CN107450093A - 阻性阳极读出装置及制备方法、阻性阳极读出方法 - Google Patents

Abstract

本公开提供一种阻性阳极读出装置、阻性阳极读出装置的制备方法以及阻性阳极读出方法，应用于探测器领域，该阻性阳极读出装置包括陶瓷基板，所述陶瓷基板上设有多个过孔；以及读出电极，设于所述陶瓷基板上，所述读出电极包括阵列排布的多个阻性单元，且各所述阻性单元均包括阻性方块以及与所述阻性方块各边连接的多个阻性长条。本公开可便捷地修正探测器成像畸变。

Description

阻性阳极读出装置及制备方法、阻性阳极读出方法

技术领域

本公开涉及气体探测领域，尤其涉及一种阻性阳极读出装置、阻性阳极读出装置的制备方法以及阻性阳极读出方法。

背景技术

气体电子倍增器(Gas Electron Multiplier，GEM)作为二维位置灵敏探测器，通常采用二维条读出或像素读出电极结构，并结合重心法来进行定位和成像。但是，高的位置分辨率往往需要匹配窄间隙的读出电极，为了解决高位置分辨需要匹配庞大读出电子学的问题，研究出新的读出结构和读出方法，例如改进型的电极(Pad)读出，延迟线读出，楔条阳极读出等等。

传统的阻性阳极读出结构参考图1所示，其中，结构a从Pad的四个顶角引出信号；结构b为Gear-type电极；结构c为Doke-type电极。

但是使用a读出结构进行二维成像时，存在严重的枕形失真现象，需要后期通过复杂的软件算法来修正；在b结构中，弧形低阻条的引入使得成像趋于线性，但是Gear-type电极的读出单元不是方形，而是呈四边向内凹陷的枕形结构，这导致灵敏区域占阳极总面积的比例不大并且在将多个该结构的探测器用于大面积探测时，死区过多；c结构可以极大减弱枕形失真，但是采用半导体制作单一Pad阻性单元来作为读出结构，受材料和读出时间的限制，不能用于气体电子倍增器的读出。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种阻性阳极读出装置、阻性阳极读出装置的制备方法以及阻性阳极读出方法，进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。

根据本公开的一个方面，提供一种阻性阳极读出装置，包括：

陶瓷基板，所述陶瓷基板上设有多个过孔；

读出电极，设于所述陶瓷基板上，所述读出电极包括阵列排布的多个阻性单元，且各所述阻性单元均包括阻性方块以及与所述阻性方块各边连接的多个阻性长条。

在本公开的一种示例性实施例中，所述装置还包括：

导体走线层，设于所述陶瓷基板第一侧，且通过所述过孔与所述陶瓷基板连接；

第一方阻层，设于所述陶瓷基板第二侧，且通过所述过孔与所述陶瓷基板第一侧连接；

第二方阻层，设于所述陶瓷基板第二侧，且与所述第一方阻层连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一方阻层为低方阻层，所述第二方阻层为高方阻层。

根据本公开的一个方面，提供一种阻性阳极读出装置的制备方法，包括：

提供陶瓷基板，并在所述陶瓷基板上形成多个过孔；

在所述陶瓷基板第一侧制作导体走线层，并在所述过孔中注入银浆，以连接所述陶瓷基板的第一侧和第二侧；

分别制作与第一方阻层和第二方阻层对应的厚膜电阻浆料；

将所述厚膜电阻浆料印制在所述陶瓷基板第二侧，以形成所述第一方阻层和所述第二方阻层；

对所述陶瓷基板进行烘干和烧结。

在本公开的一种示例性实施例中，将所述厚膜电阻浆料印制在所述陶瓷基板第二侧包括：

通过厚膜电阻工艺中的丝网印刷方法将所述厚膜电阻浆料印制在所述陶瓷基板第二侧。

根据本公开的一个方面，提供一种阻性阳极读出方法，包括：

分别根据预设算法重建预设击中事例的预设击中位置；其中，所述预设算法有多个，且各所述预设算法分别对应一个所述预设击中位置；

采用加权迭代重建算法对所述预设击中位置进行组合，计算与所述预设击中事例对应的最终击中位置。

在本公开的一种示例性实施例中，根据预设算法重建预设击中事例的预设击中位置包括：

在所述预设击中事例当前位置所在的阻性单元中，将收集电荷最多的节点确定为种子节点；

根据与所述种子节点在各坐标轴方向上收集电荷最多的相邻节点，在各坐标轴方向上分别确定一个或多个阻性单元；其中，所述阻性单元包括所述种子节点以及至少一个所述相邻节点；

