CN109378283A - 化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置 - Google Patents

化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109378283A
CN109378283A CN201811190578.2A CN201811190578A CN109378283A CN 109378283 A CN109378283 A CN 109378283A CN 201811190578 A CN201811190578 A CN 201811190578A CN 109378283 A CN109378283 A CN 109378283A
Authority
CN
China
Prior art keywords
groove body
chemical corrosion
fluid hole
liquid
injection unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811190578.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109378283B (zh
Inventor
黄鑫亮
张伟锋
祝福生
王文丽
郭立刚
王勇威
夏楠君
李元升
袁恋
吴光庆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Semiconductor Equipment Institute
Original Assignee
Beijing Semiconductor Equipment Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Semiconductor Equipment Institute filed Critical Beijing Semiconductor Equipment Institute
Priority to CN201811190578.2A priority Critical patent/CN109378283B/zh
Publication of CN109378283A publication Critical patent/CN109378283A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109378283B publication Critical patent/CN109378283B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Preventing Corrosion Or Incrustation Of Metals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置,包括槽体、注入部及匀流部。注入部设置在槽体的底部;匀流部设置在注入部的顶部,且匀流部与槽体的内壁连接;注入部的侧壁上设置有出液口,化学腐蚀液能够通过出液口流出注入部而流入槽体的底部;匀流部上设置有出液孔,化学腐蚀液能够由出液孔穿过匀流部而流入槽体的主体部分内。本发明的化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置,注入部对腐蚀液进行第一次整流,匀流部对腐蚀液进行第二次整流,在经过两次整流后,腐蚀液均匀地、速度恒定地流到槽体的主体部分中,注入槽体的主体部分的液体流场稳定,从而能够对半导体进行均匀地腐蚀,解决了现有的半导体均匀腐蚀的处理方式复杂的问题。

