CN109412537B - 低噪声放大器保护 - Google Patents

低噪声放大器保护 Download PDF

Info

Publication number
CN109412537B
CN109412537B CN201710697322.XA CN201710697322A CN109412537B CN 109412537 B CN109412537 B CN 109412537B CN 201710697322 A CN201710697322 A CN 201710697322A CN 109412537 B CN109412537 B CN 109412537B
Authority
CN
China
Prior art keywords
control signal
switch
transistor
terminal
transceiver
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710697322.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN109412537A (zh
Inventor
陈利欢
袁苏民
季军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nokia Shanghai Bell Co Ltd
Nokia Solutions and Networks Oy
Original Assignee
Nokia Shanghai Bell Co Ltd
Nokia Solutions and Networks Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nokia Shanghai Bell Co Ltd, Nokia Solutions and Networks Oy filed Critical Nokia Shanghai Bell Co Ltd
Priority to CN201710697322.XA priority Critical patent/CN109412537B/zh
Priority to US16/637,317 priority patent/US20200259518A1/en
Priority to PCT/EP2018/071875 priority patent/WO2019034583A1/en
Priority to EP18753414.4A priority patent/EP3665783B1/en
Publication of CN109412537A publication Critical patent/CN109412537A/zh
Priority to US17/165,205 priority patent/US11265039B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN109412537B publication Critical patent/CN109412537B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/52—Circuit arrangements for protecting such amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/44—Transmit/receive switching
    • H04B1/48—Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/52—Circuit arrangements for protecting such amplifiers
    • H03F1/523—Circuit arrangements for protecting such amplifiers for amplifiers using field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/10—Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference
    • H04B1/109—Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference by improving strong signal performance of the receiver when strong unwanted signals are present at the receiver input
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/44—Transmit/receive switching
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/44—Transmit/receive switching
    • H04B1/48—Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter
    • H04B2001/485—Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter inhibiting unwanted transmission

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

本公开的示例实施例涉及低噪声放大器保护。在一些示例实施例中，提供了一种与收发器一起使用的装置。该装置包括第一晶体管，具有用于接收收发器的第一驱动控制信号的栅极/基极端子和耦合到收发器的开关的控制端子的漏极/集电极端子，第一驱动控制信号用于控制收发器的驱动器级。当第一驱动控制信号处于启用驱动器级来放大第一RF信号的第一电平时，第一晶体管被导通。当第一晶体管被导通时，第一晶体管的漏极/集电极端子向开关的控制端子输出处于第二电平的开关控制信号，以启用开关来向负载提供所反射的部分。

