发明内容
本发明提供一种液晶偏振成像透镜装置、制备方法及偏振成像系统,以实现简化偏振成像透镜装置的制备工艺、降低成本以及增加偏振成像透镜装置焦距个数的有益效果。
第一方面,本发明实施例提供了一种液晶偏振成像透镜装置,该装置包括:
基板、取向膜以及液晶层;
取向膜设置于基板的一侧,液晶层设置于取向膜远离基板的一侧;
取向膜具有分子指向矢呈设定分布的控制图形,以使液晶层中的液晶分子自组装成设定的液晶焦锥畴周期结构;
液晶焦锥畴周期结构包含多个具有旋转对称性破缺的液晶焦锥畴,其中,至少两个周期的液晶焦锥畴的尺寸不同。
可选的,液晶焦锥畴周期结构为液晶焦锥畴阵列;取向膜具有分子指向矢分布呈格状的控制图形,以使液晶层中的液晶分子自组装形成液晶焦锥畴阵列;
其中,格状的控制图形包括多行多列单元格,奇数行的单元格沿列方向上的尺寸小于偶数行单元格沿列方向上的尺寸。
可选的,液晶焦锥畴周期结构为液晶焦锥畴阵列;取向膜具有分子指向矢分布呈格状的控制图形,以使液晶层中的液晶分子自组装形成液晶焦锥畴阵列;
其中,格状的控制图形包括多列单元格,每列单元格中包含多个所述单元格,至少两列单元格沿行方向上的尺寸不同。
可选的,每个单元格中的取向膜的分子指向矢关于单元格的列方向的中心分割线镜像对称,且单元格中的取向膜的分子指向矢与单元格的列方向的中心分割线的夹角均为α1,30°≤α1≤40°;
每列单元格的奇数行中,单元格中的取向膜的分子指向矢呈倒八字;每列单元格的偶数行中,单元格中的取向膜的分子指向矢呈正八字。
可选的,每个单元格的沿行方向的尺寸范围为6um-22um,每列单元格的奇数行中,单元格的沿列方向的尺寸的范围为1-2um,每列单元格的偶数行中,单元格的沿列方向的尺寸与单元格的沿行方向的尺寸的比例的范围为1.6:1-2.1:1。
可选的,取向膜具有分子指向矢分布呈同心圆环状的控制图形,以使液晶层中的液晶分子自组装形成同心圆环液晶焦锥畴周期结构;同心圆环液晶焦锥畴周期结构包括多个同心圆环液晶焦锥畴周期;
其中,同心圆环状的控制图形包括多个同心圆环,至少两个周期的液晶焦锥畴的尺寸不同包括至少两个同心圆环液晶焦锥畴周期的尺寸不同;控制图形中至少两个同心圆环沿径向方向的尺寸不同,以使至少两个同心圆环液晶焦锥畴周期的尺寸不同。
可选的,控制图形中多个同心圆环的尺寸沿圆心指向圆周的径向方向逐渐增大。
可选的,每个同心圆环沿径向的尺寸范围为6um-22um。
可选的,控制图形中每个同心圆环的中心线两侧的取向膜的分子指向矢镜像对称,且每个同心圆环的中心线两侧的取向膜的分子指向矢与同心圆环的中心线的切线的夹角均为α2,30°≤α2≤40°。
可选的,液晶层的厚度范围为1.3um-1.4um。
第二方面,本发明实施例还提供了一种偏振成像系统,该系统包括上述第一方面所述的液晶偏振成像透镜装置以及图像采集处理装置;
液晶偏振成像透镜装置和图像采集处理装置的光轴位于同一直线;
偏振成像透镜装置用于对目标探测物发出的偏振光进行调制;
图像采集处理装置设置在与目标探测物相对的一侧,用于采集并处理调制后的目标探测物发出的光束。
第三方面,本发明实施例还提供了一种偏振成像透镜装置的制备方法,该方法包括:
在基板一侧形成取向膜;
对取向膜进行取向处理,以形成分子指向矢呈设定分布的控制图形;
在取向膜远离基板一侧形成液晶层,取向膜的控制图形控制液晶层中的液晶分子自组装成设定的液晶焦锥畴周期结构;
其中,液晶焦锥畴周期结构包含多个具有旋转对称性破缺的液晶焦锥畴,至少两个周期的液晶焦锥畴的尺寸不同。
可选的,对取向膜进行取向处理,以形成分子指向矢呈设定分布的控制图形包括:
