，所述接地端子为第一类接地端或第二类接地端；
所述第一类接地端在所述第一绝缘层上的正投影分布于所述读出层在所述第一绝缘层上的正投影的四周；
所述第二类接地端在所述第一绝缘层上的正投影位于读出层在所述第一绝缘层上的正投影的内部。
可选的，所述支撑层包括与所述第二类接地端一一对应的支撑片，每个所述支撑片覆盖与其对应的第二类接地端。
可选的，所述锗金属膜的厚度的取值范围为100nm-1μm。
一种微结构气体探测器的制备方法，包括：
提供基板，所述基板具有相对的第一面和第二面，所述第一面具有探测区域；
在所述基板一侧形成至少覆盖所述探测区域的阻性电极，所述阻性电极为锗金属膜；
在所述阻性电极背离所述基板一侧形成支撑层；
在所述支撑层背离所述基板一侧形成阴极。
可选的，所述在所述基板一侧形成至少覆盖所述探测区域的阻性电极包括：
采用热蒸发工艺，在所述基板一侧形成至少覆盖所述探测区域的，厚度取值范围为100nm-1μm的锗金属膜。
可选的，所述基板的形成过程包括：
形成印刷线路板，所述印刷线路板包括第一绝缘层，位于第一绝缘层一侧的接地层，以及贯穿所述第一绝缘层的多个接地端子，所述接地端子与所述接地层电连接；
在所述第一绝缘层背离所述接地层一侧形成读出层；
形成覆盖所述读出层的油墨绝缘层；
或包括：
形成第一绝缘层和读出层，所述读出层包覆于所述第一绝缘层中；
在所述第一绝缘层一侧形成接地层以及贯穿所述第一绝缘层的多个接地端子，所述接地端子与所述接地层电连接；所述读出层与所述接地层和接地端子均绝缘。
从上述技术方案可以看出，本申请实施例提供了一种微结构气体探测器制备方法，其中，所述微结构气体探测器采用锗金属膜作为微结构气体探测器的阻性电极；发明人发现，锗金属膜的膜层厚度与膜层的表面电阻率高度相关，可以通过调整锗金属膜的膜层厚度得到不同表面电阻率的阻性电极；并且锗金属膜相较于现有技术中的阻性电极的制备材料而言，具有稳定性好、薄膜阻值易于控制、均一性好以及较易在印刷线路板上制备的特点，从而一方面降低了微结构气体探测器中阻性电极的制备难度，降低了微结构气体探测器的整体制备难度，进而降低了微结构气体探测器的成本，另一方面提高了阻性电极的品质，提升了微结构探测器的性能指标。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请的一个实施例提供的一种微结构气体探测器的俯视结构示意图；
图2为图1中沿AA’线的剖面结构示意图；
图3为本申请的一个实施例提供的一种基板的剖面结构示意图；
图4为本申请的另一个实施例提供的一种基板的剖面结构示意图；
图5为本申请的另一个实施例提供的一种微结构气体探测器的俯视结构示意图；
图6为图5中沿BB’线的剖面结构示意图；
图7为本申请的一个实施例提供的一种微结构气体探测器的制备方法的流程示意图；
图8为本申请的另一个实施例提供的一种微结构气体探测器的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
正如背景技术中所述，现有技术中制备阻性电极的工艺通常包括两种，一种是基于阻性浆料(Resistive Paste，RP)的丝网印刷工艺，阻性浆料通常是指环氧类树脂胶和精细研磨的碳粉的混合物。这种工艺制备阻性电极的好处在于它是基于工业化较为成熟的丝网印刷技术，可以容易制作成几个平方米规模的大面积薄膜，使得它成为平方米量级的大尺寸探测器的适用方案。但是阻性浆料在调和成10MΩ/-100MΩ/的理想阻值的难度很高且稳定性较差，而且由于基于环氧类有机材料的基材不够稳定，材料在遇到探测器打火时会发生溅射，从而导致探测器的漏电，甚至导通损坏。
