CN109324076A - 基于波束路径的共聚焦微x射线荧光成像衰减校准方法 - Google Patents

基于波束路径的共聚焦微x射线荧光成像衰减校准方法 Download PDF

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CN109324076A CN201811383183.4A CN201811383183A CN109324076A CN 109324076 A CN109324076 A CN 109324076A CN 201811383183 A CN201811383183 A CN 201811383183A CN 109324076 A CN109324076 A CN 109324076A
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冯宇
杨雁媛
徐勇
王焰新
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/223—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material by irradiating the sample with X-rays or gamma-rays and by measuring X-ray fluorescence

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Abstract

本发明提供一种基于波束路径的共聚焦微X射线荧光成像衰减校准方法，步骤如下：获取实验样品的XRF光谱；计算各个待校准元素在各个像素单元的初始强度；计算各个待校准元素在各个像素单元的强度占比；计算成像区域的平均密度；计算实验样品在成像区域的总质量；计算各个待校准元素的总质量；计算各个待校准元素在各个像素单元的质量；计算各个像素单元中的密度和各个待校准元素在各个像素单元中的质量占比；计算各个待校准元素的像素单元总质量衰减截面；计算各个待校准元素在各个像素单元中的校准强度；计算相邻两次校准强度的变化量，判断所述变化量是否小于阈值，若所述变化量小于阈值，则得到的校准强度即为校准后的强度。

Description

基于波束路径的共聚焦微X射线荧光成像衰减校准方法
技术领域
本发明涉及光学测试数据分析技术领域，尤其涉及一种基于波束路径的共聚焦微X射线荧光成像衰减校准方法。
背景技术
共聚焦微X射线荧光成像(Confocal μ-XRF Imaging,C-μXRF-I)分析，能够提供完整的样品内部各种元素的三维分布图，已作为一种功能强大的技术在生物、环境、考古、材料科学等领域广泛应用。同步辐射X射线荧光分析具有直接提供证据、高灵敏度、低检出限、多元素同时检测和低损伤的优点。相比传统微X射线荧光光谱二维分析，不需要切片，可直接获取内部数据，且检出限更低。同时，由于光学的准直特性，共聚焦微X射线荧光成像的荧光和散射光子只能从共焦体中收集，因此信噪比较传统微X射线荧光光谱大大提高。
光在通过吸收物质时会产生X射线衰减。从样品内部释放出来的荧光强度的校准是解释C-μXRF-I数据的前提条件，但目前校准测试强度的方法并不多。前人的方法大多是针对均一、层状、低密度样品，对于实际样品，尤其是环境样品而言，很难符合这些条件。因此，迫切需要一种衰减矫正方法来处理非均质、密度变化的样品。
波束路径衰减理论主要基于每一个像素单元中某种元素的质量占比与该元素强度占所有元素总强度的比值成正比的假设，将质量占比与强度占比结合起来，最终达到非均质或非层状样品在波束路径上的逐一校准。方法简单可行，且适用范围广，用样品图谱处理后校准效果显著且可靠。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种能够处理非均匀样品的基于波束路径的共聚焦微X射线荧光成像衰减校准方法。
本发明提供一种基于波束路径的共聚焦微X射线荧光成像衰减校准方法，包括以下步骤：