根据各所述阻性单元各个节点的坐标以及各个节点的收集电荷，重建所述预设击中事例的第一预设击中位置和第二预设击中位置。

在本公开的一种示例性实施例中，根据预设算法重建预设击中事例的预设击中位置还包括：

将所述预设击中事例当前位置所在的阻性单元中，收集电荷最多的节点确定为种子节点；

根据所述种子节点以及所述种子节点在各坐标轴方向上相邻节点的坐标以及各个节点的收集电荷，重建所述预设击中事例的第三预设击中位置。

在本公开的一种示例性实施例中，计算与所述预设击中事例对应的最终击中位置包括：

计算各所述预设击中位置对应的权重因子，并根据各所述预设击中位置以及各所述权重因子计算当前击中位置；

判断所述当前击中位置与初始击中位置之差是否在预设范围内，并在判断所述当前击中位置与初始击中位置之差在所述预设范围时，将所述当前击中位置确定为最终击中位置。

在本公开的一种示例性实施例中，计算与所述预设击中事例对应的最终击中位置还包括：

在所述当前击中位置与所述初始击中位置之差未在所述预设范围时，检测迭代次数是否大于预设次数；

在所述迭代次数小于所述预设次数时，将所述当前击中位置与所述初始击中位置的平均值确定为当前击中位置，并将当前击中位置重新设置为第一预设击中位置；

根据重新确定的第一预设击中位置，采用迭代算法重新计算与所述预设击中事例对应的最终击中位置。

本公开示例性实施方式所提供的阻性阳极读出装置及方法，一方面，该读出装置可以提供更多的节点电荷，更便捷地修正探测器成像畸变；另一方面，该阻性阳极读出装置在保持高位置分辨率的前提下可以大幅度节省电子学；另外，所述阻性阳极读出方法可以对探测器成像的所有区域进行重建，降低成像的边缘畸变程度，从而提高成像质量。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示意性示出传统阻性阳极读出装置的结构示意图；

图2示意性示出本示例性实施例中一种阻性阳极读出装置的结构示意图；

图3示意性示出本示例性实施例中一种阻性阳极读出装置的制备方法的流程示意图；

图4示意性示出本公开示例性实施例中一种阻性阳极读出方法流程图示意图；

图5示意性示出本公开示例性实施例中一种重建算法流程示意图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。

此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。附图中所示的一些方框图是功能实体，不一定必须与物理或逻辑上独立的实体相对应。可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个硬件模块或集成电路中实现这些功能实体，或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。

参考图2所示，本示例实施方式首先提供了一种阻性阳极读出装置，可以应用于气体探测器中，所述读出装置可以包括：

陶瓷基板，所述陶瓷基板上设有多个过孔；

读出电极，设于所述陶瓷基板上，所述读出电极包括阵列排布的多个阻性单元，且各所述阻性单元均包括阻性方块以及与所述阻性方块各边连接的多个阻性长条。

在本示例实施例中，所述读出装置可以包括陶瓷基板以及读出电极；其中，所述陶瓷基板的厚度可以为1mm，此处陶瓷基板的材料例如可以为含玻璃的氧化铝或者其它材料。另外，还可以在陶瓷基板上形成孔径为0.3mm的多个过孔，其中多个过孔主要起连接作用，可以间隔分布在陶瓷基板两侧。

所述读出电极，可以设于所述陶瓷基板表面上并与陶瓷基板的表面贴合，读出电极可以包括阵列排布的多个阻性单元，且所述多个过孔均位于所述阻性单元的顶点外侧。例如，图2中所示的读出电极包括5×5 个阵列排布的阻性单元。