Description

低噪声放大器保护
技术领域
本公开的实施例总体上涉及电子电路，并且更具体地，涉及用于保护收发器中的低噪声放大器的电子电路。
背景技术
收发器被用在通信系统的无线设备中，用于双向通信的信号传输和接收。对于信号传输，收发器可以用数据来调制射频(RF)信号以获得经调制的RF信号，放大和滤波经调制的RF信号以获得具有恰当输出功率电平的经放大RF信号，并且将经放大的RF信号经由一个或多个天线传输给其他无线设备。对于信号接收，收发器可以经由一个或多个天线获得RF信号，并且可以放大、滤波和处理接收到的RF信号以恢复经接收的RF信号中的数据。因此，收发器的前端架构可以采用诸如预驱动器(pre-driver)、驱动器(driver)和低噪声放大器(LNA)等组件来处理接收和传输的RF信号。
无线设备典型地可以操作在频分复用(FDD)模式或时分复用(TDD)模式中。支持无线设备的信号传输和接收的收发器因此也可以被划分成FDD收发器或TDD收发器。TDD收发器可以在第一时间切换到传输模式或者在第二时间切换到接收模式。被包括在TDD收发器中的LNA用于处理接收到的RF信号，可能容易被高功率输入而烧毁或损坏。由于TDD收发器可以在传输模式或接收模式中操作，并且在传输模式中要传输的RF信号通常被放大到较高的功率电平，需要保护LNA免受由错误的高功率输入导致的损坏。
发明内容
本公开的示例实施例提出了一种用于保护收发器中的低噪声放大器(LNA)的方案。
在第一方面，本公开的示例实施例提供了一种与收发器一起使用的装置。该收发器包括天线，可操作地在第一时间传输第一射频(RF)信号并且在第二时间接收第二RF信号；驱动器级，可操作以基于第一驱动控制信号来放大第一RF信号；LNA，可操作以放大第二RF信号；环形器，可操作以在第一时间向天线提供第一RF信号并且在第二时间从天线接收第二RF信号；负载；以及开关，具有连接到环形器的输入端子、用于接收开关控制信号的控制端子、连接到LNA的第一输出端子和连接到负载的第二输出端子，开关可操作以在收发器处于传输模式时基于开关控制信号向负载提供由天线反射的第一RF信号的一部分，并且在收发器处于接收模式时基于开关控制信号向LNA提供第二RF信号。该装置包括第一晶体管，具有用于接收第一驱动控制信号的栅极/基极端子和耦合到开关的控制端子的漏极/集电极端子。当第一驱动控制信号处于启用驱动器级来放大第一RF信号的第一电平时，第一晶体管被导通。当第一晶体管被导通时，第一晶体管的漏极/集电极端子向开关的控制端子输出处于第二电平的开关控制信号，处于第二电平的开关控制信号启用开关来向负载提供所反射的部分。
在第二方面，本公开的示例实现提供了一种用于根据第一方面的装置的方法。该方法包括由装置的第一晶体管的栅极/基极端子接收第一驱动控制信号，第一驱动控制信号用于控制收发器的驱动器级放大要被传输的第一射频(RF)信号。该方法还包括响应于第一驱动控制信号处于启用驱动器级来放大第一RF信号的第一电平，导通装置的第一晶体管。该方法进一步包括响应于第一晶体管被导通，由装置的第一晶体管的漏极/集电极端子向收发器的开关的控制端子提供处于第二电平的开关控制信号。开关控制信号启用收发器的开关，以将由收发器的天线反射的第一RF信号的一部分提供给收发器的负载而不是提供给收发器的低噪声放大器(LNA)。
通过以下描述，由本公开的示例实现获得的其他优点将变得清楚。
附图说明
通过参照附图的以下详细描述，本公开的上述以及其他目标、特点和优点将变得更可理解。在附图中，本公开的若干示例实现以示例而非限制性的方式被图示，其中：
图1是典型收发器的射频(RF)前端的框图；
图2是典型收发器的示例RF前端的框图；
图3是根据本公开的实现的包括收发器和保护装置的系统的框图；
图4A是根据本公开的实现的由n沟道金属氧化物半导体(NMOS)场效应晶体管实施的示例保护装置的示意图；
图4B是根据本公开的实现的由NMOS晶体管实施的另一示例保护装置的示意图；
图5A是根据本公开的实现的由p沟道金属氧化物半导体(PMOS)场效应晶体管实施的示例保护装置的示意图；
图5B是根据本公开的实现的由PMOS晶体管实施的另一示例保护装置的示意图；以及
图6是根据本公开的实现的方法的流程图。
贯穿附图，相同或对应附图标号指代相同或对应部件。
具体实施方式
现在将参照附图中图示的各种示例实现来描述本公开的示例实现的原理。应当认识到，这些实现的描述仅为了使得本领域的技术人员更好地理解并且进一步实现本公开的示例实现，而不是旨在于以任何方式限制本公开的范围。
在以下描述和权利要求书中，除非另外定义，否则本文中的所有技术和科学术语的含义与本公开所述技术领域的普通技术人员一般理解的含义相同。
本文使用的术语“网络设备”或“基站”(BS)指的是是能够提供或托管中的设备能够在其中通信的小区或覆盖范围的设备。网络设备的示例包括但不限于节点B(NodeB或者NB)、演进节点B(eNodeB或者eNB)、远程无线电单元(RRU)、射频头(RH)、远程无线电头(RRH)、或者诸如微微节点、毫微微节点等的低功率节点，等等。
本文使用的术语“终端设备”是指具有有线或无线通信能力的任何设备。终端设备的示例包括但不限于用户设备(UE)、个人计算机、台式机、移动电话、蜂窝电话、智能电话、个人数字助理(PDA)、便携式计算机、诸如数字相机之类的图像采集设备、游戏设备、音乐存储和播放器、或支持有线或无线互联网接入和浏览的互联网电器，等等。在一些示例中，终端设备包括物联网(IoT)设备，其是具有嵌入式电子器件、软件、传感器的物理对象或“物”的网络，具有使得对象能够与制造商、运营商和/或其他连接设备交换数据的连接。
除非另外明确指明，否则本文使用的单数形式也旨在包括数字形式。术语“包括”及其变形被理解为开放性术语，表示“包括但不限于”。术语“基于”被理解为“至少部分基于”。术语“一个实施例”和“实施例”被理解为“至少一个实施例”。术语“另一实施例”被理解为“至少一个其他实施例”。术语“第一”、“第二”等可以指代相同或不同对象。下文包括了其他明确或隐含的定义。
在一些示例中，一些值、过程或装置被认为是“最好”、“最低”、“最高”、“最小”、“最大”等等。将理解，这样的描述旨在于指示在许多以使用的功能备选方案中做出的选择，并且这样的选择不必要相较于其他选择更好、更小、更好或甚至更优选的。
本公开的实施例涉及用于收发器、特别是时分双工(TDD)收发器的低噪声放大器(LNA)保护。以下首先介绍TDD收发器的一些示例结构和工作原理。
图1示出了一种典型的收发器(TRX)100，在该图中具体图示了该收发器的射频(RF)前端。如图所示，收发器100包括驱动器级110，用于放大要被传输的RF信号(为了清楚起见，该信号在下文中被称为第一RF信号)。第一RF信号可以由收发器100的其他组件(未示出)提供给驱动器级110，这些其他组件诸如数模转换器(DAC)和调制器。驱动器级110可以包括预驱动器112，用于将第一RF信号放大到第一功率电平。由预驱动器112放大的第一RF信号被输入到驱动器级110中的驱动器114，以进一步放大第一RF信号。驱动器114可操作以将第一RF信号驱动到比第一功率电平更高的第二功率电平。例如，第一功率电平可以小于15dBm，而第二功率电平可以远大于15dBm。
