CN109412133A

CN109412133A - 一种基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路

Info

Publication number: CN109412133A
Application number: CN201811257305.5A
Authority: CN
Inventors: 张怀东
Original assignee: Wuxi Tianji Core Technology Co Ltd
Current assignee: Wuxi Tianji Core Technology Co Ltd
Priority date: 2018-10-26
Filing date: 2018-10-26
Publication date: 2019-03-01

Abstract

本发明提供一种基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路，包括内部电路、限流电阻R1、二极管D、驱动NMOS管。其中，驱动NMOS管的漏极通过二极管D连接到输出端口且源极接地线，或驱动NMOS管的漏极连接到输出端口且源极通过二极管D接地线，驱动NMOS管的栅极连接到芯片的内部电路上，驱动NMOS管和二极管D串联在一起，内部电路通过限流电阻R1连接到电源。本发明通过在驱动蜂鸣器的驱动NMOS管上串联二极管D或者限流电阻或者二者的结合，内部电路通过电阻R1进行限流，使当电源线与地线反接时能起到限流的作用。而且该电路具有正常工作时启动电压低的优点，和防止芯片正常使用时电源电压下降幅度过大、以及防止电源线与地线反接时烧毁芯片的优点。

Description

一种基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路

技术领域

本发明涉及一种蜂鸣器电路领域，具体涉及一种基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路。

背景技术

如图9所示，为传统的防止电源线与地线反接而造成芯片烧毁的电路，当电源线与地线反接时，即芯片的电源线被误接到地线，芯片的地线被误接到电源线，二极管D反偏，处于截止状态，从而达到防止电源线与地线反接而造成芯片烧毁的目的。这种电路的缺点是：正常工作时，芯片正常工作的启动电压要比没有二极管D时高一个二极管D正向导通电压。

发明内容

本发明提供一种基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路，在防止电源线与地线反接时，即芯片的电源线被误接到地线，芯片的地线被误接到电源线，而造成芯片烧毁时，以解决电路启动电压被抬高的问题，以及防止芯片正常使用时电源电压下降幅度过大。

为解决上述技术问题，如图1所示，本发明提供一种基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路，包括内部电路、限流电阻R1、二极管D、驱动NMOS管，所述驱动NMOS管的漏极通过所述二极管D连接到输出端口且源极接地线，或所述驱动NMOS管的漏极连接到输出端口且源极通过所述二极管D接地线，所述驱动NMOS管的栅极连接到芯片的内部电路上，所述驱动NMOS管和所述二极管D串联在一起，内部电路通过所述限流电阻连接到电源，所述内部电路为频率修正模块、振荡器、分频器等与本发明所述模块在同一芯片的其他电路模块。

优选的，所述二极管至少为一个。

优选的，所述限流电阻R1至少为一个。

优选的，所述二极管D和所述限流电阻R1均不止一个，多个所述限流电阻和多个所述二极管进行串并联组合。

优选的，所述二极管D为集成电路常用的二极管。

优选的，所述二极管为NMOS管的二极管D接法。

优选的，所述二极管为三极管的二极管D接法。

本发明带来的有益效果：本发明提供的一种基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路，通过在驱动蜂鸣器的驱动NMOS管上串联二极管或者限流电阻或者二者的结合，内部电路通过限流电阻供电，使当电源线与地线反接时能起到让电流截止或者限流的作用，在正常使用时起到抬高端口电压，防止电源电压下降幅度过大的作用。而且，本发明提供的一种基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路具有电路正常工作时启动电压低的优点，和防止芯片正常使用时电源电压下降幅度过大、以及防止电源线与地线反接时烧毁芯片的优点。

附图说明

图1是根据本发明的电路结构示意图，也是本发明第一实施例的基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路的结构示意图。

图2是根据本发明第二实施例的基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路的结构示意图。

图3是根据本发明第三实施例的基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路的结构示意图。

图4是根据本发明第四实施例的基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路的结构示意图。

图5是根据本发明第五实施例的基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路的结构示意图。

图6是根据本发明第六实施例的基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路的结构示意图。

图7是根据本发明第七实施例的基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路的结构示意图。

图8是根据本发明第八实施例的基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路的结构示意图。

图9背景技术示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下结合附图及具体实施例，对本发明作进一步地详细说明。

