CN109270983A - 带偏移消除功能的包络跟踪电流偏置电路和功率放大器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种带偏移消除功能的包络跟踪电流偏置电路和功率放大器，所述包络跟踪(ET)电流偏置电路包括：包络检测电路，从输入信号检测ET电压；第一电压/电流转换电路，将参考电压转换为直流(DC)电流，并根据第一控制信号调节所述DC电流；第二电压/电流转换电路，将所述ET电压转换为ET电流，根据第二控制信号调节所述ET电流，并从所述ET电流去除DC偏移电流，以提供偏移补偿ET电流；以及运算电路，计算所述偏移补偿ET电流和所述DC电流的大小，以产生ET偏置电流。

Description

带偏移消除功能的包络跟踪电流偏置电路和功率放大器
本申请要求于2017年7月18日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0091091号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用包含于此。
技术领域
以下描述涉及一种应用于功率放大系统以基于输入信号的包络而从包络跟踪(ET)电流有效地消除直流(DC)偏移电流的ET电流偏置电路和功率放大器。
背景技术
通常，平均功率跟踪(APT)或包络跟踪(ET)用作减小功率放大器模块(PAM)的电流消耗的方法。
APT技术是通过根据平均输出功率调整电源电压(VCC)来增大效率的方法。ET技术是根据射频(RF)信号的包络通过控制功率放大器(PA)的电源电压来增大效率的方法。
ET技术是针对RF信号中具有相对低水平振幅的部分通过降低PA的电源电压来减小平均电流消耗以及针对RF信号中的具有相对高水平振幅的部分通过增加PA的电源电压以防止其线性劣化的方法。
此外，APT技术是提供计算在预定时间期间的包络信号的平均值的VCC的方法。此外，由于ET技术提供计算包络信号的瞬时值的VCC，因此单独地需要ET调制器。
功率放大器可包括ET偏置电路，以减小电流消耗。ET偏置电路可包括包络检测电路以及电压/电流转换电路以检测输入信号的包络信号。
然而，由于包络检测电路基于输入信号的包络提供ET电压，并且ET电压包括不期望的DC偏移电压，因此这样的DC偏移电压和ET电压在电压/电流转换电路中被转换为电流。因此，在从电压/电流转换电路输出的ET电流中包括不必要的DC偏移电流方面存在局限性。
发明内容
提供本发明内容，以按照简化的形式介绍构思的选择，下面在具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容不意在确定所要求保护主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。
各个示例提供了一种被配置为基于输入信号的包络从ET电流去除直流(DC)偏移电流以提供准确的ET电流的包络跟踪(ET)电流偏置电路和功率放大器。
根据示例，提供一种包络跟踪(ET)电流偏置电路，所述ET电流偏置电路包括：包络检测电路，被配置为从输入信号检测ET电压；第一电压/电流转换电路，被配置为将参考电压转换为直流(DC)电流，并根据第一控制信号调节所述直流电流；第二电压/电流转换电路，被配置为将所述ET电压转换为ET电流，根据第二控制信号调节所述ET电流，并从所述ET电流去除DC偏移电流，以提供偏移补偿ET电流；以及运算电路，被配置为计算所述偏移补偿ET电流和所述DC电流的大小，以产生ET偏置电流。
所述第二电压/电流转换电路还可包括被配置为与所述第一电压/电流转换电路的电路结构相同的电路结构，以产生与所述ET电流中包括的DC偏移电流相对应的DC偏移补偿电流，并通过使用所述DC偏移补偿电流去除所述DC偏移电流。
所述第二电压/电流转换电路还可包括：电压/电流转换电路，被配置为提供根据所述第二控制信号调节的ET电流；偏移电流产生电路，被配置为产生与所述ET电流中包括的DC偏移电流相对应的DC偏移补偿电流，并提供根据所述第二控制信号调节的所述DC偏移补偿电流；以及偏移去除电路，被配置为通过使用从所述偏移电流产生电路供应的所述DC偏移补偿电流去除所述ET电流中包括的所述DC偏移电流。