S101，获取实验样品的XRF光谱，所述XRF光谱包括若干个像素单元；
S102，计算各个待校准元素在各个像素单元的初始强度；
S103，根据所述各个待校准元素在各个像素单元的初始强度计算各个待校准元素在各个像素单元的强度占比；
S104，根据实验样品的颗粒密度计算成像区域的平均密度；
S105，根据所述成像区域的平均密度计算实验样品在成像区域的总质量；
S106，根据所述实验样品在成像区域的总质量和实验样品的元素组成计算各个待校准元素的总质量；
S107，根据所述各个待校准元素的总质量和其在各个像素单元的强度占比计算各个待校准元素在各个像素单元的质量；
S108，根据所述各个待校准元素在各个像素单元的质量计算各个像素单元中的密度和各个待校准元素在各个像素单元中的质量占比；
S109，根据所述各个待校准元素在各个像素单元中的质量占比计算各个待校准元素的像素单元总质量衰减截面；
S110，根据所述各个待校准元素的像素单元总质量衰减截面、各个像素单元中的密度和各个待校准元素在各个像素单元的强度占比计算各个待校准元素在各个像素单元中的校准强度；
S111，返回步骤S103，利用得到的各个待校准元素在各个像素单元中的校准强度再次计算各个待校准元素在各个像素单元的强度占比，并重复执行步骤S107-S110,得到各个待校准元素在各个像素单元中的更新后的校准强度；
S112,计算相邻两次校准强度的变化量，判断所述变化量是否小于阈值，若所述变化量小于阈值，则步骤S111得到的更新后的校准强度即为校准后的强度；若所述变化量大于等于阈值，则重复执行步骤S111-S112。
进一步地，根据所述步骤S101-S112对入射X射线强度的衰减和出射荧光强度的衰减分别进行校准。
进一步地，步骤S102中，所述各个待校准元素在各个像素单元的初始强度的计算公式为：
式中，In(ij)为XRF光谱中第n个待校准元素在第i行第j列像素单元的强度；N为待校准元素的总数量；为成像表面和颗粒表面在第i行第j列像素单元的平均强度；Isubn(ij)为对应的第n个待校准元素在第i行第j列像素单元的初始强度，其中，i＝1,2,3…,n1，j＝1,2,3…,n2，n1为XRF光谱中像素单元的总行数，n2为XRF光谱中像素单元的总列数；
步骤S103中，各个待校准元素在各个像素单元的强度占比的计算公式为：
式中，fIn(ij)为对应的第n个待校准元素在第i行第j列像素单元的强度占比。
进一步地，步骤S104中，成像区域的平均密度的计算公式为：
ρave＝ρpd×fpar，
式中，ρave为成像区域的平均密度；ρpd为实验样品的颗粒密度；fpar为成像区域颗粒密度的区域占比；
步骤S105中，实验样品在成像区域的总质量的计算公式为：
mtotal＝ρave×Vtotal，
式中，mtotal为实验样品在成像区域的总质量；Vtotal为成像区域的总体积，Vtotal＝n1×n2×Vs，Vs为成像像素的单元体积。
进一步地，步骤S106中，各个待校准元素的总质量的计算公式为：
mtestn＝mtatal×xtestn，n＝1,2,3…,N，
式中，xtestn为第n个待校准元素的元素组成；mtestn为对应的第n个待校准元素的总质量。
进一步地，步骤S107中，所述各个待校准元素在各个像素单元的质量的计算公式为：
mtn(ij)＝fIn(ij)×mtestn，n＝1,2,3…,N，
式中，mtn(ij)为对应的第n个待校准元素在第i行第j列像素单元的质量。
进一步地，步骤S108中，所述各个像素单元中的密度的计算公式为：
式中，Vunit为一个像素单元的成像体积；ρ(ij)为第i行第j列像素单元中的密度；
所述各个待校准元素在各个像素单元中的质量占比的计算公式为：
式中，fmn(ij)为第n个待校准元素在第i行第j列像素单元的质量占比。
进一步地，步骤S109中，所述各个待校准元素的像素单元总质量衰减截面的计算公式为：
式中，σtotaln(ij)为第n个待校准元素的像素单元总质量衰减截面；σn为单元质量衰减截面。
进一步地，步骤S110中，对出射荧光强度的衰减进行校准时，所述各个待校准元素在各个像素单元中的校准强度的计算公式为：