Description

化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置
技术领域
本发明涉及集成电路、LED、光伏等技术领域,特别是涉及一种化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置。
背景技术
随着半导体进入微纳米时代,对制造工艺提出了更大的挑战,尤其是沟槽刻蚀工业。湿法化学腐蚀是将硅片置于化学腐蚀液中,使用化学腐蚀剂有目的地移除材料。
为了腐蚀的均匀性,通常是将硅片进行匀速上下旋转,采用冷却系统对药液进行冷却处理等手段,处理方式较复杂。
发明内容
本发明的目的在于提供一种化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置,以解决现有技术中存在的半导体均匀腐蚀的处理方式复杂的技术问题。
为了实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
本发明提供的一种化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置,包括槽体、注入部及匀流部;
所述注入部设置在所述槽体的底部;
所述匀流部设置在所述注入部的顶部,且所述匀流部与所述槽体的内壁连接;
所述注入部的侧壁上设置有出液口,化学腐蚀液能够通过所述出液口流出注入部而流入所述槽体的底部;
所述匀流部上设置有出液孔,化学腐蚀液能够由所述出液孔穿过所述匀流部而流入所述槽体的主体部分内。
进一步地,所述注入部包括整流侧壁及支撑顶壁;
所述整流侧壁的数量为2个,2个所述整流侧壁分别设置在所述支撑顶壁的两侧;
所述支撑顶壁通过所述整流侧壁与所述槽体的底壁连接。
进一步地,所述出液口设置在所述整流侧壁上。
进一步地,所述出液口的数量为多个,多个所述出液口沿所述整流侧壁的长度方向均匀排列。
进一步地,所述出液口的形状为方形或圆形。
进一步地,所述匀流部包括匀流板,所述匀流板与所述槽体的侧壁连接。
进一步地,所述出液孔设置在所述匀流板上;
所述出液孔的数量为多个。
进一步地,多个所述出液孔构成多个出液孔组;
每个出液孔组的多个出液孔成排设置;
多个出液孔组相互平行设置。
进一步地,靠近所述匀流板中心的出液孔的孔径大于远离所述匀流板中心的出液孔的孔径。
进一步地,所述出液孔的形状为方形或圆形。
本发明提供的化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置,匀流部将槽体隔成两部分,匀流部上部的为槽体的主体部分,化学腐蚀液由注入部流入槽体的底部,注入部对腐蚀液进行第一次整流,腐蚀液继而通过匀流部流入槽体的主体部分,匀流部对腐蚀液进行第二次整流,在经过两次整流后,腐蚀液均匀地、速度恒定地流到槽体的主体部分中,腐蚀液在槽体的主体部分中不会产生局部循环扰流,注入部和匀流部的设置,使得注入槽体的主体部分的液体流场稳定,从而能够对半导体进行均匀地腐蚀,本装置结构简单,在液体注入过程进行稳流,能够有效实现注入液稳流,达到液体均匀、快速、稳定注入的目的,使得半导体的腐蚀更加均匀,解决了现有的半导体均匀腐蚀的处理方式复杂的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例一提供的一种化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置的结构示意图;
图2为本发明实施例一提供的一种化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置中的注入部的结构示意图;
图3为本发明实施例一提供的一种化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置中的匀流部的结构示意图。
附图标记:
100-槽体; 200-注入部; 300-匀流部;
201-出液口; 202-整流侧壁; 203-支撑顶壁;
301-出液孔。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
实施例一:
在本实施例的可选方案中,如图1至图3所示,本实施例提供的一种化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置,包括槽体100、注入部200及匀流部300;注入部200设置在槽体100的底部;匀流部300设置在注入部200的顶部,且匀流部300与槽体100的内壁连接;注入部200的侧壁上设置有出液口201,化学腐蚀液能够通过出液口201流出注入部200而流入槽体100的底部;匀流部300上设置有出液孔301,化学腐蚀液能够由出液孔301穿过匀流部300而流入槽体100的主体部分内。
在本实施例中,匀流部300将槽体100隔成两部分,匀流部300上部的为槽体100的主体部分。
其中,化学腐蚀液由注入部200流入槽体100的底部,注入部200对腐蚀液进行第一次整流,腐蚀液继而通过匀流部300流入槽体100的主体部分,匀流部300对腐蚀液进行第二次整流,在经过两次整流后,腐蚀液均匀地、速度恒定地流到槽体100的主体部分中,腐蚀液在槽体100的主体部分中不会产生局部循环扰流,注入部200和匀流部300的设置,使得注入槽体100的主体部分的液体流场稳定,从而能够对半导体进行均匀地腐蚀,本装置结构简单,在液体注入过程进行稳流,能够有效实现注入液稳流,达到液体均匀、快速、稳定注入的目的,使得半导体的腐蚀更加均匀。