具体而言，每个阻性单元均包括一个阻性方块以及四个阻性长条，各阻性长条位于阻性方块外侧周边且各阻性长条的较长边均与所述阻性方块的各边外侧连接；所述多个过孔均位于所述阻性方块四个顶点的外侧。本示例性实施例中，阻性方块可以为高方阻区域，其尺寸可以为 7.8mm×7.8mm；阻性长条可以为低方阻区域，其尺寸为0.2mm×8mm。需要注意的是，本示例性实施例中的孔径、阻性方块和阻性长条的尺寸也可以根据需求定义。

本示例性实施例中提供的阻性阳极读出装置，由于电荷在阻性平面上连续扩散，不会出现宽的电极间隙对成像调制的现象，因此比较适合较大位置分辨率的读出。另外，由于阻性长条可以用于限制电荷扩散到周围阻性方块，因此感应电荷在阻性阳极上不会被立刻收集，而是在阻性方块上存在一个扩散过程，最后被连接到过孔的读出电子学收集。这使得本示例实施例中的阻性阳极读出装置具有更好的耐打火能力，从而可以保证探测器长时间稳定工作。

此外，本示例实施方式中，所述阻性阳极读出装置还可以包括：

导体走线层，设于所述陶瓷基板第一侧，且通过所述过孔与所述陶瓷基板连接；

第一方阻层，设于所述陶瓷基板第二侧，且通过所述过孔与所述陶瓷基板第一侧连接；

第二方阻层，设于所述陶瓷基板第二侧，且与所述第一方阻层连接。

在本示例性实施例中，第一侧可以与第二侧相对设置，例如第一侧可以为陶瓷基板的底层，第二侧可以为陶瓷基板的顶层。导体走线层可以包括互连线层或者多层布线，可以将导体走线层设于陶瓷基板的底层，且所述导体走线层可以通过过孔中填充的导电物质实现导体走线层与陶瓷基板的连接，导电物质可以为银浆或者其它材料。第一方阻层可以理解为由多个阻性长条形成的信号层，可以设置于陶瓷基板的顶层且可以通过所述过孔中填充的导电物质与所述陶瓷基板的底层连接。第二方阻层可以理解为由多个阻性方块形成的信号层，同样可设置于陶瓷基板的顶层并且与第一方阻层连接。其中，第一方阻层可以位于第二方阻层的上方或下方。

综上所述，一方面，所述阻性阳极读出装置在现有Doke-type电极的基础上，减小了电极尺寸，且通过阵列扩展，可以提供更多的读出节点电荷信息，便于使用重建算法修正图形畸变；另一方面，在实现探测器高位置分辨率的前提下，可以降低探测器所需要的读出电子学通道，节约探测器的制造成本。

此外，本示例实施方式中，提供了一种阻性阳极读出装置的制备方法，参考图3所示，所述制备方法的具体步骤可以包括：

步骤S310.提供陶瓷基板，并在所述陶瓷基板上形成多个过孔；

步骤S320.在所述陶瓷基板第一侧制作导体走线层，并在所述过孔中注入银浆，以连接所述陶瓷基板的第一侧和第二侧；

步骤S330.分别制作与第一方阻层和第二方阻层对应的厚膜电阻浆料；

步骤S340.将所述厚膜电阻浆料印制在所述陶瓷基板第二侧，以形成所述第一方阻层和所述第二方阻层；

步骤S350.对所述陶瓷基板进行烘干和烧结。

接下来，对本示例实施方式中提供的一种阻性阳极读出装置的制备方法的具体步骤进行详细说明。

在步骤S310中，提供陶瓷基板，并在所述陶瓷基板上形成多个过孔。

在本示例性实施例中，可以提供一个起绝缘作用的陶瓷基板，并且可以在陶瓷基板上形成多个过孔，其中多个过孔主要起连接作用，可以间隔分布在陶瓷基板两侧。

在步骤S320中，在所述陶瓷基板第一侧制作导体走线层，并在所述过孔中注入银浆，以连接所述陶瓷基板的第一侧和第二侧。

在本示例性实施例中，第一侧可以为陶瓷基板的底层，可以在陶瓷基板的底层制作导体走线层。导体走线层可以包括互连线层或者多层布线，其可以通过导体浆料制造厚膜导体而形成。然后可以在陶瓷基板的多个过孔中灌入银浆，以实现陶瓷基板第一侧与第二侧的电气连接。