另一种是通过磁控溅射石墨靶材，制作成一种类金刚石碳的薄膜来作为阻性电极。通过工艺控制，这种薄膜可以达到探测器阻性电极所需的理想阻值，且材料稳定性好。但是，类金刚石碳阻性电极制备过程中，对基板材料的要求较高，特别是要求基板材料不能放气，否则很容易造成电阻率不受控制。而微结构气体探测器的基板通常为PCB(PrintedCircuit Board，印刷线路板)基材，而PCB基材恰恰是一种高放气率的材料，很难保证在类金刚石碳制备前把PCB基材内部的气体去除干净，因此在PCB上直接制作类金刚石碳阻性电极的成品率较低。通常的做法是将类金刚石碳镀在聚酰亚胺(Polyimide，PI)膜层上，再将聚酰亚胺膜层粘接到PCB上作为阻性电极使用。然而这样做不仅增加了阻性电极的制作工艺的复杂程度，还由于粘接过程需要加热和施加压力导致DLC的面电阻率会发生一定程度的改变，增加了阻性电极制作的难度。
有鉴于此，本申请实施例提供了一种微结构气体探测器，包括：
基板，所述基板具有相对的第一面和第二面，所述第一面具有探测区域；
位于所述基板一侧，至少覆盖所述探测区域的阻性电极，所述阻性电极为锗金属膜；
位于所述阻性电极背离所述基板一侧的支撑层；
位于所述支撑层背离所述基板一侧的阴极。
所述微结构气体探测器采用锗金属膜作为微结构气体探测器的阻性电极；发明人发现，锗金属膜的膜层厚度与膜层的表面电阻率高度相关，可以根据需要，调整锗金属膜的膜层厚度得到不同表面电阻率的阻性电极；并且锗金属膜相较于现有技术中的阻性电极的制备材料而言，具有稳定性好、薄膜阻值易于控制、均一性好以及较易在印刷线路板上制备的特点，从而一方面降低了微结构气体探测器中阻性电极的制备难度，降低了微结构气体探测器的整体制备难度，进而降低了微结构气体探测器的成本，另一方面提高了阻性电极的品质，提升了微结构探测器的性能指标。
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供了一种微结构气体探测器，参考图1和图2，图1为所述微结构气体探测器的俯视结构示意图，图2为图1中沿AA’线的剖面结构示意图，所述微结构气体探测器包括：
基板10，所述基板10具有相对的第一面和第二面，所述第一面具有探测区域；
位于所述基板10一侧，至少覆盖所述探测区域的阻性电极40，所述阻性电极40为锗金属膜；
位于所述阻性电极40背离所述基板10一侧的支撑层50；
位于所述支撑层50背离所述基板10一侧的阴极60。
需要说明的是，在图1和图2以及后续的附图中的坐标系均是以基板10指向阻性电极40为Z轴正向建立的右手坐标系。
在本实施例中，所述微结构气体探测器采用锗金属膜作为微结构气体探测器的阻性电极40；发明人发现，锗金属膜的膜层厚度与膜层的表面电阻率高度相关，可以通过调整锗金属膜的膜层厚度得到不同表面电阻率的阻性电极40；并且锗金属膜相较于现有技术中的阻性电极40的制备材料而言，具有稳定性好、薄膜阻值易于控制、均一性好以及较易在印刷线路板上制备的特点，从而一方面降低了微结构气体探测器中阻性电极的制备难度，降低了微结构气体探测器的整体制备难度，进而降低了微结构气体探测器的成本，另一方面提高了阻性电极的品质，提升了微结构探测器的性能指标。可选的，所述锗金属膜的厚度的取值范围为100nm-1μm。在该范围内的锗金属膜即可提供从小于兆欧/到数百兆欧/范围内的表面电阻率，从而满足各种微结构气体探测器对于阻性电极40的要求。
在上述实施例的基础上，本申请的一个实施例给出了两种可行的基板10实现方式，分别参考图3和图4，在图3所示的基板10的剖面结构示意图中，所述基板10包括：
印刷线路板，所述印刷线路板包括第一绝缘层12，位于第一绝缘层12一侧的接地层11，以及贯穿所述第一绝缘层12的多个接地端子20，所述接地端子20与所述接地层11电连接；
位于所述第一绝缘层12背离所述接地层11一侧的读出层30；
覆盖所述读出层30的油墨绝缘层70。
在图3所示的基板10中，所述读出层30设置在印刷线路板(Printed CircuitBoard，PCB)的外层表面，且读出层30上设置有油墨绝缘层70来作为绝缘层。这种油墨绝缘层70的厚度的取值可以为30μm。该油墨绝缘层70用于隔离读出层30和锗金属膜，使得读出层30通过电容耦合读出信号。
仍然参考图3，可选的，所述读出层30可以为沿Z轴方向延伸的多条金属条构成，可选的，所述金属条为铜金属条。
在图4所示的基板10的剖面结构示意图中，所述基板10包括：读出层30和印刷线路板；其中，