对取向膜进行第一次曝光;第一次曝光无掩膜,诱导光的偏振方向为第一方向,对取向膜进行均匀取向;
对取向膜进行第二次曝光;第二次曝光的掩膜版包括遮光区和透光区;遮光区和透光区形成格状阵列图案;沿行方向和列方向,遮光区和透光区间隔排布;诱导光的偏振方向为第二方向,对取向膜图案化取向,以使取向膜具有分子指向矢分布呈格状的控制图形;
其中,第一方向与列方向的夹角为α3,50°≤α3≤60°;第二方向与列方向的夹角为α4,50°≤α4≤60°;第一方向与第二方向关于列方向镜像对称。
可选的,对取向膜进行取向处理,以形成分子指向矢呈设定分布的控制图形包括:
根据曝光次序,选择对应的曝光图形,以及对应的诱导光偏振方向,依次进行多次曝光;
其中,设置相邻步骤曝光图形的曝光区域部分重叠,诱导光偏振方向随曝光次序单调增加或单调减小,以使取向膜具有分子指向矢呈同心圆环状的控制图形;同心圆环状的控制图形包括多个同心圆环,相邻同心圆环沿径向方向的尺寸不同。
本发明实施例提供的液晶偏振成像透镜装置,通过控制取向膜的分子指向矢分布,使得在取向膜一侧生长出的液晶焦锥畴周期结构中,至少两个周期的液晶焦锥畴的尺寸不同,进而使得最终获得液晶偏振成像透镜装置具有多个焦距,此外,相较于现有技术中的偏振成像装置,液晶偏振成像透镜装置制备工艺简单,易于实现,且成本较低,解决了现有技术中偏振成像装置实现技术难度大以及成本高的问题,实现简化制备工艺、降低成本以及增加焦距个数的效果。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种液晶偏振成像透镜装置的结构示意图;
图2是本发明实施例提供的一种取向膜的分子指向矢分布的俯视图;
图3是本发明实施例提供的另一种取向膜的分子指向矢分布的俯视图;
图4是本发明实施例提供的一种单元格尺寸与相应生长出的液晶焦锥畴的焦距的对应关系示意图;
图5是本发明实施例提供的一种液晶焦锥畴的结构示意图;
图6是本发明实施例提供的一种液晶偏振成像透镜装置的正交偏光显微镜照片图;
图7是图6所示液晶偏振成像透镜装置的一种偏振光成像图;
图8是图6所示液晶偏振成像透镜装置的另一种偏振光成像图;
图9是本发明实施例提供的又一种取向膜的分子指向矢分布的俯视图;
图10是图9中A处的放大图;
图11是本发明实施例提供的再一种取向膜的分子指向矢分布的俯视图;
图12是本发明实施例提供的另一种液晶偏振成像透镜装置的正交偏光显微镜照片图;
图13是图12所示液晶偏振成像透镜装置的一种偏振光成像图;
图14是图12所示液晶偏振成像透镜装置的另一种偏振光成像图;
图15是图12所示液晶偏振成像透镜装置的又一种偏振光成像图;
图16是图12所示液晶偏振成像透镜装置的再一种偏振光成像图;
图17是本发明实施例提供的一种偏振成像系统的结构示意图;
图18是本发明实施例提供的一种偏振成像透镜装置的制备方法的流程图;
图19是本发明实施例提供的一种掩膜版的图案;
图20是本发明实施例提供的另一种掩膜版的图案。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1是本发明实施例提供的一种液晶偏振成像透镜装置的结构示意图,该装置包括:基板30、取向膜20以及液晶层10。取向膜20设置于基板30的一侧,液晶层10设置于取向膜20远离基板30的一侧;取向膜20具有分子指向矢呈设定分布的控制图形,以使液晶层10中的液晶分子自组装成设定的液晶焦锥畴周期结构;液晶焦锥畴周期结构包含多个具有旋转对称性破缺的液晶焦锥畴,其中,至少两个周期的液晶焦锥畴的尺寸不同。