在步骤S330中，分别制作与第一方阻层和第二方阻层对应的厚膜电阻浆料。

在本示例性实施例中，第一方阻层为低方阻层，其方阻为1kΩ/□；第二方阻层为高方阻层，其方阻为200kΩ/□。一般而言，厚膜电阻浆料可以包括钌系电阻浆料或者其它成分浆料。本示例性实施例中，可以通过相同的材料制作第一方阻层和第二方阻层对应的厚膜电阻浆料。

在步骤S340中，将所述厚膜电阻浆料印制在所述陶瓷基板第二侧，以形成所述第一方阻层和所述第二方阻层。

在本示例性实施例中，可以将与第一方阻层和所述第二方阻层对应的厚膜电阻浆料依次印制在陶瓷基板的第二侧。第二侧可以为陶瓷基板的顶层。同时保证陶瓷基板顶层和底层的相互连接以及保证高方阻层与低方阻层之间的电气连接。

具体地，本示例实施方式中，可以通过厚膜电阻工艺中的丝网印刷方法将所述厚膜电阻浆料印制在所述陶瓷基板第二侧。

在本示例性实施例中，可以通过丝网印刷或者其它印刷方法，将制版上的图像印制在陶瓷基板上，形成特定图形。

在步骤S350中，对所述陶瓷基板进行烘干和烧结。

在本示例性实施例中，通过丝网印刷技术将厚膜电阻浆料印制在陶瓷基板顶层后，可以对所述陶瓷基板进行烧结。所述烧结工艺可以用于干燥陶瓷基板上的浆料，使浆料和陶瓷基板形成良好的电气互连，并使厚膜电阻的阻值稳定，以形成良好的欧姆接触，具体地，可以通过烧结炉快速烧结，烧结温度可以设置为815°。需要注意的是，为了使厚膜电阻达到最佳性能，在烧结后还可以进行调阻。

在本示例性实施例中，通过厚膜电阻工艺制作的阻性阳极读出装置，制作方法操作简单，成本较低，且可大面积制作。

此外，本示例实施方式中，还提供了一种阻性阳极读出方法，参考图4所示，所述方法可以包括：

步骤S410.分别根据预设算法重建预设击中事例的预设击中位置；其中，所述预设算法有多个，且各所述预设算法分别对应一个所述预设击中位置；

步骤S420.采用加权迭代重建算法对所述预设击中位置进行组合，计算与所述预设击中事例对应的最终击中位置。

本示例性实施例中提供的阻性阳极读出方法，通过对多种预设算法计算的击中事例的预设击中位置进行组合处理，可以对成像的各个区域进行重建，从而可以降低成像的畸变程度，提高成像质量。

接下来，对所述阻性阳极读出方法中的各个步骤进行详细说明。

在步骤S410中，分别根据预设算法重建预设击中事例的预设击中位置。

在本示例性实施例中，所述预设算法可以有多个，且可以根据每一个预设算法分别计算一个对应的预设击中位置。举例而言，预设算法可以为包括基于电荷重心法的4节点重建算法、6节点重建算法、3节点重建算法或者其它算法，本示例性实施例中以4节点重建算法、6节点重建算法以及3节点重建算法为例进行具体说明。参考图2所示，假设位于阻性单元单元4的晕团为一个预设击中事例，且节点6收集到的电荷最多。则可以通过三种预设算法分别计算与预设击中事例对应的第一预设击中位置、第二预设击中位置以及第三预设击中位置。

具体地，本示例实施方式中，根据预设算法重建预设击中事例的预设击中位置可以包括：

在所述预设击中事例当前位置所在的阻性单元中，将收集电荷最多的节点确定为种子节点；

根据与所述种子节点在各坐标轴方向上收集电荷最多的相邻节点，在各坐标轴方向上分别确定一个或多个阻性单元；其中，所述阻性单元包括所述种子节点以及至少一个所述相邻节点；