需要说明的是,化学腐蚀液可以通过注入管注入到注入部200内。
本实施例的技术方案涉及集成电路、LED、光伏等领域,尤其是适用于湿法腐蚀清洗设备、沟槽刻蚀设备、电镀设备中。
在本实施例的可选方案中,注入部200包括整流侧壁202及支撑顶壁203;整流侧壁202的数量为2个,2个整流侧壁202分别设置在支撑顶壁203的两侧;支撑顶壁203通过整流侧壁202与槽体100的底壁连接。
在本实施例中,优选地,整流侧壁202垂直于支撑顶壁203,整流侧壁202垂直于槽体100的底壁,从而支撑顶壁203平行于槽体100的底壁。
其中,整流侧壁202可与槽体100的底壁焊接连接。
在本实施例的可选方案中,出液口201设置在注入部200的整流侧壁202上。
在本实施例中,化学腐蚀液通过整流侧壁202上的出液口201流入到槽体100的底部区域,在出液口201的作用下,腐蚀液得到第一次整流。
在本实施例的可选方案中,出液口201的数量为多个,多个出液口201沿整流侧壁202的长度方向均匀排列。
在本实施例中,多个出液口201对齐设置,位于整流侧壁202的同一高度上。
并且,多个出液口201的大小相同,出液均匀。
在本实施例的可选方案中,出液口201的形状为方形。
在本实施例中,当出液口201为正方形时,其边长为1-20mm。
在本实施例的可选方案中,匀流部300包括匀流板,匀流板与槽体100的侧壁连接。
在本实施例中,匀流板与槽体100的侧壁通过螺纹结构相互连接,连接方便。
同时,匀流板可与支撑顶壁203连接,匀流板平行于槽体100的底壁。
在本实施例的可选方案中,出液孔301设置在匀流板上;出液孔301的数量为多个。
在本实施例中,匀流部300使得注入槽体100主体中的腐蚀液在每处(每个注入处,即每个出液孔301)的流速一致,液体在槽体100主体中不会产生局部循环扰流。
在本实施例的可选方案中,多个出液孔301构成多个出液孔组;每个出液孔组的多个出液孔301成排设置;多个出液孔组相互平行设置。
在本实施例中,多个出液孔组相互平行设置,且多个出液孔组均平行于匀流板的中心线。
并且,优选地,多个出液孔组等间隔设置,相邻的出液孔组的中线之间的距离相同。
在本实施例的可选方案中,靠近匀流板中心的出液孔301的孔径大于远离匀流板中心的出液孔301的孔径。
在本实施例中,属于同一出液孔组的出液孔301的孔径相同。
其中,靠近匀流板中心线的出液孔301的孔径大于远离匀流板中心线的出液孔301的孔径。
并且,中心线两侧的出液孔组对称设置,且形状、数量均对应相同。
在本实施例的可选方案中,出液孔301的形状为圆形。
在本实施例中,当出液孔301为圆形时,其直径为1-20mm。
实施例二:
在本实施例的可选方案中,本实施例提供的一种化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置,包括槽体100、注入部200及匀流部300;注入部200设置在槽体100的底部;匀流部300设置在注入部200的顶部,且匀流部300与槽体100的内壁连接;注入部200的侧壁上设置有出液口201,化学腐蚀液能够通过出液口201流出注入部200而流入槽体100的底部;匀流部300上设置有出液孔301,化学腐蚀液能够由出液孔301穿过匀流部300而流入槽体100的主体部分内。
在本实施例中,匀流部300将槽体100隔成两部分,匀流部300上部的为槽体100的主体部分,化学腐蚀液由注入部200流入槽体100的底部,注入部200对腐蚀液进行第一次整流,腐蚀液继而通过匀流部300流入槽体100的主体部分,匀流部300对腐蚀液进行第二次整流,在经过两次整流后,腐蚀液均匀地、速度恒定地流到槽体100的主体部分中,腐蚀液在槽体100的主体部分中不会产生局部循环扰流,注入部200和匀流部300的设置,使得注入槽体100的主体部分的液体流场稳定,从而能够对半导体进行均匀地腐蚀,本装置结构简单,在液体注入过程进行稳流,能够有效实现注入液稳流,达到液体均匀、快速、稳定注入的目的,使得半导体的腐蚀更加均匀。
在本实施例的可选方案中,注入部200包括整流侧壁202及支撑顶壁203;整流侧壁202的数量为2个,2个整流侧壁202分别设置在支撑顶壁203的两侧;支撑顶壁203通过整流侧壁202与槽体100的底壁连接。
在本实施例中,优选地,整流侧壁202垂直于支撑顶壁203,整流侧壁202垂直于槽体100的底壁,从而支撑顶壁203平行于槽体100的底壁。
其中,整流侧壁202可与槽体100的底壁焊接连接。
在本实施例的可选方案中,出液口201设置在注入部200的整流侧壁202上。
在本实施例中,化学腐蚀液通过整流侧壁202上的出液口201流入到槽体100的底部区域,在出液口201的作用下,腐蚀液得到第一次整流。
在本实施例的可选方案中,出液口201的数量为多个,多个出液口201沿整流侧壁202的长度方向均匀排列。
在本实施例中,多个出液口201对齐设置,位于整流侧壁202的同一高度上。
并且,多个出液口201的大小,沿液体在注入部200内的流向而逐渐减小。
在本实施例的可选方案中,出液口201的形状为圆形。
在本实施例中,当出液口201为圆形时,其直径为1-20mm。
可以理解,出液口201还可以为其他形状。