第一实施例：

如图1所示，本发明提供的一种基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路，包括内部电路、限流电阻R1、二极管D、驱动NMOS管，驱动NMOS管的漏极通过二极管D连接到输出端口且源极接地线，或者驱动NMOS管的漏极连接到输出端口且源极通过二极管D接地线，驱动NMOS管的栅极连接到芯片的内部电路上，驱动NMOS管和二极管D串联在一起，内部电路通过限流电阻R1连接到电源。

在本实施例中，所述限流电阻R1接在电源和内部电路之间的线路上，二极管D接在驱动NMOS管的漏极和输出端口之间的线路上，芯片至少包括内部电路、驱动NMOS管、限流电阻R1、二极管D，内部电路为振荡电路、分频器、熔丝修正等电路模块。内部电路供电由电源通过限流电阻R1提供，因为内部电路工作时电流不大，限流电阻R1的阻值也不是太大，所以限流电阻R1上的电压也不大，从而不会太多的降低整个电路正常工作的启动电压。假设限流电阻R1为1000欧姆，电流为0.1毫安，则限流电阻R1上的压降为0.1伏，这个电压远远小于二极管D的正向导通压降典型值0.7伏，当电源电压为5伏时，如果电源线与地线反接，则流过限流电阻R1与内部电路的功耗为25毫瓦，这不会对芯片造成烧毁。

驱动NMOS管的漏极串联二极管，当电源线与地线反接时，二极管D截止，从而防止电路被烧毁，串联二极管D还可以防止驱动NMOS管端口电压过低，从而防止电源电压下降幅度过大的作用。

第二实施例：

如图2所示，本发明提供的一种基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路，包括限流电阻R1、内部电路、驱动NMOS管、限流电阻R2，所述驱动NMOS管的漏极通过限流电阻 R2连接到输出端口且源极接地线，所述驱动NMOS管的栅极连接到芯片的内部电路上，所述限流电阻R1至少为一个，所述驱动NMOS管和所述限流电阻R2串联在一起，内部电路通过限流电阻R1连接到电源。

在本实施例中，所述限流电阻包括限流电阻R1和限流电阻R2，R1接在电源和内部电路之间的线路上，限流电阻R2接在驱动NMOS管的漏极和输出端口之间的线路上。内部电路供电由电源通过限流电阻R1提供，因为内部电路工作时电流不大，限流电阻R1的阻值也不是太大，所以限流电阻R1上的电压也不大，从而不会降低整个电路正常工作的启动电压。假设限流电阻R1为1000欧姆，电流为0.1毫安，则限流电阻R1上的压降为0.1伏，这个电压远远小于限流电阻R2的正向导通压降，当电源电压为5伏时，如果电源线与地线反接，则流过限流电阻R1与内部电路的功耗为25毫瓦，这不会对芯片造成烧毁。

当电源线与地线反接时，限流电阻R2起到限流的作用，当正常使用时，限流电阻R2可以抬高端口电压，也起到防止电源电压下降幅度过大的作用。

第三实施例：

如图3所示，本发明提供的一种基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路，包括内部电路、驱动NMOS管、限流电阻、二极管D，所述驱动NMOS管的漏极通过二极管D连接到输出端口且源极接地线，所述驱动NMOS管的栅极连接到芯片的内部电路上，所述限流电阻为三个，所述驱动NMOS管和所述二极管D串联在一起，内部电路通过限流电阻连接到电源。

在本实施例中，所述限流电阻包括若干限流电阻、二极管D，将内部电路分成几个分电路，每个分电路与电源的连接线上均设置有限流电阻，二极管D接在驱动NMOS管的漏极和输出端口之间的线路上。

第四实施例：

如图4所示，本发明提供的一种基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路，包括内部电路、限流电阻R1、驱动NMOS管、限流电阻R2，二极管D，所述驱动NMOS管的漏极通过二极管D与限流电阻R2的串联连接到输出端口且源极接地线，所述驱动NMOS管的栅极连接到芯片的内部电路上，所述限流电阻至少为一个，所述驱动NMOS管和所述限流电阻 R2以及二极管D串联在一起，内部电路通过限流电阻R1连接到电源。

在本实施例中，所述限流电阻包括限流电阻R1、限流电阻R2，R1接在电源和内部电路之间的线路上，二极管D和限流电阻R2均接在驱动NMOS管的漏极和输出端口之间的线路上。

第五实施例：

如图5所示，本发明提供的一种基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路，包括驱动 NMOS管、限流电阻R1、限流电阻R2、二极管D、内部电路，所述驱动NMOS管的漏极通过二极管D连接到输出端口且源极接地线，所述驱动NMOS管的栅极连接到芯片的内部电路上，所述限流电阻至少为一个，所述驱动NMOS管和所述二极管D串联在一起，内部电路通过限流电阻R1连接到电源。