其中,取向膜20上的控制图形可以通过摩擦取向或光控取向等方式获得,并且,取向膜20对液晶层10中的液晶分子有锚定作用,使得液晶层10中邻近取向膜20的液晶分子的分子指向矢排布与取向膜20的分子指向矢排布相同。在取向膜20对液晶层10中的液晶分子的锚定作用以及液晶层10远离取向膜20一侧空气对液晶的锚定作用下,液晶层10中的液晶分子自组装成设定的液晶焦锥畴周期结构。
本发明实施例提供的液晶偏振成像透镜装置,通过控制取向膜的分子指向矢分布,使得在取向膜一侧生长出的液晶焦锥畴周期结构中,至少两个周期的液晶焦锥畴的尺寸不同,进而使得最终获得液晶偏振成像透镜装置具有多个焦距,此外,相较于现有技术中的偏振成像装置,液晶偏振成像透镜装置制备工艺简单,易于实现,且成本较低,解决了现有技术中偏振成像装置实现技术难度大以及成本高的问题,实现简化制备工艺、降低成本以及增加焦距个数的效果。
取向膜的分子指向矢分布以及生长出的液晶焦锥畴周期结构有多种设置方式,下面就典型设置进行描述,但不构成对本申请的限定。
图2是本发明实施例提供的一种取向膜的分子指向矢分布的俯视图。参见图2,取向膜的分子指向矢分布呈格状控制图形,格状的控制图形包括多行多列单元格,每个单元格沿行方向的尺寸为12um,奇数行的单元格沿列方向上的尺寸为2um,偶数行单元格沿列方向上的尺寸为6um。奇数行中,每个单元格中的取向膜的分子指向矢呈倒八字212;偶数行中,每个单元格中的取向膜的分子指向矢呈正八字211。由于每个正八字211对应生长为一个液晶焦锥畴,所以,偶数行中,每个单元格中对应生长一个液晶焦锥畴;奇数行中,相邻两个单元格交界处(如图2中虚线方框所示)对应生长一个较小尺寸液晶焦锥畴,即奇数行对应生长出的较小尺寸液晶焦锥畴与偶数行对应生长出的较大尺寸液晶焦锥畴交错排布,但是,奇数行的单元格沿列方向上的尺寸小于偶数行单元格沿列方向上的尺寸的设置方式使得奇数行的单元格上对应生长出的较小液晶焦锥畴尺寸非常小,并不能用作偏振成像透镜,只有偶数行的单元格上对应生长出的液晶焦锥畴可以用作偏振成像透镜,因而最终生长出的可用作偏振成像透镜的液晶焦锥畴周期结构可以看成是偶数行的单元格上对应生长出的液晶焦锥畴形成的多行多列阵列结构,便于通过调整某一列的单元格的尺寸进而改变该列对应生长出的液晶焦锥畴的尺寸。
可以理解的是,本领域技术人员还可以将格状控制图形设置为奇每个单元格沿行方向的尺寸为12um,奇数行的单元格沿列方向上的尺寸为6um,偶数行单元格沿列方向上的尺寸为2um。,偶数行中,每个单元格中的取向膜的分子指向矢呈倒八字212;奇数行中,每个单元格中的取向膜的分子指向矢呈正八字211。
可选的,还可以设置格状的控制图形中至少两列所述单元格沿行方向上的尺寸不同。图3是本发明实施例提供的另一种取向膜的分子指向矢分布的俯视图。参见图3,第三列的单元格沿行方向上的尺寸为16um,奇数行单元格沿列方向上的尺寸为2um,偶数行单元格沿列方向上的尺寸为8um;其它列的单元格沿行方向的尺寸为12um,奇数行单元格沿列方向的尺寸为2um,偶数行单元格沿列方向上的尺寸为6um。这样设置使得第三列的单元格上对应生长出的液晶焦锥畴的尺寸大于其它列的单元格上对应生长出的液晶焦锥畴的尺寸,即若取向膜的分子指向矢分布如图3所示,则该取向膜一侧生长出的液晶焦锥畴周期结构中,具有两个液晶焦锥畴尺寸,则最终获得的液晶偏振成像透镜装置具有两个焦距。