对于第一行第j列：
对于第二行第j列：
对入射X射线强度的衰减进行校准时，所述各个待校准元素在各个像素单元中的校准强度的计算公式为：
对于第一行第j列：
对于第二行第j列：
l3＝(lst-l2cos(90-α))/cos(90-α),
式中，lst为数据采集过程中的步长；α为入射X射线与实验样品的角度；Ifn(1j)的值等于Isubn(1j)；Icon(1j)为第n个待校准元素在第一行第j列的校准强度；Icon(2j)第n个待校准元素在第二行第j列的校准强度；
继续计算直至得到所有待校准元素在所有像素单元的校准强度。
进一步地，步骤S112中，所述阈值的取值为10-3，所述相邻两次校准强度的变化量的计算公式为：
式中，Ipren(ij)为前一次的校准强度；dif为相邻两次校准强度的变化量。
与传统共聚焦微X射线荧光衰减校准方法相比，本发明具有以下优势：本发明提供的方法简单方便，可以利用Matlab程序处理，有效减小工作强度；本发明提供的方法对荧光衰减的校准的适用范围更广，不仅能校准均质、层状的样品，对非均质、密度变化的样品也有很好的校准效果；本发明提供的共聚焦微X射线荧光成像衰减校准方法是一种基于波束路径理论的校准方法，与其他方法相比，最大的突破点在于能够有效校准非均质样品的X射线荧光图象。
附图说明
图1是本发明一种基于波束路径的共聚焦微X射线荧光成像衰减校准方法的流程图。
图2是本发明一种基于波束路径的共聚焦微X射线荧光成像衰减校准方法的原理图。
图3是本发明一种基于波束路径的共聚焦微X射线荧光成像衰减校准方法均匀样品处理情况图。
图4是本发明一种基于波束路径的共聚焦微X射线荧光成像衰减校准方法非均质样品处理情况图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地描述。
请参考图1，本发明的实施例提供了一种基于波束路径的共聚焦微X射线荧光成像衰减校准方法，为了简化该衰减校准过程，设定了以下假设条件：
(1)X射线荧光(XRF)从每一个像素的中心发出；(2)每一个像素中某种元素的质量占比与该元素强度占所有元素总强度比值成正比；(3)扫描区域的元素组成与整个样品相同；(4)基体的分布强度与参考材料或样品物质中特定元素的强度分布一致，基体是指检测不到或大幅衰减的质子数小(1-13)的元素。
根据本发明提供的基于波束路径的共聚焦微X射线荧光成像衰减校准方法可以对入射X射线强度的衰减和出射荧光强度的衰减分别进行校准，当对出射荧光强度的衰减进行校准时，具体包括以下步骤：
步骤S101，获取实验样品的XRF光谱，实验样品包括若干个待校准元素，如Ca、S、Fe、Hg、K、Sr、Th、Ti等，XRF光谱包括若干个像素单元。
步骤S102，计算第n个待校准元素在第i行第j列像素单元的初始强度Isubn(ij)(该初始强度Isubn(ij)为减去背景后的强度)：
式中，In(ij)为XRF光谱中第n个待校准元素在第i行第j列像素单元的强度；N为待校准元素的总数量；为成像表面和颗粒表面在第i行第j列像素单元的平均强度；i＝1,2,3…,n1，j＝1,2,3…,n2，n1为XRF光谱中像素单元的总行数，n2为XRF光谱中像素单元的总列数。
成像表面是收集数据的表面，颗粒表面是实验样品颗粒的表面，颗粒表面可以通过不同元素强度的剧增来确定。
步骤S103，根据第n个待校准元素在第i行第j列像素单元的初始强度Isubn(ij)计算第n个待校准元素在第i行第j列像素单元的强度占比fIn(ij)：
步骤S104，根据实验样品的颗粒密度ρpd计算成像区域的平均密度ρave：
ρave＝ρpd×fpar，
式中，fpar为成像区域颗粒密度的区域占比。
步骤S105，根据成像区域的平均密度ρave计算实验样品在成像区域的总质量mtotal：
mtotal＝ρave×Vtotal，
式中，Vtotal为成像区域的总体积，Vtotal＝n1×n2×Vs，Vs为成像像素的单元体积。
步骤S106，根据实验样品在成像区域的总质量mtotal和实验样品的元素组成计算第n个待校准元素的总质量mtestn：
