CN109285936A - 用于制造多个转换元件的方法和光电子器件 - Google Patents

用于制造多个转换元件的方法和光电子器件 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种用于制造多个转换元件(100)的方法，所述方法具有如下步骤：A)提供第一载体(1)；B)借助于第一施加技术(3)将第一元件(2)施加到第一载体(1)上，其中第一元件(2)具有转换材料(21)；C)借助于模压(5)将第二元件(4)施加到第一载体(1)上，其中第二元件(4)具有量子点(6)，其中量子点(6)引入基体材料(7)中并且与转换材料(21)不同，其中第一施加技术(3)与模压(5)不同；D)硬化从步骤C)中产生的基体材料(7)；E)可选地将在步骤D)之后产生的装置重新设置到第二载体(8)上，和F)分割(9)，使得产生多个转换元件(100)。

Description

用于制造多个转换元件的方法和光电子器件
技术领域
本发明涉及一种用于制造多个转换元件的方法。此外，本发明涉及一种光电子器件，所述光电子器件包括至少一个转换元件，所述转换元件尤其借助在此描述的方法产生。
背景技术
转换元件通常具有转换材料，如例如常规的转换材料或量子点。转换材料将由辐射源发射的辐射转换成具有变化的、例如更长的波长的辐射。转换材料通常分散在基体材料中，以便获得呈可工艺处理的形式的转换材料。作为转换材料的量子点具有的缺点是：所述量子点通常由硒化镉构成或具有硒化镉，进而根据EHS(Environment Health andSafety，环境健康和安全)是令人担心的。由于该问题，不能够推荐施加技术、如例如喷涂作为工艺，因为在此整个设备腔由有毒材料污染。这引起高的材料废弃和设备的耗费的清洁工序。
发明内容
本发明的目的是：提供多个转换元件或至少一个转换元件，所述转换元件能够容易地产生。特别地，在此描述的方法显示出将用于施加元件的技术组合，经由所述技术能够制造含量子点的转换元件，所述转换元件出于EHS观点是明显更不令人担心的。
现在根据发明人的观点，用于半导体芯片上的所谓的“层附着”的含量子点的转换元件是未知的。按照标准，转换层经由丝网印刷或喷涂工艺产生。然而这两个工艺对于处理部分有毒的量子点是成问题的，因为一方面形成相对多有毒的废弃材料并且另一方面需要耗费地清洁设备。
所述一个目的或所述多个目的通过根据本发明的用于制造多个转换元件的方法和根据本发明的光电子器件来实现。方法的有利的设计方案和改进形式是下面描述的主题。
在至少一个实施方式中，用于制造多个转换元件的方法具有如下步骤：
A)提供第一载体，
B)借助于第一施加技术将第一元件施加到第一载体上，其中第一元件具有转换材料，
C)借助于模压将第二元件施加到第一载体上，其中第二元件具有量子点，其中量子点引入基体材料中并且与转换材料不同，其中第一施加技术与模压不同，
D)硬化从步骤C)中产生的基体材料，
E)可选地将在步骤D)之后产生的装置重新设置到第二载体上，和
F)分割，使得产生多个转换元件。
根据至少一个实施方式，方法具有步骤A)，提供第一载体。第一载体能够是薄膜、叠层或晶片。第一载体例如能够由蓝宝石形成。优选地，第一载体由聚四氟乙烯形成并且构成为薄膜。薄膜能够由所谓的“夹”环包围。
优选地，在此描述的方法以方法步骤A)至F)的顺序执行。替选地，能够交换方法步骤，尤其方法步骤B)和C)。
根据至少一个实施方式，方法具有步骤B)，借助于第一施加技术将第一元件施加到第一载体上。第一元件具有转换材料。特别地，转换材料嵌入另一基体材料中。