所述电压/电流转换电路还可包括：第一电流源电路，被配置为包括第一运算放大器、第一电阻电路和第一金属氧化物半导体(MOS)晶体管电路，以根据所述ET电压产生第一电流；以及第一电流镜电路，被配置为包括通过电流镜连接到所述第一MOS晶体管电路的第二MOS晶体管电路，以提供与所述第一电流相对应的所述ET电流。
所述偏移电流产生电路还可包括：第二电流源电路，被配置为包括第二运算放大器、第二电阻电路和第三MOS晶体管电路，以根据所述参考电压产生所述DC偏移补偿电流；第二电流镜电路，被配置为包括通过所述电流镜连接到所述第三MOS晶体管电路的第四MOS晶体管电路，以对所述DC偏移补偿电流进行镜像；以及第三电流镜电路，被配置为通过所述电流镜连接到所述第二电流镜电路，并通过使用所述DC偏移补偿电流从所述ET电流去除所述DC偏移电流。
所述第一电阻电路可被配置为根据所述第二控制信号基于电阻值的改变调节所述ET电流，所述第二电阻电路可被配置为根据所述第二控制信号基于电阻值的改变调节所述DC偏移补偿电流。
所述包络检测电路还可包括：整流电路，被配置为从所述输入信号检测所述ET电压，其中，所述ET电压包括DC偏移电压；偏移电压产生电路，被配置为产生与所述DC偏移电压相对应的DC偏移补偿电压；以及偏移电压消除电路，被配置为从所述DC偏移电压减去所述DC偏移补偿电压，以提供可从所述ET电压中减少所述DC偏移电压的ET电压。
所述运算电路可将所述偏移补偿ET电流和所述DC电流相加或相减来产生所述ET偏置电流。
根据示例，提供一种功率放大器，所述功率放大器包括：ET电流偏置电路，被配置为基于输入信号的包络产生ET偏置电流；以及功率放大电路，被配置为包括缓冲偏置电路和功率放大器，所述缓冲偏置电路放大所述ET偏置电流以提供第二ET偏置电流，所述功率放大器接收所述第二ET偏置电流以放大所述输入信号。所述ET电流偏置电路还可包括：包络检测电路，被配置为从所述输入信号检测ET电压；第一电压/电流转换电路，被配置为将参考电压转换为DC电流，并根据第一控制信号调节所述DC电流；第二电压/电流转换电路，被配置为将所述ET电压转换为ET电流，根据第二控制信号调节所述ET电流，并从所述ET电流去除DC偏移电流，以提供偏移补偿ET电流；以及运算电路，被配置为计算所述偏移补偿ET电流和所述DC电流的大小，以产生所述ET偏置电流。
所述第二电压/电流转换电路还可包括被配置为与所述第一电压/电流转换电路的电路结构相同的电路结构，以产生与所述ET电流中包括的所述DC偏移电流相对应的DC偏移补偿电流，并通过使用所述DC偏移补偿电流去除所述DC偏移电流。
所述第二电压/电流转换电路还可包括：电压/电流转换电路，被配置为提供根据所述第二控制信号调节的ET电流；偏移电流产生电路，被配置为产生与所述ET电流中包括的所述DC偏移电流相对应的DC偏移补偿电流，并提供根据所述第二控制信号调节的所述DC偏移补偿电流；以及偏移去除电路，被配置为通过使用从所述偏移电流产生电路供应的所述DC偏移补偿电流去除所述ET电流中包括的所述DC偏移电流。
所述电压/电流转换电路还可包括：第一电流源电路，被配置为包括第一运算放大器、第一电阻电路和第一MOS晶体管电路，以根据所述ET电压产生第一电流；以及第一电流镜电路，被配置为包括通过电流镜连接到所述第一MOS晶体管电路的第二MOS晶体管电路，以提供与所述第一电流相对应的所述包络跟踪电流。
所述偏移电流产生电路还可包括：第二电流源电路，被配置为包括第二运算放大器、第二电阻电路和第三MOS晶体管电路，以根据所述参考电压产生所述DC偏移补偿电流；第二电流镜电路，被配置为包括通过所述电流镜连接到所述第三MOS晶体管电路的第四MOS晶体管电路，以对DC偏移补偿电流进行镜像；以及第三电流镜电路，被配置为通过所述电流镜连接到所述第二电流镜电路，并通过使用所述DC偏移补偿电流从所述ET电流去除所述DC偏移电流。
所述第一电阻电路可被配置为根据所述第二控制信号基于电阻值的改变调节所述ET电流，所述第二电阻电路可被配置为根据所述第二控制信号基于电阻值的改变调节所述DC偏移补偿电流。