收发器100还包括环形器120，该环形器由收发器100的发射(TX)路径和接收(RX)路径共用。环形器120具有连接到驱动器级110的第一端子(端子1)、连接到开关130的第二端子(端子2)以及连接到收发器100的天线(ANT)的第三端子(端子3)。当收发器100操作在TX模式时，环形器可操作以将在第一端子处从驱动器114接收到的RF信号经由第三端子传输给所连接的天线。天线可以将RF信号传输到另一无线设备。当收发器100操作在RX模式时，环形器120可操作以经由第二端子从天线接收RF信号。为了讨论起见，接收到的RF信号可以被称为第二RF信号。
收发器100还包括LNA 140，用于处理接收到的第二RF信号。开关130具有不同的端子用于连接到收发器100的不同组件。具体地，开关130具有连接到环形器120的第一端子(输入端子或端子1)，连接到LNA 140的第二端子(输出端子或端子2)，连接到负载150的第三端子(另一输出端子或端子3)，以及用于接收开关控制信号的第四端子(控制端子或端子4)。取决于接收到的开关控制信号，开关130选择性地将环形器120连接到LNA 140或负载150。当收发器100处于RX模式时，开关130可以被控制为切换到LNA 140，以便将接收到的第二RF信号从环形器120提供给LNA 140。当收发器100处于TX模式时，开关120可以被控制为切换到负载150。负载150可以是高功率负载，用于吸收被注入的第一RF信号的RF能量。被注入的RF能量可以是在TX模式期间由天线反射的第一RF信号的一部分。通过开关130和负载150的使用，可以防止所反射的部分被提供给LNA 140。
作为TDD收发器，收发器100可以在第一时间操作在TX模式，并且在不同的第二时间操作在RX模式。因此，收发器100的一些组件可以根据对应的控制信号而被启用或禁用。在正常运行中，驱动器级110在收发器100操作在TX模式时被启用、并且在收发器100操作在RX模式时被禁用。具体地，预驱动器112由从预驱动器112的控制端子接收到的驱动控制信号(被表示为TX_PWR_EN，也被称为第一驱动控制信号)所控制。在一些实现中，当驱动控制信号TX_PWR_EN处于逻辑高电平(例如，具有高电压电平)时，预驱动器112被启用来处理RF信号，并且当驱动控制信号TX_PWR_EN处于相反的逻辑电流(例如，处于逻辑低电平或具有低电压电平)时，预驱动器112被禁用。当预驱动器112被禁用时，没有RF信号被输入到驱动器114。在一些其他实现中，取决于实际需要和设计，预驱动器112也可以由处于逻辑低电平的驱动控制信号TX_PWR_EN启用，并且由处于逻辑高电平的驱动控制信号TX_PWR_EN禁用。
驱动器114由从驱动器114的控制端子接收到的另一驱动控制信号(被表示为PA_BIAS_SW，也被称为第二驱动控制信号)所控制。在一些实现中，当驱动控制信号PA_BIAS_SW处于逻辑高电平时，驱动器114可以被启用来处理从预驱动器112输入的RF信号，并且当驱动控制信号PA_BIAS_SW处于相反的逻辑电平时，驱动器114被禁用。当然，在其他实现中，取决于实际需要和设计，驱动器114可以由处于逻辑低电平的驱动控制信号PA_BIAS_SW启用并且由处于逻辑高电平的驱动控制信号PA_BIAS_SW禁用。在一些情况中，如果来自预驱动器112的RF信号的功率电平足够大(例如，大于25dBm)，驱动器114可以总是被打开，而不管驱动控制信号PA_BIAS_SW的电平如何。
如以上提及的，开关130也由开关控制信号(被表示为TRX_SW)所控制，使得开关130能够被切换到LNA 140或负载150。开关控制信号TRX_SW可以被配置为使得：在收发器100处于RX模式时，从天线接收到的RF信号可以由开关130提供给LNA 140，并且在收发器100处于TX模式时，由天线反射的要被传输的RF信号的一部分可以由开关130提供给负载150。在一些示例中，开关130可以在开关控制信号TRX_SW处于逻辑高电平时切换到负载150，并且在开关控制信号TRX_SW处于逻辑低电平时切换到LNA 140。在其他示例中，处于逻辑低电平的开关控制信号TRX_SW可以控制开关130切换到LNA 140，并且处于逻辑高电平的开关控制信号TRX_SW可以控制开关130切换到负载150。
概括而言，在TX模式中，驱动控制信号TX_PWR_EN和PA_BIAS_SW可以被生成为能够分别启用预驱动器112和驱动器114的特定电平，而开关控制信号TRX_SW被生成为能够启用开关130将第一RF信号的发射部分提供给负载150的电平。在RX模式中，驱动控制信号TX_PWR_EN和PA_BIAS_SW可以被生成为处于能够分别禁用预驱动器112和驱动器114的电平，而开关控制信号TRX_SW被生成为处于能够启用开关130将接收到的第二RF信号提供给LNA140的电平。可以看出，驱动控制信号TX_PWR_EN和PA_BIAS_SW以及开关控制信号TRX_SW对于收发器100的正常操作而言很重要。
图2示出了另一示例收发器200。收发器200可以被认为是收发器100的具体示例。在该示例中，收发器200包括两个天线ANT_1和ANT_2，并且因此具有对应的TX和RX处理路径，用于处理要由天线ANT_1和ANT_2中每一个传输和/或接收的RF信号。
对于天线ANT_1，如所示出的，收发器200包括预驱动器级201和功率放大(PA)级202。预驱动器级201包括两个预驱动器(Pre-1和Pre-2)216-1和212-1，用于放大要经由天线ANT_1传输的第一RF信号。经放大的RF信号从预驱动器212-1提供给PA级202作为输入。在PA级202，预驱动器(Pre-d)218-1进一步放大第一RF信号并且向驱动器214-1提供经放大的第一RF信号以将第一RF信号放大到高于预驱动器的功率电平。在传输到环形器221之前，第一RF信号进一步在最终驱动器261中被处理，最终驱动器261可以是最终Doherty驱动器。负载271被设置在驱动器261与环形器221之间以用于保护。环形器221与图1的环形器120的功能类似，用于向天线ANT_1传输第一RF信号以及从天线ANT_1接收第二RF信号。开关231与图1的开关130的功能类似，用于选择性地将环形器221连接到高功率负载251或LNA 241，从而所反射的RF能量从环形器221被提供给负载251，而所接收的RF信号从环形器221被提供给LNA 241。
对于天线ANT_2，存在类似的组件，包括预驱动器级201中的预驱动器216-2和212-2、预驱动器218-2、驱动器214-2、最终驱动器262、保护负载272、环形器222、开关232、LNA242和高功率负载252。这些组件以与用于天线ANT_1的对应组件类似的方式操作，以执行天线ANT_2的信号传输和接收。开关组件280被包括在收发器200中，用于选择性地将负载271、272、251和252的能量或信号部分传输到信号接地或到其他组件以用于进一步的处理。
