CN109411608A - 一种具有补丁结构钙钛矿薄膜的制备方法 - Google Patents

一种具有补丁结构钙钛矿薄膜的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109411608A
CN109411608A CN201811197385.XA CN201811197385A CN109411608A CN 109411608 A CN109411608 A CN 109411608A CN 201811197385 A CN201811197385 A CN 201811197385A CN 109411608 A CN109411608 A CN 109411608A
Authority
CN
China
Prior art keywords
thin film
perovskite thin
patch structure
preparation
solvent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811197385.XA
Other languages
English (en)
Inventor
陈棋
李煜璟
刘浪
孙于超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Juneng Technology Co Ltd
Original Assignee
Beijing Juneng Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Juneng Technology Co Ltd filed Critical Beijing Juneng Technology Co Ltd
Priority to CN201811197385.XA priority Critical patent/CN109411608A/zh
Publication of CN109411608A publication Critical patent/CN109411608A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H10K71/441Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour in the presence of solvent vapors, e.g. solvent vapour annealing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种具有补丁结构钙钛矿薄膜的制备方法,属于有机‑无机杂化钙钛矿材料技术领域。本发明所述方法主要是利用甲巯咪唑的有机溶液处理钙钛矿薄膜,将钙钛矿薄膜中残留的碘化铅转化成MMI‑PbI2配合物,该配合物位于晶界处,能连接毗连的晶粒,钝化晶界,有利于增大钙钛矿薄膜中的晶体尺寸,有效地抑制离子迁移和金属电极扩散,延长载流子的寿命,从而大幅提升太阳能电池器件的稳定性。