需要说明的是,图2和图3仅示例性示出了控制图形中单元格的尺寸,但并非对本申请的限定。可选的,每个单元格的沿行方向的尺寸范围为6um-22um,每列单元格的奇数行中,单元格的沿所述列方向的尺寸的范围为1-2um,每列单元格的偶数行中,单元格的沿列方向的尺寸与单元格的沿行方向的尺寸的比例的范围为1.6:1-2.1:1。该比例范围能避免单元格内液晶焦锥畴在生长过程中发生增生或残缺,维持液晶焦锥畴的偏振相关性,同时,固定的比例范围使生长出的不同尺寸的液晶焦锥畴具备相近的偏振相关性。
图4是本发明实施例提供的一种单元格尺寸与相应生长出的液晶焦锥畴的焦距的对应关系示意图。如图4所示,当格状控制图形的单元格沿行方向的尺寸由6μm连续变化至22μm时,即相应生长出的液晶焦锥畴的尺寸由6μm连续变化至22μm时,液晶焦锥畴的焦距由17.1μm连续变化至45.6μm。
在上述技术方案的基础上,可选的,每个单元格中的取向膜的分子指向矢关于单元格的列方向的中心分割线221(图2和图3中的虚线)镜像对称,且单元格中的取向膜的分子指向矢与单元格的列方向的中心分割线的夹角均为α1,30°≤α1≤40°。这样设置可以提高液晶偏振成像透镜的偏振相关性。
可选的,液晶层的厚度范围为1.3um-1.4um。这样设置可以提高液晶偏振成像透镜的透镜效果。
图5是本发明实施例提供的一种液晶焦锥畴的结构示意图。下面将结合图5进一步说明上述技术方案提高液晶偏振成像透镜的偏振相关性和透镜效果的机理。参见图5,液晶焦锥畴由展曲形变液晶层组成,其中,液晶分子垂直于液晶层排布,该液晶焦锥畴具有两条缺陷线,分别为圆112和经过圆心的直线111。液晶焦锥畴的短边方向上的对称截面130内,液晶的分子指向矢呈梯度变化分布,而相邻液晶焦锥畴之间的液晶层由于连续过渡连接的需要,会使得液晶焦锥畴的长边方向的液晶分子排布紊乱,如长边方向上的两边界截面110和120内所示的液晶的分子指向矢紊乱排布。截面110和120内液晶的分子指向矢排布的紊乱化也会有一定程度影响到对称截面130边界处液晶的分子指向矢的排布,当单元格中的取向膜的分子指向矢与单元格的列方向的中心分割线的夹角在30°-40°范围内时,可以更好地稳定住对称截面130内原有的分子指向矢的梯度变化分布,使得对称截面130内液晶分子排列的有序程度与截面110和120内分子排列的有序程度的差异更大,进而提高液晶焦锥畴的偏振相关性。此外,若液晶层的厚度过薄,则液晶层的层状结构较少,液晶层整体的展曲形变较小,使得生长出的液晶焦锥畴不存在明显的梯度折射率变化,导致液晶焦锥畴的透镜效应较弱,而当液晶层的厚度在1.3um-1.4um内时,生长出的液晶焦锥畴存在明显的梯度折射率变化,即液晶焦锥畴的透镜效应较强。
图6是本发明实施例提供的一种液晶偏振成像透镜装置的正交偏光显微镜照片图。图6中的液晶偏振成像透镜装置采用的取向膜具有分子指向矢分布呈格状的控制图形(如图2所示),奇数行中,每相邻两个单元格的边界处对应生长出一个较小尺寸的液晶焦锥畴150;偶数行中,每个单元格内对应生长出一个较大尺寸的液晶焦锥畴140。其中,奇数行中生长出的较小尺寸的液晶焦锥畴150由于尺寸过小,不能用作液晶焦锥畴透镜,只有偶数行中生长出的较大尺寸的液晶焦锥畴140才可用作液晶焦锥畴透镜,最终可用作液晶焦锥畴透镜的液晶焦锥畴140成行成列整齐排布,如图6所示。
图7是图6所示液晶偏振成像透镜装置的一种偏振光成像图。入射光为线偏振光,入射光的传播方向沿液晶偏振成像透镜装置中液晶层的层叠方向,入射光的偏振方向沿竖直方向,这里所说的竖直方向指的是与液晶焦锥畴的对称轴平行的方向,像平面探测位置位于液晶偏振成像透镜装置的焦平面处。如图7所示,当入射光束的线偏振方向平行于液晶焦锥畴的对称轴方向时,液晶偏振成像透镜装置成像最为清晰,呈字母“E”清晰像。图8是图6所示液晶偏振成像透镜装置的另一种偏振光成像图。如图8所示,当入射光束的线偏振方向垂直于液晶焦锥畴的对称轴方向时,液晶偏振成像透镜阵列成像最为模糊,字母“E”像无法分辨。可见,液晶偏振成像透镜装置表现出高偏振敏感特性,能够实现与入射光的偏振方向相关的差异化成像。
