CN109300574A - Hit太阳能电池用透明低温银浆及制备方法 - Google Patents
Hit太阳能电池用透明低温银浆及制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109300574A CN109300574A CN201811210878.2A CN201811210878A CN109300574A CN 109300574 A CN109300574 A CN 109300574A CN 201811210878 A CN201811210878 A CN 201811210878A CN 109300574 A CN109300574 A CN 109300574A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- hit
- low temperature
- silver paste
- solar batteries
- paste used
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 112
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 69
- 239000004332 silver Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 11
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 17
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 16
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 10
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 6
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- -1 2- ethylhexyl Chemical group 0.000 claims description 4
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 claims description 4
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YSUQLAYJZDEMOT-UHFFFAOYSA-N 2-(butoxymethyl)oxirane Chemical compound CCCCOCC1CO1 YSUQLAYJZDEMOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCOCC1CO1 AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 claims description 3
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QOHMWDJIBGVPIF-UHFFFAOYSA-N n',n'-diethylpropane-1,3-diamine Chemical compound CCN(CC)CCCN QOHMWDJIBGVPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 claims description 3
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 claims description 3
- NHARPDSAXCBDDR-UHFFFAOYSA-N propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCOC(=O)C(C)=C NHARPDSAXCBDDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 3
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 claims description 3
- 229960001124 trientine Drugs 0.000 claims description 3
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 claims description 2
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims description 2
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N (4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl) prop-2-enoate Chemical compound C1CC2(C)C(OC(=O)C=C)CC1C2(C)C PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 241001424688 Enceliopsis Species 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- GNEPLYVYORHREW-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3,6-pentamethyl-7-nitro-2h-inden-5-amine Chemical compound CC1=C(N)C=C2C(C)(C)CC(C)(C)C2=C1[N+]([O-])=O GNEPLYVYORHREW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N glycolonitrile Natural products N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000415 inactivating effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及HIT太阳能电池用透明低温银浆及其制备方法,发明的HIT太阳能电池用透明低温银浆包括纳米银线,树脂单体,溶剂,以及用于树脂单体固化的引发剂。纳米银线在HIT太阳能电池用低温银浆中的重量百分比为10‑90%;树脂单体在HIT太阳能电池用低温银浆中的重量百分比为5‑80%,溶剂在HIT太阳能电池用低温银浆中的重量比重小于或者等于10%,固化引发剂在HIT太阳能电池用低温银浆中的重量百分比为0.1‑5%。其有益效果是:创新性地使用纳米银线制备HIT太阳能电池用透明低温银浆,通过对纳米银线、树脂单体、溶剂和固化引发剂的选择,制备出高导电性的HIT太阳能电池用透明低温银浆,在保证导电率的前提下可以让更多的太阳光入射到HIT太阳能电池片内,从而大幅度地提高HIT太阳能电池的光电转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及高分子基导电材料领域,特别涉及HIT太阳能电池用透明低温银浆及其制备方法。
背景技术
异质结太阳能电池(Heterojunction with Intrinsic Thin-layer,简称HIT)最早由日本三洋公司于1990年开发成功,该技术结合了晶硅太阳能电池片和薄膜技术的双重优势,在n型硅片的两面上沉积本征和掺杂非晶硅薄膜以及透明导电氧化物(TCO)膜层来吸收所产生的电力,由于非晶硅具有光吸收强、钝化性能出色的特点,可以实现更高的太阳能光电转换效率,同时生产成本更低。目前国内HIT太阳能电池的量产转化效率可达23%。异质结太阳能电池的生产流程相对简单,工艺温度低,可以适应薄片化,从而大幅度降低电池片的制造成本。此外异质结太阳能电池还具有双面发电的特性,因此成为太阳能电池的主要发展方向。
异质结太阳能电池的正反两个表面都需要印刷由导电胶浆料组成的栅线用于电子的收集。由于异质结太阳能电池中含有非晶硅钝化层,因此不能耐受高温,所以与常规太阳能电池片印刷含玻璃粉的高温太阳能浆料不同,异质结太阳能电池必须使用在200℃以下固化的低温固化浆料。目前使用的低温固化浆料主要为环氧基含银的低温浆料,使用D50为2-5um左右的银粉且添加量通常需要达到90%,这种低温浆料体积电阻率偏高,为了保证较低的串联电阻需要较高的上胶量,但是较多的浆料必然带来较大的遮挡,不利于太阳能电池光电转换效率的提升。
目前关于透明导电浆料的的研发基本处于空白状态。专利公告号为CN 107946404A,公布日期为2018年04月20日的发明专利中提供了一种太阳能电池透明电极的制作方法,在前处理好的硅片上旋涂纳米银线胶体,然后在烘箱中烘干,最后在纳米银线透明导电膜上制作金属电极。这种方式只能制备透明电极,无法制透明浆料,仍然需要使用不透明的金属电极。因此,寻找一种低成本、高可靠性、高导电性的HIT太阳能电池用透明低温浆料仍是业界不断追求的目标。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供HIT太阳能电池用透明低温银浆及其制备方法。本发明的HIT太阳能电池用低透明温银浆是基于树脂单体、纳米银线、溶剂和固化剂等组合的具有低银粉添加比例、高电导性、高粘接性、高可靠性特征的可低温固化的透明导电浆料。