在本实施例的可选方案中,匀流部300包括匀流板,匀流板与槽体100的侧壁连接。
并且,匀流板的数量为多个,多个匀流板相互平行设置,能够进行多次整流,使得稳流效果更显著。
在本实施例中,匀流板与槽体100的侧壁通过螺纹结构相互连接,连接方便。
同时,匀流板可与支撑顶壁203连接,匀流板平行于槽体100的底壁。
在本实施例的可选方案中,出液孔301设置在匀流板上;出液孔301的数量为多个。
在本实施例中,匀流部300使得注入槽体100主体中的腐蚀液在每处的流速一致,液体在槽体100主体中不会产生局部循环扰流。
在本实施例的可选方案中,多个出液孔301构成多个出液孔组;每个出液孔组的多个出液孔301成排设置;多个出液孔组相互平行设置。
在本实施例中,多个出液孔组相互平行设置,且多个出液孔组均平行于匀流板的中心线。
并且,优选地,多个出液孔组等间隔设置,相邻的出液孔组的中线之间的距离相同。
在本实施例的可选方案中,靠近匀流板中心的出液孔301的孔径大于远离匀流板中心的出液孔301的孔径。
在本实施例中,属于同一出液孔组的出液孔301的孔径相同。
其中,靠近匀流板中心线的出液孔301的孔径大于远离匀流板中心线的出液孔301的孔径。
并且,中心线两侧的出液孔组对称设置,且形状、数量均对应相同。
在本实施例的可选方案中,出液孔301的形状为方形。
在本实施例中,当出液孔301为正方形时,其边长为1-20mm。
可以理解,出液孔301也可以为其他形状。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置,其特征在于,包括槽体、注入部及匀流部;
所述注入部设置在所述槽体的底部;
所述匀流部设置在所述注入部的顶部,且所述匀流部与所述槽体的内壁连接;
所述注入部的侧壁上设置有出液口,化学腐蚀液能够通过所述出液口流出注入部而流入所述槽体的底部;
所述匀流部上设置有出液孔,化学腐蚀液能够由所述出液孔穿过所述匀流部而流入所述槽体的主体部分内。
2.根据权利要求1所述的化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置,其特征在于,所述注入部包括整流侧壁及支撑顶壁;
所述整流侧壁的数量为2个,2个所述整流侧壁分别设置在所述支撑顶壁的两侧;
所述支撑顶壁通过所述整流侧壁与所述槽体的底壁连接。
3.根据权利要求2所述的化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置,其特征在于,所述出液口设置在所述整流侧壁上。
4.根据权利要求3所述的化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置,其特征在于,所述出液口的数量为多个,多个所述出液口沿所述整流侧壁的长度方向均匀排列。
5.根据权利要求1所述的化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置,其特征在于,所述出液口的形状为方形或圆形。
6.根据权利要求1所述的化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置,其特征在于,所述匀流部包括匀流板,所述匀流板与所述槽体的侧壁连接。
7.根据权利要求6所述的化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置,其特征在于,所述出液孔设置在所述匀流板上;
所述出液孔的数量为多个。
8.根据权利要求7所述的化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置,其特征在于,多个所述出液孔构成多个出液孔组;
每个出液孔组的多个出液孔成排设置;
多个出液孔组相互平行设置。
9.根据权利要求7所述的化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置,其特征在于,靠近所述匀流板中心的出液孔的孔径大于远离所述匀流板中心的出液孔的孔径。
10.根据权利要求6所述的化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置,其特征在于,所述出液孔的形状为方形或圆形。
CN201811190578.2A 2018-10-12 2018-10-12 化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置 Active CN109378283B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811190578.2A CN109378283B (zh) 2018-10-12 2018-10-12 化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811190578.2A CN109378283B (zh) 2018-10-12 2018-10-12 化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109378283A true CN109378283A (zh) 2019-02-22
CN109378283B CN109378283B (zh) 2021-06-18