所述印刷线路板包括第一绝缘层12，位于所述第一绝缘层12一侧的接地层11，以及贯穿所述第一绝缘层12的多个接地端子20，所述接地端子20与所述接地层11电连接；
所述读出层30包覆于所述第一绝缘层12中，且与所述接地层11和接地端子20均绝缘。
在图4所示的基板10中，所述印刷线路板采用多层PCB技术，直接将读出层30制作在印刷线路板的第一绝缘层12中，使得第一绝缘层12包覆所述读出层30，利用第一绝缘层12，即印刷线路板的材料本身作为绝缘层，可以将基板10整体厚度限制在80μm左右。图4所示的基板10的制备过程相对更加简便，并且提供了一个相对更加平整的第一表面来形成锗金属膜，有利于形成形貌良好的锗金属膜，从而进一步优化所述微结构气体探测器的性能。
另外，需要说明的是，在图3和图4所示的结构中，所述读出层30在Z轴方向上所在的区域即为所述探测区域。
下面对多个接地端子20的分布方式进行说明，仍然参考图1，在图1所示的实施例中，多个所述接地端子20在所述第一绝缘层上的正投影分布于所述读出层30在所述第一绝缘层上的正投影的四周。
在微结构气体探测器的应用过程中，阻性电极40同时还作为微结构气体探测器的阳极，由于在工作过程中会产生很多电荷，因此需要将阻性电极40与基板10的接地层11电连接，以通过所述接地层11实现与电源的地电极的连接，以保证探测工作所需的电极电势，并泄放工作过程中产生的电荷。当所述探测区域的表面积(XY平面上的面积)较小(通常小于200×200mm2)时，仅需要如图1所示，在锗金属膜的边缘接地即可满足泄放电荷的要求。
但当探测区域的表面积较大时，仅靠边缘的接地端子20接地已经无法满足快速泄放工作过程中探测区域中央位置产生的电荷，因此，如图5所示，所述接地端子20为第一类接地端21或第二类接地端22；
所述第一类接地端21在所述第一绝缘层上的正投影分布于所述读出层30在所述第一绝缘层上的正投影的四周；
所述第二类接地端22在所述第一绝缘层上的正投影位于读出层30在所述第一绝缘层上的正投影的内部。
图5为所述气体微结构探测器的俯视结构示意图，在图5中，通过设置多个第二类接地端22来解决具有较大面积的探测区域的气体微结构探测器的中央区域的电荷泄放问题。
无论是图1所示的接地端子20还是图5所示的第一类接地端21和第二类接地端22，其表面直径通常小于0.5mm。
但在图5所示的微结构气体探测器中，由于设置了多个第二类接地端22在探测区域的中央区域，这些第二类接地端22会在锗金属膜平面上形成多个低电阻点，如果不做处理，将成为微结构气体探测器打火的易发区域。另外，这些位置处没有读出层30覆盖，可能增加微结构气体探测器的死区。
针对这种情况，参考图6，图6为图5中沿BB’线的剖面结构示意图，在图6所示的微结构气体探测器中，所述支撑层50包括与所述第二类接地端22一一对应的支撑片51，每个所述支撑片51覆盖与其对应的第二类接地端22。
所述支撑片51可以是利用热压膜技术方法制作的热熔胶膜支撑片。所述支撑片51的直径可以在1mm左右，只要实现完全覆盖所述第二类接地端22即可。另外，所述支撑层50还包括覆盖所述第一类接地端21的支撑环，所述支撑环为一个环状结构，由于无需避开读出层30的位置，因此可以制备成环状。
下文对本申请实施例提供的微结构气体探测器的制备方法进行描述，下文描述的微结构气体探测器的制备方法可与上文描述的微结构气体探测器相互对应参照。
相应的，本申请实施例还提供了一种微结构气体探测器的制备方法，如图7所示，所述微结构气体探测器的制备方法包括：
S101：提供基板，所述基板具有相对的第一面和第二面，所述第一面具有探测区域；
S102：在所述基板一侧形成至少覆盖所述探测区域的阻性电极，所述阻性电极为锗金属膜；
S103：在所述阻性电极背离所述基板一侧形成支撑层；
S104：在所述支撑层背离所述基板一侧形成阴极。
可选的，在本申请的一个实施例中，如图8所示，所述微结构气体探测器的制备方法包括：
S201：提供基板，所述基板具有相对的第一面和第二面，所述第一面具有探测区域；
S202：采用热蒸发工艺，在所述基板一侧形成至少覆盖所述探测区域的，厚度取值范围为100nm-1μm的锗金属膜；