在一些情况中，收发器200的所有预驱动器和驱动器可以被认为是驱动器级，用于在收发器200的TX模式中进行信号放大。预驱动器和/或驱动器中的一些由某些驱动控制信号控制，以用于收发器200的恰当操作。在图2的示例中，第一驱动控制信号TX_PWR_EN被用于在TX模式中启用预驱动器212-1和212-2，并且在RX模式中禁用这两个预驱动器，第二驱动控制信号PA_BIAS_SW被用于在TX模式中启用驱动器214-1和214-2，并且在RX模式中禁用这两个驱动器。开关控制信号TRX_SW通过开关231和232的控制端子被提供给这些开关，从而开关231和232可以被控制为分别将环形器221和222连接到负载251和252，以将从天线反射的能量被注入到相应负载。开关231和232还可以受开关控制信号TRX_SW控制，以将环形器231和232连接到LNA 241和242，从而从天线接收到的RF信号可以被处理。在一些实现中，LNA 241和242的输出可以被提供给收发器的其他组件(未示出)以用于进一步的处理。
将理解，图1或图2中的收发器100或200的结构仅是出于示例性的目的。在一些其他示例中，取决于实际需要或实现，比图1或图2示出的这些组件更多、更少或不同的组件也是可能的。例如，收发器200可以包括更多或更少的预驱动器或驱动器用于对待传输的RF信号进行处理。作为另一示例，在由天线传输到另一设备或者由天线提供给对应的环形器之前，RF信号还可以由连接在天线与环形器之间的滤波器进行滤波。取决于在收发器中采用的天线，收发器的结构也可以发生改变。因此，本公开的范围不限于具体的收发器结构。
在常规方案中，用于收发器的控制信号是基于程序代码来生成的，例如通过专用集成电路(ASIC)或现场可编程门阵列(FPGA)中的代码或者通过数字前端(DFE)的软件控制。在这些情况中，在生成控制信号时可能存在软件缺陷或逻辑错误，从而使得控制信号的逻辑电平可能不适于收发器的操作模式。此外，由于在FPGA或ASIC中使用的参考时钟是经由光纤从远端设备恢复得到的，如果光纤由于长距离传输而不稳定或者如果光纤突然因为误操作而被终端，那么在FPGA或ASIC中可能发生定时错误，这也可能导致不恰当的控制信号。
LNA容忍的输入功率电平通常低于要被传输的经放大的RF信号的电平。例如，LNA的典型最大输入功率电平可能是28dBm或更少，而在驱动器级之后的最大输出功率电平大于50dBm。通常，从预驱动器输出的RF信号的输出功率电平(例如，小于15dBm)将不会LNA损坏，即使由于错误的驱动控制信号而在预驱动器中发生馈通(feedthrough)。然而，从驱动器级中的驱动器输出的RF信号的输出功率电平(50dBm)很可能烧毁LNA。在这种情况下，在TX模式期间，如果开关被错误的开关控制信号TRX_SW所控制，从而将驱动器放大后的所反射的RF能量从环形器提供给LNA，那么LNA很可能被损坏或者甚至被烧毁。
由于LNA的输出与驱动器的输入之间的低隔离系数，LNA损坏也可能发生在RX模式中。如果驱动器在RX模式中被对应的驱动控制信号PA_BIAS_SW打开，由于较弱的低隔离，发生驱动器自激。因此，如果驱动器控制信号PA_BIAS_SW处于能够启用驱动器而不是禁用驱动器的错误电平，从LNA输出的接收RF信号可能被驱动器感应到并且被认为是要传输的RF信号而被处理。从驱动器输出的RF信号可以由环形器被提供回给天线，如果TRX_SW处于将环形器连接到LNA的电平的话(很可能是这种情况，因为发射器此处处于RX模式)，由天线反射的RF信号的一部分然后可能被切换到LNA。LNA也可能被反射的RF能量损坏或烧毁。
为了保护收发器中的LNA，根据本公开的实现，提供了一种与收发器一起使用的装置，以用于LNA保护的目的。该装置可以由硬件电路来实现并且被配置为防止由天线反射的RF能量由收发器的开关提供给收发器的LNA。以下将参考附图来描述该装置的示例实现。
图3示出了根据本公开的实现的系统300，该系统300包括图1的收发器(TRX)100和与收发器100一起使用的装置302。收发器100中包括的组件可以以与参照图1描述的类似方式进行操作。系统300可以被实现在无线设备中，以用于双路通信。无线设备的示例包括但不限于网络设备、终端设备和/或任何其他通信设备。尽管被示出为与收发器100分离，装置302也可以被集成在收发器100中。
装置302是保护装置，用于保护在收发器100中包括的一个或多个LNA。在本公开的实现中，装置302被配置为基于由其他设备生成的意图用于控制收发器100的驱动器级110和/或开关130的驱动控制信号和开关控制信号，生成开关控制信号(被表示为TRX_SW)，以用于控制收发器100的开关130。由装置302生成的开关控制信号TRX_SW被提供给收发器100的开关130，以用于控制该开关130。原始的驱动控制信号也被提供给收发器100的驱动器级110，以用于控制。
向收发器100提供这些控制信号的设备可以包括FPGA、ASIC、DFE和/或其他设备。由FPGA/ASIC/DFE生成的用于控制驱动器级110中的预驱动器和驱动器的控制信号分别被表示为TX_PWR_EN和PA_BIAS_SW。为了与被实际用于控制开关130的输出的开关控制信号TRX_SW进行区分，由FPGA/ASIC/DFE生成的开关控制信号可以被表示为TRX_SWITCH，在本公开的实现中，该开关控制信号意图用于控制收发器100的开关130、但是被防止提供给开关130。
在本公开的实现中，装置302被配置为在驱动控制信号被生成为处于能够启用驱动器级放大要被传输的RF信号的电平情况下(例如，TX_PWR_EN或PA_BIAS_SW处于能够启用预驱动器112或驱动器114的电平的情况下，生成处于如下电平的开关控制信号TRX_SW，处于该电平的开关控制信号TRX_SW能够启用开关130将由收发器100的天线反射的RF信号的一部分提供给负载150。具有由天线反射的RF信号可以是要由收发器100发射的RF信号，或者由收发器100接收、但却因为收发器100的PA级中发生自激而被驱动器级110感测到的RF信号。利用来自装置302的开关控制信号TRX_SW，尽管预驱动器112或驱动器114被打开，也可以确保LNA 140的安全，因为开关控制信号TRX_SW被装置302配置为处于将开关130控制为向负载150而不是LNA 140提供信号的电平。
如果驱动控制信号被生成在禁用驱动器级的电平(例如，如果TX_PWR_EN和PA_BIAS_SW均处于禁用预驱动器112和驱动器114的电平)，装置302可以被配置为将开关控制信号TRX_SW生成为与从FPGA/ASIC/DFE接收到的开关控制信号TRX_SWITCH相同的电平。在这种情况下，开关控制信号TRX_SWITCH可以处于能够使得开关130切换到负载150或LNA140的任何电平。即使开关130由于错误的开关控制信号TRX_SWITCH而被切换到LNA 140，LNA 140也不会受到损坏，因为驱动器级110此时被禁用。