Family

ID=65398057

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811190578.2A Active CN109378283B (zh) 2018-10-12 2018-10-12 化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109378283B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109972190A (zh) * 2019-04-16 2019-07-05 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) 晶圆双面电镀装置及电镀方法
CN110565170A (zh) * 2019-08-30 2019-12-13 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种蚀刻装置及方法
CN111081609A (zh) * 2019-12-26 2020-04-28 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种清洗刻蚀系统

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030219978A1 (en) * 2001-05-16 2003-11-27 Industrial Technology Research Institute Method and apparatus for liquid phase deposition
CN205839151U (zh) * 2016-06-21 2016-12-28 肇庆市飞南金属有限公司 一种新型均匀进液的电解槽结构
CN106449483A (zh) * 2016-10-24 2017-02-22 上海华力微电子有限公司 药液槽承载晶圆的底座及提高槽式湿法刻蚀均匀性的方法
CN207124204U (zh) * 2017-08-16 2018-03-20 君泰创新(北京)科技有限公司 用于均匀循环制绒清洗药液的装置
CN208271851U (zh) * 2018-07-06 2018-12-21 君泰创新(北京)科技有限公司 一种槽体装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030219978A1 (en) * 2001-05-16 2003-11-27 Industrial Technology Research Institute Method and apparatus for liquid phase deposition
CN205839151U (zh) * 2016-06-21 2016-12-28 肇庆市飞南金属有限公司 一种新型均匀进液的电解槽结构
CN106449483A (zh) * 2016-10-24 2017-02-22 上海华力微电子有限公司 药液槽承载晶圆的底座及提高槽式湿法刻蚀均匀性的方法
CN207124204U (zh) * 2017-08-16 2018-03-20 君泰创新(北京)科技有限公司 用于均匀循环制绒清洗药液的装置
CN208271851U (zh) * 2018-07-06 2018-12-21 君泰创新(北京)科技有限公司 一种槽体装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109972190A (zh) * 2019-04-16 2019-07-05 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) 晶圆双面电镀装置及电镀方法
CN110565170A (zh) * 2019-08-30 2019-12-13 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种蚀刻装置及方法
CN111081609A (zh) * 2019-12-26 2020-04-28 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种清洗刻蚀系统

Also Published As

Publication number Publication date
CN109378283B (zh) 2021-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109378283A (zh) 化学腐蚀液注入槽体流场稳流装置
CN106783692B (zh) 一种微结构刻蚀的加工装置
CN110355157A (zh) 加样针清洗装置以及组件
US7238265B2 (en) Electroplating apparatus with functions of voltage detection and flow rectification
CN109142206A (zh) 一种硅片腐蚀装置
CN219476634U (zh) 一种晶圆清洗装置
CN210386771U (zh) 一种硅片清洗药剂槽
CN105013418B (zh) 双釜式连续硝化反应装置
CN207493452U (zh) 一种卧式错流洗涤塔及洗涤系统
CN216149461U (zh) 均流装置及湿法清洗设备
CN113058921B (zh) 一种清洗设备和清洗方法
KR101426373B1 (ko) 기판 도금 장치
JP3960457B2 (ja) 基板処理装置
CN209953345U (zh) 一种循环槽体结构
CN207435570U (zh) 一种用于太阳能电池片的新型高效电镀液配液系统
CN109273383A (zh) 化学液槽装置
JP3386892B2 (ja) 洗浄槽
CN208328150U (zh) 电泳实验装置
CN110201960A (zh) 氮气鼓泡装置及其制作方法
CN214400260U (zh) 一种具有高精度控温功能的电化学沉积槽
CN209393224U (zh) 实验用防护装置
KR101725254B1 (ko) 기판 세정 장치 및 그를 구비한 기판 세정 시스템
CN209231714U (zh) 一种显影加热循环器
CN210815140U (zh) 药液混合装置和水处理设施
CN213726557U (zh) 一种米字形离交柱物料分布器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant