CN109315058A - 用于抑制激光维持等离子体源的vuv辐射发射的系统及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示一种用于形成激光维持等离子体的系统，其包含：气体围阻元件；照明源，其经配置以产生泵激照明；及集光器元件，其经配置以将来自于泵激源的泵激照明聚焦于气体混合物的体积中以在气体混合物的体积内产生发射宽带辐射的等离子体。所述气体围阻元件可经配置以围阻包含第一气体组分及第二气体组分的气体混合物的体积。所述第二气体组分抑制离开所述气体混合物的辐射的光谱中所述宽带辐射的与所述第一气体组分相关联的一部分或与所述第一气体组分相关联的一或多个准分子的辐射中的至少一者。

Description

用于抑制激光维持等离子体源的VUV辐射发射的系统及方法
相关申请案的交叉参考
本申请案根据35U.S.C.§119(e)规定主张将伊利亚·贝泽尔(Ilya Bezel)、肯尼斯·格罗斯(Kenneth Gross)、劳伦·威尔逊(Lauren Wilson)、拉胡尔·亚达夫(RahulYadav)、约书亚·威顿伯格(Joshua Wittenberg)、阿齐扎·布延(Aizaz Bhuiyan)、阿纳托利·希澈米丽宁(Anatoly Shchemelinin)、阿南特·迟马吉(Anant Chimmalgi)及理查德·索拉兹(Richard Solarz)命名为发明者的标题为“通过添加氙及汞来减少来自激光维持氩等离子体及准分子的VUV发射(REDUCING VUV EMISSIONS FROM LASER-SUSTAINEDARGON PLASMAS AND EXCIMERS THROUGH THE ADDITION OF XENON AND MERCURY)”的2016年5月25日申请的第62/341,532号美国临时申请案的权利，所述申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明大体上涉及基于等离子体的光源，且更特定来说，本发明涉及用于抑制真空紫外光辐射从等离子体光源发射的具有气体混合物的激光维持等离子体源。
背景技术
由于对具有越来越小的装置特征的集成电路的需求继续增加，所以用于检验这些越来越收缩的装置的改进式照明源的需要继续增长。一个此照明源包含激光维持等离子体(LSP)源。激光维持等离子体(LSP)源能够产生高功率宽带光。激光维持等离子体源通过将激光器辐射聚焦于气体混合物中而操作以将气体激发成等离子体状态，其能够发射光。此效应通常指称“泵激”等离子体。然而，由所产生的等离子体发射的宽带辐射可包含一或多个非所要波长。例如，非所要波长可由元件(例如(但不限于)透射元件、反射元件、聚焦元件或与LSP光源相关联的组件)吸收。在一些应用中，非所要波长的吸收可导致损坏、降级或故障。此外，可将额外气体组分引入气体混合物中以抑制非所要波长。然而，额外气体组分自身可促成一些非所要辐射的发射。因此，期望提供一种用于处理例如上文所识别的缺陷的系统及方法。
发明内容
本文揭示根据本发明的一或多个说明性实施例的用于形成激光维持等离子体的系统。在一个说明性实施例中，所述系统包含气体围阻元件。在另一说明性实施例中，所述气体围阻元件经配置以围阻气体混合物的体积。在另一说明性实施例中，所述气体混合物包含第一气体组分及第二气体组分。在另一说明性实施例中，所述系统包含经配置以产生泵激照明的照明源。在另一说明性实施例中，所述系统包含经配置以将来自于泵激源的所述泵激照明聚焦于所述气体混合物的所述体积中以在所述气体混合物的体积内产生等离子体的集光器元件。在另一说明性实施例中，所述等离子体发射宽带辐射。在另一说明性实施例中，所述第二气体组分抑制与所述第一气体组分相关联的所述宽带辐射的一部分或由与来自离开所述气体混合物的辐射的光谱的所述第一气体组分相关联的一或多个准分子的辐射中的至少一者。
本文揭示根据本发明的一或多个说明性实施例的用于形成激光维持等离子体的等离子体灯。在一个说明性实施例中，所述等离子体灯包含气体围阻元件。在另一说明性实施例中，所述气体围阻元件经配置以围阻气体混合物的体积。在另一说明性实施例中，所述气体混合物包含第一气体组分及第二气体组分。在另一说明性实施例中，所述气体混合物经进一步配置以接收泵激照明以在所述气体混合物的体积内产生等离子体。在另一说明性实施例中，所述等离子体发射宽带辐射。在另一说明性实施例中，所述第二气体组分抑制与所述第一气体组分相关联的所述宽带辐射的部分或由与来自离开所述气体混合物的辐射的光谱的所述第一气体组分相关联的一或多个准分子的辐射中的至少一者。
本文揭示根据本发明的一或多说明性实施例的用于产生激光维持等离子体辐射的方法。在一个说明性实施例中，所述方法包含产生泵激照明。在另一说明性实施例中，所述方法包含使气体混合物的体积围阻于气体围阻结构内。在另一说明性实施例中，所述气体混合物包含第一气体组分及第二气体组分。在另一说明性实施例中，所述方法包含将所述泵激照明的至少一部分聚焦于所述气体混合物的体积内的一或多个焦点以维持所述气体混合物的所述体积内的等离子体。在另一说明性实施例中，所述等离子体发射宽带辐射。在另一说明性实施例中，所述方法包含经由所述第二气体组分抑制与所述第一气体组分相关联的所述宽带辐射的部分或由与来自离开所述气体混合物的辐射的所述光谱的所述第一气体组分相关联的一或多个准分子的辐射中的至少一者的所述发射。
本文揭示根据本发明的一或多说明性实施例的用于形成激光维持等离子体的等离子体灯。在一个说明性实施例中，所述等离子体灯包含气体围阻元件。在另一说明性实施例中，所述气体围阻元件经配置以围阻气体混合物的体积。在另一说明性实施例中，所述气体混合物包含氩及氙。在另一说明性实施例中，所述气体混合物经进一步配置以接收泵激照明以在所述气体混合物的体积内产生等离子体。在另一说明性实施例中，所述等离子体发射宽带辐射。在另一说明性实施例中，所述气体混合物的氙抑制与所述气体混合物的氩相关联的所述宽带辐射的部分或由与来自离开所述气体混合物的辐射的光谱的所述气体混合物的氩相关联的一或多个准分子的辐射中的至少一者。
应理解前述一般描述及以下详细描述两者仅是示范性的及解释性的且不必要如所主张限制本发明。并入且构成说明书的部分的附图说明本发明的实施例且与一般描述一起用以阐释本发明的原理。
附图说明
所属领域的技术人员可通过参考附图更好地理解本发明的众多优点，其中：
图1A是根据本发明的一个实施例的用于形成激光维持等离子体的系统的概念图。
图1B是根据本发明的一个实施例的用于含纳气体混合物的等离子体室的概念图。
图1C是根据本发明的一个实施例的用于含纳气体混合物的等离子体灯泡的概念图。
图1D是根据本发明的一个实施例的用于含纳气体混合物的等离子体腔室的概念图。
图2是说明根据本发明的一个实施例的形成于气体混合物的体积内的等离子体的概念图。
图3是说明根据本发明的一或多个实施例的围阻纯氩的气体围阻结构的发射光谱的曲线图。
图4是说明根据本发明的一或多个实施例的围阻氩及氙的各种混合物的气体围阻结构的发射光谱的曲线图。
图5是说明根据本发明的一或多个实施例的围阻氙及变化浓度的水银的气体围阻结构的发射光谱的曲线图。
图6是描绘根据本发明的一或多个实施例的用于产生激光维持等离子体辐射的方法的流程图。
具体实施方式
现将详细参考说明于附图中的所揭示的目标。
大体上参考图1A到6，图中描述根据本发明的一或多个实施例的用于产生激光维持等离子体的系统。本发明的实施例涉及具有经设计以维持发射宽带光且同时抑制选定波长的发射的等离子体的气体混合物的激光维持等离子体源。本发明的实施例涉及使一或多个气体并入LSP源中的气体混合物中以选择性地吸收由等离子体发射的选定波长的辐射的发射。本发明的额外实施例涉及使一或多个气体并入LSP源中的气体混合物中以使所述气体混合物中的准分子的发射猝灭。额外实施例涉及在非所要光谱区域中的具有有限亮度的紫外光光谱区域、可见光谱区域及/或红外线光谱区域中产生具有高光谱强度的光发射的气体混合物。