Description

一种具有补丁结构钙钛矿薄膜的制备方法
技术领域
本发明涉及一种具有补丁结构钙钛矿薄膜的制备方法,属于有机-无机杂化钙钛矿材料技术领域。
背景技术
随着人类社会的进步与发展,人类对能源的需求大幅增长,大量化石能源的使用造成了严重的环境污染,而且化石能源日益枯竭,使得能源危机成为全人类面临的问题。太阳能是一种清洁、安全的可再生能源,有效利用太阳能对于缓解能源危机、保护地球环境以及推动经济发展具有重要的意义。
基于有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池以其制备成本低、制备工艺简单等优点受到了全世界科研工作者的广泛关注,其优越的光电性能使其有很大的潜力去取代昂贵的硅基太阳能电池。近几年,有机-无机杂化钙钛矿材料作为一种新型的吸光材料,在太阳能电池领域取得重大进展,其光电转化效率记录不断被刷新。但是,太阳能电池器件的稳定性依然是个重大挑战。一方面是由于材料本身引起的:例如薄膜表面和晶界处存在很多缺陷,这些缺陷很容易吸附其他的物质引发分解;此外,作为主要的离子迁移途径,晶界和迟滞密切相关。另一方面,太阳能电池器件中的金属电极很容易扩散,和钙钛矿中的碘反应,降低器件效率。
发明内容
为了解决离子迁移和金属电极扩散引发的太阳能电池器件稳定性问题,本发明提供了一种具有补丁结构钙钛矿薄膜的制备方法,该方法主要是利用甲巯咪唑的有机溶液处理钙钛矿薄膜,与钙钛矿薄膜中残留的碘化铅形成配合物,该配合物位于晶界处,能连接毗连的晶粒,钝化晶界,有效地抑制离子迁移和金属电极扩散,从而大幅提升太阳能电池器件的稳定性。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的。
一种具有补丁结构钙钛矿薄膜的制备方法,所述方法步骤如下:
(1)将甲基碘化铵(MAI)和碘化铅(PbI2)溶解在二甲基甲酰胺(DMF)中,得到前驱体溶液;
(2)将前驱体溶液涂覆在基底上,并打反溶剂,再进行退火处理,得到钙钛矿薄膜;
所述反溶剂是不溶于前驱体溶液的溶剂,优选乙醚、甲苯、氯苯或二氯甲烷;
(3)在钙钛矿薄膜上涂覆20μL~50μL浓度为1mg/mL~10mg/mL的甲巯咪唑(MMI)的有机溶液,再进行退火处理,得到具有补丁结构钙钛矿薄膜。
步骤(2)步骤(3)中,所述退火处理的温度分别独立为80℃~120℃,退火处理时间分别独立为5min~20min。
所述涂覆包括旋涂、狭缝挤出或者刮涂。
甲巯咪唑的有机溶液中,其溶剂能够微溶钙钛矿薄膜,优选异丙醇(IPA)、乙酸乙酯或乙腈。
有益效果:
本发明所述方法主要是利用甲巯咪唑的有机溶液处理钙钛矿薄膜,将钙钛矿薄膜中残留的碘化铅转化成MMI-PbI2配合物,该配合物位于晶界处,能连接毗连的晶粒,钝化晶界,有利于增大钙钛矿薄膜中的晶体尺寸,有效地抑制离子迁移和金属电极扩散,延长载流子的寿命,从而大幅提升太阳能电池器件的稳定性。
附图说明
图1为对比例1中制备的钙钛矿薄膜的扫描电子显微镜(SEM)图。
图2为实施例1中制备的具有补丁结构钙钛矿薄膜的SEM图。
图3是基于对比例1中制备的钙钛矿薄膜的太阳能电池的元素分布线扫图。
图4是基于实施例1中制备的具有补丁结构钙钛矿薄膜的太阳能电池的元素分布线扫图。
图5是基于对比例1中制备的钙钛矿薄膜的太阳能电池的截面元素分布面扫图。
图6是基于实施例1中制备的具有补丁结构钙钛矿薄膜的太阳能电池的截面元素分布面扫图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步阐述,其中,所述方法如无特别说明均为常规方法,所述原材料如无特别说明均能从公开商业途径而得。
以下实施例中:
SEM表征采用的是S-4800型扫描电子显微镜;
太阳能电池的元素分布表征采用的是高角环形暗场像-扫描透射电子显微镜(HAADF-STEM)以及球差校正高分辨透射电子显微镜(FEI Titan G2);
太阳能电池性能测试:采用Newport Thermal Oriel 91192 1000W太阳光模拟器,模拟太阳光光照强度AM1.5G,100mW cm-2,并使用KG-5电池对太阳光进行光强校准,采用Keithley 2400源表进行测试,电压扫描范围1.2V~-0.2V,扫描步长0.02V。
钙钛矿太阳能电池的制备:将SnO2溶液在3000rpm条件下旋涂在洁净的ITO导电玻璃基底上,旋涂30s,再将旋涂SnO2后的ITO导电玻璃置于150℃下退火30min,在ITO导电玻璃上形成SnO2电子传输层;采用实施例或对比例中的方法在SnO2电子传输层制备钙钛矿薄膜;将spiro-OMeTAD溶液在3000rpm条件下旋涂在钙钛矿薄膜上,旋涂30s,在钙钛矿薄膜上形成空穴传输层;再在空穴传输层上蒸镀100nm银作为电极,得到平板异质结钙钛矿太阳能电池;
其中,将质量分数为15%的SnO2水溶液与超纯水按照1:5的体积比进行稀释,混合均匀,得到SnO2溶液;将80mg spiro-OMeTAD(2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴)溶于1mL氯苯中,并添加35μL浓度为260mg mL-1的双三氟甲烷磺酰亚胺锂/乙腈溶液和30μL 4-叔丁基吡啶,混合均匀,得到spiro-OMeTAD溶液。
实施例以及对比例中所述钙钛矿前驱体溶液的配制:将461mg碘化铅和159mg甲基碘化铵加入600μL N,N-二甲基甲酰胺中,并在70℃下加热10min使混合溶液变澄清,再在常温下搅拌12h,得到钙钛矿前驱体溶液。
实施例1
(1)将钙钛矿前驱体溶液旋涂在氧化锡基底上,3000rpm下旋涂20s后,打反溶剂乙醚1mL,再置于100℃下退火5min,得到CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜;
(2)将50μL浓度为1mg/mL的MMI/IPA溶液旋涂在CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜上,3000rpm下旋涂30s后,再置于100℃下退火10min,得到具有补丁结构CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜。
实施例2
(1)将钙钛矿前驱体溶液旋涂在氧化锡基底上,3000rpm下旋涂20s后,打反溶剂乙醚1mL,再置于100℃下退火5min,得到CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜;
(2)将50μL浓度为2mg/mL的MMI/IPA溶液旋涂在CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜上,3000rpm下旋涂30s后,再置于100℃下退火10min,得到具有补丁结构CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜。
实施例3