mtestn＝mtatal×xtestn，n＝1,2,3…,N，
式中，xtestn为第n个待校准元素的元素组成。
步骤S107，根据第n个待校准元素的总质量mtestn和其在第i行第j列像素单元的强度占比计算第n个待校准元素在第i行第j列像素单元的质量mtn(ij)：
mtn(ij)＝fIn(ij)×mtestn，n＝1,2,3…,N。
步骤S107中，每个像素单元中基体(由分子质量低的元素组成，如H、C、N、O等)的质量依据假设(4)得到，即成像区域基体的质量。
步骤S108，根据第n个待校准元素在第i行第j列像素单元的质量mtn(ij)计算第i行第j列像素单元中的密度ρ(ij)和第n个待校准元素在第i行第j列像素单元的质量占比fmn(ij)：
第i行第j列像素单元中的密度ρ(ij)的计算公式为：
式中，Vunit为一个像素单元的成像体积；
第n个待校准元素在第i行第j列像素单元的质量占比fmn(ij)的计算公式为：
步骤S109，根据第n个待校准元素在第i行第j列像素单元的质量占比fmn(ij)计算第n个待校准元素的像素单元总质量衰减截面σtotaln(ij)：
式中，σn为单元质量衰减截面，由McMaster表在Matlab中依照Bandyopandhyay等人的程序计算得到。
步骤S110，根据第n个待校准元素的像素单元总质量衰减截面σtotaln(ij)、第i行第j列像素单元中的密度ρ(ij)和第n个待校准元素在第i行第j列像素单元的强度占比fIn(ij)计算第n个待校准元素在第i行第j列像素单元中的校准强度Icon(ij)；
对于第一行第j列：
对于第二行第j列：
l3＝(lst-l2cos(α))/cos(α),
上式中，lst为数据采集过程中的步长；α为入射X射线与实验样品的角度；Ifn(1j)的值等于Isubn(1j)；Icon(1j)为第n个待校准元素在第一行第j列的校准强度；Icon(2j)第n个待校准元素在第二行第j列的校准强度；
继续计算直至得到所有待校准元素在所有像素单元的校准强度。
步骤S110中，衰减过程的原理可以表示为：
式中，A表示吸收量，E是能量(eV)，I0(E)是给定能量E的入射强度，I(E)是透射强度，ρ是密度(g·cm-3)，l是路径长度(cm)，σt(E)是所有元素的总质量衰减截面(cm-2·g-1)；
式中，n是造成衰减的元素数量，fm(i)是第i种元素的质量分数，σi是第i个元素造成的单元质量衰减截面(cm2·g-1)；σi＝Ccov×σat，
式中，Ccov是转化系数(barn/g)，σat是原子截面(cm2/barn)，原子截面σat是多个过程的总和，σat＝σis+σcs+σpa+σpp，其中，σis是不连续散射，σcs是连续散射，σpa是光电吸收，σpp是电对产生。当能量＜100keV时，电对产生的截面可以忽略，其他截面可以根据McMaster表和X射线库计算得到。
步骤S111，返回步骤S103，利用得到的各个待校准元素在各个像素单元中的校准强度再次计算各个待校准元素在各个像素单元的强度占比，并重复执行步骤S107-S110,得到各个待校准元素在各个像素单元中的更新后的校准强度。
步骤S112，计算更新后的校准强度与前一次计算得到的校准强度的变化量，即前后相邻两次校准强度的变化量dif，判断变化量dif是否小于阈值，若变化量dif小于阈值，则步骤S111得到的更新后的校准强度即为校准后的强度；若变化量dif大于等于阈值，则利用更新后的校准强度再次计算各个待校准元素在各个像素单元的强度占比，然后重复执行步骤S107-S110和S112，即相当于重复执行步骤S111-S112。
前后相邻两次校准强度的变化量dif的计算公式为：
式中，Ipren(ij)为前一次的校准强度。
一实施例中，阈值的取值为10-3，若dif＜10-3，则Icon(ij)即为校准后的强度，若dif≥10-3，则返回步骤S103继续修正。