本文中已认识到LSP光源可利用适合于在激发成等离子体状态时发射宽带辐射的宽范围的组分。此外，LSP源可利用比替代光源(例如放电光源或其类似者)浓度高很多的特定组分。例如，LSP光源可利用归因于性能限制(例如电弧考虑或其类似者)而对于替代光源不实用的含有大浓度的惰性气体(例如氩、氙或氪其类似者)的气体混合物。在此方面，可基于所发射的辐射的光谱来选择LSP光源的气体混合物的成分。
本文中进一步认识到适合于提供所要光谱区域内(例如紫外光波长、可见波长、红外线波长或其类似者)的高光谱功率的一些气体组分还可提供非所要光谱区域内(例如真空紫外光波长(VUV)或其类似者)的高光谱功率。例如，包含纯氩的LSP光源可产生高总辐射功率，但可产生可损坏光源自身的组件以及用以导引由光源产生的宽带辐射的额外组件的强烈VUV辐射。使用氙的LSP光源可使用不太强烈的VUV辐射针对所要光谱区域提供适度光谱功率。然而，在所要光谱区域中包含氙的LSP光源的光谱功率可相对低于包含氩的LSP光源的光谱功率。此外，VUV光的产生仍可负面影响光源或周围组件。
在一些应用中，LSP光源可利用气体的混合物，其中第一气体组分提供宽带照明且一或多个额外气体组分抑制与所述第一气体组分相关联的非所要波长的辐射。然而，所述一或多个额外气体组分可引入次级效应且可促成非所要光谱区域中的不可忽略数量的光谱功率的产生。因此，可限制用以减少非所要波长的光谱功率的所述一或多个额外气体组分的净影响。
另外实施例涉及包含气体混合物的LSP源，所述气体混合物具有与宽带辐射的产生相关联的第一气体组分、用于抑制与所述第一组分相关联的选定波长的辐射的第二气体组分及用于抑制与所述第一气体组分及/或所述第二气体组分相关联的选定波长的辐射的第三气体组分。
图1A到6说明根据本发明的一或多个实施例的用于形成激光维持等离子体的系统100。2010年8月31日授与的第7,786,455号美国专利及2008年10月14日授与的第7,435,982号美国专利中大体上描述惰性气体种类内的等离子体的产生，所述专利的全部内容以引用的方式并入本文中。2016年4月19日授与的第9,318,311号美国专利中描述各种等离子体室设计及等离子体控制机制，所述专利的全部内容以引用的方式并入本文中。2014年10月2日出版的第2014/0291546号美国专利公开案中还大体上描述等离子体的产生，所述专利公开案的全部内容以引用的方式并入本文中。2014年3月31日申请的第14/231,196号美国专利申请案中还描述等离子体室及控制机制，所述专利申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。2015年11月10日授与的第9,185,788号美国专利中还描述等离子体室及控制机制，所述专利的全部内容以引用的方式并入本文中。2013年6月18日公开的第2013/0181595号美国专利公开案中还描述等离子体室及控制机制，所述专利公开案的全部内容以引用的方式并入本文中。2016年1月6日申请的第14/989,348号美国专利申请案中大体上描述使用气体混合物抑制等离子体光源的辐射发射，所述专利申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。在一般意义上，系统100应经解释以延伸到所属领域中已知的任何基于等离子体的光源。
参考图1A，在一个实施例中，系统100包含经配置以产生选定波长或波长范围(例如(但不限于)红外线辐射或可见辐射)的泵激照明107的照明源111(例如一或多个激光器)。在另一实施例中，系统100包含气体围阻结构102(例如用于产生或维持等离子体104)。气体围阻结构102可包含(但不限于)等离子体室(参阅图1B)、等离子体灯泡(参阅图1C)或腔室(参阅图1D)。将泵激照明107从照明源111聚焦于气体混合物103的体积中可引起能量通过气体围阻结构102内的气体混合物103或等离子体104的一或多个选定吸收线吸收，借此“泵激”气体种类以产生或维持等离子体104。在另一实施例中，尽管未展示，但气体围阻结构102可包含用于引发气体围阻结构102的内部体积内的等离子体104的一组电极，借此来自照明源111的照明107在由电极点燃之后维持等离子体104。此外，等离子体104可在将气体种类松弛到较低能级之后发射宽带辐射。
在另一实施例中，准分子可在适合于产生及/或维持表示分子的激发能量状态的结合准分子状态(例如与气体混合物103的一或多个组分相关联的结合分子状态)的温度下形成于所产生的等离子体104外部的气体的体积内。准分子可在松弛(例如去激发或其类似者)到准分子的较低能量状态之后发射紫外光光谱中的辐射。在一些实施例中，准分子的去激发可导致准分子分子的解离。例如，Ar2*准分子可在126nm处发射，Kr2*准分子可在146nm处发射，且Xe2*准分子可在172nm或175nm处发射。应注意,从气体围阻结构102发出的辐射的光谱内容可包含与从等离子体104的发射及/或气体围阻结构102内的一或多个准分子相关联的光谱组分。
在另一实施例中，系统100包含经配置以将从照明源111发出的照明聚焦于围阻于气体围阻结构102内的气体混合物103的体积中的集光器元件105(例如椭圆形或球形集光器元件)。在另一实施例中，集光器元件105经布置以收集由等离子体104发射的宽带照明115且将宽带照明115导引到一或多个额外光学元件(例如滤波器123、均质器125及其类似者)。应注意，上述配置并非本发明的范围的限制。例如，系统100可包含一或多个反射器及/或用于将来自照明源111的照明聚焦及/或导引到气体混合物103的体积中的聚焦光学器件及用于收集由等离子体104发射的宽带照明115的一组单独收集光学器件。例如，2016年6月20日申请的第15/187,590号美国申请案中描述包含单独反射器光学器件及收集光学器件的光学配置，所述申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。
在另一实施例中，气体围阻结构102包含经配置以将泵激照明107透射到气体围阻结构102中及/或将来自气体混合物103的宽带照明115透射到气体围阻结构102外部的一或多个透明部分108。
在另一实施例中，系统100包含经配置以导引及/或处理从气体围阻结构102发射的光的一或多个传播元件。例如，所述一或多个传播元件可包含(但不限于)透射元件(例如气体围阻结构102的透明部分108、一或多个滤波器123及其类似者)、反射元件(例如集光器元件105，用于导引宽带照明115的镜及其类似者)或聚焦元件(例如透镜、聚焦镜及其类似者)。
本文中应注意，等离子体光的宽带发射115一般受大量因子影响，包含(但不限于)来自照明源111的泵激照明107的聚焦强度、气体混合物103的温度、气体混合物103的压力及/或气体混合物103的成分。此外，由等离子体104及/或气体混合物103发射的宽带辐射115的光谱内容(例如气体围阻结构102内的一或多个准分子)可包含(但不限于)红外线(IR)波长、可见波长、紫外光(UV)波长、真空紫外光(VUV)波长、深紫外光(DUV)波长或极紫外光(EUV)波长。在一个实施例中，等离子体104发射具有在至少600到1000nm的范围内的波长的可见及IR辐射。在另一实施例中，等离子体104发射具有在至少200到600nm的范围内的波长的可见及UV辐射。在另一实施例中，等离子体104发射具有低于200nm的波长的至少短波长辐射。在另外实施例中，气体围阻结构102中的一或多个准分子发射UV及/或VUV辐射。本文中应注意，本发明不受限于上文所描述的波长范围且气体围阻结构102中的等离子体104及/或准分子可发射具有上文所提供的范围中的一者或任何组合的波长的光。
