CN109300885A - 整流桥及其使用方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及本发明涉及半导体器件领域，具体涉及一种整流桥及其使用方法，整流桥包括：封装壳体；所述封装壳体适于封装整流电路；其中所述整流电路包括：适于构成电桥结构的四个二极管，其中四个二极管中至少包括两个瞬态抑制二极管。通过封装壳体与整流电路构成整流桥，实现了对输入端的瞬态高压进行有效防护。

Description

整流桥及其使用方法
技术领域
本发明涉及半导体器件领域，具体涉及一种整流桥及其使用方法。
背景技术
现如今很多地方采用整流桥。
如今交流电通过桥整流后给后端元器件供电，如LED电源、充电器电源等。通常采用增加压敏电阻或TVS来减少外围电网波动的高压对电源系统的破坏作用。现有的整流桥线路复杂，成本高，如图1所示。
基于上述问题，针对整流桥设计一种新的整流电路。
发明内容
本发明的目的是提供一种整流桥及其使用方法，通过封装集成具有整流二极管低VF特性的TVS来实现线路的整流功能和保护功能，节省线路成本和PCB板空间。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种整流桥，包括：
封装壳体；
所述封装壳体适于封装整流电路；其中
所述整流电路包括：适于构成电桥结构的四个二极管，其中
四个二极管中至少包括两个瞬态抑制二极管。
进一步，所述四个二极管均采用瞬态抑制二极管；其中
第一瞬态抑制二极管的阳极连接第三瞬态抑制二极管的阴极作为本整流电路的第一输入端，第二瞬态抑制二极管的阳极连接第四瞬态抑制二极管的阴极作为本整流电路的第二输入端；以及
第一瞬态抑制二极管的阴极连接第二瞬态抑制二极管的阴极作为本整流电路的正输出端，第三瞬态抑制二极管的阳极连接第四瞬态抑制二极管的阳极作为本整流电路的负输出端。
进一步，所述四个二极管中另两个二极管适于采用整流二极管；其中
第一瞬态抑制二极管的阳极连接第二瞬态抑制二极管的阴极作为本整流电路的第一输入端，第三整流二极管的阳极连接第四整流二极管的阴极作为本整流电路的第二输入端；以及
第一瞬态抑制二极管的阴极连接第三整流二极管的阴极作为本整流电路的正输出端，第二瞬态抑制二极管的阳极连接第四整流二极管的阳极作为本整流电路的负输出端。
进一步，所述四个二极管中另两个二极管适于采用整流二极管；其中
第一瞬态抑制二极管的阳极连接第三整流二极管的阴极作为本整流电路的第一输入端，第二瞬态抑制二极管的阳极连接第四整流二极管的阴极作为本整流电路的第二输入端；以及
第一瞬态抑制二极管的阴极接第二瞬态抑制二极管的阴极作为本整流电路的正输出端，第三整流二极管的阳极连接第四整流二极管的阳极作为本整流电路的负输出端。
进一步，所述封装壳体包括：封装壳体本体和四个底料片；
所述四个底料片的一端均处于所述封装壳体本体的外部构成整流桥的四个引脚。
另一方面，本发明还提供一种整流桥的使用方法，
所述整流桥适于采用如权利要求1所述的整流桥；
所述整流桥连接电源和元器件，电源电压通过整流桥后给元器件供电，并且通过整流桥防护输入端的瞬态高压。
本发明的有益效果是，本发明通过封装壳体，以及封装于封装壳体内部的整流电路构成整流桥，实现了对输入端的瞬态高压进行有效防护
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是现有技术中整流桥所涉及的带有压敏电阻(TVS)的线路图；
图2(a)是本发明所涉及的整流桥中整流电路的第一种优选的实施方式的电路图；
图2(b)是本发明所涉及的整流桥中整流电路的第一种优选的实施方式的封装图；
图3是本发明所涉及的整流桥中整流电路的第二种优选的实施方式的电路图；
图4是本发明所涉及的整流桥中整流电路的第三种优选的实施方式的电路图；
图5是本发明所涉及的整流桥结构图。
图中：1为第一底料片、2为第二底料片、3为第三底料片、4为第四底料片、5为封装壳体本体。
具体实施方式
现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。
实施例1
本实施例提供了一种整流桥，包括：封装壳体；所述封装壳体适于封装整流电路；其中所述整流电路包括：适于构成电桥结构的四个二极管，其中四个二极管中至少包括两个瞬态抑制二极管；所述瞬态抑制二极管可以采用具有整流二极管低VF特性的瞬态抑制二极管；通过封装壳体与整流电路构成整流桥实现了对输入端的瞬态高压进行有效防护。
图2(a)是本发明所涉及的整流桥中整流电路的第一种优选的实施方式的电路图。
图2(b)是本发明所涉及的整流桥中整流电路的第一种优选的实施方式的封装图。
如图2(a)和图2(b)所示，在本实施例中，所述四个二极管均采用瞬态抑制二极管；其中第一瞬态抑制二极管的阳极连接第三瞬态抑制二极管的阴极作为本整流电路的第一输入端，第二瞬态抑制二极管的阳极连接第四瞬态抑制二极管的阴极作为本整流电路的第二输入端；以及第一瞬态抑制二极管的阴极连接第二瞬态抑制二极管的阴极作为本整流电路的正输出端，第三瞬态抑制二极管的阳极连接第四瞬态抑制二极管的阳极作为本整流电路的负输出端；所述四个瞬态抑制二极管可以采用焊料装片、打线或焊膏烧结等工艺互连；所述第一、第二输入端可以连接电源，所述正输出端和负输出端可以连接元器件，给元器件供电；所述元器件可以是LED电源和充电器电源等；通过整流电路可以有效减少外围电网波动的高压对电源系统的破坏作用。
图3是本发明所涉及的整流桥中整流电路的第二种优选的实施方式的电路图。
如图3所示，在本实施例中，所述四个二极管中另两个二极管适于采用整流二极管；其中第一瞬态抑制二极管的阳极连接第二瞬态抑制二极管的阴极作为本整流电路的第一输入端，第三整流二极管的阳极连接第四整流二极管的阴极作为本整流电路的第二输入端；以及第一瞬态抑制二极管的阴极连接第三整流二极管的阴极作为本整流电路的正输出端，第二瞬态抑制二极管的阳极连接第四整流二极管的阳极作为本整流电路的负输出端；所述两个瞬态抑制二极管和两个整流二极管可以采用焊料装片、打线或焊膏烧结等工艺互连；所述第一、第二输入端可以连接电源，所述正输出端和负输出端可以连接元器件，给元器件供电；所述元器件可以是LED电源和充电器电源等；通过整流电路可以有效减少外围电网波动的高压对电源系统的破坏作用。
图4是本发明所涉及的整流桥中整流电路的第三种优选的实施方式的电路图。
如图4所示，在本实施例中，所述四个二极管中另两个二极管适于采用整流二极管；其中第一瞬态抑制二极管的阳极连接第三整流二极管的阴极作为本整流电路的第一输入端，第二瞬态抑制二极管的阳极连接第四整流二极管的阴极作为本整流电路的第二输入端；以及第一瞬态抑制二极管的阴极接第二瞬态抑制二极管的阴极作为本整流电路的正输出端，第三整流二极管的阳极连接第四整流二极管的阳极作为本整流电路的负输出端；所述两个瞬态抑制二极管和两个整流二极管可以采用焊料装片、打线或焊膏烧结等工艺互连；所述第一、第二输入端可以连接电源，所述正输出端和负输出端可以连接元器件，给元器件供电；所述元器件可以是LED电源和充电器电源等；通过整流电路可以有效减少外围电网波动的高压对电源系统的破坏作用。
图5是本发明所涉及的整流桥结构图。
如图5所示，在本实施例中，所述封装壳体包括：封装壳体本体5和四个底料片；所述四个底料片分别为第一底料片1、第二底料片2、第三底料片3和第四底料片4；所述四个底料片的一端均处于所述封装壳体本体的外部构成整流桥的四个引脚；所述四个底料片均可以采用铜质材料；所述四个二极管可以通过焊膏、焊丝或焊片等方式分别与四个底料片形成粘连。
实施例2
在实施例1的基础上，本实施例2还提供一种整流桥的使用方法，所述整流桥适于采用如实施例1所述的整流桥；所述整流桥连接电源和元器件，电源电压通过整流桥后给元器件供电，并且通过整流桥防护输入端的瞬态高压。
综上所述，本发明通过封装壳体，以及封装于封装壳体内部的整流电路构成整流桥，实现了对输入端的瞬态高压进行有效防护；通过封装集成具有整流二极管低VF特性的瞬态抑制二极管来实现线路的整流功能和保护功能，节省线路成本和PCB板空间；为了降低成本，减少瞬态抑制二极管的使用个数，可以调整为通过两个瞬态抑制二极管和两个整流二极管来实现功能要求，同样可以对输入端的瞬态高压进行有效防护。
以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