本发明提供的HIT太阳能电池用透明低温银浆及其制备方法,包括以下技术方案:
HIT太阳能电池用透明低温银浆,包括纳米银线,树脂单体,溶剂,以及用于树脂单体固化的引发剂。其中纳米银线在HIT太阳能电池用低温银浆中的重量百分比为10-90%,树脂单体在HIT太阳能电池用低温银浆的重量百分比为5-80%,溶剂在HIT太阳能电池用低温银浆的重量比重小于或者等于10%,固化引发剂在HIT太阳能电池用低温银浆的重量百分比为0.2-5%。
其中纳米银线的直径为5~800nm,长度为3~200um,纳米银线在HIT太阳能电池用透明低温银浆中的重量百分比为20-88%。
其中树脂单体包括环氧类单体或丙烯酸类单体中的一种或两种的混合物,树脂单体在HIT太阳能电池用透明低温银浆中的重量百分比为5-40%。
其中环氧类单体包括双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、甘油环氧树脂、丁烯环氧树脂或环戊二烯环氧树脂中的一种或几种,环氧树脂单体在HIT太阳能电池用透明低温银浆中的重量百分比为5-35%。
其中丙烯酸类单体包括甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸正丁酯、丙烯酸异冰片酯中的一种或几种,丙烯酸树脂单体在HIT太阳能电池用透明低温银浆的重量百分比为5-35%。
其中固化引发剂为可在一定温度下使树脂单体产生聚合反应的活性物质,固化引发剂包括乙二胺、己二胺、二乙烯三胺、三乙烯四胺、二乙氨基丙胺,双氰胺、顺丁烯二酸酐、邻苯二甲酸酐、2,5-二甲基-2,5-二叔丁基过氧己烷、过氧化苯甲酰和过氧化2-乙基己基酸叔丁酯中的一种或几种。在HIT太阳能电池用透明低温银浆中的重量百分比为0.2-5%。
其中溶剂包括丁基缩水甘油醚、聚丙二醇二缩水甘油醚、乙酸乙酯、苯甲醇、异构烷烃的一种或几种。溶剂在HIT太阳能电池用透明低温银浆的重量比重小于或者等于8%。
本发明的实施包括以下技术效果:
本发明提供的具有低银添加量、高电导性、高可靠性、高粘接性特征的可低温固化的HIT太阳能电池用透明低温银浆使用纳米银线做为导电材料。常规的HIT太阳能电池用低温浆料使用球形的银粉做为导电材料,由于球状银粉之间只能形成点接触,所以银粉的添加量需要达到90%(重量百分比)才能确保在浆料固化后具有较低的体积电阻率。而纳米银线具有极高的长径比,在浆料中可以同时实现点接触、线接触和面接触等多种接触状态,从而在较低的添加量下就可以实现极低的体积电阻率。此外纳米银线均匀地分散在浆料中,由于纳米银线的尺寸小于光的波长,可以实现浆料的透明性,从而制备出HIT太阳能电池用透明低温银浆。透明低温银浆用于HIT太阳能电池既可以满足其导电性、粘接性和可靠性要求,又可以让更多的太阳光线透过浆料进入HIT太阳能电池片转化为电能,进一步提升HIT太阳能电池的光电转换效率。
具体实施方式
下面将结合实施例对本发明加以详细说明,需要指出的是,所描述的实施例仅旨在便于对本发明的理解,而对其不起任何限定作用。
本实施例提供的HIT太阳能电池用透明低温银浆,包括纳米银线,树脂单体,溶剂,以及用于树脂单体固化的引发剂,其中纳米银线的直径为5~800nm,长度为3~200um,纳米银线在HIT太阳能电池用透明低温银浆中的重量百分比为20-88%。
树脂单体包括环氧类单体或丙烯酸类单体中的一种或几种的混合物。环氧类单体包括双酚A型环氧树脂、甘油环氧树脂、丁烯环氧树脂或环戊二烯环氧树脂中的一种或几种,丙烯酸类单体包括甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸正丁酯、丙烯酸异冰片酯中的一种或几种。树脂单体在HIT太阳能电池用低温银浆的重量百分比为5-35%。
固化引发剂包括乙二胺、己二胺、二乙烯三胺、三乙烯四胺、二乙氨基丙胺,双氰胺、顺丁烯二酸酐、邻苯二甲酸酐、2,5-二甲基-2,5-二叔丁基过氧己烷、过氧化苯甲酰和过氧化2-乙基己基酸叔丁酯中的一种或几种,在HIT太阳能电池用低温银浆的重量百分比为0.2-5%。
溶剂包括丁基缩水甘油醚、聚丙二醇二缩水甘油醚、乙酸乙酯、苯甲醇、异构烷烃的一种或几种。溶剂在HIT太阳能电池用低温银浆的重量比重小于或者等于8%。
环氧树脂或丙烯酸树脂等树脂单体、纳米银线、固化剂和溶剂等混合物在0~30℃下经双行星搅拌均匀混合得到低银填充量、高导电、高可靠性、高粘接强度的HIT太阳能电池用透明低温银浆。
与现有技术相比,本发明采用纳米银线形成立体导电网络,使纳米银线在浆料中同时实现点接触、线接触和面接触,这样的特殊结构使HIT太阳能电池用低温银浆可以呈现透明的外观,确保太阳光线能够穿透浆料,同时在较低的纳米银线添加量下实现低的体积电阻率,从而降低HIT太阳能电池的制造成本。
下述以多个实施例对上述的HIT太阳能电池用透明低温银浆的制备方法进行描述。