所述包络检测电路还可包括：整流电路，被配置为从所述输入信号检测所述ET电压，其中，所述ET电压包括DC偏移电压；偏移电压产生电路，被配置为产生与所述DC偏移电压相对应的DC偏移补偿电压；以及偏移电压消除电路，被配置为从所述DC偏移电压减去所述DC偏移补偿电压，以提供可从所述ET电压中减少所述DC偏移电压的ET电压。
所述功率放大电路还可被配置为接收电源电压，其中，所述电源电压可基于所述输入信号的包络或独立于所述输入信号的所述包络。
所述运算电路基于所述功率放大电路的频带、带宽、功率模式和输出功率的大小中的一个或更多个将所述偏移补偿ET电流和所述DC电流相加或相减。
通过下面的具体实施方式、附图和权利要求，其他特征和方面将显而易见。
附图说明
图1是根据示例的功率放大器的示图。
图2是根据示例的功率放大器的示图。
图3是根据示例的包络跟踪(ET)电流偏置电路的示图。
图4是根据示例的缓冲偏置电路的示图。
图5是根据示例的第二电压/电流转换电路的示图。
图6是根据示例的第二电压/电流转换电路的另一示图。
图7是根据示例的ET电流偏置电路的另一示图。
图8是包络电流的波形图。
图9是根据示例的包络电流的波形图。
在整个附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，出于清楚、说明以及方便的目的，可夸大附图中元件的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
提供以下具体实施方式，以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解了本申请的公开内容后，在此所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、变型及等同物将是显而易见的。例如，在此描述的操作顺序仅仅是示例，且不限于在此所阐述的示例，而是除了必须按照特定顺序发生的操作外，可做出在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的改变。此外，为了增加清楚性和简洁性，可省略本领域中已知的特征的描述。
在此描述的特征可按照不同的形式实施，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，仅仅为了示出在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或系统的多种可行方式中的一些可行方式。
在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的元件被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，其可直接“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被称为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的其他元件。
如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任意一个和任意两个或更多个的任意组合。
虽然诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语可在此用于描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中所称的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分还可被称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了方便描述，可在此使用诸如“上方”、“上部”、“下方”和“下部”的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件之间的关系。这样的空间相对术语意在除了包含附图中描绘的方位之外还包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为相对于另一元件位于“上方”或“上部”的元件随后将被描述为相对于另一元件位于“下方”或“下部”。因此，术语“上方”根据装置的空间方位而包含上方和下方两种方位。装置还可以以其他方式被定位(例如，旋转90度或处于其他方位)，并对在此使用的空间相对术语做出相应的解释。