(1)将钙钛矿前驱体溶液旋涂在氧化锡基底上,3000rpm下旋涂20s后,打反溶剂乙醚1mL,再置于100℃下退火5min,得到CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜;
(2)将50μL浓度为3mg/mL的MMI/IPA溶液旋涂在CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜上,3000rpm下旋涂30s后,再置于100℃下退火5min,得到具有补丁结构CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜。
对比例1
(1)将钙钛矿前驱体溶液旋涂在氧化锡基底上,3000rpm下旋涂20s后,打反溶剂乙醚1mL,再置于100℃下退火5min,得到CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜;
(2)将50μL IPA旋涂在CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜上,3000rpm下旋涂30s后,再置于100℃下退火10min,得到IPA处理的CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜。
性能表征
(1)根据图1和图2可知,对比例1中经过IPA处理的CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜晶界处含有很多颗粒状的物质;实施例1中经过MMI/IPA处理的CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜表面的颗粒状物质消失了,在晶界处形成了类似于补丁的配合物,而且晶粒尺寸较大。实施例2和实施例3所制备的CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜与实施例1中制备的CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜具有类似的补丁结构,而且晶粒尺寸比对比例1中制备的CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜的晶粒尺寸大。
(2)分别基于实施例1~3以及对比例1中的CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜制备钙钛矿太阳能电池,并对其进行性能测试。根据表1中的测试结果可知,与基于对比例1中CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜制备的太阳能电池相比,基于实施例1~3中CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜制备的太阳能电池的效率提高了。
表1
(3)将基于实施例1以及对比例1中的CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜制备的钙钛矿太阳能电池分别置于太阳光模拟器(模拟太阳光光照强度AM1.5G)下照射1个月,再对照射后的钙钛矿太阳能电池分别进行元素线扫描(如图3和图4所示)以及截面的元素面扫描(如图5和图6所示)。
从图3和图5的表征结果可知,基于对比例1中CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜的钙钛矿太阳能电池的碘元素分布不均匀,经过光照之后碘发生了明显的迁移,甚至扩散到了空穴传输层;此外,银电极也发生了迁移,扩散到了CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜层。从图4和图6的表征结果可知,基于实施例1中CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜的钙钛矿太阳能电池的碘元素分布则更均匀,在相同的条件下照射后,碘以及银电极都未见明显的迁移,表明经过MMI处理的CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜中所形成的补丁结构能够抑制碘的迁移和金属电极的扩散。
综上所述,以上仅为本发明的较佳实施例而已,并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种具有补丁结构钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于:所述方法步骤如下:
(1)将甲基碘化铵和碘化铅溶解在二甲基甲酰胺中,得到前驱体溶液;
(2)将前驱体溶液涂覆在基底上,并打反溶剂,再进行退火处理,得到钙钛矿薄膜;
(3)在钙钛矿薄膜上涂覆20μL~50μL浓度为1mg/mL~10mg/mL的甲巯咪唑的有机溶液,再进行退火处理,得到具有补丁结构钙钛矿薄膜;
其中,所述反溶剂是不溶于前驱体溶液的溶剂,甲巯咪唑的有机溶液的溶剂微溶钙钛矿薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种具有补丁结构钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于:所述反溶剂为乙醚、甲苯、氯苯或二氯甲烷。
3.根据权利要求1所述的一种具有补丁结构钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(2)步骤(3)中,所述退火处理的温度分别独立为80℃~120℃,退火处理时间分别独立为5min~20min。
4.根据权利要求1所述的一种具有补丁结构钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于:所述涂覆包括旋涂、狭缝挤出或者刮涂。
5.根据权利要求1所述的一种具有补丁结构钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于:甲巯咪唑的有机溶液的溶剂为异丙醇、乙酸乙酯或乙腈。
CN201811197385.XA 2018-10-15 2018-10-15 一种具有补丁结构钙钛矿薄膜的制备方法 Pending CN109411608A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811197385.XA CN109411608A (zh) 2018-10-15 2018-10-15 一种具有补丁结构钙钛矿薄膜的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811197385.XA CN109411608A (zh) 2018-10-15 2018-10-15 一种具有补丁结构钙钛矿薄膜的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109411608A true CN109411608A (zh) 2019-03-01