根据至少一个实施方式，第一施加技术是喷涂。喷涂(英文“spray coating”)对于本领域技术人员是充分已知的进而在此不详细地阐述。替选地，第一施加技术能够是电泳沉积。电泳沉积对于本领域技术人员是充分已知的进而在此不详细地阐述。
根据至少一个实施方式，第一元件具有转换材料。转换材料设计用于：将例如由半导体芯片发射的辐射转换成具有变化的波长的辐射。特别地，能够将任意常规的转换材料或常规的发光材料用作为转换材料。例如，能够使用如下转换材料：铕掺杂的氮化物，如例如(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+，Sr(Ca,Sr)Si2Al2N6:Eu2+，(Sr,Ca)AlSiN3*Si2N2O:Eu2+，(Ca,Ba,Sr)2Si5N8:Eu2+，(Sr,Ca)[LiAl3N4]:Eu2+，石榴石，如例如(Gd,Lu,Tb,Y)3(Al,Ga,D)5(O,X)12:RE，其中X＝卤素、N或二价元素，d＝三价或四价元素和RE＝稀土金属，如Lu3(Al1-xGax)5O12:Ce3 +，Y3(Al1-xGax)5O12:Ce3+，铕掺杂的硫化物，如例如(Ca,Sr,Ba)S:Eu2+；塞隆，如LixMyLnzSi12-(m+n)Al(m+n)OnN16-n；beta塞隆，如Si6-xAlzOyN8-y:REz；次氮基正硅酸盐，如例如AE2-x-aRExEuaSiO4-xNx，AE2-x-aRExEuaSi1-yO4-x-2yNx，其中RE＝稀土金属和AE＝碱土金属，氯硅酸盐，如例如Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu2+，氯磷酸盐，如例如(Sr,Ba,Ca,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu2+，出自氧化钡-、氧化镁-和氧化铝体系的BAM发光材料，如例如BaMgAl10O17:Eu2+，卤素磷酸盐，如例如M5(PO4)3(Cl,F):(Eu2+,Sb3+,Mn2+)，SCAP发光材料，如例如(Sr,Ba,Ca)5(PO4)3Cl:Eu2+。此外，可以使用如在EP 2549330A1中描述的转换材料。
作为转换材料也能够使用量子点(英文quantum dots)。量子点能够以纳米晶体材料的形式具有II-VI族化合物中的材料和/或III-V族化合物中的材料和/或IV-VI族化合物中的材料和/或金属纳米晶体。优选地，包含在转换材料中的量子点不是有毒的。
根据至少一个实施方式，方法具有步骤C)：借助于模压将第二元件施加到第一载体上，其中第二元件具有量子点，其中量子点引入基体材料中。第一施加技术与模压不同。
作为模压在此和在下文中表示模塑(Molding)、尤其压缩模塑(CompressionMolding)。模压(模塑，压缩模塑)对于本领域技术人员是充分已知的进而在此不详细地阐述。
根据至少一个实施方式，量子点是有毒的。特别地，量子点根据EHS是令人担心的。
根据至少一个实施方式，量子点选自：InP、CdS、CdSe、InGaAs、GaInP和CuInSe2。量子点设计用于对辐射进行波长转换。这些量子点分别具有表面。进行波长转换的量子点尤其为灵敏的转换材料，即相对于氧气、湿气和/或酸性气体敏感的转换材料。优选地，量子点为纳米颗粒，即大小在纳米范围中的具有例如在至少1nm和最高1000nm之间的粒径d50的微小颗粒。
量子点包括半导体核，所述半导体核具有进行波长转换的特性。特别地，量子点的核包括II-IV族或III-V族半导体或由其构成。例如，半导体核选自：InP、CdS、CdSe、InGaAs、GaInP和CuInSe2。半导体核能够由一个或多个层作为覆层包覆。覆层能够是有机的和/或无机的。换言之，半导体核能够在其外面或表面上完全地或几乎完全地由另外的层覆盖。