实施例1
本实施例的HIT太阳能电池用透明低温银浆的制备方法为精确称量400克丁基缩水甘油醚和7500克纳米银线并充分混合至形成透明溶液,其中纳米银线的平均直径为7nm,长度为10um,在搅拌的条件下继续添加1000克双酚A型环氧树脂,在室温下搅拌30分钟确保纳米银线在环氧树脂中分散均匀后添30克顺丁烯二酸酐再搅拌分散1小时,低压脱泡得到HIT太阳能电池用透明低温银浆,具体特性如下:
粘度:123,500mPa.s
粘接强度:6MPa(粘接基材为铝)
密度:1.36克/立方厘米
固化速度:15分钟(150℃)
体积电阻率:3.2×10-5Ω.cm
高温高湿(85℃,85%RH,500小时)老化后体积电阻率:3.7×10-5Ω.cm
使用该HIT太阳能电池用透明低温银浆印刷HIT电池片功率:
Isc(A) | Voc(V) | Pmax(W) | FF | ETA(%) |
9.779 | 0.730 | 5.654 | 79.2 | 23.08 |
本实施例中所制备的HIT太阳能电池用透明低温银浆可以大幅度地提升HIT太阳能电池的短路电流,从而制备出高转换效率的HIT太阳能电池片,且高温高湿老化后性能非常稳定。
实施例2
本实施例的HIT太阳能电池用透明低温银浆的制备方法为精确称量50克乙酸乙酯和680克纳米银线并充分混合至形成透明溶液,其中纳米银线的平均直径为5nm,长度为80um,在搅拌的条件下继续添加260克环戊二烯环氧树脂,在室温下搅拌30分钟确保纳米银线在环氧树脂中分散均匀后添加2.8克二乙烯三胺再搅拌分散1小时,低压脱泡得到HIT太阳能电池用透明低温银浆,具体特性如下:
粘度:188,000mPa.s
粘接强度:11MPa(粘接基材为铝)
密度:1.29克/立方厘米
固化速度:30分钟(160℃)
体积电阻率:1.7×10-5Ω.cm
高温高湿(85℃,85%RH,500小时)老化后体积电阻率:2.2×10-5Ω.cm
本实施例中所制备的HIT太阳能电池用透明低温银浆可以制备高效率的HIT太阳能电池片,且高温高湿老化后性能非常稳定。
实施例3
本实施例的HIT太阳能电池用透明低温银浆的制备方法为精确称量40克乙酸乙酯和500克纳米银线并充分混合至形成透明溶液,其中纳米银线的平均直径为8nm,长度为50um,在搅拌的条件下继续添加170克甲基丙烯酸正丁酯,在室温下搅拌30分钟确保纳米银线在甲基丙烯酸正丁酯中分散均匀后添加1.9克过氧化苯甲酰再搅拌分散1小时,低压脱泡得到HIT太阳能电池用透明低温银浆,具体特性如下:
粘度:285,000mPa.s
粘接强度:5.5MPa(粘接基材为铝)
密度:1.42克/立方厘米
固化速度:18分钟(120℃)
体积电阻率:4.8×10-6Ω.cm
本实施例中所制备的HIT太阳能电池用透明低温银浆可以制备高效率的HIT太阳能电池片,且高温高湿老化后性能非常稳定。
实施例4
本实施例的HIT太阳能电池用透明低温银浆的制备方法为精确称量50克丁基缩水甘油醚和600克纳米银线并充分混合至形成透明溶液,其中纳米银线的平均直径为3nm,长度为60um,在搅拌的条件下继续添加280克甲基丙烯酸乙酯,在室温下搅拌30分钟确保纳米银线在甲基丙烯酸乙酯中分散均匀后添加3克2,5-二甲基-2,5-二叔丁基过氧己烷再搅拌分散1小时,低压脱泡得到HIT太阳能电池用透明低温银浆,具体特性如下:
粘度:156,000mPa.s
粘接强度:7MPa(粘接基材为铝)
密度:1.18克/立方厘米
固化速度:8分钟(150℃)
体积电阻率:2.4×10-5Ω.cm
高温高湿(85℃,85%RH,500小时)老化后体积电阻率:2.8×10-5Ω.cm
本实施例中所制备的HIT太阳能电池用透明低温银浆可以制备高效率的HIT太阳能电池片,且高温高湿老化后性能非常稳定。
最后应当说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对本发明保护范围的限制,尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (8)
1.HIT太阳能电池用透明低温银浆,包括纳米银线,树脂单体,溶剂,以及用于树脂单体固化的引发剂,其特征在于:所述纳米银线在HIT太阳能电池用低温银浆中的重量百分比为10-90%;树脂单体在HIT太阳能电池用低温银浆的重量百分比为5-80%,溶剂在HIT太阳能电池用低温银浆的重量比重小于或者等于10%,固化引发剂在HIT太阳能电池用低温银浆的重量百分比为0.1-5%。
2.根据权利要求1所述的HIT太阳能电池用透明低温银浆,其特征在于:纳米银线的直径为5~800nm,长度为3~200um,纳米银线在HIT太阳能电池用透明低温银浆中的重量百分比为20-88%。
3.根据权利要求1所述的HIT太阳能电池用透明低温银浆,其特征在于:所述树脂单体包括环氧类单体或丙烯酸类单体中的一种或两种的混合物,树脂单体在HIT太阳能电池用低温银浆中的重量百分比为5-40%。