在本实施例中，所述限流电阻包括限流电阻R1、限流电阻R2、二极管D，R1接在电源和内部电路之间的线路上，二极管D接在驱动NMOS管的漏极和输出端口之间的线路上，限流电阻R2接在驱动NMOS管的栅极和地线之间的线路上。

第六实施例：

如图6所示，本发明提供的一种基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路，包括驱动NMOS管、两个二极管D、限流电阻R1，内部电路，所述驱动NMOS管的漏极通过两个二极管D连接到输出端口且源极接地线，所述驱动NMOS管的栅极连接到芯片的内部电路上，所述限流电阻至少为一个，所述驱动NMOS管和所述两个二极管D串联在一起，内部电路通过限流电阻R1连接到电源。

在本实施例中，所述限流电阻包括限流电阻R1，R1接在电源和内部电路之间的线路上，两个二极管D接在驱动NMOS管的漏极和输出端口之间的线路上。

第七实施例：

如图7所示，本发明提供的一种基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路，包括驱动 NMOS管、限流电阻R1、限流电阻R2、限流电阻R3，内部电路，所述驱动NMOS管的漏极通过限流电阻3连接到输出端口且源极接地线，所述驱动NMOS管的栅极连接到芯片的内部电路上，所述限流电阻至少为一个，所述驱动NMOS管和所述限流电阻R3串联在一起，内部电路通过限流电阻R1连接到电源。

在本实施例中，所述限流电阻包括限流电阻R1、限流电阻R2、限流电阻R3，R1接在电源和内部电路之间的线路上，限流电阻R3接在驱动NMOS管的漏极和输出端口之间的线路上，限流电阻R2接在驱动NMOS管的衬底和地线之间的线路上。

第八实施例：

如图8所示，本发明提供的一种基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路，包括驱动 NMOS管、限流电阻R1、二极接法的NMOS管，内部电路，所述驱动NMOS管的漏极通过二极接法的NMOS管连接到输出端口且源极接地线，所述驱动NMOS管的栅极连接到芯片的内部电路上，所述限流电阻至少为一个，所述驱动NMOS管和所述二极接法的NMOS管串联在一起，内部电路通过限流电阻R1连接到电源。

在本实施例中，所述R1接在电源和内部电路之间的线路上，二极接法的驱动NMOS管接在驱动NMOS管的漏极和输出端口之间的线路上。

综上所述，本发明提供的一种基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路，通过在驱动蜂鸣器的驱动NMOS管上串联二极管D或者限流电阻或者二者的结合，以及在内部电路与电源线之间加入限流电阻，即内部电路通过限流电阻供电，使当电源线与地线反接时能起到让电流截止或者限流的作用，在正常使用时起到抬高端口电压，防止电源电压下降幅度过大的作用。而且，本发明提供的一种基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路具有电路正常工作时启动电压低的优点，和防止芯片正常使用时电源电压下降幅度过大、以及防止电源线与地线反接时烧毁芯片的优点。

以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。

Claims

1.一种基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路，其特征在于，包括内部电路、限流电阻R1、二极管D、驱动NMOS管，所述驱动NMOS管的漏极通过所述二极管D连接到输出端口且源极接地线，或所述驱动NMOS管的漏极连接到输出端口且源极通过所述二极管D接地线，所述驱动NMOS管的栅极连接到芯片的内部电路上，所述驱动NMOS管和所述二极管D串联在一起，内部电路通过所述限流电阻连接到电源，内部电路通过所述限流电阻连接到电源，所述内部电路为频率修正模块、振荡器、分频器等与本发明所述模块在同一芯片的其他电路模块。

2.如权利要求1所述的基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路，其特征在于，所述二极管D至少为一个。

3.如权利要求1所述的基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路，其特征在于，所述限流电阻R1至少为一个。

4.如权利要求1所述的基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路，其特征在于，所述二极管和所述限流电阻均不止一个，多个所述限流电阻和多个所述二极管进行串并联组合。

5.如权利要求2～4任一所述的基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路，其特征在于，所述二极管D为集成电路常用的二极管。

6.如权利要求2～4任一所述的基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路，其特征在于，所述二极管为NMOS管的二极管D接法。

7.如权利要求2～4任一所述的基于蜂鸣器的防止电源与地反接烧毁的电路，其特征在于，所述二极管为三极管的二极管D接法。