S203：在所述阻性电极背离所述基板一侧形成支撑层；
S204：在所述支撑层背离所述基板一侧形成阴极。
可选的，仍然参考图8，所述基板的形成过程包括：
S2011：形成印刷线路板，所述印刷线路板包括第一绝缘层，位于第一绝缘层一侧的接地层，以及贯穿所述第一绝缘层的多个接地端子，所述接地端子与所述接地层电连接；
S2012：在所述第一绝缘层背离所述接地层一侧形成读出层30；
S2013：形成覆盖所述读出层30的油墨绝缘层；
或包括：
S2014：形成第一绝缘层和读出层30，所述读出层30包覆于所述第一绝缘层中；
S2015：在所述第一绝缘层一侧形成接地层以及贯穿所述第一绝缘层的多个接地端子，所述接地端子与所述接地层电连接；所述读出层30与所述接地层和接地端子均绝缘。
在上述实施例的基础上，在本申请的一个可选实施例中，提供了一种具体地微结构气体探测器的制备方法，具体包括：
S301：提供如图3或如图4所示的基板；
S302：对所述基板进行清洁与预处理；
具体地，在进行镀膜前，需要对基板进行充分清洁，通常可用无水酒精擦拭基材面。对于探测面积较大的基板而言，由于第二类接地端通常会形成30μm左右的凸出点，因此，需要对第二类接地端进行剖光打磨处理，以保证第二类接地端与基板的第一绝缘层处于同一水平面上，从而保证后续蒸镀的锗金属膜和第二类接地端具有良好的欧姆接触。另外，对于镀膜区域以外的区域，需要用掩膜板覆盖以防止被镀上锗金属材料。可选的，可以用铝箔作为该掩膜板。
S303：在基板上进行真空镀膜，以形成覆盖探测区域的锗金属膜，作为所述阻性电极。
镀膜采用的是基于电磁加热或电子束加热的热蒸镀方法，用于镀膜的靶材料是颗粒状的、纯度为99.9999％的单晶锗颗粒，其体电阻率小于50Ω·cm。锗靶材放在蒸发容器钨金属的蒸发舟中，将镀膜腔抽到5×10-6毫米汞柱的真空度，然后开始加热锗靶材，进行蒸发镀膜。
S304：进行支撑层和阴极的制备。
在微结构气体探测器的应用过程中，阻性电极同时还作为微结构气体探测器的阳极，由于在工作过程中会产生很多电荷，因此需要将阻性电极与基板的接地层电连接，以通过所述接地层实现与电源的地电极的连接，以保证探测工作所需的电极电势，并泄放工作过程中产生的电荷。当所述探测区域的表面积(XY平面上的面积)较小(通常小于200×200mm2)时，仅需要如图1所示，在锗金属膜的边缘接地即可满足泄放电荷的要求。
但当探测区域的表面积较大时，仅靠边缘的接地端子接地已经无法满足快速泄放工作过程中探测区域中央位置产生的电荷，因此，如图5所示，所述接地端子为第一类接地端或第二类接地端；
所述第一类接地端在所述第一绝缘层上的正投影分布于所述读出层在所述第一绝缘层上的正投影的四周；
所述第二类接地端在所述第一绝缘层上的正投影位于读出层在所述第一绝缘层上的正投影的内部。
图5为所述气体微结构探测器的俯视结构示意图，在图5中，通过设置多个第二类接地端来解决具有较大面积的探测区域的气体微结构探测器的中央区域的电荷泄放问题。
无论是图1所示的接地端子还是图5所示的第一类接地端和第二类接地端，其表面直径通常小于0.5mm。
但在图5所示的微结构气体探测器中，由于设置了多个第二类接地端在探测区域的中央区域，这些第二类接地端会在锗金属膜平面上形成多个低电阻点，如果不做处理，将成为微结构气体探测器打火的易发区域。另外，这些位置处没有读出层覆盖，可能增加微结构气体探测器的死区。
针对这种情况，参考图6，图6为图5中沿BB’线的剖面结构示意图，在图6所示的微结构气体探测器中，所述支撑层包括与所述第二类接地端一一对应的支撑片，每个所述支撑片覆盖与其对应的第二类接地端。
所述支撑片可以是利用热压膜技术方法制作的热熔胶膜支撑片。所述支撑片的直径可以在1mm左右，只要实现完全覆盖所述第二类接地端即可。另外，所述支撑层还包括覆盖所述第一类接地端的支撑环，所述支撑环为一个环状结构，由于无需避开读出层的位置，因此可以制备成环状。
可选的，在微网格气体探测器(Micro-mesh gaseous structure，Micromegas)中，所述阴极为丝网电极。