4.根据权利要求3所述的HIT太阳能电池用透明低温银浆,其特征在于:所述环氧类单体包括双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、甘油环氧树脂、丁烯环氧树脂或环戊二烯环氧树脂中的一种或几种,环氧树脂单体在HIT太阳能电池用低温银浆中的重量百分比为5-35%。
5.根据权利要求3所述的HIT太阳能电池用透明低温银浆,其特征在于:所述丙烯酸类单体包括甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸正丁酯、丙烯酸异冰片酯中的一种或几种,丙烯酸树脂单体在HIT太阳能电池用低温银浆中的重量百分比为5-35%。
6.根据权利要求1所述的HIT太阳能电池用透明低温银浆,其特征在于:所述固化引发剂为可在一定温度下使树脂单体产生聚合反应的活性物质,在HIT太阳能电池用低温银浆中的重量百分比为0.2-5%。
7.根据权利要求6所述的HIT太阳能电池用透明低温银浆料,其特征在于:所述固化引发剂包括乙二胺、己二胺、二乙烯三胺、三乙烯四胺、二乙氨基丙胺,双氰胺、顺丁烯二酸酐、邻苯二甲酸酐、2,5-二甲基-2,5-二叔丁基过氧己烷、过氧化苯甲酰和过氧化2-乙基己基酸叔丁酯中的一种或几种,所述固化剂引发剂在HIT太阳能电池用低温银浆中的重量百分比为0.2-4%。
8.根据权利要求1所述的HIT太阳能电池用透明低温银浆,其特征在于:所述溶剂包括丁基缩水甘油醚、聚丙二醇二缩水甘油醚、乙酸乙酯、苯甲醇、异构烷烃的一种或几种,溶剂在HIT太阳能电池用低温银浆的重量比重小于或者等于8%。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811210878.2A CN109300574A (zh) | 2018-10-18 | 2018-10-18 | Hit太阳能电池用透明低温银浆及制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811210878.2A CN109300574A (zh) | 2018-10-18 | 2018-10-18 | Hit太阳能电池用透明低温银浆及制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109300574A true CN109300574A (zh) | 2019-02-01 |
Family
ID=65157175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811210878.2A Pending CN109300574A (zh) | 2018-10-18 | 2018-10-18 | Hit太阳能电池用透明低温银浆及制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109300574A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110136863A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-08-16 | 南通天盛新能源股份有限公司 | 一种用于hit太阳能电池的低温导电银浆及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104021840A (zh) * | 2014-06-18 | 2014-09-03 | 中南大学 | 一种低温固化的高导电银浆、导电薄膜及其制备方法 |
CN105845755A (zh) * | 2016-05-12 | 2016-08-10 | 苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司 | 异质结太阳能电池及其制备方法 |
KR20170024604A (ko) * | 2017-02-27 | 2017-03-07 | 이엘케이 주식회사 | 포토레지스트 방식에 의한 일괄패턴 형성방법 |
CN108587326A (zh) * | 2018-05-11 | 2018-09-28 | 华南理工大学 | 一种银纳米线透明导电油墨及其制备方法与应用 |
CN108598190A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-09-28 | 苏州瑞力博新材科技有限公司 | 一种低密度hit太阳能电池用低温银浆及制备方法 |
-
2018