根据各所述阻性单元各个节点的坐标以及各个节点的收集电荷，重建所述预设击中事例的第一预设击中位置和第二预设击中位置。

在本示例性实施例中，首先可以根据所述预设击中事例当前所在的阻性单元，将收集电荷最多的节点确定为种子节点。例如，对于图2中的预设击中事例，节点6收集的电荷最多，则可以将种子节点确定为节点6。接下来，可以根据与所述种子节点在各坐标轴方向上收集电荷最多的相邻节点，在各坐标轴方向上分别确定一个或多个阻性单元。

例如，在4节点重建算法中，节点6在X轴方向的相邻节点为5和 7，而节点5的电荷量大于节点7，则可以确定包含节点5和6的阻性单元4；在6节点重建算法中，节点6在X轴方向的相邻节点为5和7，而节点5的电荷量大于节点7，则可以确定同时包含节点5和6的阻性单元 1和4。最后，可以根据确定的阻性单元中各个节点的位置坐标以及各个节点收集的电荷量，根据对应算法重建预设击中事例的第一预设击中位置和第二预设击中位置。

具体而言，4节点重建算法计算第一预设击中位置的具体过程如下：

1.首先，确定种子节点，Q₆最大且过阈值，则节点6为种子节点；

2.Q₅>Q₇，则击中事例位于节点6左侧的单元，即单元1或单元4；

3.Q₁₀>Q₂，则击中事例位于节点6上侧的单元，即单元4或单元5；

4.两者综合，判断出单元4为种子单元，阻性单元4的节点分别为：节点5、6、9、10；

5.利用阻性单元4的4个节点上的收集电荷以及各个节点的位置坐标，根据下述公式(1)重建第一预设击中位置，并用X₄和Y₄表示：

类似的，6节点重建算法计算第二预设击中位置的具体过程如下：

1.首先，确定种子节点，Q₆最大且过阈值，则节点6为种子节点；

2.Q₅>Q₇，则在沿X方向上，用包含节点6和节点5的两个阻性单元 (即单元4和单元1)上的6个节点来重建Y坐标；

3.Q₁₀>Q₂，则在沿Y方向上，用包含节点6和节点10的两个阻性单元(即单元4和单元5)上的6个节点来重建X坐标；

4.利用阻性单元4、5上的6个节点上的收集电荷以及各个节点的位置坐标，同时利用阻性单元4、1上的6个节点上的收集电荷以及各个节点的位置坐标，根据下述公式(2)重建第二预设击中位置，并用X₆和 Y₆表示：

具体地，本示例实施方式中，根据预设算法重建预设击中事例的预设击中位置还可以包括：

将所述预设击中事例当前位置所在的阻性单元中，收集电荷最多的节点确定为种子节点；

根据所述种子节点以及所述种子节点在各坐标轴方向上相邻节点的坐标以及各个节点的收集电荷，重建所述预设击中事例的第三预设击中位置。

在本示例性实施例中，也可以通过与上述相同的方法首先确定种子节点，然后确定种子节点分别在X轴和Y轴方向上的相邻节点，并根据各个相邻节点的位置坐标以及各个相邻节点收集的电荷量，根据对应算法重建预设击中事例的第三预设击中位置。

具体地，3节点重建算法计算第三预设击中位置的具体过程如下：

1.首先，确定种子节点，Q₆最大且过阈值，则节点6为种子节点；

2.在沿X方向上，选择节点6的相邻节点5、7以及节点6本身来重建X坐标；

3.在沿Y方向上，选择节点6的相邻节点2、10以及节点6本身来重建Y坐标；

4.利用各坐标轴方向上的3个节点的收集电荷以及各个节点的位置坐标，根据下述公式(3)重建第三预设击中位置，并用X₃和Y₃表示：

在步骤S420中，采用加权迭代重建算法对所述预设击中位置进行组合，计算与所述预设击中事例对应的最终击中位置。

本示例实施例中，可以对上述4节点重建算法、6节点重建算法以及 3节点重建算法分别计算的与预设击中事例对应的第一预设击中位置、第二预设击中位置以及第三预设击中位置，通过权重因子进行加权平均组合计算，从而得出与所述预设击中事例对应的最终击中位置，更精确地成像的各个区域进行重建，从而可以降低成像的畸变程度，进一步提高成像质量。