Family

ID=65467951

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811197385.XA Pending CN109411608A (zh) 2018-10-15 2018-10-15 一种具有补丁结构钙钛矿薄膜的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109411608A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111640870A (zh) * 2020-06-16 2020-09-08 西南石油大学 一种高效钙钛矿太阳能电池及制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160380125A1 (en) * 2013-12-17 2016-12-29 Isis Innovation Limited Photovoltaic device comprising a metal halide perovskite and a passivating agent
US9793056B1 (en) * 2016-08-10 2017-10-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method for producing high quality, ultra-thin organic-inorganic hybrid perovskite
CN107337607A (zh) * 2017-07-14 2017-11-10 北京理工大学 一种甲基碘化铵的制备方法
US20180066383A1 (en) * 2015-03-24 2018-03-08 King Abdullah University Of Science And Technology Methods of preparation of organometallic halide structures

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160380125A1 (en) * 2013-12-17 2016-12-29 Isis Innovation Limited Photovoltaic device comprising a metal halide perovskite and a passivating agent
US20180066383A1 (en) * 2015-03-24 2018-03-08 King Abdullah University Of Science And Technology Methods of preparation of organometallic halide structures
US9793056B1 (en) * 2016-08-10 2017-10-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method for producing high quality, ultra-thin organic-inorganic hybrid perovskite
CN107337607A (zh) * 2017-07-14 2017-11-10 北京理工大学 一种甲基碘化铵的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
LIU L , HUANG S , LU Y , ET AL.: "Grain‐Boundary "Patches" by In Situ Conversion to Enhance Perovskite Solar Cells Stability", 《ADVANCED MATERIALS》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111640870A (zh) * 2020-06-16 2020-09-08 西南石油大学 一种高效钙钛矿太阳能电池及制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108470835B (zh) 基于二维过渡金属碳化物或氮化物的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN108389967B (zh) 太阳能电池的吸光层材料、宽带隙钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN106058061B (zh) 一种疏水性钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用
CN109950404A (zh) 一种提高钙钛矿太阳能电池效率和湿热稳定性的方法
CN106953016B (zh) 一种离子掺杂的钙钛矿太阳能电池
CN111106247B (zh) 一种有机无机杂化钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN107154460A (zh) 一种全碳基钙钛矿太阳能电池及其制备工艺
CN111740016A (zh) 一种提升钙钛矿太阳能电池稳定性的方法
CN109065725A (zh) 一种在钙钛矿层加入表面活性剂制备高效稳定的钙钛矿太阳能电池的方法
CN111261783B (zh) 一种新型电子传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN105810831A (zh) 一种铅锡混合钙钛矿薄膜、其制备方法及应用
CN110429179A (zh) 一种azo/二氧化钛/二氧化锡-氧化石墨烯薄膜及利用其制得的钙钛矿太阳能电池
CN109267097B (zh) 氧化钽保护的p型硅光解水制氢电极及其制备方法
CN106848064B (zh) 基于二氧化钛-铜铟硫量子点核壳结构的高稳定性钙钛矿太阳能电池及制备方法
Chen et al. On the light-induced enhancement in photovoltaic performance of PEDOT: PSS/Si organic-inorganic hybrid solar cells
CN114203920A (zh) 一种无机材料钝化无机钙钛矿太阳电池的方法
CN109411608A (zh) 一种具有补丁结构钙钛矿薄膜的制备方法
CN111029466B (zh) 一种无载流子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN108023018A (zh) 基于带隙连续可调控的倒置钙钛矿太阳电池的制备方法
CN110752297A (zh) 一种紫外吸收有机分子掺杂的三元太阳能电池及制备方法
CN106847518B (zh) 一种染料敏化太阳能电池光阳极及其制备方法
CN108470832A (zh) 高稳定性钙钛矿薄膜及其制备方法
CN109037034A (zh) 硒化锑薄膜及其制备方法、应用其的太阳能电池
CN108172644B (zh) 一种磷掺杂碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法
CN108461635B (zh) 一种联硼化合物表面修饰钙钛矿薄膜的方法及其应用

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20190301