- 2018-10-18 CN CN201811210878.2A patent/CN109300574A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104021840A (zh) * | 2014-06-18 | 2014-09-03 | 中南大学 | 一种低温固化的高导电银浆、导电薄膜及其制备方法 |
CN105845755A (zh) * | 2016-05-12 | 2016-08-10 | 苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司 | 异质结太阳能电池及其制备方法 |
KR20170024604A (ko) * | 2017-02-27 | 2017-03-07 | 이엘케이 주식회사 | 포토레지스트 방식에 의한 일괄패턴 형성방법 |
CN108587326A (zh) * | 2018-05-11 | 2018-09-28 | 华南理工大学 | 一种银纳米线透明导电油墨及其制备方法与应用 |
CN108598190A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-09-28 | 苏州瑞力博新材科技有限公司 | 一种低密度hit太阳能电池用低温银浆及制备方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110136863A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-08-16 | 南通天盛新能源股份有限公司 | 一种用于hit太阳能电池的低温导电银浆及其制备方法 |
CN110136863B (zh) * | 2019-04-29 | 2020-09-15 | 南通天盛新能源股份有限公司 | 一种用于hit太阳能电池的低温导电银浆及其制备方法 |
WO2020220395A1 (zh) | 2019-04-29 | 2020-11-05 | 南通天盛新能源股份有限公司 | 一种用于hit太阳能电池的低温导电银浆及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2020220395A1 (zh) | 一种用于hit太阳能电池的低温导电银浆及其制备方法 | |
CN108598190A (zh) | 一种低密度hit太阳能电池用低温银浆及制备方法 | |
CN113012844B (zh) | 一种可快速固化烧结的hjt低温银浆及其制备方法 | |
CN108565041B (zh) | 一种高电导耐焊接型低温银浆及其制备方法 | |
CN111145934B (zh) | 一种可室温存储的异质结(hit)太阳能电池用银浆及制备方法 | |
CN101271929A (zh) | 无铅太阳能电池银浆及其制备方法 | |
CN103000255A (zh) | 一种适应低温烧结的太阳能电池正银浆料 | |
CN106683744A (zh) | 低温烧结太阳能电池背电极银浆 | |
TW201319213A (zh) | 太陽能電池用之導電膠組成物及其應用 | |
CN106816200A (zh) | 一种硅太阳能电池正面电极银浆及其制备方法 | |
CN103000248B (zh) | 一种适应高方阻浅结的太阳能电池正银浆料用粉体料 | |
WO2021159499A1 (zh) | 用于异质结太阳能电池的导电糊膏、异质结太阳能电池与电极结构 | |
CN114283960A (zh) | 一种TOPCon电池主栅银浆及其制备方法 | |
CN108198648A (zh) | 一种背钝化太阳能电池背面银浆 | |
CN109390076A (zh) | 全铝背场晶体硅太阳能电池用耐老化低温固化型背面银浆 | |
CN114267474A (zh) | 一种太阳能电池用高性能金属化浆料及其制备方法 | |
CN114464342A (zh) | 一种低电阻率低温太阳能银浆及其制备方法 | |
CN109659068B (zh) | 全铝背场晶体硅太阳能电池用低温固化型背面银浆 | |
CN109300574A (zh) | Hit太阳能电池用透明低温银浆及制备方法 | |
CN106531282A (zh) | 光伏太阳能电池导电银浆 | |
TWI657119B (zh) | 用於太陽能電池之背面電極糊料組成物 | |
KR20170108577A (ko) | 태양전지용 무연 도전 페이스트 | |
CN104992747A (zh) | 环保低串阻晶硅太阳能电池背电极银浆 | |
CN104575667B (zh) | 晶体硅太阳能电池正面用导电银浆 | |
CN114023489A (zh) | 低温银浆及异质结电池 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190201 |