半导体核能够是单晶的或多晶的附聚物。
根据至少一个实施方式，量子点具有3nm至10nm、尤其优选3nm至5nm的平均直径。通过改变量子点的大小，能够有针对性地改变经转换的辐射的波长，进而相应地匹配于相应的应用。量子点能够球形地或小棒形地成形。
量子点的第一包覆层例如借助无机材料、如例如硫化锌、硫化镉和/或硒化镉形成，并且用于产生量子点势能。第一包覆层和半导体核可以在露出的表面上由至少一个第二包覆层几乎完全地包围。特别地，第一包覆层是无机配体壳，所述无机配体壳尤其具有包括半导体核在内的1nm至10nm的平均直径。第二包覆层例如可以借助有机材料、如例如胱胺或半胱氨酸形成，并且有时用于改善量子点在例如基体材料和/或溶剂中的溶解性。在此可行的是：由于第二包覆层，改善量子点在基体材料中的空间均匀分布。
基体材料例如能够至少由如下材料之一形成：丙烯酸酯，硅树脂，杂化材料，如Ormocer，例如Ormoclear，聚二甲基硅氧烷(PDMS)，聚二乙烯基硅氧烷或其混合物。
根据至少一个实施方式，量子点和转换材料分别作为颗粒成形。优选地，量子点的大小小于转换材料颗粒的大小。换言之，转换材料的颗粒大于量子点的颗粒。例如，转换材料具有在10μm至25μm之间的粒径(d50)。
根据至少一个实施方式，转换材料引入另一材料中，尤其分散在其中。特别地，第一元件作为层成形。第一元件能够具有30μm至300μm、尤其优选在60μm和150μm之间的层厚度。能够将用于基体材料的在此描述的材料用作为用于另一基体材料的材料，并且反之亦然。特别地，基体材料和/或另一基体材料由硅树脂、聚硅氧烷、环氧化物或杂化材料形成或由其构成。
根据至少一个实施方式，第二元件作为层成形。优选地，第二元件具有10μm至150μm、尤其优选在30μm至80μm之间的层厚度。
根据至少一个实施方式，转换材料均匀地分布在第一元件中和/或量子点均匀地分布在第二元件中。替选地，量子点和/或转换材料以浓度梯度分布在相应的元件中。
根据至少一个实施方式，在步骤B)之前进行步骤C)和/或步骤D)。借此，在第一元件之前在第一载体上产生第二元件。优选地，提供第一载体。随后，在第一元件上施加第二元件。这造成由第一载体、第二元件和第一元件构成的层序列。可能地，在第一元件和第一载体之间能够设置有另一层，例如粘接层。
根据至少一个实施方式，第一元件和第二元件构成为层序列。特别地，层序列能够具有第一载体或第二载体、第一元件和第二元件的顺序。特别地，元件和第一和/或第二载体以直接彼此机械接触的方式设置。替选地，层序列也能够具有第一或第二载体、随后第二元件和随后第一元件的顺序。在此，元件和载体也能够优选地以直接彼此机械接触的方式设置。
根据至少一个实施方式，转换元件是固体照明装置的一部分。换言之，转换元件用于普通照明。
替选地，转换元件是背光照明装置的一部分。
优选地，至少一个转换元件设置或引入半导体芯片的光路中。光路也能够由多于一个半导体芯片形成。
优选地，至少一个半导体芯片发射出自IR、UV和/或可见波长范围的辐射。例如，半导体芯片发射出自蓝色波长范围的辐射。
根据至少一个实施方式，半导体芯片作为无机发光二极管成形。半导体芯片能够具有半导体层序列。半导体层序列能够由III-V族半导体材料构成或具有这种材料。半导体材料例如为氮化物化合物半导体材料，如AlnIn1-n-mGamN，或为磷化物化合物半导体材料，如AlnIn1-n-mGamP，或也为砷化物化合物半导体材料，如AlnIn1-n-mGamAs，其中分别有0≤n≤1，0≤m≤1并且n+m≤1。在此，半导体层序列能够具有掺杂物以及附加的组成部分。然而，为了简单性仅说明半导体层序列的晶格的主要组成部分，即Al、As、Ga、In、N或P，即使这些主要组成部分能够部分地由少量的其他物质替代和/或补充时也如此。