在此使用的术语仅是为了描述各种示例，而不被用来限制本公开。除非上下文另外清楚地指明，否则单数形式也意在包含复数形式。术语“包含”、“包括”以及“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。
由于制造技术和/或公差，可发生附图中所示出的形状的变化。因此，在此描述的示例并不限于附图中示出的特定形状，而是包括制造期间发生的形状上的变化。
在此描述的示例的特征可以以在理解了本申请的公开内容之后将显而易见的各种方式进行组合。此外，虽然在此描述的示例具有多种构造，但在理解了本申请的公开内容之后将显而易见的其他构造是可行的。
图1是根据示例的功率放大器的示图。
参照图1，功率放大器包括包络跟踪(ET)电流偏置电路100和功率放大电路200。
ET电流偏置电路100基于通过在ET电流偏置电路100和功率放大电路200之间共享的输入端子IN输入的输入信号Sin的包络产生ET偏置电流Ibias_et。ET偏置电流Ibias_et被供应到功率放大电路200。
功率放大电路200接收ET偏置电流Ibias_et和电源电压VCC，并放大通过输入端子IN输入的输入信号Sin，以通过输出端子OUT输出。
图2是根据示例的功率放大器的示图。
参照图2，功率放大器包括ET电流偏置电路100和功率放大电路200。
ET电流偏置电路100基于输入信号Sin的包络产生ET偏置电流Ibias_et。输入信号Sin还被供应到功率放大电路。ET偏置电流Ibias_et被供应到功率放大电路200。
功率放大电路200包括缓冲偏置电路210和功率放大器(PA)230。
缓冲偏置电路210放大ET偏置电流Ibias_et并将第二ET偏置电流Ibias_et2输出到功率放大器(PA)230。功率放大器(PA)230接收第二ET偏置电流Ibias_et2和电源电压VCC，并放大通过输入端子IN输入的输入信号Sin，以通过输出端子(OUT)输出。
在该示例中，电源电压VCC被提供或供应为基于输入信号Sin的包络的电压，或者被提供或供应为不基于或独立于输入信号Sin的包络的电压。在图1和图2中，L是从电源电压VCC中阻截或去除交流(AC)电流的线圈。在图2中，C21是从输入信号Sin阻截和去除DC电流的电容器。
在各个附图的实施例中具有相同标号和相同功能的组件方面，可省略其不必要的重复描述，而可描述各个附图的实施例之间的不同之处。
图3是根据示例的ET电流偏置电路的示图。
参照图3，ET电流偏置电路100包括包络检测电路110、第一电压/电流转换电路130、第二电压/电流转换电路150和运算电路170。
包络检测电路110从输入信号Sin检测ET电压Vet。
第一电压/电流转换电路130将参考电压Vref转换为DC电流IDC，并根据第一控制信号VC1调节DC电流IDC。在一个示例中，参考电压Vref是预定电压。
第二电压/电流转换电路150将ET电压Vet转换为ET电流Iet，根据第二控制信号VC2调节ET电流Iet，并从ET电流Iet去除DC偏移电流Idc1，以提供偏移补偿ET电流Iet_comp。换句话说，DC电流IDC根据第一控制信号VC1来调节，ET电流Iet根据第二控制信号VC2来调节。因此，ET电流偏置电路100使用第一控制信号VC1和第二控制信号VC2来调节ET偏置电流Ibias_et中包括的DC电流IDC与ET电流Iet的比。
运算电路170计算偏移补偿ET电流Iet_comp和DC电流IDC的大小以产生ET偏置电流Ibias_et。
在示例中，运算电路170将偏移补偿ET电流Iet_comp和DC电流IDC相加或相减，来产生ET偏置电流Ibias_et。在该示例中，以上描述的加或减根据功率放大电路的操作特性而选择。功率放大电路的操作特性通过频带、带宽、功率模式和输出功率的大小中的至少一个确定。
此外，第一控制信号VC1和第二控制信号VC2的值根据功率放大电路的操作特性确定。