综上所述，本申请实施例提供了一种微结构气体探测器及其制备方法，其中，所述微结构气体探测器采用锗金属膜作为微结构气体探测器的阻性电极；发明人发现，锗金属膜的膜层厚度与膜层的表面电阻率高度相关，可以通过调整锗金属膜的膜层厚度得到不同表面电阻率的阻性电极；并且锗金属膜相较于现有技术中的阻性电极的制备材料而言，具有稳定性好、薄膜阻值易于控制、均一性好以及较易在印刷线路板上制备的特点，从而一方面降低了微结构气体探测器中阻性电极的制备难度，降低了微结构气体探测器的整体制备难度，进而降低了微结构气体探测器的成本，另一方面提高了阻性电极的品质，提升了微结构探测器的性能指标。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种微结构气体探测器，其特征在于，包括：
基板，所述基板具有相对的第一面和第二面，所述第一面具有探测区域；
位于所述基板一侧，至少覆盖所述探测区域的阻性电极，所述阻性电极为锗金属膜；
位于所述阻性电极背离所述基板一侧的支撑层；
位于所述支撑层背离所述基板一侧的阴极。
2.根据权利要求1所述的微结构气体探测器，其特征在于，所述基板包括：
印刷线路板，所述印刷线路板包括第一绝缘层，位于第一绝缘层一侧的接地层，以及贯穿所述第一绝缘层的多个接地端子，所述接地端子与所述接地层电连接；
位于所述第一绝缘层背离所述接地层一侧的读出层；
覆盖所述读出层的油墨绝缘层。
3.根据权利要求1所述的微结构气体探测器，其特征在于，所述基板包括：读出层和印刷线路板；其中，
所述印刷线路板包括第一绝缘层，位于所述第一绝缘层一侧的接地层，以及贯穿所述第一绝缘层的多个接地端子，所述接地端子与所述接地层电连接；
所述读出层包覆于所述第一绝缘层中，且与所述接地层和接地端子均绝缘。
4.根据权利要求2或3所述的微结构气体探测器，其特征在于，多个所述接地端子在所述第一绝缘层上的正投影分布于所述读出层在所述第一绝缘层上的正投影的四周。
5.根据权利要求2或3所述的微结构气体探测器，其特征在于，所述接地端子为第一类接地端或第二类接地端；
所述第一类接地端在所述第一绝缘层上的正投影分布于所述读出层在所述第一绝缘层上的正投影的四周；
所述第二类接地端在所述第一绝缘层上的正投影位于读出层在所述第一绝缘层上的正投影的内部。
6.根据权利要求5所述的微结构气体探测器，其特征在于，所述支撑层包括与所述第二类接地端一一对应的支撑片，每个所述支撑片覆盖与其对应的第二类接地端。
7.根据权利要求1所述的微结构气体探测器，其特征在于，所述锗金属膜的厚度的取值范围为100nm-1μm。
8.一种微结构气体探测器的制备方法，其特征在于，包括：
提供基板，所述基板具有相对的第一面和第二面，所述第一面具有探测区域；
在所述基板一侧形成至少覆盖所述探测区域的阻性电极，所述阻性电极为锗金属膜；
在所述阻性电极背离所述基板一侧形成支撑层；
在所述支撑层背离所述基板一侧形成阴极。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述基板一侧形成至少覆盖所述探测区域的阻性电极包括：
采用热蒸发工艺，在所述基板一侧形成至少覆盖所述探测区域的，厚度取值范围为100nm-1μm的锗金属膜。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述基板的形成过程包括：
形成印刷线路板，所述印刷线路板包括第一绝缘层，位于第一绝缘层一侧的接地层，以及贯穿所述第一绝缘层的多个接地端子，所述接地端子与所述接地层电连接；
在所述第一绝缘层背离所述接地层一侧形成读出层；
形成覆盖所述读出层的油墨绝缘层；
或包括：
形成第一绝缘层和读出层，所述读出层包覆于所述第一绝缘层中；
在所述第一绝缘层一侧形成接地层以及贯穿所述第一绝缘层的多个接地端子，所述接地端子与所述接地层电连接；所述读出层与所述接地层和接地端子均绝缘。
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