图9是本发明实施例提供的又一种取向膜的分子指向矢分布的俯视图。图10是图9中A处的放大图。图11是本发明实施例提供的再一种取向膜的分子指向矢分布的俯视图。参见图9和图10,取向膜具有分子指向矢分布呈同心圆环状的控制图形,其中,同心圆环状的控制图形包括多个同心圆环,每个同心圆环的中心线两侧的取向膜的分子指向矢镜像对称,且每个同心圆环的中心线两侧的取向膜的分子指向矢与同心圆环的中心线的切线的夹角均为α2,30°≤α2≤40°。示例性的,参见图10,同心圆环的中心线上一点P,过P点可获得同心圆环的中心线的一条切线L,同心圆环的中心线两侧的取向膜的分子指向矢关于切线L镜像对称,且与切线L的夹角均为α2。可以理解的是,图9仅示出了在一个设定径向方向上的取向膜的分子指向矢的排布情况,该设定径向方向的选取是任意的,在该设定径向方向以外的其他区域,取向膜的分子指向矢的排布情况可根据类推得到(如图11所示),取向膜的分子指向矢在同心圆环状控制图形内连续逐渐变化,图11中由暗到亮表示取向膜的分子矢方向从0°渐变至180°。
其中,控制图形中至少两个同心圆环沿径向方向的尺寸不同,以使至少两个同心圆环液晶焦锥畴周期的尺寸不同。这样设置可以使得最终形成的液晶偏振透镜成像装置包括至少两个焦距。图9和图11仅示例性地示出了控制图形中多个同心圆环的尺寸沿圆心指向圆周的径向方向逐渐增大,这样设置使得靠近圆心的同心圆环中生长出的液晶焦锥畴的尺寸较小,进而生长出的液晶焦锥畴的个数相对较多,液晶分子的分子指向需要偏转的角度相对较小,易于偏转至设定的方向。
可选的,每个同心圆环沿径向的尺寸范围为6um-22um。这样设置可以提高液晶偏振成像透镜的偏振相关性。
图12是本发明实施例提供的另一种液晶偏振成像透镜装置的正交偏光显微镜照片图。图12的液晶偏振成像透镜装置的取向膜具有分子指向矢分布呈同心圆环状的控制图形(如图9或图11所示),使得液晶层中的液晶分子自组装形成同心圆环液晶焦锥畴周期结构。同心圆环液晶焦锥畴周期结构包括多个同心圆环液晶焦锥畴周期,每个同心圆环液晶焦锥畴周期中,多个液晶焦锥畴沿顺时针方向连续排列在同心圆环内,同心圆环液晶焦锥畴周期中液晶焦锥畴的尺寸沿圆心指向圆周的径向方向逐渐增大。
图13是图12所示液晶偏振成像透镜装置的一种偏振光成像图。入射光的偏振方向沿竖直方向,像平面探测位置位于液晶偏振成像透镜装置的最外圈液晶焦锥畴的焦平面处。如图13所示,液晶偏振成像透镜装置的成像质量存在径向与角向方向上的连续变化,在径向方向上,成像质量沿圆心指向圆周的径向方向由模糊向清晰变化;角向方向上,成像质量沿水平方向至竖直方向由清晰向模糊变化,即液晶偏振成像透镜装置成像最清晰位置位于与竖直偏振方向垂直的水平方向上的最外圈位置。
图14是图12所示液晶偏振成像透镜装置的另一种偏振光成像图。与图13所对应的成像过程的区别仅在于,入射光偏振方向为45°(相当于竖直方向顺时针旋转45°),如图14所示,液晶偏振成像透镜装置最清晰成像位置旋转至与偏振方向垂直的方向。当沿入射光传播方向改变像平面探测位置时,所成的像中最清晰位置所在的同心圆环随像距变化在径向方向上移动。同理,当像平面探测位置不变时,可以通过所成的像中最清晰位置所在的同心圆环是哪一环来反推目标探测物相对于的液晶偏振成像透镜装置的距离。