在示例中，第二电压/电流转换电路150包括与第一电压/电流转换电路130的电路结构相同的电路结构，以产生与包括在ET电流Iet中的DC偏移电流Idc1相对应的DC偏移补偿电流Idc2，并使用或处理DC偏移补偿电流Idc2来去除DC偏移电流Idc1。
在示例中，DC偏移补偿电流Idc2等于DC偏移电流Idc1。在该示例中，DC偏移电流Idc1通过DC偏移补偿电流Idc2被全部去除。在可选示例中，DC偏移电流Idc1通过DC偏移补偿电流Idc2被部分去除。
例如，第二电压/电流转换电路150包括电压/电流转换电路152、偏移电流产生电路154和偏移去除电路156。
电压/电流转换电路152将ET电压Vet转换为ET电流Iet，并提供或输出根据第二控制信号VC2调节的ET电流Iet。
偏移电流产生电路154产生与包括在ET电流Iet中的DC偏移电流Idc1相对应的DC偏移补偿电流Idc2，并提供根据第二控制信号VC2调节的DC偏移补偿电流Idc2。
偏移去除电路156使用来自偏移电流产生电路154的DC偏移补偿电流Idc2来去除来自电压/电流转换电路152的ET电流Iet中的DC偏移电流Idc1。
图4是根据示例的缓冲偏置电路的示图。
缓冲偏置电路210使用ET偏置电流Ibias_et产生第二ET偏置电流Ibias_et2，并将第二ET偏置电流Ibias_et2供应到功率放大器230的基极。
在缓冲偏置电路210具有至少100倍的电流增益的示例中，微安(μA)级的ET偏置电流Ibias_et被放大为毫安(mA)级的第二ET偏置电流Ibias_et2。
在示例中，缓冲偏置电路210包括电流偏置电路212和电流放大器214。
电流偏置电路212连接在ET电流偏置电路100的输出端子和地之间。电流偏置电路212包括第一偏置电阻电路R21和温度补偿电路212-TC。在该示例中，响应于温度补偿功能是不必要的，温度补偿电路212-TC被替换为偏置电阻器。
第一偏置电阻电路R21连接在ET电流偏置电路100的输出端子和电流放大器214的基极之间。在示例中，第一偏置电阻电路R21包括至少一个电阻器R21。
为了执行温度补偿，温度补偿电路212-TC包括连接在电流放大器214的基极和地之间的至少两个二极管接法的晶体管Q21和Q22，并具有根据温度改变的电阻值。在这种情况下，施加到温度补偿电路212-TC的电压根据第一偏置电阻电路R21和温度补偿电路212-TC的电阻值确定，偏置电流根据电压确定。因为二极管接法的晶体管Q21和Q22具有根据或作为温度补偿功能的电阻值，因此二极管接法的晶体管Q21和Q22执行、进行或实行温度补偿。
电流放大器214通过电流偏置电路212进行电流偏置，以放大ET偏置电流Ibias_et，从而产生第二ET偏置电流Ibias_et2。在示例中，电流放大器214包括BJT晶体管Q23，BJT晶体管Q23具有接收参考电压Vref的集电极、输出第二ET偏置电流Ibias_et2的发射极以及连接到电流偏置电路212的基极。
在该示例中，BJT晶体管Q23的集电极通过线圈L接收电源电压VCC。BJT晶体管Q23的基极通过连接到输入端子IN的电容器(图2的C21)接收输入信号Sin。
此外，缓冲偏置电路210包括镇流电阻器R22。镇流电阻器R22是用于防止在输出第二ET偏置电流Ibias_et2的输出端子中的热散逸。
镇流电阻器R22连接到输出第二ET偏置电流Ibias_et2的输出端子，使得双极结型晶体管(BJT)Q23的基极发射极电压根据镇流电阻器R22的电阻值调节。因此，在镇流电阻器R22的电阻值被合适地设置的情况下，功率放大电路200的调幅调相(AM-PM)失真减少。
镇流电阻器R22具有用于减少在输入信号的频带中的调幅调相(AM-PM)失真的预定电阻值。
此外，在功率放大电路的输出功率应当相对增大的示例中，缓冲偏置电路210不包括镇流电阻器R22。
图5是第二电压/电流转换电路的示例。图6是第二电压/电流转换电路的另一示例。
参照图5和图6，电压/电流转换电路152包括第一电流源电路152A和第一电流镜电路152B。
第一电流源电路152A包括位于电源电压VDD端子与地之间的第一运算放大器A11、第一电阻电路R11以及第一金属氧化物半导体(MOS)晶体管电路M11和M12，以根据ET电压Vet产生第一电流I1。在示例中，第一电阻电路R11包括至少一个电阻器R11。
