CN109254333A - 一种基于晶圆基底易刻蚀的减反膜系 - Google Patents

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陈帛雄
赵科育
王涛
王珂
蓝士祺
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Abstract

本发明属于光学减反膜系设计，涉及一种基于晶圆基底易刻蚀的减反膜系。该膜系由五层非规整高低折射率膜层在晶圆基底上交替镀制而成，在晶圆基底(1)上面依次镀制高低折射率的膜层：其中第二层(3)、第四层(5)为高折射率膜层，采用TiO2或Ta2O5；第一层(2)、第三层(4)、第五层(6)为低折射率膜层，采用SiO2；各层膜厚度在0.2到2个标准波长之间；在晶圆基底另一面上沉积相同的膜层；本发明在入射角45°时，薄膜在1550nm±5nm波段内透射率大于99.9％，且便于刻蚀成型。

Description

一种基于晶圆基底易刻蚀的减反膜系
技术领域
本发明属于光学减反膜系设计，涉及一种基于晶圆基底易刻蚀的减反膜系。
背景技术
一种基于晶圆基底易刻蚀的减反膜系设计，薄膜沉积在双面抛光的晶园基底上，应用波长为1550nm±5nm，入射角45°。该膜系为某种光子晶体光纤陀螺光路中的一种分光器件设计，该器件作为光路中的关键元件，45°插入在谐振腔光路中，因此要求器件透射率大于99.9％。
该器件外型不规则，且外型最大尺寸为2mmX2.5mm，做掩膜夹具非常困难，只能通过整片镀膜后再刻蚀成型的方法得到该器件，因此，膜系设计时还要考虑双面镀膜后便于刻蚀。
发明内容
本发明的目的是：提出一种用于光子晶体光纤陀螺光路中分光器件减反薄膜的膜系设计。在入射角45°时，薄膜在1550nm±5nm波段内透射率大于99.9％，同时便于刻蚀成型。
本发明的技术方案是：一种基于晶圆基底易刻蚀的减反膜系，其特征在于该膜系由五层非规整高低折射率膜层在晶圆基底上交替镀制而成，在晶圆基底(1)上面依次镀制高低折射率的膜层：其中第二层(3)、第四层(5)为高折射率膜层，采用TiO2或Ta2O5；第一层(2)、第三层(4)、第五层(6)为低折射率膜层，采用SiO2；各层膜厚度在0.2到2个标准波长之间；在晶圆基底另一面上沉积相同的膜层。
所述膜厚度第一层(2)为0.2个标准波长，第二层(3)为0.8083个标准波长，第三层(4)为1.218个标准波长，第四层(5)为1.0367个标准波长，第五层(6)为1.2784个标准波长。
本发明的优点是：在入射角45°时，薄膜在1550nm±5nm波段内透射率大于99.9％，且便于刻蚀成型。
附图说明
图1是本发明的结构示意图。
图2基底/0.2L0.8083H1.218L1.0367H1.2784L的设计曲线
具体实施方式
在晶圆基底上，每面均交替镀制五层非规整高低折射率膜层。
(1)如图1所示：在晶圆基底1上面依次镀制高低折射率的膜层：其中第二层(3)、第四层(5)为高折射率膜层，为Ta2O5；第一层(2)、第三层(4)、第五层(6)为低折射率膜层，本发明采用SiO2。各层膜厚度在0.2到2个标准四分之一波长之间。
(2)在晶圆基底另一面上沉积相同的膜层。
实施例一：在晶圆基底1上面依次镀制高低折射率的膜层：其中第二层(3)、第四层(5)为高折射率膜层，本实例采用Ta2O5，折射率为1.95；第一层(2)、第三层(4)、第五层(6)为低折射率膜层，本实例采用SiO2，折射率为1.42。膜系结构如下：
基底/0.2L0.8083H1.218L1.0367H1.2784L。设计曲线如图2。

Claims (2)

1.一种基于晶圆基底易刻蚀的减反膜系，其特征在于，该膜系由五层非规整高低折射率膜层在晶圆基底上交替镀制而成，在晶圆基底(1)上面依次镀制高低折射率的膜层：其中第二层(3)、第四层(5)为高折射率膜层，采用TiO2或Ta2O5；第一层(2)、第三层(4)、第五层(6)为低折射率膜层，采用SiO2；各层膜厚度在0.2到2个标准波长之间；在晶圆基底另一面上沉积相同的膜层。
2.如权利要求1所述的一种基于晶圆基底易刻蚀的减反膜系，其特征在于，所述膜厚度第一层(2)为0.2个标准波长，第二层(3)为0.8083个标准波长，第三层(4)为1.218个标准波长，第四层(5)为1.0367个标准波长，第五层(6)为1.2784个标准波长。
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JP2005275294A (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Cimeo Precision Co Ltd 光学素子
CN103513314A (zh) * 2013-10-10 2014-01-15 杭州科汀光学技术有限公司 一种低通滤波器
CN108227048A (zh) * 2018-01-26 2018-06-29 河南师范大学 硅晶圆上的一种低发射率红外增透膜

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PB01 Publication
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SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
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