在特定应用中，仅期望由气体围阻结构102内的等离子体104及/或一或多个准分子发射的宽带辐射的光谱内容的部分。在一些实施例中，围阻于气体围阻结构102内的气体混合物103抑制一或多个选择波长的辐射从气体围阻结构102发射。例如，气体混合物103可猝灭或以其它方式防止一或多个波长的辐射从气体围阻结构102中的等离子体104及/或一或多个准分子发射。通过另一实例的方式，气体混合物103可吸收由气体围阻结构102的透射元件108之前的等离子体104及/或一或多个准分子发射的选择波长的辐射。在此方面，气体混合物103的一或多个组分用以选择性地减少由从气体围阻结构102发出的等离子体104及/或准分子产生的非所要波长的辐射的光谱功率。
其中非所要波长已由气体混合物103抑制的LSP光源一般可对于调整光源的输出有用。在此方面，给定应用中的光源的性能的一个测量可为所要光谱区域的光谱功率相对于LSP源的总光谱功率的比率。在此方面，LSP光源的性能可通过相对于非所要光谱区域的光谱功率增加所要光谱区域的光谱功率而改进。在一个实施例中，气体围阻结构102围阻抑制从气体围阻结构102发射的非所要波长的辐射的发射的气体混合物103以减少非所要波长的光谱功率且借此改进LSP源的性能。此外，使用具有经配置以抑制非所要波长的一或多个气体组分的气体混合物103可实现适合于LSP光源的气体的较宽范围。例如，识别气体中所产生的等离子体104可展现所要光谱区域中的波长的高光谱功率，但可归因于非所要光谱区域中的波长的成问题的光谱功率而是不实用的。在一个实施例中，可通过将一或多个气体组分添加到所识别的气体以产生其中抑制非所要光谱波长中的波长的气体混合物103以利用所要光谱区域中的波长的高光谱功率。
在另一实施例中，气体围阻结构102围阻抑制对应于系统100的一或多个组件的吸收带的非所要波长的辐射的发射的气体混合物103。系统100的一或多个组件可包含(但不限于)系统100中的一或多个传播元件或系统100外的一或多个元件。如先前所述，所述一或多个传播元件可包含(但不限于)一或多个透射元件(例如气体围阻结构102的透明部分108、一或多个滤波器123及其类似者)、一或多个反射元件(例如集光器元件105、用于导引宽带照明115的境及其类似者)或一或多个聚焦元件(例如透镜、聚焦镜及其类似者)。例如，利用用于产生可见及/或红外线辐射的LSP源的应用可包含对较小波长辐射(包含(但不限于)UV辐射、VUV辐射、DUV辐射或EUV辐射)敏感的光学组件。本文中应注意，经配置用于可见及/或红外线照明的许多光学组件(例如气体围阻结构102的透明部分108、透镜、镜及其类似者)可吸收较小波长辐射，其可导致元件的加热、降级或损坏。在一些情况中，吸收气体围阻结构102的透明部分108或系统中的额外光学元件内的辐射诱发限制组件的性能及/或操作寿命的负感作用。作为另一实例，系统100的一或多个组件可对可见或红外线光谱区域内的选择波长敏感。
使用围阻于气体围阻结构102中的气体混合物103抑制辐射可减轻与长期暴露于非所要波长的辐射相关联的潜在培养效应。在一个实施例中，气体混合物103在气体围阻结构102中循环(例如通过自然或强迫循环)使得避免与继续暴露于由等离子体104发射的辐射相关联的培养效应。例如，循环可减轻气体混合物103内的可影响来自气体围阻结构102的辐射的发射的温度、压力或种类的修改。
在一个实施例中，围阻于气体围阻结构102内的气体混合物103同时维持等离子体104且抑制一或多个选择非所要波长的辐射从气体围阻结构102的发射。本文中应注意，气体混合物103内的气体组分的相对浓度可影响由等离子体104发射的宽带辐射115光谱以及由气体混合物103抑制的辐射的光谱。在此方面，由等离子体发射的宽带辐射115的光谱及由气体混合物103抑制(例如吸收、猝灭或其类似者)的辐射的光谱可通过控制气体混合物内的气体组分的相对组成而调整。
在一个实施例中，围阻于气体围阻结构102内的气体混合物103吸收由等离子体104发射的一或多个选定波长的辐射(例如由等离子体104发射的VUV辐射、与气体围阻结构102中的一或多个准分子相关联的发射或其类似者)。例如，含有气体混合物103的第一组分的激发种类的等离子体104可发射由气体围阻结构102内的一或多个额外气体组分吸收的辐射。在此方面，可抑制非所要波长的辐射撞击气体围阻结构102的透明部分108且因此离开气体围阻结构102。
图2是说明根据本发明的一或多个实施例的其中由等离子体104发射的选定波长的辐射由气体混合物103吸收的气体混合物103的体积内的等离子体104的简化图。在一个实施例中，宽带辐射115a、115b由等离子体104发射。在另一实施例中，气体围阻结构102经配置使得等离子体104的大小大体上小于周围气体混合物103的大小。因此，由等离子体104发射的宽带辐射115a、115b传播通过大体上大于等离子体104的大小的气体的距离。例如，气体围阻结构102可经配置使得气体混合物103的范围是等离子体的大小的两倍或两倍以上。通过另一实例的方式，气体围阻结构102可经配置使得气体混合物103的大小比等离子体104的大小大一或多个数量级。
在另一实施例中，气体混合物103的一或多个气体组分选择性地吸收由等离子体发射的一或多个选定波长的辐射115a，使得所述一或多个选定波长的辐射115a的强度在传播通过气体混合物103的体积期间衰减。本文中应注意，所述一或多个选定波长的辐射115a被吸收的程度可至少部分地与由所述一或多个选定波长下的气体混合物103吸收的强度以及辐射115a传播通过气体混合物103的距离有关。在此方面，相同总衰减可由短传播距离上的所述一或多个选定波长的相对强吸收或较长传播距离上的所述一或多个选定波长的相对弱吸收实现。
在另一实施例中，气体混合物103对于由等离子体104发射的一或多个额外波长的辐射115b是透明的使得所述一或多个额外波长的辐射115b的光谱功率不在通过气体混合物103的体积传播期间衰减。因此，气体混合物103可选择性地滤波由等离子体104发射的一或多个选定波长的宽带辐射光谱的辐射115。
本文中可预期系统100可用以使用各种气体混合物103起始及/或维持等离子体104。在一个实施例中，用以起始及/或维持等离子体104的气体混合物103可包含钝气、惰性气体(例如钝气或非钝气)及/或非惰性气体(例如水银)。在另一实施例中，气体混合物103包含气体(例如钝气、非钝气及其类似者)及一或多个气体微量物质(例如金属卤化物、过渡金属及其类似者)的混合物。例如，适合于本发明中的实施方案的气体可包含(但不限于)Xe、Ar、Ne、Kr、He、N2、H2O、O2、H2、D2、F2、CH4、金属卤化物、卤素、Hg、Cd、Zn、Sn、Ga、Fe、Li、Na、K、Tl、In、Dy、Ho、Tm、ArXe、ArHg、ArKr、ArRn、KrHg、XeHg及其类似者。在一般意义上，本发明应经解释以延伸到适合于维持气体围阻结构102内的等离子体104的任何LSP系统及任何类型的气体混合物。
在一个实施例中，围阻于气体围阻结构102内的气体混合物103包含第一气体组分及经配置以抑制与所述第一气体组分相关联的辐射的至少第二气体组分。例如，所述第二气体组分可抑制由至少部分地由所述第一气体组分的种类形成的等离子体104发射的辐射。通过另一实例的方式，所述第二气体组分可抑制由至少部分地由所述第一气体组分的种类形成的一或多个准分子发射的辐射。