第一电流镜电路152B包括通过电流镜连接到第一MOS晶体管电路M11和M12的第二MOS晶体管电路M13，以提供与第一电流I1相对应的ET电流Iet。
偏移电流产生电路154包括第二电流源电路154A、第二电流镜电路154B和第三电流镜电路154C。
第二电流源电路154A包括位于电源电压VDD端子与地之间的第二运算放大器A21、第二电阻电路R21以及第三MOS晶体管电路M21和M22，以根据参考电压Vref产生DC偏移补偿电流Idc2。在示例中，第二电阻电路R21包括至少一个电阻器R21。
第二电流镜电路154B包括通过电流镜连接到第三MOS晶体管电路M21和M22的第四MOS晶体管电路M23，以对DC偏移补偿电流Idc2进行镜像。
第三电流镜电路154C通过电流镜连接到第二电流镜电路154B，并通过使用DC偏移补偿电流Idc2从ET电流Iet去除DC偏移电流Idc1。
例如，参照图5和图6，偏移去除电路156包括连接到电压/电流转换电路152的输出端子和偏移电流产生电路154的输出端子的连接节点N1。在连接节点N1中，ET电流Iet中包括的DC偏移电流Idc1具有与DC偏移补偿电流Idc2的幅值相等的幅值，并且通过偏移电流产生电路154被供应到地，从而被去除。在DC偏移电流Idc1被设置为等于DC偏移补偿电流Idc2的示例中，DC偏移电流Idc1全部被去除。
在图5和图6中，ET偏置电流Iet和偏移补偿ET电流Iet_comp可确定为下面的式1。
【式1】
Iet＝Vet/R11＝(Venv+Vdc1)/R11＝Venv/R11+Vdc1/R11
Ietcomp＝Iet-Idc2＝(Venv/R11+Vdc1/R11)-Vdc2/R21
＝Venv/R11+Vdc1*A(这里，Vdc1＝Vdc2，A＝1/R11-1/R21)
在式1中，R11是第一电阻电路R11的电阻值，R21是第二电阻电路R21的电阻值。
参照式1，在R11和R21以相同的比例改变的示例中，A是常数值，偏移补偿ET电流Iet_comp通过使用R11调节。
参照图5，第一电阻电路R11根据第二控制信号VC2基于电阻值的改变来调节ET电流Iet。第二电阻电路R21根据第二控制信号VC2基于电阻值的改变来调节DC偏移补偿电流Idc2。
在示例中，第一电阻电路R11和第二电阻电路R21中的每个包括多个开关以及并联连接并通过相应的多个开关选择的多个电阻器。多个开关根据第二控制信号VC2进行操作，以选择多个电阻器中的至少一个。
参照图6，第二MOS晶体管电路M13根据第二控制信号VC2调节ET电流Iet。第四MOS晶体管电路M23根据第二控制信号VC2调节DC偏移补偿电流Idc2。
在示例中，第二MOS晶体管电路M13和第四MOS晶体管电路M23中的每个包括多个开关和多个MOS晶体管，多个MOS晶体管通过多个开关中的每个相应地选择，并且通过电流镜并联连接到第三MOS晶体管电路M21和M22。多个开关根据第二控制信号VC2进行操作，以选择多个MOS晶体管中的至少一个。
图7是根据示例的ET电流偏置电路的另一示图。
参照图7，包络检测电路110包括整流电路112、偏移电压产生电路114和偏移电压消除电路116。
整流电路112从输入信号Sin检测ET电压Vet，同时ET电压Vet包括DC偏移电压Vdc1。
偏移电压产生电路114产生与DC偏移电压Vdc1相对应的DC偏移补偿电压Vdc2。
偏移电压消除电路116从DC偏移电压Vdc1减去DC偏移补偿电压Vdc2，以提供从其中减少了DC偏移电压Vdc1的ET电压Vet。
在示例中，偏移电压产生电路114具有与整流电路112的电路结构相同的电路结构，以产生与整流电路112的DC偏移电压Vdc1相对应的DC偏移补偿电压Vdc2。
在该示例中，ET电压Vet中包括的DC偏移电压Vdc1通过DC偏移补偿电压Vdc2被减少，但是可能没有被完全去除，仍在后端(例如，图7的116)上驱动电路。
图8是包络电流的波形图。
参照图8，可以确认ET电流可包括ET电流Iet和DC偏移电流Idc1。
因此，可以确认随着ET电流的幅值根据放大而增大，DC偏移电流Idc1的幅值增大。
图9是根据示例的包络电流的波形图。