参考图2、图3和图4，图2是本发明的实施例提供的一种基于波束路径的共聚焦微X射线荧光成像衰减校准方法的原理图，图3是本发明的实施例提供的方法处理均匀样品上Ca、Sr、Th、Ti元素的情况示意图，图4是本发明的实施例提供的方法处理非均匀样品上S、Fe、Hg、K元素的情况示意图，图4a1是非均匀样品上S元素校准前的示意图，图4b1是非均匀样品上S元素校准后的示意图，图4a2是非均匀样品上K元素校准前的示意图，图4b2是非均匀样品上K元素校准后的示意图，图4a3是非均匀样品上Fe元素校准前的示意图，图4b3是非均匀样品上Fe元素校准后的示意图，图4a4是非均匀样品上Hg元素校准前的示意图，图4b4是非均匀样品上Hg元素校准后的示意图，从图2、图3和图4可以看出，本发明的实施例提供的方法不仅能够处理均匀样品，还能处理非均匀样品。
利用上述步骤S101-S112对入射X射线强度的衰减进行校准时，用来计算每个待校准元素的质量分布的强度值是已经校准后的强度值，步骤S110中的公式变为：对于第一行第j列：
对于第二行第j列：
l3＝(lst-l2cos(90-α))/cos(90-α)。
在不冲突的情况下，本文中上述实施例及实施例中的特征可以相互结合。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.基于波束路径的共聚焦微X射线荧光成像衰减校准方法，其特征在于，包括以下步骤：
S101，获取实验样品的XRF光谱，所述XRF光谱包括若干个像素单元；
S102，计算各个待校准元素在各个像素单元的初始强度；
S103，根据所述各个待校准元素在各个像素单元的初始强度计算各个待校准元素在各个像素单元的强度占比；
S104，根据实验样品的颗粒密度计算成像区域的平均密度；
S105，根据所述成像区域的平均密度计算实验样品在成像区域的总质量；
S106，根据所述实验样品在成像区域的总质量和实验样品的元素组成计算各个待校准元素的总质量；
S107，根据所述各个待校准元素的总质量和其在各个像素单元的强度占比计算各个待校准元素在各个像素单元的质量；
S108，根据所述各个待校准元素在各个像素单元的质量计算各个像素单元中的密度和各个待校准元素在各个像素单元中的质量占比；
S109，根据所述各个待校准元素在各个像素单元中的质量占比计算各个待校准元素的像素单元总质量衰减截面；
S110，根据所述各个待校准元素的像素单元总质量衰减截面、各个像素单元中的密度和各个待校准元素在各个像素单元的强度占比计算各个待校准元素在各个像素单元中的校准强度；
S111，返回步骤S103，利用得到的各个待校准元素在各个像素单元中的校准强度再次计算各个待校准元素在各个像素单元的强度占比，并重复执行步骤S107-S110,得到各个待校准元素在各个像素单元中的更新后的校准强度；
S112,计算相邻两次校准强度的变化量，判断所述变化量是否小于阈值，若所述变化量小于阈值，则步骤S111得到的更新后的校准强度即为校准后的强度；若所述变化量大于等于阈值，则重复执行步骤S111-S112。
2.如权利要求1所述的基于波束路径的共聚焦微X射线荧光成像衰减校准方法，其特征在于，根据所述步骤S101-S112对入射X射线强度的衰减和出射荧光强度的衰减分别进行校准。
3.如权利要求2所述的基于波束路径的共聚焦微X射线荧光成像衰减校准方法，其特征在于，步骤S102中，所述各个待校准元素在各个像素单元的初始强度的计算公式为：
式中，In(ij)为XRF光谱中第n个待校准元素在第i行第j列像素单元的强度；N为待校准元素的总数量；为成像表面和颗粒表面在第i行第j列像素单元的平均强度；Isubn(ij)为对应的第n个待校准元素在第i行第j列像素单元的初始强度，其中，i＝1,2,3…,n1，j＝1,2,3…,n2，n1为XRF光谱中像素单元的总行数，n2为XRF光谱中像素单元的总列数；
步骤S103中，各个待校准元素在各个像素单元的强度占比的计算公式为：
式中，fIn(ij)为对应的第n个待校准元素在第i行第j列像素单元的强度占比。
4.如权利要求3所述的基于波束路径的共聚焦微X射线荧光成像衰减校准方法，其特征在于，步骤S104中，成像区域的平均密度的计算公式为：
ρave＝ρpd×fpar，