半导体层序列包括一个或多个有源层。至少一个有源层设计用于产生电磁辐射。例如，有源层包含至少一个pn结或至少一个量子阱结构。特别地，在有源层中在半导体构件运行时产生紫外的、可见的和/或近红外的辐射。在有源层中产生的辐射具有主波长。主波长、英文Peak Wavelength是如下波长，在所述波长处，在正常运行时产生最大的辐射强度。
根据至少一个实施方式，在步骤F)之前引入多个半导体芯片。在此，不进行步骤E)。作为第一载体优选使用晶片。换言之，在此，晶片作为第一载体提供，例如提供硅晶片。随后，将第一元件借助于第一施加技术、例如借助于喷涂施加到多个半导体芯片和晶片上。随后，能够将具有量子点的第二元件借助于模压或模塑施加。替选地，第二元件和随后第一元件也能够施加在晶片和半导体芯片上。在另一步骤中，能够将相应的基体材料硬化。可能地，能够将至此产生的装置重新设置到第二载体上，尤其重新层压到第二载体上。随后，能够进行分割，使得产生多个光电子器件，所述光电子器件分别具有在此描述的转换元件。
根据至少一个实施方式，第一元件发射出自绿色波长范围的辐射，并且第二元件发射出自红色波长范围的辐射。替选地或附加地，至少一个半导体芯片发射出自蓝色波长范围的辐射。光电子器件能够设计用于完全转换或部分转换。在部分转换时，例如在此处描述的实例中，能够从光电子器件发射白色的混合光。
替选地，第一元件能够发射出自红色波长范围的辐射，并且第二元件能够发射出自绿色波长范围的辐射。半导体芯片于是优选设计用于：发射出自蓝色波长范围的辐射。
根据至少一个实施方式，方法具有步骤D)，硬化从步骤C)中产生的基体材料。
基体材料或还有另一基体材料能够在施加之后硬化。硬化例如能够通过提高温度或借助于UV辐照进行。可能地，也能够添加用于硬化的引发剂。
根据至少一个实施方式，方法能够具有步骤E)：将在步骤D)之后产生的装置重新设置到第二载体上。例如，重新设置能够通过重新层压来进行。第一载体例如是由聚四氟乙烯构成的叠层或薄膜。第二载体例如能够是锯割薄膜。通过重新层压到第二载体上，能够确保所产生的装置的附着并且随后进行分割。
根据至少一个实施方式，方法具有步骤F)：分割，使得产生多个转换元件。
根据至少一个实施方式，第一载体和第二载体是相同的。换言之，在此不进行步骤E)。也就是说，第一载体至少在分割之前仍然是方法的组成部分。
本发明还涉及一种光电子器件。本发明还涉及一种转换元件，所述转换元件借助在此描述的方法产生。在此，转换元件和用于制造多个转换元件的方法的全部实施方式和定义也适用于转换元件和也适用于光电子器件，并且反之亦然。
根据至少一个实施方式，光电子器件在光路中具有至少一个转换元件。转换元件优选借助在此描述的方法产生。替选地或附加地，光电子器件也能够具有多个转换元件。附加地，光电子器件能够具有一个在此描述的半导体芯片或多个半导体芯片。
发明人认识到：第一施加技术与模压的组合能够提供低成本的方法，所述方法优选将有毒的量子点容易地施加到半导体芯片上，其中第一施加技术尤其是喷涂。在该方法中，能够实现由用于施加具有优选较大粒度的常规的转换材料的喷涂和用于施加具有较小粒度的有毒的量子点的模压(压缩模塑)构成的组合。
替选地也能够经由压缩模塑工艺处理常规的细粒颗粒，如例如二氧化钛或具有>5μm大小的发光材料。压缩模塑极其好地适合于此，因为细颗粒能够以更小的层厚度(大约30μm)施加而不发生离析(所谓的流线)。在此，较大的粒度表示具有>20μm直径的粒度。较小的粒度在此尤其表示具有<20μm直径的粒度。
根据至少一个实施方式，常规的转换材料(发光材料)通过喷涂施加到临时载体上。转换材料颗粒在此优选嵌入另一基体材料、如硅树脂或环氧树脂中。随后，能够进行硬化步骤，用于另一基体材料的交联。随后，能够经由压缩模塑施加含量子点的层。量子点同样能够嵌入基体材料中。随后能够硬化基体材料，以便其交联。可选地，能够将具有量子点的另外的层或扩散层经由模压施加。该装置能够重新层压在锯割薄膜上。随后，能够将所制造的多层的硅树脂薄膜分割成各个转换薄板。
转换元件能够在所谓的拾取和放置工艺中施加到至少一个半导体芯片的表面或尤其辐射主面上。
根据至少一个实施方式，在步骤D)之后施加另外的元件，所述另外的元件例如具有量子点。施加另外的元件能够经由模压、如压缩模塑进行。另外的元件能够具有嵌入基体材料中的量子点。
根据至少一个实施方式，在步骤C)之后能够施加另外的层，所述层具有扩散特性。所述层也称作为扩散层。
根据至少一个实施方式，缺少步骤B)。换言之，不将第一元件施加到第一载体上。例如当不需要粗的发光材料时，能够是这种情况。转换元件于是不具有第一元件，而是包括第二元件。换言之，转换材料于是不具有转换材料，而是仅具有量子点。
同样能够考虑的是：模塑或喷射附加的透明硅树脂层。这能够提高机械强度。
在此描述的转换元件能够用于背光工艺或背光照明。经由在此描述的方法，例如能够制造用于背光照明的专用的转换元件。对此，例如能够经由喷涂施加常规的发射红色的转换材料。在此能够使用极其窄带的进行发射的发光材料。随后，具有量子点的发射绿色的第二元件能够经由模压施加在发射红色的转换材料上。随后，能够制造根据该方法制造的转换元件，所述转换元件优选成形为转换薄板。转换薄板随后特征在于极其窄带的发射(窄带的发射红色的转换材料和窄带的绿色的量子点)。因为发射蓝色的半导体芯片也极其窄带地发射，由此能够展开极其大的色彩空间，这能够实现LCD显示器的极其高的色彩饱和度。
根据至少一个实施方式，将转换元件用于所谓的固态照明(SolidStateLighting，简称SSL，其是固体照明的英文)。这涉及如下照明装置类型，所述照明装置使用发光二极管(LED)、有机发光二极管(OLED)或聚合物发光二极管(PLED)以及激光二极管作为光源。
在此，由宽带的发射绿色的转换材料和窄带的发射红色的第二元件产生转换元件，所述发射绿色的转换材料经由喷涂施加，所述第二元件包括经由模压施加的量子点。由此，能够产生高的效率(In/W)，因为窄带的发射红色的量子点尤其不在红外范围中发射。
具有量子点的第二元件能够出于如下理由是有利的：
–通过量子点的小的粒度，经由模压能够制造极其薄的层，例如30μm的层，而没有离析现象，所谓的流线，其中所述量子点未封装时处于纳米范围中并且封装时具有几微米范围。
–在模压时，不产生废弃材料，即不必清除有毒的材料残余物。
–在模压时，通过ETFE薄膜保护造型腔。ETFE在此表示乙烯-四氟乙烯共聚物。ETFE是特氟龙(PTFE)的衍生物，所述衍生物由于良好的抗附着特性用于压缩模塑保护薄膜。保护薄膜能够处于模塑工具和引入的模塑材料(例如具有发光材料的硅树脂)之间并且能够防止：模塑材料保持粘贴在模塑工具上。由此，工具不由有毒的含量子点的材料污染。由此取消耗费的清洁工艺。该方法能够成本适宜地执行。
附图说明
其他的优点、有利的实施方式和改进形式从下文中结合附图描述的实施例中得出。
图1A至1D示出用于制造多个转换元件的方法。
图2A和2B示出根据一个实施方式的方法步骤。
图3A至3H示出用于制造根据一个实施方式的转换元件的方法。
图4A和4B示出根据一个实施方式的方法步骤。
在实施例和附图中，相同的、同类的或起相同作用的元件能够分别设有相同的附图标记。示出的元件和其彼此间的大小比例不能够视为是合乎比例的。更确切地说，为了更好的可视性和/或为了更好的理解能够夸大地示出个别元件，如例如层、构件、器件和区域。
具体实施方式
图1A至1D示出根据一个实施方式的用于制造多个转换元件的方法。如在图1A中示出，提供载体，例如聚四氟乙烯薄膜。在该第一载体1上施加第一元件2。第一元件2借助于第一施加技术3施加。第一施加技术3例如能够是喷涂或电泳沉积。第一元件2能够具有转换材料21，尤其常规的发光材料(图1B)。转换材料21能够分散在另一基体材料22(在此未示出)中。借助于模压将第二元件4产生到第一元件2上(图1C)。第二元件4能够具有量子点6。量子点6分散在例如由硅树脂构成的基体材料7中。随后，能够将基体材料7硬化。在步骤C)之前，也能够在使用另一基体材料的情况下，将所述另一基体材料硬化。第一元件2和第二元件4能够分别作为例如具有大约30μm层厚度的层成形。随后，将在步骤D)中产生的装置重新层压到第二载体8上(在此未示出)。随后，能够将该装置分割9(图1D)，使得产生多个转换元件。每个转换元件例如具有第一或第二载体1、8、第一元件2和第二元件4。
替选于根据图1A至1G的方法，也能够将第一元件2和第二元件4互换。换言之，首先将第二元件4施加到第一载体1上，并且随后将第一元件2施加到第二元件4上(图2A)。
随后，根据图2B，在分割9之后产生的多个转换元件具有第一或第二载体1、8、随后第二元件4和随后第一元件2的层序列。在第一或第二载体1、8和第二元件4之间能够存在粘接层。粘接层例如能够具有硅树脂。
图3A至3H示出用于制造多个转换元件的方法。
根据图3A提供第一载体1。第一载体1设计用于喷涂。例如，第一载体1是具有夹环12的聚四氟乙烯薄膜。
随后，根据图3B例如能够借助于喷涂施加转换材料21。特别地，转换材料21具有>20μm的颗粒大小。借此能够产生均匀的层。
如在图3C中示出，随后，模压能够产生第二元件4。第二元件4具有量子点6，所述量子点尤其具有小于常规的转换材料21的粒径，所述常规的转换材料借助于喷涂来施加。
根据图3D随后将该装置施加到第二载体8、尤其锯割薄膜上。锯割薄膜8提高附着性。
根据图3E，随后进行分割，使得产生多个转换元件。
产生至少一个转换元件，所述转换元件具有由第一元件2和由第二元件4构成的层序列。
所述转换元件例如能够如在图3G和3H中示出的那样施加在半导体芯片上10。第一元件2能够设计用于：发射出自红色波长范围的辐射。于是，第二元件4优选设计用于：发射出自绿色波长范围的辐射。替选地，第一元件2也能够设计用于：发射出自绿色波长范围的辐射，并且第二元件4设计用于发射出自红色波长范围的辐射。
优选地，半导体芯片10或至少一个半导体芯片10发射出自蓝色波长范围的辐射。该装置能够设置在电路板11上。在电路板11和半导体芯片10之间能够设置有用于电接触的接触结构13。转换元件例如能够借助于粘接层施加在半导体芯片10的主辐射出射面上。图3G的器件能够用于背光照明。图3H的器件能够用于固体照明。
图4A和4B示出根据一个实施方式的方法步骤。
在此，将方法应用于第一载体1，所述第一载体是晶片。在晶片1上设置有多个半导体芯片10。半导体芯片10例如矩阵状地设置。
随后，进行方法步骤B)并且施加第一元件2。随后，进行方法步骤C)并且施加第二元件4(图4A)。
如在图4B中示出，随后能够进行分割进而产生光电子器件1000，所述光电子器件具有载体1、8，例如第一或第二载体，在其上设置有半导体芯片10，所述半导体芯片完全地嵌入第一元件2中，并且框架状地由第一元件2包围。随后，第二元件4能够设置在第一元件2下游。
结合附图描述的实施例和其特征根据另外的实施例也能够彼此组合，即使这种组合未明确地在附图中示出时也如此。此外，结合附图描述的实施例能够具有根据概述部分中的描述的附加的或替选的特征。