在另一实施例中，围阻于气体围阻结构102内的气体混合物103包含与钝气(例如氙、氪、氖、氡或其类似者)混合的氩。应注意，添加氪、氙及/或氡可用以抑制(例如吸收或其类似者)由选定波长区域中的等离子体104发射的辐射(例如VUV辐射)。例如，围阻于气体围阻结构102内的气体混合物103可包含(但不限于)具有10atm的分压的氩及具有2atm的分压的氙。此外，包含氩及小浓度的氙的气体混合物103可包含在145到150nm的范围内的压力扩大吸收带及至少部分地归因于由气体混合物103的光的基态吸收的比130nm短的波长的宽吸收。
在另一实施例中，围阻于气体围阻结构102内的气体混合物103包含经配置以使气体混合物103中的准分子的发射猝灭的一或多个气体组分。本文中应注意，气体混合物103可包含适合于使准分子发射猝灭的所属领域中已知的任何气体组分。气体混合物103可包含适合于使从所属领域中已知的任何类型的准分子的发射猝灭的一或多个气体组分，包含(但不限于)稀有气体种类的同核准分子、稀有气体种类的异核准分子、一或多个非稀有气体种类的同核准分子或一或多个非稀有气体种类的异核准分子。应进一步注意，足以支持结合准分子状态的低温还可支持分子种类以及原子种类以使准分子发射猝灭。例如，气体混合物103可含有(但不限于)O2、N2、CO2、H2O、SF6、I2、Br2或Hg以使准分子发射猝灭。另外，围阻于气体围阻结构102中的气体混合物103可包含通常不适合于用于替代光源中的一或多个气体组分。例如，气体混合物103可包含通常不用于弧光灯中的气体(例如(但不限于N2及O2)，这是由于这些气体可使组件(例如(但不限于)电极)降级。
本文中应进一步注意，气体混合物103的一或多个气体组分可通过所属领域中已知的任何路径使准分子发射猝灭。例如，气体混合物103的一或多个气体组分可(但不限于)经由碰撞解离、光分解过程或谐振能量转移(例如谐振激发转移或其类似者)使准分子发射猝灭。另外，气体混合物103的一或多个气体组分可通过吸收由气体混合物103内的准分子发射的辐射而使准分子发射猝灭。
在一个实施例中，围阻于气体围阻结构102中的气体混合物103包含氙及Hg、O2或N2中的至少一者以使从气体混合物103中产生的Xe2*准分子的发射猝灭。在另一实施例中，围阻于气体围阻结构102中的气体混合物103包含氩及氙或N2中的至少一者以使从气体混合物103中产生的Ar2*准分子的发射猝灭。在另一实施例中，围阻于气体围阻结构102中的气体混合物103包含氖及H2以使从气体混合物103中产生的Ne2*准分子的发射猝灭。
图3是说明根据本发明的一或多个实施例的围阻纯氩的气体围阻结构102的发射光谱302的曲线图300。在一个实施例中，围阻纯氩的气体围阻结构的发射光谱302包含低于140nm的波长(例如VUV波长或其类似者)的大量发射。此外，发射光谱302包含约126nm的峰值处的与准分子(例如Ar2*或其类似者)相关联的辐射。
图4是说明根据本发明的一或多个实施例的围阻氩及氙的各种混合物的气体围阻结构102的发射光谱的曲线图400。在一个实施例中，曲线图402说明包含97％氩及3％氙的气体围阻结构的发射光谱。在另一实施例中，曲线图404说明包含87.5％氩及12.5％氙的气体围阻结构的发射光谱。在另一实施例中，曲线图406说明包含50％氩及50％氙的气体围阻结构的发射光谱。在另一实施例中，曲线图408说明包含纯氙的气体围阻结构的发射光谱。
在此方面，气体混合物的氙可抑制与气体混合物的氩相关联的选定波长的发射。例如，气体混合物的氙可抑制及/或消除126nm处的Ar2*准分子峰值。此外，气体混合物的氙可抑制与至少部分地由气体混合物103的氩形成的等离子体104相关联的选择宽带照明(例如VUV辐射或其类似者)。另外，相对较小百分比(例如(但不限于)小于5％)的氙可抑制选定波长的发射。例如，曲线图402说明包含97％氩及3％氙的气体围阻结构的发射光谱展现相对于围阻纯氩的气体围阻结构102(参阅图3)的介于130与150nm之间的光谱区域中的实质上减少的发射(例如与由等离子体104及/或一或多个准分子的辐射相关联)。
本文中应注意，经配置以抑制与气体混合物103的额外气体组分相关联的选定波长的辐射的气体组分可额外地促成从气体混合物103发出的辐射的总光谱。例如，经调整以抑制与气体混合物103中的氩相关联的辐射(例如与等离子体104及/或含有氩的准分子相关联的辐射)的氙可额外地发射辐射。在一个例子中，气体混合物103的氙可被激发(例如由照明光束107)作为等离子体104的部分且发射宽带辐射(包含(但不限于)VUV辐射)。在另一例子中，气体混合物的氙可形成发射辐射的准分子(例如在172nm、175nm或其类似者处发射的Xe2*准分子)。图4的曲线图402到408说明与用于增加气体混合物103中的氙的浓度的氙相关联的低于190nm的波长的辐射的递增光谱功率。
在另一实施例中，气体混合物103包含三个气体组分。例如，气体混合物103可包含经配置以提供系统100的宽带辐射(例如通过形成等离子体104、产生一或多个准分子或其类似者)的第一气体组分。此外，气体混合物103可包含第二气体组分以抑制与所述第一气体组分相关联的一或多个选定波长。例如，所述第二气体组分可(但不限于)吸收由至少部分地由所述第一气体组分的种类形成的等离子体104发射的一或多个波长。作为另一实例，所述第二气体组分可使从至少部分地由所述第一气体组分形成的准分子的发射猝灭。另外，气体混合物103可包含第三气体组分以抑制与所述第一气体组分及/或所述第二气体组分相关联的选择波长的辐射(例如由至少部分地由所述第一气体组分及/或所述第二气体组分形成的等离子体104及/或准分子发射的辐射)。
在一个例子中，气体混合物103包含水银以抑制与氙相关联的选择波长的辐射。例如，相对小浓度的水银(例如小于5mg/cc)可抑制约172nm及/或约175nm的来自Xe2*准分子的光谱功率辐射。此外，水银可抑制由至少部分地由氙形成的等离子体104发射的宽带辐射(例如VUV辐射或其类似者)。
图5是说明根据本发明的一或多个实施例的围阻氙及变化浓度的水银的气体围阻结构102的发射光谱502到512的曲线图500。
在一个实施例中，增加围阻氙的气体围阻结构102的0.1mg/cc(发射光谱502)到1mg/cc(发射光谱512)的范围内的水银的浓度提供介于165nm与195nm之间的光谱带内的波长的单调递减光谱功率。此外，此范围内的水银的浓度可不显著影响高于195nm(例如从195到265nm，如图5中所说明)的波长的宽带辐射的相对光谱功率。在此方面，水银可抑制(例如经由吸收、猝灭或其类似者)选择波长的辐射且不抑制其它光谱带中的波长的辐射。另外，情况可能如此：与气体混合物103的水银相关联的光谱功率可相对于与气体混合物的额外组分相关联的光谱功率而相对较小。
本文中应注意图5的发射光谱及对应描述仅为说明而提供且不应解释为限制本发明。例如，具有大于1mg/cc的浓度的水银可抑制选择波长的辐射。在一个实施例中，气体围阻结构102包含氙及5mg/cc的水银以抑制选择波长的辐射(例如VUV辐射或其类似者)。作为另一实例，气体围阻结构102可包含除氙及水银的外的额外气体组分。在一个例子中，气体围阻结构可包含氙、水银及一或多个额外惰性气体(例如氩、氖或其类似者)。
在另一实施例中，气体混合物103包含氩、氙及水银。在此方面，与气体混合物的氩相关联的宽带辐射(例如至少部分地使用氩形成的等离子体104或准分子)可为系统100提供宽带照明。此外，气体混合物103的氙可抑制与气体混合物的氩相关联的选择波长的辐射。另外，气体混合物的水银可抑制与气体混合物103的氩及/或氙相关联的选择波长的辐射。在此方面，含有氩、氙及水银的气体混合物103可提供在所要光谱区域中具有高光谱功率且在非所要光谱区域中具有低光谱功率的LSP照明源。例如，如本文所描述的包含氩、氙及水银的LSP照明源可提供可由系统100中的气体围阻结构102(例如透明组件108、密封件、凸缘或其类似者)或一或多个额外组件吸收或以其它方式诱发损坏(例如负感效应或其类似者)的低光谱功率的波长。