式中，ρave为成像区域的平均密度；ρpd为实验样品的颗粒密度；fpar为成像区域颗粒密度的区域占比；
步骤S105中，实验样品在成像区域的总质量的计算公式为：
mtotal＝ρave×Vtotal，
式中，mtotal为实验样品在成像区域的总质量；Vtotal为成像区域的总体积，Vtotal＝n1×n2×Vs，Vs为成像像素的单元体积。
5.如权利要求4所述的基于波束路径的共聚焦微X射线荧光成像衰减校准方法，其特征在于，步骤S106中，各个待校准元素的总质量的计算公式为：
mtestn＝mtatal×xtestn，n＝1,2,3…,N，
式中，xtestn为第n个待校准元素的元素组成；mtestn为对应的第n个待校准元素的总质量。
6.如权利要求5所述的基于波束路径的共聚焦微X射线荧光成像衰减校准方法，其特征在于，步骤S107中，所述各个待校准元素在各个像素单元的质量的计算公式为：
mtn(ij)＝fIn(ij)×mtestn，n＝1,2,3…,N，
式中，mtn(ij)为对应的第n个待校准元素在第i行第j列像素单元的质量。
7.如权利要求6所述的基于波束路径的共聚焦微X射线荧光成像衰减校准方法，其特征在于，步骤S108中，所述各个像素单元中的密度的计算公式为：
式中，Vunit为一个像素单元的成像体积；ρ(ij)为第i行第j列像素单元中的密度；
所述各个待校准元素在各个像素单元中的质量占比的计算公式为：
式中，fmn(ij)为第n个待校准元素在第i行第j列像素单元的质量占比。
8.如权利要求7所述的基于波束路径的共聚焦微X射线荧光成像衰减校准方法，其特征在于，步骤S109中，所述各个待校准元素的像素单元总质量衰减截面的计算公式为：
式中，σtotaln(ij)为第n个待校准元素的像素单元总质量衰减截面；σn为单元质量衰减截面。
9.如权利要求8所述的基于波束路径的共聚焦微X射线荧光成像衰减校准方法，其特征在于，步骤S110中，对出射荧光强度的衰减进行校准时，所述各个待校准元素在各个像素单元中的校准强度的计算公式为：
对于第一行第j列：
对于第二行第j列：
对入射X射线强度的衰减进行校准时，所述各个待校准元素在各个像素单元中的校准强度的计算公式为：
对于第一行第j列：
对于第二行第j列：
l3＝(lst-l2cos(90-α))/cos(90-α),
式中，lst为数据采集过程中的步长；α为入射X射线与实验样品的角度；Ifn(1j)的值等于Isubn(1j)；Icon(1j)为第n个待校准元素在第一行第j列的校准强度；Icon(2j)第n个待校准元素在第二行第j列的校准强度；
继续计算直至得到所有待校准元素在所有像素单元的校准强度。
10.如权利要求9所述的基于波束路径的共聚焦微X射线荧光成像衰减校准方法，其特征在于，步骤S112中，所述阈值的取值为10-3，所述相邻两次校准强度的变化量的计算公式为：
式中，Ipren(ij)为前一次的校准强度；dif为相邻两次校准强度的变化量。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PENG LIU 等: ""A beam path-based method for attenuation correction of confocal micro-X-ray fluorescence imaging data"", 《JOURNAL OF ANALYTICAL ATOMIC SPECTROMETRY》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114572056A (zh) * 2022-03-21 2022-06-03 潍柴动力股份有限公司 一种电动汽车续驶里程计算方法、装置、系统和存储介质
CN114572056B (zh) * 2022-03-21 2023-12-15 潍柴动力股份有限公司 一种电动汽车续驶里程计算方法、装置、系统和存储介质

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