Claims (6)

1.一种整流桥，其特征在于，包括：
封装壳体；
所述封装壳体适于封装整流电路；其中
所述整流电路包括：适于构成电桥结构的四个二极管，其中
四个二极管中至少包括两个瞬态抑制二极管。
2.如权利要求1所述的整流桥，其特征在于，
所述四个二极管均采用瞬态抑制二极管；其中
第一瞬态抑制二极管的阳极连接第三瞬态抑制二极管的阴极作为本整流电路的第一输入端，第二瞬态抑制二极管的阳极连接第四瞬态抑制二极管的阴极作为本整流电路的第二输入端；以及
第一瞬态抑制二极管的阴极连接第二瞬态抑制二极管的阴极作为本整流电路的正输出端，第三瞬态抑制二极管的阳极连接第四瞬态抑制二极管的阳极作为本整流电路的负输出端。
3.如权利要求1所述的整流桥，其特征在于，
所述四个二极管中另两个二极管适于采用整流二极管；其中
第一瞬态抑制二极管的阳极连接第二瞬态抑制二极管的阴极作为本整流电路的第一输入端，第三整流二极管的阳极连接第四整流二极管的阴极作为本整流电路的第二输入端；以及
第一瞬态抑制二极管的阴极连接第三整流二极管的阴极作为本整流电路的正输出端，第二瞬态抑制二极管的阳极连接第四整流二极管的阳极作为本整流电路的负输出端。
4.如权利要求1所述的整流桥，其特征在于，
所述四个二极管中另两个二极管适于采用整流二极管；其中
第一瞬态抑制二极管的阳极连接第三整流二极管的阴极作为本整流电路的第一输入端，第二瞬态抑制二极管的阳极连接第四整流二极管的阴极作为本整流电路的第二输入端；以及
第一瞬态抑制二极管的阴极接第二瞬态抑制二极管的阴极作为本整流电路的正输出端，第三整流二极管的阳极连接第四整流二极管的阳极作为本整流电路的负输出端。
5.如权利要求1所述的整流桥，其特征在于，
所述封装壳体包括：封装壳体本体和四个底料片；
所述四个底料片的一端均处于所述封装壳体本体的外部构成整流桥的四个引脚。
6.一种整流桥的使用方法，其特征在于，
所述整流桥适于采用如权利要求1所述的整流桥；
所述整流桥连接电源和元器件，电源电压通过整流桥后给元器件供电，并且通过整流桥防护输入端的瞬态高压。
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