在一些实现中，由FPGA/ASIC/DFE的仅驱动控制信号TX_PWR_EN和开关控制信号TRX_SWITCH被用作装置302的输入，以生成开关130的开关控制信号TRX_SW。在这种实现中，驱动控制信号PA_BIAS_SW可以被省略，不用作装置302的输入。
在装置302中生成开关控制信号TRX_SW可以通过一个或多个晶体管来实现。晶体管可以被选择为NMOS场效应晶体管、PMOS场效应晶体管和/或其他类型的晶体管，诸如双极性结型晶体管、三极管等。以下将详细描述基于NMOS晶体管和PMOS晶体管的一些示例。然而，应当理解，在其他实现中，可以采用其他类型的晶体管来执行根据本公开的实现的类似功能。
图4A示出了包括NMOS晶体管410的装置302的示例。在图4A的示例中，晶体管410具有用于接收驱动控制信号TX_PWR_EN的栅极端子以及耦合到开关的控制端子的漏极端子，以用于向开关输出开关控制信号TRX_SW。驱动控制信号TX_PWR_EN可以从被用于为收发器100生成控制信号的其他设备、诸如FPGA/ASIC/DFE接收到。晶体管410还具有连接到信号接地430的源极端子。晶体管410的栅极端子可以被连接到电阻器(R1)420的一个端子。电阻器420的另一个端子连接到信号接地430。晶体管410的漏极端子也接收开关控制信号TRX_SWITCH，该开关控制信号TRX_SWITCH由FPGA/ASIC/DFE生成并且意图用于控制收发器100的开关130。晶体管410的漏极端子可以被连接到电阻器(R2)422。电阻器422具有用于接收开关控制信号TRX_SWITCH的一个端子和连接到晶体管410的漏极端子的另一个端子。
假设预驱动器112由处于相对高电压电平的驱动控制信号TX_PWR_EN启用，并且开关130由处于相对高电压电平的开关控制信号TRX_SW切换到LNA 140，并且还假设高电压电平是逻辑高电平(被表示为“1”)，而低电压电平是逻辑低电平(被表示为“0”)。根据如上所述的装置302的配置，要被实现在装置302中的真值表被提供为如下表1：
表1
Figure GDA0003627193640000121
具体地，如果驱动控制信号TX_PWR_EN处于逻辑高电平(“1”)，晶体管410被导通。当晶体管410被导通时，晶体管410的漏极端子漏极到信号接地430，并且晶体管410的漏极端子处输出的开关控制信号TRX_SW处于逻辑低电平(“0”)，这可以使得开关130将RF信号的反射部分提供给负载150，因为开关130被处于逻辑低电平的开关控制信号TRX_SW控制为将环形器120连接到负载150。
如果驱动控制信号TX_PWR_EN处于禁用预驱动器112的逻辑低电平(“0”)，晶体管410被关断。在这种情况下，晶体管410的漏极端子处输出的开关控制信号TRX_SW处于与接收到的开关控制信号TRX_SWITCH相同的电平。因此，晶体管130实际上是由从FPGA/ASIC/DFE接收到的开关控制信号TRX_SWITCH所控制。
在一些其他实现中，驱动控制信号TX_PWR_EN和PA_BIAS_SW均被输入到装置302以用于生成开关控制信号TRX_SW。在这些实现中，可以在装置302中包括另外的晶体管。图4B示出了这样的装置302的示例。如图4B所示，另外的NMOS晶体管412被包括在其中。晶体管412的布置类似于晶体管410的布置。晶体管412的栅极端子被布置用于接收驱动控制信号PA_BIAS_SW，晶体管412的漏极端子被耦合到晶体管410的漏极端子并且因此耦合到开关130的控制端子。晶体管412的栅极端子可以被连接到电阻器(R3)424的端子。电阻器424的另一端子被理解到信号接地432。
根据以上描述的装置302的配置，要被实现在装置302中的真值表被提供为以下表2：
表2
Figure GDA0003627193640000131
如果驱动控制信号PA_BIAS_SW处于能够启用收发器100的驱动器114的逻辑高电平(“1”)，晶体管412被导通并且因此晶体管412的漏极端子被理解到信号接地432。因此，在晶体管412的漏极端子处输出的开关控制信号TRX_SW处于逻辑低电平(“0”)，这将控制130切换到负载150而不是LNA 140。如果驱动控制信号PA_BIAS_SW和TX_PWR_EN均处于禁用预驱动器112和驱动器114的逻辑低电平(“0”)，晶体管410和412均被关断。在这种情况下，在晶体管412的漏极端子处输出的开关控制信号TRX_SW处于与接收到的开关控制信号TRX_SWITCH相同的电平。
在图4A和图4B的实现中，驱动控制信号PA_BIAS_SW和/或TX_PWR_EN由高电压电平启用并且由低电压电平禁用，并且因此NMOS晶体管可以使用。在其他实现中，驱动控制信号PA_BIAS_SW和/或TX_PWR_EN可以由低电压电平启用并且由高电压电平禁用。在这些实现中，由低电压电平导通的PMOS晶体管可以被选择用于实现装置302。图5A和图5B示出了包括PMOS晶体管的装置302的一些示例实现。
图5A的示例类似于图4A示出的示例，其中仅一个驱动控制信号TX_PWR_EN以及开关控制信号TRX_SWITCH被输入装置302。如图所示，装置302包括PMOS晶体管510。晶体管510的栅极和漏极端子以与NMOS晶体管410的那些端子类似的方式被布置，并且晶体管510的源极端子被连接到电压源(V_DC)540，该电压源540连接到信号接地530。晶体管510的栅极端子可以连接到电阻器(R1)520的一个端子。电阻器520的另一端子连接到电压源540。晶体管510的漏极端子可以连接到电阻器(R2)522。电阻器522具有用于接收开关控制信号TRX_SWITCH的一个端子和连接到晶体管510的漏极端子的另一个端子。
由于预驱动器112由处于低电压电平(对应于逻辑低电平“0”)的驱动控制信号TX_PWR_EN启用，真值表1可以被修改为如下：
表3
Figure GDA0003627193640000151
在表3中，假设收发器100的开关130由处于逻辑高电平(例如，高电压电平)的开关控制信号TRX_SW控制为切换到负载150，并且由处于逻辑低电平的开关控制信号TRX_SW控制为切换到LNA 140。
取决于驱动控制信号TX_PWR_EN处于逻辑低电平或逻辑高电平，晶体管510被导通或关断。如果晶体管510被导通，在晶体管510的漏极端子输出的开关控制信号TRX_SW处于逻辑高电平，使得开关130能够切换到负载150。如果晶体管510被关断，在晶体管510的漏极端子输出的开关控制信号TRX_SW处于与接收到的开关控制信号TRX_SWITCH相同的逻辑电平。
图5B示出了包括PMOS晶体管的装置302的另一个示例。装置302的该示例类似于图4B示出的示例，其中于驱动控制信号TX_PWR_EN和PA_BIAS_SW以及开关控制信号TRX_SWITCH均被输入到装置302。如图所示，除了晶体管510之外，装置302还包括PMOS晶体管512。晶体管512的布置类似于晶体管510的布置。晶体管512的栅极端子被布置用于接收驱动控制信号PA_BIAS_SW，晶体管512的漏极端子耦合到晶体管510的漏极端子并且因此耦合到开关130的控制端子。晶体管512的栅极端子可以连接到电阻器(R3)524。电阻器524的另一端子连接到电压源(V_DC)542，该电压源具有一个端子连接到信号接地532。