图15是图12所示液晶偏振成像透镜装置的又一种偏振光成像图。与图13所对应的成像过程的区别仅在于,成像装置位于液晶偏振成像透镜装置的最内圈液晶焦锥畴的焦平面处。如图15所示液晶偏振成像透镜装置的成像质量在径向方向上,成像质量沿圆心指向圆周的径向方向由清晰向模糊变化;角向方向上,成像质量沿水平方向至竖直方向由清晰向模糊变化,即液晶偏振成像透镜装置成像最清晰位置位于与竖直偏振方向垂直的水平方向上的最内圈位置。
参见图13-图15,可以得出,图12所示液晶偏振成像透镜装置能够在对目标探测物清晰成像的同时,产生与入射光偏振方向相关的成像质量角向差异化分布,从而获得目标探测物偏振特性,同时基于液晶偏振成像透镜装置的多焦距参数,可以实现三维空间成像。
图16是图12所示液晶偏振成像透镜装置的再一种偏振光成像图。与图13所对应的成像过程的区别在于,将偏振方向为竖直方向的光和偏振方向为水平方向的光同时入射。如图16所示,液晶偏振成像透镜装置所成的像在最外圈的水平方向上呈清晰的“×”像且在竖直方向上呈清晰的“□”像。由此可以看出,图12所示液晶偏振成像透镜装置能够响应入射光束中的不同偏振分量,将不同偏振分量分别清晰成像在不同区域,进而可以实现多偏振复合成像。
图17是本发明实施例提供的一种偏振成像系统的结构示意图。该系统包括上述实施例所述的任一种液晶偏振成像透镜装置410以及图像采集处理装置420。液晶偏振成像透镜装置410和图像采集处理装置420的光轴位于同一直线,偏振成像透镜装置410用于对目标探测物发出的偏振光进行调制,图像采集处理装置420设置在与目标探测物相对的一侧,用于采集并处理调制后的目标探测物发出的光束。
该偏振成像系统包括上述所述的任一种液晶偏振成像透镜装置410,因而该偏振成像系统具备相应的功能和有益效果。
基于同上的发明构思,本发明实施例还提供了一种偏振成像透镜装置的制备方法,图18是本发明实施例提供的一种偏振成像透镜装置的制备方法的流程图。该方法具体包括:
S110、在基板一侧形成取向膜。
其中,基板可采用光透过率大于或等于85%的柔性基板或刚性基板,示例性的,可以为石英玻璃或普通玻璃。可选的,取向膜为光控取向膜。在形成光控取向膜之前,为增加光控取向膜与基板的浸润性和粘附性,用洗液(丙酮、酒精等混合试剂)进行超声清洗30分钟,然后再用超纯水超声清洗两次,各10分钟。在120℃烘箱中烘干40分钟后,进行UVO(紫外臭氧)清洗30分钟。
可选的,光控取向膜的材料包括光交联材料、光降解材料和光致顺反异构材料中的至少一种。
可选的,在基板的一侧形成光控取向膜,可以采用下列方式:将光控取向材料旋涂基板的一侧,旋涂参数为:低速旋涂5秒,转速800转/分钟,高速旋涂40秒,转速3000转/分钟;将旋涂有光控取向材料的基板退火10分钟,退火温度为100℃,形成光控取向膜,厚度可为30nm-50nm。
S120、对取向膜进行取向处理,以形成分子指向矢呈设定分布的控制图形。
S130、在取向膜远离基板一侧形成液晶层,取向膜的控制图形控制液晶层中的液晶分子自组装成设定的液晶焦锥畴周期结构;
其中,液晶焦锥畴周期结构包含多个具有旋转对称性破缺的液晶焦锥畴,至少两个周期的液晶焦锥畴的尺寸不同。
可选的,液晶层材料为近晶相液晶材料,示例性的,可以为4’-正辛基-4-氰基联苯。
可选的,所述在基板涂有取向膜一侧旋涂近晶相液晶材料,可以采用旋涂的方法,旋涂参数为:60℃温控,低速旋涂5秒,转速800转/分钟,高速旋涂30秒,转速2400转/分钟;将旋涂有4’-正辛基-4-氰基联苯的基板由38℃向列相状态以0.2℃/分钟缓慢冷却至室温。