参照图9，包络电流仅仅包括根据以上描述去除了DC偏移电流之后的ET电流Iet。
如以上阐述，根据实施例，ET电流偏置电路的DC偏移电流被有效地去除，以从输入信号准确地检测包络，提供具有改善的DC偏移电流的ET偏置电流，并改善功率放大器的性能。
虽然本公开包括特定的示例，但是在理解了本申请的公开内容后将显而易见的是，在不脱离权利要求及他们的等同物的精神和范围的情况下，可在这些示例中做出形式上和细节上的各种变化。在此所描述的示例将仅被认为描述性含义，而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述将被认为是可适用于其他示例中的类似特征或方面。如果以不同的顺序执行描述的技术，和/或如果以不同的方式组合描述的系统、架构、装置或者电路中的组件和/或用其他组件或者它们的等同物进行替换或者补充描述的系统、架构、装置或者电路中的组件，则可获得适当的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及它们的等同物限定，并且在权利要求及它们的等同物的范围内的所有变化将被解释为包含于本公开中。

Claims (17)

1.一种包络跟踪电流偏置电路，包括：
包络检测电路，被配置为从输入信号检测包络跟踪电压；
第一电压/电流转换电路，被配置为将参考电压转换为直流电流，并根据第一控制信号调节所述直流电流；
第二电压/电流转换电路，被配置为将所述包络跟踪电压转换为包络跟踪电流，根据第二控制信号调节所述包络跟踪电流，并从所述包络跟踪电流去除直流偏移电流，以提供偏移补偿包络跟踪电流；以及
运算电路，被配置为计算所述偏移补偿包络跟踪电流和所述直流电流的大小，以产生包络跟踪偏置电流。
2.根据权利要求1所述的包络跟踪电流偏置电路，其中，所述第二电压/电流转换电路包括被配置为与所述第一电压/电流转换电路的电路结构相同的电路结构，以产生与所述包络跟踪电流中包括的直流偏移电流相对应的直流偏移补偿电流，并通过使用所述直流偏移补偿电流去除所述直流偏移电流。
3.根据权利要求1所述的包络跟踪电流偏置电路，其中，所述第二电压/电流转换电路包括：
电压/电流转换电路，被配置为提供根据所述第二控制信号调节的包络跟踪电流；
偏移电流产生电路，被配置为产生与所述包络跟踪电流中包括的直流偏移电流相对应的直流偏移补偿电流，并提供根据所述第二控制信号调节的所述直流偏移补偿电流；以及
偏移去除电路，被配置为通过使用从所述偏移电流产生电路供应的所述直流偏移补偿电流去除所述包络跟踪电流中包括的所述直流偏移电流。
4.根据权利要求3所述的包络跟踪电流偏置电路，其中，所述电压/电流转换电路包括：
第一电流源电路，被配置为包括第一运算放大器、第一电阻电路和第一金属氧化物半导体晶体管电路，以根据所述包络跟踪电压产生第一电流；以及
第一电流镜电路，被配置为包括通过电流镜连接到所述第一金属氧化物半导体晶体管电路的第二金属氧化物半导体晶体管电路，以提供与所述第一电流相对应的所述包络跟踪电流。
5.根据权利要求4所述的包络跟踪电流偏置电路，其中，所述偏移电流产生电路包括：
第二电流源电路，被配置为包括第二运算放大器、第二电阻电路和第三金属氧化物半导体晶体管电路，以根据所述参考电压产生所述直流偏移补偿电流；
第二电流镜电路，被配置为包括通过所述电流镜连接到所述第三金属氧化物半导体晶体管电路的第四金属氧化物半导体晶体管电路，以对所述直流偏移补偿电流进行镜像；以及
第三电流镜电路，被配置为通过所述电流镜连接到所述第二电流镜电路，并通过使用所述直流偏移补偿电流从所述包络跟踪电流去除所述直流偏移电流。
6.根据权利要求5所述的包络跟踪电流偏置电路，其中，所述第一电阻电路被配置为根据所述第二控制信号基于电阻值的改变调节所述包络跟踪电流，所述第二电阻电路被配置为根据所述第二控制信号基于电阻值的改变调节所述直流偏移补偿电流。
7.根据权利要求1所述的包络跟踪电流偏置电路，其中，所述包络检测电路包括：
整流电路，被配置为从所述输入信号检测所述包络跟踪电压，其中，所述包络跟踪电压包括直流偏移电压；
偏移电压产生电路，被配置为产生与所述直流偏移电压相对应的直流偏移补偿电压；以及