本文中应注意，包含三个气体组分的气体混合物103的描述仅为说明而提供且不应解释为具限制性。例如，气体混合物可包含任何数目个气体组分以调整从气体混合物103(例如从气体混合物103的空间范围)发出的辐射的光谱。在一个例子中，气体混合物103包含用于提供宽带辐射的第一气体组分、用于抑制与所述第一气体组分相关联的选定波长的辐射的第二气体组分、用于抑制与所述第一气体组分及/或所述第二气体组分相关联的选定波长的辐射的第三气体组分及用于抑制与所述第一气体组分、所述第二气体组分及/或所述第三气体组分相关联的选定波长的辐射的第四气体组分。此外，气体混合物103的气体组分中的任何者可正面促成所要光谱区域的光谱功率。
再次参考图1A到1D，气体围阻结构102可包含所属领域中已知的适合于起始及/或维持等离子体104的任何类型的气体围阻结构102。在一个实施例中，如图1B中所展示，气体围阻结构102包含等离子体室。在另一实施例中，透明部分108包含透射元件116。在另一实施例中，透射元件116是适合于含纳气体混合物103的空心圆柱体。在另一实施例中，等离子体室包含耦合到透射元件116的一或多个凸缘112a、112b。在另一实施例中，可使用连接杆114将凸缘112a、112b固定到透射元件116(例如空心圆柱体)。至少2014年3月31日申请的第14/231,196号美国专利申请案及2015年11月10日授与的第9,185,788号美国专利中描述凸缘等离子体室的用途，所述专利申请案及所述专利的全部内容先前各自以引用的方式并入本文中。
在另一实施例中，如图1C中所展示，气体围阻结构102包含等离子体灯泡。在另一实施例中，等离子体灯泡包含透明部分120。在另一实施例中，等离子体灯泡的透明部分120固定到经配置以将气体供应到等离子体灯泡的内部体积的气体供应组合件124a、124b。至少在2010年8月31日授与的第7,786,455号美国专利及2016年4月19日授与的第9,318,311号美国专利中描述等离子体灯泡的用途，所述专利的全部内容先前各自以引用的方式并入本文中。
本文中应注意各种光学元件(例如照明光学器件117、119、121；收集光学器件105；及其类似者)还可封围于气体围阻结构102内。在一个实施例中，如图1D中所展示，气体围阻结构102是适合于含纳气体混合物103及一或多个光学组件的腔室。在一个实施例中，腔室包含集光器元件105。在另一实施例中，腔室的一或多个透明部分包含一或多个透射元件130。在另一实施例中，所述一或多个透射元件130配置为入射窗及/或出射窗(例如图1D中的130a、130b)。2015年8月4日授与的第9,099,292号美国专利中描述自含式气体腔室的用途，所述专利的全部内容以引用的方式并入本文中。
在另一实施例中，气体围阻结构102的透明部分(例如等离子体室、等离子体灯泡、腔室及其类似者)可由对于由等离子体104产生的辐射是至少部分透明的所属领域中已知的任何材料形成。在一个实施例中，透明部分可由对来自照明源111的IR辐射、可见辐射及/或UV辐射107是至少部分透明的所属领域中已知的任何材料形成。在另一实施例中，透明部分可由对于从等离子体104发射的宽带辐射115是至少部分透明的所属领域中已知的任何材料形成。在一个实施例中，气体围阻结构102围阻包含一或多个气体组分的气体混合物103以抑制对应于气体围阻结构102的透明部分中的任何者的吸收光谱的辐射的波长。相对于此实施例，由气体混合物103抑制非所要波长的优点可包含(但不限于)气体围阻结构102的透明部分的减少损坏、减少负感效应或减少加热。
在一些实施例中，气体围阻结构102的透明部分可由低OH含量熔融硅石玻璃材料形成。在其它实施例中，气体围阻结构102的透明部分可由高OH含量熔融硅石玻璃材料形成。例如，气体围阻结构102的透明部分可包含(但不限于)SUPRASIL 1、SUPRASIL 2、SUPRASIL 300、SUPRASIL 310、HERALUX PLUS、HERALUX-VUV及其类似者。在其它实施例中，气体围阻结构102的透明部分可包含(但不限于)CaF2、MgF2、LiF、结晶型石英及蓝宝石。本文中应注意，材料(例如(但不限于)CaF2、MgF2、结晶型石英及蓝宝石)提供对短波长辐射(例如λ<190nm)的透明度。A.施赖伯(A.Schreiber)等人的标题为“用于VUV放电灯的石英玻璃的辐射抗性(Radiation Resistance of Quartz Glass for VUV Discharge Lamps)”,《物理期刊D应用物理》(J.Phys.D:Appl.Phys.)38(2005),3242-3250(其全部内容以引用的方式并入本文中)中详细讨论适合于在本发明的气体围阻结构102的透明部分108(例如腔室窗、玻璃灯泡、玻璃管或透射元件)中实施的各种玻璃。本文中应注意，熔融硅石提供对具有比190nm短的波长的辐射的某种透明度，从而展示对短如170nm的波长的有用透明度。
气体围阻结构102的透明部分可呈所属领域中已知的任何形状。在一个实施例中，透明可具有圆柱形形状，如图1A及1B中所展示。在另一实施例中，尽管未展示，但透明部分可具有球形形状。在另一实施例中，尽管未展示，但透明部分可具有复合形状。例如，透明部分的形状可由两个或两个以上形状的组合组成。例如，透明部分的形状可由经布置以含纳等离子体104的球面中心部分及延伸于所述球面中心部分上方及/或下方的一或多个圆柱形部分组成，借此所述一或多个圆柱形部分耦合到一或多个凸缘112。
集光器元件105可呈适合于将从照明源111发出的照明聚焦于围阻于气体围阻结构102的透明部分108内的气体混合物103的体积中的所属领域中已知的任何物理配置。在一个实施例中，如图1A中所展示，集光器元件105可包含具有适合于从照明源111接收照明113且将照明113聚焦于围阻于气体围阻结构102内的气体混合物103的体积中的反射内表面的凹形区域。例如，集光器元件105可包含具有发射内表面的椭圆体状集光器元件105，如图1A中所展示。作为另一实例，集光器元件105可包含具有反射内表面的球形集光器元件105。
在另一实施例中，集光器元件105收集由等离子体104发射的宽带辐射115且将宽带辐射115导引到一或多个下游光学元件。例如，所述一或多个下游光学元件可包含(但不限于)均质器125、一或多个聚焦元件、滤波器123、搅拌镜及其类似者。在另一实施例中，集光器元件105可收集包含由等离子体104发射的EUV辐射、DUV辐射、VUV辐射、UV辐射、可见辐射及/或红外线辐射的宽带辐射115且将宽带辐射导引到一或多个下游光学元件。在此方面，气体围阻结构102可将EUV辐射、DUV辐射、VUV辐射、UV辐射、可见辐射及/或红外线辐射输送到所属领域中已知的任何光学特征化系统(例如(但不限于)检验工具或度量工具)的下游光学元件。例如，LSP系统100可充当用于宽带检验工具(例如晶片或主光罩检验工具)、度量工具或光刻工具的照明子系统或照明器。本文中应注意系统100的气体围阻结构102可发射多种光谱范围内的有用辐射，包含(但不限于)EUV、DUV辐射、VUV辐射、UV辐射、可见辐射及红外线辐射。
在一个实施例中，系统100可包含各种额外光学元件。在一个实施例中，所述组额外光学器件可包含经配置以收集从等离子体104发出的宽带光的收集光学器件。例如，系统100可包含经布置以将照明从集光器元件105导引到下游光学器件(例如(但不限于)均质器125)的冷光镜121(例如操作为光束分离器、取样器或其类似者)。