在上述技术方案的基础上,可选的,对取向膜进行取向处理,以形成分子指向矢呈设定分布的控制图形包括:
对取向膜进行第一次曝光;第一次曝光无掩膜,诱导光的偏振方向为第一方向,对取向膜进行均匀取向;
对取向膜进行第二次曝光;第二次曝光的掩膜版包括遮光区和透光区;遮光区和透光区形成格状阵列图案;沿行方向和列方向,遮光区和透光区间隔排布;诱导光的偏振方向为第二方向,对取向膜图案化取向,以使取向膜具有分子指向矢分布呈格状的控制图形;
其中,第一方向与列方向的夹角为α3,50°≤α3≤60°;第二方向与列方向的夹角为α4,50°≤α4≤60°;第一方向与第二方向关于列方向镜像对称。
图19是本发明实施例提供的一种掩膜版的图案。下面结合图19,示例性地描述对取向膜进行取向处理,以形成分子指向矢呈格状的控制图形的具体过程。设置第一次为全区域曝光,诱导光的偏振方向为60°,这里所说的偏振方向为60°指的是,将竖直方向(掩膜版图案的列方向)逆时针旋转60°所对应的方向,对光控取向膜进行均匀取向;设置第二次为图案化曝光,设置诱导光的偏振方向为-60°,采用如图19所示的掩膜版,其中,白色区域表示透光区域,即可进行曝光的区域,黑色区域表示遮光区域,即不进行曝光的区域,格状图案中,任一单元格(任一个单元格均包含一黑一白区域)沿行方向的长度为12μm,偶数行的单元格沿列方向的长度为6μm,奇数行单元格沿列方向的长度为2μm。对取向膜进行上述取向处理之后,取向膜的分子指向矢分布如图2所示,液晶层的液晶分子自组装形成的液晶焦锥畴阵列如图6所示,可用作液晶焦锥畴透镜的液晶焦锥畴多行多列整齐排布。
可选的,对取向膜进行取向处理,以形成分子指向矢呈设定分布的控制图形包括:
根据曝光次序,选择对应的曝光图形,以及对应的诱导光偏振方向,依次进行多次曝光;
其中,设置相邻步骤曝光图形的曝光区域部分重叠,诱导光偏振方向随曝光次序单调增加或单调减小,以使取向膜具有分子指向矢呈同心圆环状的控制图形;同心圆环状的控制图形包括多个同心圆环,相邻同心圆环沿径向方向的尺寸不同。
图20是本发明实施例提供的另一种掩膜版的图案。下面结合图20,示例性地描述对取向膜进行取向处理,以形成分子指向矢呈同心圆环状的控制图形的具体过程。如图20所示,包含36个掩膜版,每个掩膜版中黑色区域为不曝光区域,白色区域为曝光区域,白色区域和呈圆弧环状的黑色区域所形成的四个扇形的圆心角均为25°,且相邻扇形的中心平分线间的夹角依次为60°,120°,60°和120°。选用第一个掩膜版,设置诱导光的偏振方向为30°,这里所说的偏振方向为30°指的是,将竖直方向510逆时针旋转30°所对应的方向,进行第一次曝光;选用第二个掩膜版,设置诱导光的偏振方向为35°,进行第二次曝光;然后,按照箭头所示方向依次选用掩膜版,每更换一次掩膜版则设置诱导光的偏振方向增加5°,直至选用第三十六张掩膜版,设置诱导光的偏振方向为205°,进行第三十六次曝光。掩膜版对取向膜进行上述取向处理之后,取向膜的分子指向矢分布呈同心圆环状的控制图形,控制图形中多个同心圆环的尺寸沿圆心指向圆周的径向方向逐渐增大,使得液晶层的液晶分子自组装形成同心圆环液晶焦锥畴周期结构,多个同心圆环中液晶焦锥畴的尺寸沿圆心指向圆周的径向方向逐渐增大。
需要说明的是,图20仅示例性的示出通过三十六次曝光完成取向膜的取向处理,但并非对本申请的限定,本领域技术人员可根据实际情况选用掩膜版的图案以及曝光次数,只要能够使取向膜的分子指向矢呈同心圆环状的控制图形即可。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。