具体地，本示例实施方式中，计算与所述预设击中事例对应的最终击中位置可以包括：

计算各所述预设击中位置对应的权重因子，并根据各所述预设击中位置以及各所述权重因子计算当前击中位置；

判断所述当前击中位置与初始击中位置之差是否在预设范围内，并在判断所述当前击中位置与初始击中位置之差在所述预设范围时，将所述当前击中位置确定为最终击中位置。

在本示例性实施例中，根据上述节点的选用情况可以得知，4节点重建算法适合用于重建位于击中阻性单元中心的方块处的击中事例，3节点重建算法适合用于重建位于击中阻性单元四角的读出节点处的击中事例， 6节点重建算法适合用于重建位于击中阻性单元边缘的长条处的击中事例。本示例性实施例中，可以将上述三种重建算法结合在一起，可以实现对阻性单元整个区域的重建，具体地，可以通过公式(4)计算，并用 X₃₄₆表示重建后的坐标：

X₃₄₆＝a_xX₄+(1-a_x)[b_xX₃+(1-b_x)X₆] (公式4)

其中a_x、b_x均为0-1的实数，a_x表示4节点重建结果在总的加权重建中所占的权重，b_x表示3节点重建结果在3、6节点加权重建中所占的权重。

首先，可以分别确定a_x和b_x，具体地，由于在阻性单元内部较大的阻性方块区域内，4节点重建结果很好，其所占比重应该较大，因此加权重建迭代算法中a_x的影响最大；在阻性单元边缘的阻性长条区域内，4 节点重建结果可能发生枕形收缩，因此需要降低4节点比重，而相应增加 3、6节点比重。权重因子a_x可以通过一个两段的分段线段来确定，分段线段的默认分割点可由实验获得，举例而言，可以默认为(0.88，0.17)；权重因子b_x的影响较小，可以默认设置为0.5，即认为3节点和6节点的权重是一样的，此外权重因子也可以为其它数值。

接下来，可以根据上述公式(4)计算击中事例的当前击中位置，并可以通过函数循环计算所述当前击中位置与初始击中位置之差，其中，当前击中位置可以用X_346-new表示，初始击中位置可以用X_346-old表示。更进一步地，可以设置一个预设范围，例如，此处的预设范围可以设为1μm，也可以为其它数值。可以通过循环或者函数快速判断所述当前击中位置与初始击中位置之差是否小于1μm，并在判断所述当前击中位置与初始击中位置之差小于1μm时，将所述当前击中位置确定为最终击中位置，完成对击中事例的重建过程。

此外，本示例实施方式中，计算与所述预设击中事例对应的最终击中位置还可以包括：

在所述当前击中位置与所述初始击中位置之差未在所述预设范围时，检测迭代次数是否大于预设次数；

在所述迭代次数小于所述预设次数时，将所述当前击中位置与所述初始击中位置的平均值确定为当前击中位置，并将当前击中位置重新设置为第一预设击中位置；

根据重新确定的第一预设击中位置，采用迭代算法重新计算与所述预设击中事例对应的最终击中位置。

在本示例性实施例中，可以参考图5对预设击中事例进行重建。具体地，在判断所述当前击中位置与初始击中位置之差大于1μm时，可以进行迭代算法并判断迭代次数是否大于预设次数，此处的预设次数可以设为100次或者是其它数值。当判断迭代次数大于100次时，可以直接将所述当前击中位置确定为最终击中位置，完成对击中事例的重建过程。

当判断迭代次数小于100次时，可以通过循环判断确定最终击中位置。具体地，可以将所述当前击中位置与所述初始击中位置的平均值确定为当前击中位置，并将当前击中位置重新设置为第一预设击中位置，从而循环更新第一预设击中位置X₄。然后再根据重新确定的第一预设击中位置X₄，重新计算X_346-new和X_346-old，再判断二者之差是否小于1μm，在二者之差大于1μm时，可以采用本示例实施例中的迭代方法重新计算最终击中位置。

应当注意，尽管在上文详细描述中提及了用于动作执行的设备的若干模块或者单元，但是这种划分并非强制性的。实际上，根据本公开的实施方式，上文描述的两个或更多模块或者单元的特征和功能可以在一个模块或者单元中具体化。反之，上文描述的一个模块或者单元的特征和功能可以进一步划分为由多个模块或者单元来具体化。

此外，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (10)