在另一实施例中，所述组光学器件可包含沿系统100的照明路径或收集路径放置的一或多个额外透镜(例如透镜117)。所述一或多个透镜可用以将照明从照明源111聚焦于气体混合物103的体积中。替代地，所述一或多个额外透镜可用以将由等离子体104发射的宽带光聚焦于选定目标(未展示)上。
在另一实施例中，所述组光学器件可包含转向镜119。在一个实施例中，转向镜119可经布置以从照明源111接收照明113且经由收集元件105将照明导引到围阻于气体围阻结构102的透明部分108内的气体混合物103的体积。在另一实施例中，收集元件105经布置以从镜119接收照明且将照明聚焦于气体围阻结构102的透明部分108定位于其中的收集元件105(例如椭圆体状收集元件)的焦点。
在另一实施例中，所述组光学器件可包含一或多个滤波器123。在另一实施例中，一或多个滤波器123放置于气体围阻结构102之前以滤波泵激照明107。在另一实施例中，一或多个滤波器放置于气体围阻结构102之后以对从气体围阻结构发射的辐射进行滤波。
在另一实施例中，照明源111是可调整的。例如，照明源111的输出的光谱轮廓可为可调整的。在此方面，照明源111可经调整以发射选定波长或波长范围的泵激照明107。应注意，所属领域中已知的任何可调整照明源111适合于在系统100中实施。例如，可调整照明源111可包含(但不限于)一或多个可调整波长激光器。
在另一实施例中，系统100的照明源111可包含一或多个激光器。在一般意义上，照明源111可包含所属领域中已知的任何激光器系统。例如，照明源111可包含能够在电磁光谱的红外线部分、可见部分或紫外光部分中发射辐射的所属领域中已知的任何激光器系统。在一个实施例中，照明源111可包含经配置以发射连续波(CW)激光器辐射的激光器系统。例如，照明源111可包含一或多个CW红外线激光器源。例如，在其中气体的体积103是或包含氩的设置中，照明源111可包含经配置以发射1069nm处的辐射的CW激光器(例如滤波器激光器或磁盘Yb激光器)。应注意，此波长配合氩中的1068nm吸收线且因而对于泵激氩气是特别有用。本文中应注意，CW激光器的以上描述不具限制性且所属领域中已知的任何激光器可在本发明的上下文中实施。
在另一实施例中，照明源111可包含一或多个二极管激光器。例如，照明源111可包含发射以对应于围阻于体积103内的气体混合物的种类的任一或多个吸收线的波长的辐射的一或多个二极管激光器。在一般意义上，可选择用于实施的照明源111的二极管激光器使得所述二极管激光器的波长调谐为所属领域中已知的任何等离子体的任何吸收线(例如离子过渡线)或产生等离子体气体的任何吸收线(例如高度激发的中性过渡线)。因而，给定二极管激光器(或二极管激光器组)的选择将取决于含于系统100的气体围阻结构102内的气体的类型。
在另一实施例中，照明源111可包含离子激光器。例如，照明源111可包含所属领域中已知的任何钝气离子激光器。例如，在基于氩的等离子体的情况中，用以泵激氩离子的照明源111可包含Ar+激光器。
在另一实施例中，照明源111可包含一或多个频率转换激光器系统。例如，照明源111可包含具有超过100Watt的功率级的Nd:YAG或Nd:YLF激光器。在另一实施例中，照明源111可包含宽带激光器。在另一实施例中，照明源111可包含经配置以提供以大体上恒定功率的激光到等离子体106的一或多个激光器。在另一实施例中，照明源111可包含经配置以提供调变激光到等离子体104的一或多个调变激光器。在另一实施例中，照明源111可包含经配置以提供脉冲激光到等离子体104的一或多个脉冲激光器。
在另一实施例中，照明源111可包含一或多个非激光器源。在一般意义上，照明源111可包含所属领域中已知的任何非激光源。例如，照明源111可包含能够在电磁光谱的红外线部分、可见部分或紫外光部分中离散或连续发射辐射的所属领域中已知的任何非激光器系统。
本文中应注意，如上文所描述且说明于图1A到1D中的系统100的所述组光学器件仅为说明而提供且不应解释为具限制性。应预期，若干等效光学配置可在本发明的范围内利用。
图6是描绘根据本发明的一或多个实施例的用于产生激光维持等离子体辐射的方法600的流程图。申请人注意系统100的上下文中本文先前所描述的实施例及启用技术应经解释以延伸到方法600。然而，应进一步注意方法600不受限于系统100的架构。例如，应认识到，方法600的步骤的至少部分可实施利用配备等离子体灯泡的等离子体室。
在一个实施例中，方法600包含产生泵激照明的步骤602。例如，泵激照明可使用一或多个激光器产生。
在另一实施例中，方法600包含使气体混合物的体积围阻于气体围阻结构内的步骤604。气体围阻结构可包含任何类型的气体围阻结构(例如(但不限于)等离子体灯、等离子体室或腔室)。此外，气体混合物可包含第一气体组分及第二气体组分。在一个实施例中，气体混合物包含作为第一气体组分的氩及作为第二气体组分的氙。
在另一实施例中，方法600包含将泵激照明的至少部分聚焦于气体混合物的体积内的一或多个焦点以维持气体混合物的体积内的等离子体的步骤606。例如，泵激照明可将气体混合物的组分的一或多个种类激发成等离子体状态使得经激发的种类可在从激发状态松弛之后发射辐射。此外，一或多个结合准分子状态可从可在从准分子状态松弛之后发射辐射的气体混合物的组分产生(例如在适合于准分子形成的温度下远离气体混合物的区域中的等离子体)。在此方面，宽带辐射的光谱可从气体混合物的空间范围发出。
在另一实施例中，方法600包含经由第二气体组分抑制发射与第一气体组分相关联的宽带辐射的部分或由与来自离开所述气体混合物的辐射的光谱的第一气体组分相关联的一或多个准分子的辐射中的至少一者的步骤608。例如，第二气体组分可吸收由含有数种第一气体组分的等离子体发射的辐射使得所吸收的辐射的光谱功率通过从等离子体传播到气体混合物的空间范围(例如气体围阻结构的透明部分或其类似者)而减少。通过另一实例的方式，第二气体组分可抑制与第一气体组分相关联的准分子经由任何过程(例如(但不限于)碰撞解离、光分解过程或谐振能量转移过程)的辐射发射。
在另一实施例中，气体混合物可包含第三气体组分以抑制与第一及/或第二气体组分相关联的选择波长的辐射离开气体混合物。例如，第三气体组分可抑制由至少部分地由数种第二气体组分形成的等离子体发射的选择波长的宽带辐射。通过另一实例的方式，第三气体组分可抑制与第二气体组分相关联的准分子的辐射发射。在此方面，与第二气体组分相关联的次级效应(例如促成非所要光谱区域的光谱功率或其类似者)可由第三气体组分减轻。
本文所描述的目标有时说明含于其它组件内或与其它组件连接的不同组件。应理解此类所描绘的架构仅是示范性的，且事实上可实施实现相同功能性的许多其它架构。就概念来说，用于实现相同功能的组件的任何布置是有效地“相关联”使得实现所要功能性。因此，本文中经组合以实现特定功能性的任何两个组件可为视为彼此“相关联”使得实现所要功能，不管机构或中间组件如何。同样地，如此相关联的任何两个组件还可被视为彼此“连接”或“耦合”以实现所要功能性，且能够如此相关联的任何两个组件还可被视为可彼此“耦合”以实现所要功能性。可耦合的特定实例包含(但不限于)可物理相互作用及/或物理相互作用组件及/或可无线相互作用及/或无线相互作用组件及/或可逻辑相互作用及/或逻辑相互作用组件。
据信本发明及其许多伴随优点将由前述描述理解，且明显的是可在不会背离所揭示的目标或无需牺牲目标的所有材料优点的情况下对组件的形式、构造及布置实行各种改变。所描述的形式仅是解释性的，且所附权利要求书的意图是涵盖及包含此类改变。此外，应理解本发明由所附权利要求书界定。