本发明不通过根据实施例进行的描述局限于此。更确切地说，本发明包括任意新的特征以及特征的任意组合，这尤其包含实施例中的特征的各个组合，即使所述特征或所述组合本身没有在实施例中明确地说明时也如此。
本申请要求德国专利申请102017116279.8的优先权，其公开内容以引用的方式并入本文。
附图标记列表
1000 光电子器件
100 转换元件
1 第一载体
2 第一元件
21 转换材料
22 另一基体材料
3 第一施加技术
4 第二元件
5 模压
6 量子点
7 基体材料
8 第二载体
9 分割
10 一个或多个半导体芯片
11 电路板
12 夹环
13 电的接触结构

Claims (18)

1.一种用于制造多个转换元件(100)的方法，所述方法具有如下步骤：
A)提供第一载体(1)，
B)借助于第一施加技术(3)将第一元件(2)施加到所述第一载体(1)上，其中所述第一元件(2)具有转换材料(21)，
C)借助于模压(5)将第二元件(4)施加到所述第一载体(1)上，其中所述第二元件(4)具有量子点(6)，其中所述量子点(6)引入基体材料(7)中并且与所述转换材料(21)不同，其中所述第一施加技术(3)与所述模压(5)不同，
D)硬化从步骤C)中产生的基体材料(7)，
E)可选地将在步骤D)之后产生的装置重新设置到第二载体(8)上，和
F)分割(9)，使得产生多个转换元件(100)。
2.根据权利要求1所述的方法，
其中所述第一施加技术(3)是喷涂或电泳沉积。
3.根据权利要求1或2所述的方法，
其中所述量子点(6)是有毒的。
4.根据权利要求1或2所述的方法，
其中所述量子点(6)选自：InP、CdS、CdSe、InGaAs、GaInP和CuInSe2。
5.根据权利要求1或2所述的方法，
其中所述转换材料(21)嵌入另一基体材料(22)中，并且所述第一元件(2)作为层成形。
6.根据权利要求1或2所述的方法，
其中所述第二元件(4)作为层成形。
7.根据权利要求1或2所述的方法，
其中在步骤B)之前进行步骤C)和/或步骤D)，使得在所述第一元件(2)之前在所述第一载体(1)上产生所述第二元件(4)。
8.根据权利要求1或2所述的方法，
其中所述第一元件(2)和所述第二元件(4)形成层序列。
9.根据权利要求1或2所述的方法，
其中所述基体材料(7)和/或所述另一基体材料(22)是硅树脂、聚硅氧烷、环氧化物或杂化材料。
10.根据权利要求1或2所述的方法，
其中所述第一载体(1)是薄膜、叠层或晶片。
11.根据权利要求1或2所述的方法，
其中至少一个转换元件(100)是固体照明装置的一部分。
12.根据权利要求1或2所述的方法，
其中至少一个转换元件(100)是背光照明装置的一部分。
13.根据权利要求1或2所述的方法，
其中将至少一个转换元件(100)引入到半导体芯片(10)的光路中。
14.根据权利要求1或2所述的方法，
其中在步骤F)之前，引入多个半导体芯片(10)，其中不进行步骤E)，其中所述第一载体(1)是晶片。
15.根据权利要求1或2所述的方法，
其中所述第一元件(2)发射出自绿色波长范围的辐射，并且所述第二元件(4)发射出自红色波长范围的辐射，或者相反，并且其中所述半导体芯片(10)发射出自蓝色波长范围的辐射。
16.根据权利要求1或2所述的方法，
其中所述第二载体(8)是锯割薄膜。
17.根据权利要求1或2所述的方法，
其中所述第一载体(1)和所述第二载体(8)是相同的。
18.一种光电子器件(1000)，所述光电子器件在光路中具有至少一个转换元件(100)，所述转换元件根据权利要求1或2产生。
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