由于预驱动器112和驱动器114均由处于低电压电压(对应于逻辑低电平“0”)的驱动控制信号启用，真值表2可以被修改为如下：
表4
Figure GDA0003627193640000161
在表4中，假设收发器100的开关130由处于逻辑高电平(例如，高电压电平)的开关控制信号TRX_SW控制为切换到负载150，并且由处于逻辑低电平的开关控制信号TRX_SW控制为切换到LNA 140。
取决于驱动控制信号PA_BIAS_SW处于逻辑低电平或逻辑高电平，晶体管512被导通或关断。如果晶体管512或晶体管510被导通或者晶体管510和512均被导通，在晶体管510的漏极端子输出的开关控制信号TRX_SW处于逻辑高电平，使得开关130能够切换到负载150。如果晶体管510和512均被关断，在晶体管510的漏极端子输出的开关控制信号TRX_SW处于与接收到的开关控制信号TRX_SWITCH相同的逻辑电平。
将理解，尽管上文基于NMOS和PMOS晶体管描述了装置302的一些实现，在其他实现中，可以采用其他类似的晶体管来实现装置302。在一个或多个半导体三极管被采用的情况中，三极管的基极、集电极和发射极端子可以以与场效应晶体管的栅极、漏极和源极端子类似的方式被布置。在一些实现中，装置302中可以包括不同类似的晶体管以用于接收相应的驱动控制信号TX_PWR_EN和PA_BIAS_SW。例如，取决于启用和禁用预驱动器和驱动器的驱动控制信号的电平，NMOS晶体管可以被用于让它的栅极端子接收TX_PWR_EN，并且PMOS晶体管可以被用于让它的栅极端子接收PA_BIAS_SW。在这样的装置302中的真值表可以从以上表1至表4进行变化。
图6示出了根据本公开的实现的用于与收发器一起使用的装置的方法600的流程图，该流程图600可以例如由装置302实现。如图所示，在610，装置302的第一晶体管的栅极/基极端子接收第一驱动控制信号，第一驱动控制信号用于控制收发器的驱动器级放大要被传输的第一RF信号。在620，响应于第一驱动控制信号处于启用驱动器级来放大第一RF信号的第一电平，装置302的第一晶体管被导通。在630，响应于第一晶体管被导通，装置302的第一晶体管的漏极/集电极端子向收发器的开关的控制端子提供处于第二电平的开关控制信号。开关控制信号启用收发器的开关，以将由收发器的天线反射的第一RF信号的一部分提供给收发器的负载而不是提供给收发器的低噪声放大器(LNA)。
在一些示例实现中，驱动器级包括预驱动器和驱动器，并且预驱动器可以由第一驱动控制信号控制以将第一RF信号放大到第一功率电平。装置的第二晶体管的栅极/基极端子可以接收第二驱动控制信号，第二驱动控制信号用于控制驱动器将第一RF信号放大到第二功率电平，第二功率电平大于第一功率电平。响应于第二驱动控制信号处于启用驱动器来进一步放大第一RF信号的第一电平，可以导通装置的第二晶体管。在这些实现中，如果第二晶体管被导通，向开关的控制端子提供处于第二电平的开关控制信号。
在一些示例实现中，响应于第一驱动控制信号处于禁用驱动器级的第三电平，关断第一晶体管。在这些实现中，接收另外的开关控制信号。另外的开关控制信号被生成以意图用于控制收发器的开关，并且被防止提供给开关。响应于第一晶体管被关断，可以提供处于与另外的开关控制信号相同的电平的开关控制信号。
一般而言，本公开的各种示例实现可以在硬件或专用电路、软件、逻辑，或其任何组合中实施。某些方面可以在硬件中实施，而其他方面可以在可以由控制器、微处理器或其他计算设备执行的固件或软件中实施。当本公开的示例实现的各方面被图示或描述为框图、流程图或使用某些其他图形表示时，将理解此处描述的方框、装置、系统、技术或方法可以作为非限制性的示例在硬件、软件、固件、专用电路或逻辑、通用硬件或控制器或其他计算设备，或前述的某些组合中实施。
而且，流程图中的各框可以被看作是方法步骤，和/或计算机程序代码的操作生成的操作，和/或理解为执行相关功能的多个耦合的逻辑电路元件。例如，本公开的实现包括计算机程序产品，该计算机程序产品包括有形地实现在机器可读介质上的计算机程序，该计算机程序包含被配置为实现上文描述方法的程序代码。
在本公开的上下文内，机器可读介质可以是包含或存储用于或有关于指令执行系统、装置或设备的程序的任何有形介质。机器可读介质可以是机器可读信号介质或机器可读存储介质。机器可读介质可以包括但不限于电子的、磁的、光学的、电磁的、红外的或半导体系统、装置或设备，或其任意合适的组合。机器可读存储介质的更详细示例将包括带有一根或多根导线的电气连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机存储存取器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM或闪存)、便携式压缩盘只读存储器(CD-ROM)、光存储设备、磁存储设备，或前述的任意合适的组合。
用于实现本公开的方法的计算机程序代码可以用一种或多种编程语言编写。这些计算机程序代码可以提供给通用计算机、专用计算机或其他可编程的数据处理装置的处理器，使得程序代码在被计算机或其他可编程的数据处理装置执行的时候，引起在流程图和/或框图中规定的功能/操作被实施。程序代码可以完全在计算机上、部分在计算机上、作为独立的软件包、部分在计算机上且部分在远程计算机上或完全在远程计算机或服务器上执行。程序代码可以被分布在被特定编程的设备，这些设备通常在本文中可以被称为“模块”。这些模块的软件分组部分可以以任何具体计算机语言来编写并且可以是单片集成代码库的一部分，或者可以被开发成多个离散代码部分，诸如通常以面向对象的计算机语言来开发。此外，模块可以跨多个计算机平台、服务器、终端、移动设备等来分布。给定的模块甚至可以被实施为使得所描述的功能由单个处理器和/或计算机硬件平台来执行。
尽管操作以特定顺序被描绘，但这并不应该理解为要求此类操作以示出的特定顺序或以相继顺序完成，或者执行所有图示的操作以获取期望结果。在某些情况下，多任务和并行处理会是有益的。同样地，尽管上述讨论包含了某些特定的实施细节，但这并不应解释为限制本公开或权利要求的范围，而应解释为对可以针对特定实现的特征的描述。本说明书中在单独的实现的上下文中描述的某些特征也可以整合实施在单个实现中。相反地，在单个实现的上下文中描述的各种特征也可以分离地在多个实现或在任意合适的子组合中实施。
针对本公开的前述示例实现的各种修改、改变将在连同附图查看前述描述时对相关技术领域的技术人员变得明显。任何及所有修改将仍落入非限制的和本公开的示例实现范围。此外，前述说明书和附图存在启发的益处，涉及本公开的这些实现的技术领域的技术人员将会想到此处阐明的其他实现。
将会理解，本公开的实现不限于公开的特定实现，并且修改和其他实现都应包含于所附的权利要求范围内。尽管此处使用了特定的术语，但是它们仅在通用和描述的意义上使用，而并不用于限制目的。