Claims (82)

1.一种用于形成激光维持等离子体的系统，其包括：
气体围阻元件，其中所述气体围阻元件经配置以围阻气体混合物的体积，其中所述气体混合物包含第一气体组分及第二气体组分；
照明源，其经配置以产生泵激照明；及
集光器元件，其经配置以将来自于泵激源的所述泵激照明聚焦于所述气体混合物的所述体积中以在所述气体混合物的所述体积内产生等离子体，其中所述等离子体发射宽带辐射，其中所述第二气体组分抑制离开所述气体混合物的辐射的光谱中所述宽带辐射的与所述第一气体组分相关联的一部分或与所述第一气体组分相关联的一或多个准分子的辐射中的至少一者。
2.根据权利要求1所述的系统，其中由所述等离子体发射的所述宽带辐射包含红外线波长、可见波长、UV波长、DUV波长、VUV波长或EUV波长中的至少一者。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述第二气体组分抑制离开所述气体混合物的辐射的所述光谱中所述等离子体的所述宽带辐射的与所述第一气体组分相关联的包含VUV波长的一部分。
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述第二气体组分抑制离开所述气体混合物的辐射的所述光谱中所述等离子体的所述宽带辐射的与所述第一气体组分相关联的包含低于600nm的波长的一部分。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述第二气体组分吸收所述宽带辐射的与所述第一气体组分相关联的一部分或与所述第一气体组分相关联的一或多个准分子的辐射中的所述至少一者。
6.根据权利要求1所述的系统，其中所述第二气体组分使由与所述第一气体组分相关联的准分子的辐射发射猝灭。
7.根据权利要求6所述的系统，其中所述第二气体组分通过碰撞解离、光分解过程或谐振能量转移中的至少一者使与所述第一气体组分相关联的准分子的辐射发射猝灭。
8.根据权利要求1所述的系统，其中所述第二气体组分包括：
小于所述气体混合物的25％。
9.根据权利要求8所述的系统，其中所述第二气体组分包括：
所述气体混合物的0.5％到20％。
10.根据权利要求8所述的系统，其中所述第二气体组分包括：
小于所述气体混合物的5％。
11.根据权利要求8所述的系统，其中所述第二气体组分包括：
所述气体混合物的10％到15％。
12.根据权利要求1所述的系统，其中所述气体混合物进一步包含第三气体组分，其中所述第三气体组分抑制离开所述气体混合物的辐射的所述光谱中所述宽带辐射的与所述第二气体组分相关联的一部分或与所述第二气体组分相关联的一或多个准分子的辐射中的至少一者。
13.根据权利要求12所述的系统，其中所述第三气体组分包括：
小于每立方厘米5mg的所述气体混合物。
14.根据权利要求13所述的系统，其中所述第三气体组分包括：
小于每立方厘米2mg的所述气体混合物。
15.根据权利要求12所述的系统，其中所述第一气体组分包括：
氩。
16.根据权利要求15所述的系统，其中所述第二气体组分包括：
氙。
17.根据权利要求16所述的系统，其中所述第三气体组分包括：
水银。
18.根据权利要求1所述的系统，其中所述气体围阻元件包含腔室、等离子体灯泡或等离子体室中的至少一者。
19.根据权利要求1所述的系统，其中所述集光器元件经布置以收集由所述等离子体发射的所述宽带辐射的至少一部分且将所述宽带辐射导引到一或多个额外光学元件。
20.根据权利要求1所述的系统，其中所述第二气体组分抑制离开所述气体混合物的辐射的所述光谱中包含处于一或多个传播元件的吸收光谱内的波长的辐射。
21.根据权利要求20所述的系统，其中所述一或多个传播元件包括：
所述集光器元件、透射元件、反射元件或聚焦元件中的至少一者。
22.根据权利要求20所述的系统，其中所述一或多个传播元件由结晶型石英、蓝宝石、熔融硅石、氟化钙、氟化锂或氟化镁中的至少一者形成。
23.根据权利要求1所述的系统，其中抑制离开所述气体混合物的辐射的所述光谱中的辐射会抑制对所述系统的一或多个组件的损坏。
24.根据权利要求23所述的系统，其中所述损坏包含负感效应。
25.根据权利要求1所述的系统，其中所述气体混合物抑制离开所述气体混合物的辐射的所述光谱中包含处于一或多个额外元件的吸收光谱内的波长的辐射。
26.根据权利要求25所述的系统，其中所述一或多个额外元件包括：
凸缘或密封件中的至少一者。
27.根据权利要求1所述的系统，其中所述照明源包括：
一或多个激光器。
28.根据权利要求27所述的系统，其中所述一或多激光器包括：
一或多个红外线激光器。
29.根据权利要求27所述的系统，其中所述一或多个激光器包括：
二极管激光器、连续波激光器或宽带激光器中的至少一者。
30.根据权利要求1所述的系统，其中所述照明源包括：
经配置以按第一波长发射泵激照明且以不同于所述第一波长的额外波长发射泵激照明的照明源。
31.根据权利要求1所述的系统，其中所述照明源包括：
可调整照明源，其中由所述照明源发射的所述泵激照明的波长是可调整的。
32.根据权利要求1所述的系统，其中所述集光器元件定位于所述气体围阻元件外部。
33.根据权利要求1所述的系统，其中所述集光器元件定位于所述气体围阻元件内部。
34.根据权利要求1所述的系统，其中所述集光器元件包括：
椭圆体状集光器元件或球形集光器元件中的至少一者。
35.一种用于形成激光维持等离子体的等离子体灯，其包括：
气体围阻元件，其中所述气体围阻元件经配置以围阻气体混合物的体积，其中所述气体混合物包含第一气体组分及第二气体组分，其中所述气体混合物经进一步配置以接收泵激照明以在所述气体混合物的所述体积内产生等离子体，其中所述等离子体发射宽带辐射，其中所述第二气体组分抑制离开所述气体混合物的辐射的光谱中所述宽带辐射的与所述第一气体组分相关联的一部分或与所述第一气体组分相关联的一或多个准分子的辐射中的至少一者。
36.根据权利要求35所述的系统，其中由所述等离子体发射的所述宽带辐射包含红外线波长、可见波长、UV波长、DUV波长、VUV波长或EUV波长中的至少一者。
37.根据权利要求35所述的系统，其中所述第二气体组分抑制离开所述气体混合物的辐射的所述光谱中所述等离子体的所述宽带辐射的与所述第一气体组分相关联的包含VUV波长的一部分。
38.根据权利要求35所述的系统，其中所述第二气体组分抑制离开所述气体混合物的辐射的所述光谱中所述等离子体的所述宽带辐射的与所述第一气体组分相关联的包含低于600nm的波长的一部分。
39.根据权利要求35所述的系统，其中所述第二气体组分吸收所述宽带辐射的与所述第一气体组分相关联的一部分或与所述第一气体组分相关联的一或多个准分子的辐射中的所述至少一者。
40.根据权利要求35所述的系统，其中所述第二气体组分使由与所述第一气体组分相关联的准分子的辐射发射猝灭。
41.根据权利要求40所述的系统，其中所述第二气体组分通过碰撞解离、光分解过程或谐振能量转移中的至少一者使与所述第一气体组分相关联的准分子的辐射发射实质上猝灭。
42.根据权利要求35所述的系统，其中所述第二气体组分包括：
小于所述气体混合物的25％。
43.根据权利要求42所述的系统，其中所述第二气体组分包括：
所述气体混合物的0.5％到20％。
44.根据权利要求42所述的系统，其中所述第二气体组分包括：
小于所述气体混合物的5％。
45.根据权利要求42所述的系统，其中所述第二气体组分包括：
所述气体混合物的10％到15％。
46.根据权利要求35所述的系统，其中所述气体混合物进一步包含第三气体组分，其中所述第三气体组分抑制离开所述气体混合物的辐射的所述光谱中所述宽带辐射的与所述第二气体组分相关联的一部分或与所述第二气体组分相关联的一或多个准分子的辐射中的至少一者。