1.一种阻性阳极读出装置，其特征在于，包括：

陶瓷基板，所述陶瓷基板上设有多个过孔；

读出电极，设于所述陶瓷基板上，所述读出电极包括阵列排布的多个阻性单元，且各所述阻性单元均包括阻性方块以及与所述阻性方块各边连接的多个阻性长条。

2.根据权利要求1所述的阻性阳极读出装置，其特征在于，所述装置还包括：

导体走线层，设于所述陶瓷基板第一侧，且通过所述过孔与所述陶瓷基板连接；

第一方阻层，设于所述陶瓷基板第二侧，且通过所述过孔与所述陶瓷基板第一侧连接；

第二方阻层，设于所述陶瓷基板第二侧，且与所述第一方阻层连接。

3.根据权利要求2所述的阻性阳极读出装置，其特征在于，所述第一方阻层为低方阻层，所述第二方阻层为高方阻层。

4.一种阻性阳极读出装置的制备方法，其特征在于，包括：

提供陶瓷基板，并在所述陶瓷基板上形成多个过孔；

在所述陶瓷基板第一侧制作导体走线层，并在所述过孔中注入银浆，以连接所述陶瓷基板的第一侧和第二侧；

分别制作与第一方阻层和第二方阻层对应的厚膜电阻浆料；

将所述厚膜电阻浆料印制在所述陶瓷基板第二侧，以形成所述第一方阻层和所述第二方阻层；

对所述陶瓷基板进行烘干和烧结。

5.根据权利要求4所述的阻性阳极读出装置的制备方法，其特征在于，将所述厚膜电阻浆料印制在所述陶瓷基板第二侧包括：

通过厚膜电阻工艺中的丝网印刷方法将所述厚膜电阻浆料印制在所述陶瓷基板第二侧。

6.一种阻性阳极读出方法，其特征在于，包括：

分别根据预设算法重建预设击中事例的预设击中位置；其中，所述预设算法有多个，且各所述预设算法分别对应一个所述预设击中位置；

采用加权迭代重建算法对所述预设击中位置进行组合，计算与所述预设击中事例对应的最终击中位置。

7.根据权利要求6所述的阻性阳极读出方法，其特征在于，根据预设算法重建预设击中事例的预设击中位置包括：

在所述预设击中事例当前位置所在的阻性单元中，将收集电荷最多的节点确定为种子节点；

根据与所述种子节点在各坐标轴方向上收集电荷最多的相邻节点，在各坐标轴方向上分别确定一个或多个阻性单元；其中，所述阻性单元包括所述种子节点以及至少一个所述相邻节点；

根据各所述阻性单元各个节点的坐标以及各个节点的收集电荷，重建所述预设击中事例的第一预设击中位置和第二预设击中位置。

8.根据权利要求6所述的阻性阳极读出方法，其特征在于，根据预设算法重建预设击中事例的预设击中位置还包括：

将所述预设击中事例当前位置所在的阻性单元中，收集电荷最多的节点确定为种子节点；

根据所述种子节点以及所述种子节点在各坐标轴方向上相邻节点的坐标以及各个节点的收集电荷，重建所述预设击中事例的第三预设击中位置。

9.根据权利要求6-8任意一项所述的阻性阳极读出方法，其特征在于，计算与所述预设击中事例对应的最终击中位置包括：

计算各所述预设击中位置对应的权重因子，并根据各所述预设击中位置以及各所述权重因子计算当前击中位置；

判断所述当前击中位置与初始击中位置之差是否在预设范围内，并在判断所述当前击中位置与初始击中位置之差在所述预设范围时，将所述当前击中位置确定为最终击中位置。

10.根据权利要求9所述的阻性阳极读出方法，其特征在于，计算与所述预设击中事例对应的最终击中位置还包括：

在所述当前击中位置与所述初始击中位置之差未在所述预设范围时，检测迭代次数是否大于预设次数；

在所述迭代次数小于所述预设次数时，将所述当前击中位置与所述初始击中位置的平均值确定为当前击中位置，并将当前击中位置重新设置为第一预设击中位置；

根据重新确定的第一预设击中位置，采用迭代算法重新计算与所述预设击中事例对应的最终击中位置。