Claims (15)

1.一种与收发器一起使用的装置，所述收发器包括：
天线，可操作地在第一时间传输第一射频信号并且在第二时间接收第二射频信号，
驱动器级，可操作以基于第一驱动控制信号来放大所述第一射频信号，
低噪声放大器，可操作以放大所述第二射频信号，
环形器，可操作以在所述第一时间向所述天线提供所述第一射频信号并且在所述第二时间从所述天线接收所述第二射频信号，
负载，以及
开关，具有连接到所述环形器的输入端子、用于接收开关控制信号的控制端子、连接到所述低噪声放大器的第一输出端子和连接到所述负载的第二输出端子，所述开关可操作以在所述收发器处于传输模式时基于所述开关控制信号向所述负载提供由所述天线反射的所述第一射频信号的一部分，并且在所述收发器处于接收模式时基于所述开关控制信号向所述低噪声放大器提供所述第二射频信号，并且
所述装置包括第一晶体管，具有用于接收所述第一驱动控制信号的栅极/基极端子、耦合到所述开关的所述控制端子的漏极/集电极端子以及耦合到信号接地或电压源的源极/发射极端子，其中当所述第一驱动控制信号处于第一电平时，所述第一晶体管被导通，处于所述第一电平的所述第一驱动控制信号启用所述驱动器级来放大所述第一射频信号，并且其中当所述第一晶体管被导通时，所述第一晶体管的所述漏极/集电极端子向所述开关的所述控制端子输出处于第二电平的所述开关控制信号，处于第二电平的所述开关控制信号启用所述开关来向所述负载提供所反射的部分。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述驱动器级包括预驱动器，所述预驱动器可操作以基于所述第一驱动控制信号来将所述第一射频信号放大到第一功率电平。
3.根据权利要求2所述的装置，其中所述驱动器级包括驱动器，所述驱动器可操作以基于第二驱动控制信号来进一步将所述第一射频信号放大到第二功率电平，所述第二功率电平大于所述第一功率电平，所述装置还包括：
第二晶体管，具有用于接收所述第二驱动控制信号的栅极/基极端子、耦合到所述第一晶体管的所述漏极/集电极端子和所述开关的所述控制端子的漏极/集电极端子以及耦合到信号接地或电压源的源极/发射极端子，其中当所述第二驱动控制信号处于启用所述驱动器来进一步放大所述第一射频信号的所述第一电平时，所述第二晶体管被导通，并且其中当所述第二晶体管被导通时，所述第二晶体管的所述漏极/集电极端子向所述开关的所述控制端子输出处于所述第二电平的所述开关控制信号。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一晶体管的所述漏极/集电极端子接收另外的开关控制信号，并且其中所述另外的开关控制信号被生成以意图用于控制所述收发器的所述开关并且被防止提供给所述开关。
5.根据权利要求4所述的装置，其中当所述第一驱动控制信号处于禁用所述驱动器级的第三电平时，所述第一晶体管被关断，并且其中当所述第一晶体管被关断时，所述第一晶体管的所述漏极/集电极端子向所述开关的所述控制端子输出处于与所述另外的开关控制信号相同的电平的所述开关控制信号。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中所述第一晶体管包括n沟道金属氧化物半导体(NMOS)场效应晶体管，并且其中所述第一晶体管的所述源极/发射极耦合到所述信号接地。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中所述第一晶体管包括p沟道金属氧化物半导体(PMOS)场效应晶体管，并且其中所述第一晶体管的所述源极/发射极耦合到所述电压源。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，进一步包括：
第一电阻器，具有第一端子，所述第一端子连接到所述第一晶体管的所述栅极/基极端子。
9.根据权利要求3所述的装置，进一步包括：
第二电阻器，具有用于接收所述第二驱动控制信号的第一端子和连接到所述第一晶体管的所述漏极/集电极端子的第二端子。
10.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中所述收发器包括时分复用(TDD)收发器。
11.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中所述第一驱动控制信号由专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或数字前端(DFE)生成。
12.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中所述装置被包括在网络设备或终端设备中。
13.一种用于根据权利要求1至12中任一项所述的装置的方法，包括：
由所述装置的第一晶体管的栅极/基极端子接收第一驱动控制信号，所述第一驱动控制信号用于控制收发器的驱动器级放大要被传输的第一射频信号；
响应于所述第一驱动控制信号处于启用所述驱动器级来放大所述第一射频信号的第一电平，导通所述装置的所述第一晶体管；以及
响应于所述第一晶体管被导通，由所述装置的所述第一晶体管的漏极/集电极端子向所述收发器的开关的控制端子提供处于第二电平的开关控制信号，其中所述开关控制信号启用所述收发器的所述开关，以将由所述收发器的天线反射的所述第一射频信号的一部分提供给所述收发器的负载而不是提供给所述收发器的低噪声放大器。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述驱动器级包括预驱动器和驱动器，并且所述预驱动器由所述第一驱动控制信号控制以将所述第一射频信号放大到第一功率电平，所述方法还包括：
由所述装置的第二晶体管的栅极/基极端子接收第二驱动控制信号，所述第二驱动控制信号用于控制所述驱动器将所述第一射频信号进一步放大到第二功率电平，所述第二功率电平大于所述第一功率电平；以及
响应于所述第二驱动控制信号处于启用所述驱动器来进一步放大所述第一射频信号的所述第一电平，导通所述装置的所述第二晶体管，并且
其中提供所述开关控制信号包括：响应于所述第二晶体管被导通，向所述开关的所述控制端子提供处于所述第二电平的所述开关控制信号。
15.根据权利要求13所述的方法，进一步包括：
响应于所述第一驱动控制信号处于禁用所述驱动器级的第三电平，关断所述第一晶体管，并且
其中提供所述开关控制信号包括：
接收另外的开关控制信号，其中所述另外的开关控制信号被生成以意图用于控制所述收发器的所述开关并且被防止提供给所述开关，以及
响应于所述第一晶体管被关断，提供处于与所述另外的开关控制信号相同的电平的所述开关控制信号。
CN201710697322.XA 2017-08-15 2017-08-15 低噪声放大器保护 Active CN109412537B (zh)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710697322.XA CN109412537B (zh) 2017-08-15 2017-08-15 低噪声放大器保护
US16/637,317 US20200259518A1 (en) 2017-08-15 2018-08-13 Low noise amplifier protection
PCT/EP2018/071875 WO2019034583A1 (en) 2017-08-15 2018-08-13 PROTECTION FOR LOW NOISE AMPLIFIER
EP18753414.4A EP3665783B1 (en) 2017-08-15 2018-08-13 Low noise amplifier protection
US17/165,205 US11265039B2 (en) 2017-08-15 2021-02-02 Low noise amplifier protection