47.根据权利要求46所述的系统，其中所述第三气体组分包括：
小于每立方厘米5mg的所述气体混合物。
48.根据权利要求47所述的系统，其中所述第三气体组分包括：
小于每立方厘米2mg的所述气体混合物。
49.根据权利要求46所述的系统，其中所述第一气体组分包括：
氩。
50.根据权利要求49所述的系统，其中所述第二气体组分包括：
氙。
51.根据权利要求50所述的系统，其中所述第三气体组分包括：
水银。
52.根据权利要求35所述的系统，其中所述第二气体组分抑制离开所述气体混合物的辐射的所述光谱中包含处于所述等离子体灯的透射元件的吸收光谱内的波长的辐射。
53.根据权利要求52所述的系统，其中所述等离子体灯的所述透射元件由结晶型石英、蓝宝石、熔融硅石、氟化钙、氟化锂或氟化镁中的至少一者形成。
54.根据权利要求52所述的系统，其中抑制离开所述气体混合物的辐射的所述光谱中的辐射会抑制对所述等离子体灯的所述透射元件的损坏。
55.根据权利要求54所述的系统，其中所述损坏包含负感效应。
56.根据权利要求52所述的系统，其中所述第二气体组分抑制离开所述气体混合物的辐射的所述光谱中包含处于所述等离子体灯的所述透射元件的吸收光谱内的波长的辐射。
57.一种用于产生激光维持等离子体辐射的方法，其包括：
产生泵激照明；
使气体混合物的体积含于气体围阻结构内，其中所述气体混合物包含第一气体组分及第二气体组分；
将所述泵激照明的至少一部分聚焦于所述气体混合物的所述体积内的一或多个焦点以维持所述气体混合物的所述体积内的等离子体，其中所述等离子体发射宽带辐射；及
经由所述第二气体组分抑制离开所述气体混合物的辐射的所述光谱中所述宽带辐射的与所述第一气体组分相关联的一部分或与的所述第一气体组分相关联的一或多个准分子的辐射中的至少一者的所述发射。
58.根据权利要求57所述的方法，其中经由所述第二气体组分抑制离开所述气体混合物的辐射的所述光谱中所述宽带辐射的与所述第一气体组分相关联的一部分或与所述第一气体组分相关联的一或多个准分子的辐射中的至少一者的所述发射包括：
经由所述第二气体组分抑制离开所述气体混合物的辐射的所述光谱中所述宽带辐射的与所述第一气体组分相关联的包含VUV波长的一部分。
59.根据权利要求57所述的方法，其中经由所述第二气体组分抑制离开所述气体混合物的辐射的所述光谱中所述宽带辐射的与所述第一气体组分相关联的一部分或与所述第一气体组分相关联的一或多个准分子的辐射中的至少一者的所述发射包括：
经由所述第二气体组分抑制离开所述气体混合物的辐射的所述光谱中所述宽带辐射的与所述第一气体组分相关联的包含低于600nm的波长的一部分。
60.根据权利要求57所述的方法，其中经由所述第二气体组分抑制离开所述气体混合物的辐射的所述光谱中所述宽带辐射的与所述第一气体组分相关联的一部分或与所述第一气体组分相关联的一或多个准分子的辐射中的至少一者的所述发射包括：
经由所述第二气体组分吸收所述宽带辐射的与所述第一气体组分相关联的一部分或与所述第一气体组分相关联的一或多个准分子的辐射中的所述至少一者。
61.根据权利要求57所述的方法，其中经由所述第二气体组分抑制离开所述气体混合物的辐射的所述光谱中所述宽带辐射的与所述第一气体组分相关联的一部分或与所述第一气体组分相关联的一或多个准分子的辐射中的至少一者的所述发射包括：
经由所述第二气体组分使与所述第一气体组分相关联的准分子的辐射发射猝灭。
62.根据权利要求61所述的方法，其中经由所述第二气体组分使与所述第一气体组分相关联的准分子的辐射发射猝灭包括：
通过碰撞解离、光分解过程或谐振能量转移中的至少一者使与所述第一气体组分相关联的准分子的辐射发射猝灭。
63.根据权利要求57所述的方法，其中所述气体混合物进一步包含第三气体组分，其进一步包括：
经由所述第三气体组分抑制离开所述气体混合物的辐射的所述光谱中所述宽带辐射的与所述第二气体组分相关联的一部分或与所述第二气体组分相关联的一或多个准分子的辐射中的至少一者的所述发射。
64.一种用于形成激光维持等离子体的等离子体灯，其包括：
气体围阻元件，其中所述气体围阻元件经配置以围阻气体混合物的体积，其中所述气体混合物包含氩及氙，其中所述气体混合物经进一步配置以接收泵激照明以在所述气体混合物的所述体积内产生等离子体，其中所述等离子体发射宽带辐射，其中所述气体混合物的所述氙抑制离开所述气体混合物的辐射的光谱中所述宽带辐射的与所述气体混合物的所述氩相关联的一部分或与所述气体混合物的所述氩相关联的一或多个准分子的辐射中的至少一者。
65.根据权利要求64所述的等离子体灯，其中由所述等离子体发射的所述宽带辐射包含红外线波长、可见波长、UV波长、DUV波长、VUV波长或EUV波长中的至少一者。
66.根据权利要求64所述的系统，其中所述气体混合物的所述氙抑制离开所述气体混合物的辐射的所述光谱中所述宽带辐射的与所述气体混合物的所述氩相关联的包含VUV波长的一部分。
67.根据权利要求64所述的系统，其中所述气体混合物的所述氙抑制离开所述气体混合物的辐射的所述光谱中所述宽带辐射的与所述气体混合物的所述氩相关联包含低于600nm的波长的一部分。
68.根据权利要求64所述的系统，其中所述气体混合物的所述氙吸收所述宽带辐射的与所述气体混合物的所述氩相关联的一部分或与所述气体混合物的所述氩相关联的一或多个准分子的辐射中的所述至少一者。
69.根据权利要求64所述的系统，其中所述气体混合物的所述氙使由与所述气体混合物的所述氩相关联的准分子的辐射发射猝灭。
70.根据权利要求69所述的系统，其中所述气体混合物的所述氙通过碰撞解离、光分解过程或谐振能量转移中的至少一者使与所述气体混合物的所述氩相关联的准分子的辐射发射实质上猝灭。
71.根据权利要求64所述的系统，其中所述气体混合物的所述氙包括：
小于所述气体混合物的25％。
72.根据权利要求71所述的系统，其中所述气体混合物的所述氙包括：
所述气体混合物的0.5％到20％。
73.根据权利要求71所述的系统，其中所述气体混合物的所述氙包括：
小于所述气体混合物的5％。
74.根据权利要求71所述的系统，其中所述气体混合物的所述氙包括：
所述气体混合物的10％到15％。
75.根据权利要求64所述的系统，其中所述气体混合物进一步包含水银，其中所述气体混合物的所述水银抑制离开所述气体混合物的辐射的所述光谱中所述宽带辐射的与所述气体混合物的所述氙相关联的一部分或与所述气体混合物的所述氙相关联的一或多准分子的辐射中的至少一者的所述发射。
76.根据权利要求75所述的系统，其中所述气体混合物的所述水银包括：
小于每立方厘米5mg的所述气体混合物。
77.根据权利要求76所述的系统，其中所述气体混合物的所述水银包括：
小于每立方厘米2mg的所述气体混合物。
78.根据权利要求64所述的系统，其中所述气体混合物的所述氙抑制离开所述气体混合物的辐射的所述光谱中包含处于所述等离子体灯的透射元件的吸收光谱内的波长的辐射。
79.根据权利要求78所述的系统，其中所述等离子体灯的所述透射元件由结晶型石英、蓝宝石、熔融硅石、氟化钙、氟化锂或氟化镁中的至少一者形成。
80.根据权利要求78所述的系统，其中抑制离开所述气体混合物的辐射的所述光谱中的辐射会抑制对所述等离子体灯的所述透射元件的损坏。
81.根据权利要求80所述的系统，其中所述损坏包含负感效应。
82.根据权利要求78所述的系统，其中所述气体混合物的所述氙抑制离开所述气体混合物的辐射的所述光谱中包含处于所述等离子体灯的所述透射元件的吸收光谱内的波长的辐射。
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