偏移电压消除电路，被配置为从所述直流偏移电压减去所述直流偏移补偿电压，以提供从所述包络跟踪电压中减少所述直流偏移电压的包络跟踪电压。
8.根据权利要求1所述的包络跟踪电流偏置电路，其中，所述运算电路将所述偏移补偿包络跟踪电流和所述直流电流相加或相减来产生所述包络跟踪偏置电流。
9.一种功率放大器，包括：
包络跟踪电流偏置电路，被配置为基于输入信号的包络产生包络跟踪偏置电流；以及
功率放大电路，被配置为包括缓冲偏置电路和功率放大器，所述缓冲偏置电路放大所述包络跟踪偏置电流以提供第二包络跟踪偏置电流，所述功率放大器接收所述第二包络跟踪偏置电流以放大所述输入信号，
其中，所述包络跟踪电流偏置电路包括：
包络检测电路，被配置为从所述输入信号检测包络跟踪电压；
第一电压/电流转换电路，被配置为将参考电压转换为直流电流，并根据第一控制信号调节所述直流电流；
第二电压/电流转换电路，被配置为将所述包络跟踪电压转换为包络跟踪电流，根据第二控制信号调节所述包络跟踪电流，并从所述包络跟踪电流去除直流偏移电流，以提供偏移补偿包络跟踪电流；以及
运算电路，被配置为计算所述偏移补偿包络跟踪电流和所述直流电流的大小，以产生所述包络跟踪偏置电流。
10.根据权利要求9所述的功率放大器，其中，所述第二电压/电流转换电路包括被配置为与所述第一电压/电流转换电路的电路结构相同的电路结构，以产生与所述包络跟踪电流中包括的所述直流偏移电流相对应的直流偏移补偿电流，并通过使用所述直流偏移补偿电流去除所述直流偏移电流。
11.根据权利要求9所述的功率放大器，其中，所述第二电压/电流转换电路包括：
电压/电流转换电路，被配置为提供根据所述第二控制信号调节的包络跟踪电流；
偏移电流产生电路，被配置为产生与所述包络跟踪电流中包括的所述直流偏移电流相对应的直流偏移补偿电流，并提供根据所述第二控制信号调节的所述直流偏移补偿电流；以及
偏移去除电路，被配置为通过使用从所述偏移电流产生电路供应的所述直流偏移补偿电流去除所述包络跟踪电流中包括的所述直流偏移电流。
12.根据权利要求11所述的功率放大器，其中，所述电压/电流转换电路包括：
第一电流源电路，被配置为包括第一运算放大器、第一电阻电路和第一金属氧化物半导体晶体管电路，以根据所述包络跟踪电压产生第一电流；以及
第一电流镜电路，被配置为包括通过电流镜连接到所述第一金属氧化物半导体晶体管电路的第二金属氧化物半导体晶体管电路，以提供与所述第一电流相对应的所述包络跟踪电流。
13.根据权利要求12所述的功率放大器，其中，所述偏移电流产生电路包括：
第二电流源电路，被配置为包括第二运算放大器、第二电阻电路和第三金属氧化物半导体晶体管电路，以根据所述参考电压产生所述直流偏移补偿电流；
第二电流镜电路，被配置为包括通过所述电流镜连接到所述第三金属氧化物半导体晶体管电路的第四金属氧化物半导体晶体管电路，以对所述直流偏移补偿电流进行镜像；以及
第三电流镜电路，被配置为通过所述电流镜连接到所述第二电流镜电路，并通过使用所述直流偏移补偿电流从所述包络跟踪电流去除所述直流偏移电流。
14.根据权利要求13所述的功率放大器，其中，所述第一电阻电路被配置为根据所述第二控制信号基于电阻值的改变调节所述包络跟踪电流，所述第二电阻电路被配置为根据所述第二控制信号基于电阻值的改变调节所述直流偏移补偿电流。
15.根据权利要求9所述的功率放大器，其中，所述包络检测电路包括：
整流电路，被配置为从所述输入信号检测所述包络跟踪电压，其中，所述包络跟踪电压包括直流偏移电压；
偏移电压产生电路，被配置为产生与所述直流偏移电压相对应的直流偏移补偿电压；以及
偏移电压消除电路，被配置为从所述直流偏移电压减去所述直流偏移补偿电压，以提供从所述包络跟踪电压中减少所述直流偏移电压的包络跟踪电压。
16.根据权利要求9所述的功率放大器，其中，所述功率放大电路还被配置为接收电源电压，其中，所述电源电压基于所述输入信号的包络或独立于所述输入信号的所述包络。
17.根据权利要求9所述的功率放大器，其中，所述运算电路基于所述功率放大电路的频带、带宽、功率模式和输出功率的大小中的一个或更多个将所述偏移补偿包络跟踪电流和所述直流电流相加或相减。
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