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710697322.XA CN109412537B (zh) 2017-08-15 2017-08-15 低噪声放大器保护

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109412537A CN109412537A (zh) 2019-03-01
CN109412537B true CN109412537B (zh) 2022-10-14

Family

ID=63174280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710697322.XA Active CN109412537B (zh) 2017-08-15 2017-08-15 低噪声放大器保护

Country Status (4)

Country Link
US (2) US20200259518A1 (zh)
EP (1) EP3665783B1 (zh)
CN (1) CN109412537B (zh)
WO (1) WO2019034583A1 (zh)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6272327B1 (en) * 1998-06-18 2001-08-07 Lucent Technologies Inc. High power wireless telephone with over-voltage protection
CN1476188A (zh) * 2003-07-08 2004-02-18 大唐移动通信设备有限公司 时分双工无线通信系统收发线性开关电路和其实现方法
CN201039180Y (zh) * 2007-04-18 2008-03-19 大唐移动通信设备有限公司 一种保护时分双工系统接收前端的装置
CN102104366A (zh) * 2009-12-18 2011-06-22 上海贝尔股份有限公司 用于tdd通信系统的功率放大装置
CN102170296A (zh) * 2011-04-22 2011-08-31 北京大学 一种射频前端电路结构
CN203104433U (zh) * 2012-10-22 2013-07-31 上海集成电路研发中心有限公司 一种无线通信收发机
WO2014020297A1 (en) * 2012-07-30 2014-02-06 Toumaz Microsystems Limited Radio frequency transceivers

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5923647A (en) 1996-09-06 1999-07-13 Ericsson Inc. Circulator usage in time division duplex radios
US7373115B2 (en) * 2004-05-13 2008-05-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for transmit and receive switching in a time-division duplexing wireless network
US8099061B2 (en) * 2006-03-15 2012-01-17 Cisco Technology, Inc. TDD receiver protection
US8330547B2 (en) 2009-06-30 2012-12-11 Qualcomm, Incorporated Gain control linearity in an RF driver amplifier transmitter
KR20120012864A (ko) * 2010-08-03 2012-02-13 삼성전자주식회사 격리 기능을 갖는 송수신 스위치를 구비하는 통신 단말기 및 그의 동작 방법
CN103430619B (zh) * 2010-12-13 2017-07-18 爱立信(中国)通信有限公司 基站子系统、rbs部分和tma部分及其用于同步rbs部分与tma部分的方法
US9124354B2 (en) 2011-05-12 2015-09-01 St-Ericsson Sa Isolation and protection circuit for a receiver in a wireless communication device
US9031517B2 (en) * 2011-09-28 2015-05-12 Mediatek Transmit-receive front end
US8843082B2 (en) * 2012-02-14 2014-09-23 Intel Mobile Communications GmbH Cancellation of RF second-order intermodulation distortion
US9154356B2 (en) * 2012-05-25 2015-10-06 Qualcomm Incorporated Low noise amplifiers for carrier aggregation
US9025646B2 (en) 2013-03-14 2015-05-05 Qualcomm, Incorporated Transmit leakage cancellation
CN105099493B (zh) 2014-04-25 2018-05-18 华为技术有限公司 射频电路和移动终端
US10425120B2 (en) 2015-02-10 2019-09-24 U-Blox Ag Signal isolation control apparatus and method of controlling a hybrid junction
US9912371B2 (en) * 2015-07-17 2018-03-06 Qorvo Us, Inc. Self-activated transfer switch
US10284235B2 (en) * 2015-07-22 2019-05-07 Skyworks Solutions, Inc. Wireless transceiver with switch to reduce harmonic leakage
EP3142258B1 (en) * 2015-09-11 2018-08-15 Catena Holding bv Radio transceiver circuit

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6272327B1 (en) * 1998-06-18 2001-08-07 Lucent Technologies Inc. High power wireless telephone with over-voltage protection
CN1476188A (zh) * 2003-07-08 2004-02-18 大唐移动通信设备有限公司 时分双工无线通信系统收发线性开关电路和其实现方法
CN201039180Y (zh) * 2007-04-18 2008-03-19 大唐移动通信设备有限公司 一种保护时分双工系统接收前端的装置
CN102104366A (zh) * 2009-12-18 2011-06-22 上海贝尔股份有限公司 用于tdd通信系统的功率放大装置
CN102170296A (zh) * 2011-04-22 2011-08-31 北京大学 一种射频前端电路结构
WO2014020297A1 (en) * 2012-07-30 2014-02-06 Toumaz Microsystems Limited Radio frequency transceivers
CN203104433U (zh) * 2012-10-22 2013-07-31 上海集成电路研发中心有限公司 一种无线通信收发机

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"低插入损耗高隔离度SOI射频开关电路的研究";田亮等;《微电子学》;20091031;第39卷(第5期);第653-656页 *

Also Published As

Publication number Publication date
EP3665783B1 (en) 2022-04-06
US11265039B2 (en) 2022-03-01
EP3665783A1 (en) 2020-06-17
CN109412537A (zh) 2019-03-01
US20200259518A1 (en) 2020-08-13
WO2019034583A1 (en) 2019-02-21
US20210159937A1 (en) 2021-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10887847B2 (en) Active antenna system, mobile terminal, and configuration method of antenna system
US10148341B2 (en) Independent band detection for network protection
US8160275B2 (en) Apparatus and method for an integrated, multi-mode, multi-band, and multi-stage power amplifier
EP4164121A1 (en) Radio frequency power amplifier, radio frequency front-end module, and communication terminal
US10925115B2 (en) Signal booster with coaxial cable connections
EP3134966B1 (en) Differential cascode amplifier with selectively coupled gate terminals
US20200177269A1 (en) Independent band detection for network protection
US20160218674A1 (en) Dual-mode power amplifier
US20140118068A1 (en) Amplification output control device and amplification output control method
JP2008172674A (ja) マルチモード通信装置
CN109412537B (zh) 低噪声放大器保护
US20130122832A1 (en) Communication terminal having tdd switch with isolating function and driving method thereof
CN107258054B (zh) 用于放大器的装置和方法
US10389430B2 (en) Multi-amplifier booster for a wireless communication system
US9385672B2 (en) Compensated common-mode feedback for an amplifier
KR100629245B1 (ko) 이동통신시스템의 잡음전력 차단장치
JP2004147004A (ja) ブースター装置
US20130058322A1 (en) Power amplifier for time division multiple access
JP2012085146A (ja) 通信装置、回路部品および送信電力制御方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant