CN109239023A - 一种基于自由载流子吸收成像的半导体材料特性测量方法 - Google Patents
一种基于自由载流子吸收成像的半导体材料特性测量方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109239023A CN109239023A CN201810986128.8A CN201810986128A CN109239023A CN 109239023 A CN109239023 A CN 109239023A CN 201810986128 A CN201810986128 A CN 201810986128A CN 109239023 A CN109239023 A CN 109239023A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- laser
- free
- semiconductor
- sample
- carrier absorption
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 abstract description 2
- 230000009102 absorption Effects 0.000 description 22
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009103 reabsorption Effects 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 230000010358 mechanical oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/636—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited using an arrangement of pump beam and probe beam; using the measurement of optical non-linear properties
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/06—Illumination; Optics
- G01N2201/061—Sources
- G01N2201/06113—Coherent sources; lasers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/10—Scanning
- G01N2201/102—Video camera
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
本发明涉及一种基于自由载流子吸收成像的半导体材料特性测量方法。解决现有半导体材料特性测量技术的不足的问题。本发明采用的方法1)将连续探测激光垂直照射到被测半导体样品表面,近红外相机测量并由计算机记录此时透射的探测光强空间分布S0;2)将聚焦后的连续泵浦激光垂直照射到样品探测光照射区域中心位置,近红外相机测量并由计算机记录此时透射的探测光强空间分布S1,所述的入射到样品表面的探测激光光束尺寸大于聚焦到样品表面的泵浦激光光束尺寸;3)处理步骤1)和步骤2)得到的透射探测光强空间分布成像结果S0和S1,即S=(S1‑S0)/S0;4)沿自由载流子吸收成像结果峰值位置截取距离峰值不同距离的测量数据,得到待测样品的多个特性参数。
Description
技术领域
本发明涉及半导体材料特性测量技术领域,具体涉及一种基于自由载流子吸收成像的半导体材料特性测量方法。
背景技术
半导体原材料向大直径低缺陷方向的发展,微电子器件的集成度的不断提高,促使对材料的加工工艺和性能检测的要求越来越高。为了保证材料能用于器件,提高器件稳定性和良品率,要求在材料加工工艺中,对材料特性进行精确快速地在线监测和无损表征。光载流子辐射(PCR:Photo-Carrier Radiometry)技术和调制自由载流子吸收(MFCA:Modulated Free-Carrier Absorption)技术是两种广泛应用于半导体材料特性测量的光学无损伤检测方法,近年来逐渐取代了工业上广泛应用的热波测量方法。
光载流子辐射测量的过程中不可避免的存在诸如激光器、探测器和锁相放大器等仪器的频率响应的影响,加上信号与泵浦激光强度间的非线性效应以及辐射光子重吸收效应的影响,该技术在半导体材料特性参数测量中受上述因素的影响较大,因此存在着测量精度有限的问题。调制自由载流子吸收技术测量探测光束经自由载流子吸收后强度随泵浦光调制频率或泵浦激光-探测激光间距的变化,与载流子浓度成线性关系,不存在光载流子辐射技术中非线性效应和光子重吸收效应的影响。然而,上述两种方法均通过频率扫描或位置扫描方式实现半导体材料特性参数的测量,测量速度较慢,难以满足快速在线监测表征的要求。
发明内容
本发明为解决现有半导体材料特性测量技术的不足的问题,提供一种基于自由载流子吸收成像的半导体材料特性测量方法。
为解决现有技术存在的问题,本发明的技术方案是:一种基于自由载流子吸收成像的半导体材料特性测量方法,依次包括下述步骤:
步骤1):将连续探测激光垂直照射到被测半导体样品表面,近红外相机测量并由计算机记录此时透射的探测光强空间分布S0;
步骤2):将聚焦后的连续泵浦激光垂直照射到样品探测光照射区域中心位置,近红外相机测量并由计算机记录此时透射的探测光强空间分布S1,所述的入射到样品表面的探测激光光束尺寸大于聚焦到样品表面的泵浦激光光束尺寸;
步骤3):处理步骤1)和步骤2)得到的透射探测光强空间分布成像结果S0和S1,即S=(S1-S0)/S0,得到过剩自由载流子吸收成像结果;
步骤4):沿自由载流子吸收成像结果峰值位置截取距离峰值不同距离的测量数据,利用多参数拟合程序对截取的测量数据进行处理或将处理后的数据与定标样品的信号数据比较,得到待测样品的多个特性参数。
上述述连续探测激光由半导体激光器、固体激光器或气体激光器产生,且探测激光的光子能量小于被测半导体的本征半导体禁带宽度;所述的连续泵浦激光由半导体激光器或固体激光器或气体激光器产生,且泵浦激光的光子能量大于被测半导体的本征半导体禁带宽度。
上述近红外相机前设置带通滤光片,用于滤除透过样品的光载流子辐射光和背景杂散光。
与现有技术相比,本发明的优点如下:
1)本发明在测量载流子输运参数时不需要进行频率扫描或位置扫描,从测量原理上发生了改变,通过对半导体材料进行成像测量,使得测量速度大大提高;
2)本发明测量装置简单,由于采用红外相机成像方法,避免由于位置扫描过程中机械振动引入的误差,测量精度高。
附图说明
图1为本发明测量装置的结构示意图;
图2为根据本发明计算得到的近红外相机对透射探测光强成像结果;
图3给出了图2标示位置处信号强度分布曲线(符号)和多参数拟合结果(实线);
附图标记如下:
图中:1-连续泵浦激光光源;2-连续探测激光光源;3-第一平面反射镜;4-第二平面反射镜;5-聚焦透镜;6-光束整形装置;7-分束镜;8-被测半导体材料;9-带通滤光片;10-近红外相机;11-计算机。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明的原理是:
光子能量大于半导体禁带宽度的高斯分布的连续泵浦激光经聚焦后照射到半导体材料表面,被半导体材料吸收后产生过剩自由载流子,当采用另一束光子能量低于半导体禁带宽度的连续探测激光入射到材料相同位置时,由于过剩自由载流子对探测激光的吸收作用,导致透过半导体材料后探测光束强度减小。由于泵浦激光光强的空间不均匀性和载流子的扩散及复合作用,导致过剩自由载流子浓度的空间不均匀分布,因此自由载流子吸收信号的空间分布也不均匀,通过近红外相机采集空间分布信号并由计算机记录和处理所得数据得到半导体材料特性参数。
为了实现本发明方法,本发明采用的测量装置参见图1。连续泵浦激光光源1输出激励光至第一反射镜3,第一反射镜3的反射光路上依次设置聚焦透镜5和分束镜7;连续探测激光光源2输出探测光到第二反射镜4,第二反射镜4的反射光路上依次设置有光束整形装置6和分束镜7,第二反射镜4相对入射光线45°放置。所述的聚焦透镜5和分束镜7使泵浦光束垂直聚焦到被测半导体材料8表面上;光束整形装置6对连续探测激光光源2输出的光束进行整形;被测半导体材料8上自由载流子吸收信号经其另一侧设置于带通滤光片9后的近红外相机10探测得到,计算机11用于调节相机参数及存储、处理信号数据等。
所述连续泵浦激光光源1选用波长为830nm的半导体激光器(该泵浦激光产生的光子能量为1.49eV,大于被测半导体硅的禁带宽度1.1eV),采用连续输出;连续探测激光光源2采用连续的半导体激光器,其波长为1310nm;近红外相机10为InGaAs近红外相机,探测波长范围为800-1700nm;
一种基于自由载流子吸收成像的半导体材料特性测量方法,依次包括下述步骤:
步骤1):将连续探测激光垂直照射到被测半导体样品表面,透射的探测激光因被样品中本证载流子吸收而减小;近红外相机测量并由计算机记录此时透射的探测光强空间分布S0;所述连续探测激光由半导体激光器、固体激光器或气体激光器产生,且探测激光的光子能量小于被测半导体的本征半导体禁带宽度;
步骤2):将聚焦后的连续泵浦激光垂直照射到样品探测光照射区域中心位置,所述的连续泵浦激光由半导体激光器或固体激光器或气体激光器产生,且泵浦激光的光子能量大于被测半导体的本征半导体禁带宽度,所述的入射到样品表面的探测激光光束尺寸大于聚焦到样品表面的泵浦光光束尺寸;样品因吸收泵浦光能量在被照射处产生空间不均匀分布的过剩自由载流子,并且由于载流子的扩散和复合作用形成稳定的自由载流子分布;透射的探测激光强度因过剩自由载流子的吸收而减小,不同位置的减小程度不同,形成一定的空间分布;近红外相机测量并由计算机记录此时透射的探测光强空间分布S1;
步骤1)和步骤2)中,近红外相机前设置有带通滤光片,用于滤除透过样品的光载流子辐射光和背景杂散光。
步骤3):处理步骤1)和步骤2)得到的透射探测光强空间分布成像结果S0和S1,即S=(S1-S0)/S0,得到过剩自由载流子吸收成像结果;
步骤4):沿自由载流子吸收成像结果峰值位置截取距离峰值不同距离的测量数据,利用多参数拟合程序对截取的测量数据进行处理或将处理后的数据与定标样品的信号数据比较,得到待测样品的多个特性参数。
本发明的具体测量步骤:
1.将被测半导体材料8固定在分束镜7和带通滤光片9之间的样品架上,依次打开计算机11、连续探测激光光源2、近红外相机10。
2.调节连续探测激光光源2、反射镜4和光束整形装置6,使探测光经反射后垂直照射到被测半导体材料8表面,采用近红外相机10收集透过样品并经带通滤光片9过滤后的探测光信号S0。
3.打开连续泵浦激光光源1,调节反射镜3和聚焦透镜5,使泵浦激光聚焦到样品表面的探测光束照射区域中心位置,采用近红外相机10收集透过样品并经带通滤光片9过滤后的探测光信号S1。
4.处理步骤2和步骤3中两次测量得到的自由载流子吸收成像结果S0和S1,即S=(S1-S0)/S0,得到自由载流子吸收成像结果。
5.沿自由载流子吸收成像结果峰值位置截取距离峰值不同距离的测量数据,利用多参数拟合程序对截取的测量数据进行处理,得到待测样品的多个特性参数。
图2为根据本发明对半导体单晶硅材料仿真模拟得到的自由载流子吸收成像的一个具体结果。计算中,被测单晶硅参数设置为:N型,单面抛光,厚度L为525μm,载流子体寿命50μs,扩散系数20cm2/s,前后表面复合速率分别为10m/s和100m/s。其他参数设置:泵浦激光光子能量hν为1.49eV,单晶硅对泵浦激光的反射率Rpump为0.3,单晶硅对泵浦光的吸收系数为6.6×104m-1,探测激光光子能量hν为0.95eV。考虑实验中不可避免存在噪声的影响,计算中加入±1%的随机噪声。图3为根据图2虚线截取的自由载流子吸收随位置变化关系及相应的多参数拟合结果。拟合的载流子寿命、扩散系数和前表面复合速率分别为44.9μs,20.0cm2/s和9.6m/s,与设定的参数值基本一致,微小差别是由于计算中引入的±1%的随机噪声所致,因此可以通过该方法对半导体材料载流子输运参数进行快速测量。
以上所述,仅为本发明的较佳实施例而已,并非用于限定本发明的保护范围。
Claims (3)
1.一种基于自由载流子吸收成像的半导体材料特性测量方法,依次包括下述步骤:
步骤1):将连续探测激光垂直照射到被测半导体样品表面,近红外相机测量并由计算机记录此时透射的探测光强空间分布S0;
步骤2):将聚焦后的连续泵浦激光垂直照射到样品探测光照射区域中心位置,近红外相机测量并由计算机记录此时透射的探测光强空间分布S1,所述的入射到样品表面的探测激光光束尺寸大于聚焦到样品表面的泵浦激光光束尺寸;
步骤3):处理步骤1)和步骤2)得到的透射探测光强空间分布成像结果S0和S1,即S=(S1-S0)/S0,得到过剩自由载流子吸收成像结果;
步骤4):沿自由载流子吸收成像结果峰值位置截取距离峰值不同距离的测量数据,利用多参数拟合程序对截取的测量数据进行处理或将处理后的数据与定标样品的信号数据比较,得到待测样品的多个特性参数。
2.如权利要求1所述的一种基于自由载流子吸收成像的半导体材料特性测量方法,其特征在于:所述连续探测激光由半导体激光器、固体激光器或气体激光器产生,且探测激光的光子能量小于被测半导体的本征半导体禁带宽度;所述的连续泵浦激光由半导体激光器或固体激光器或气体激光器产生,且泵浦激光的光子能量大于被测半导体的本征半导体禁带宽度。
3.如权利要求1或2所述的一种基于自由载流子吸收成像的半导体材料特性测量方法,其特征在于:所述的近红外相机前设置带通滤光片,用于滤除透过样品的光载流子辐射光和背景杂散光。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810986128.8A CN109239023B (zh) | 2018-08-28 | 2018-08-28 | 一种基于自由载流子吸收成像的半导体材料特性测量方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810986128.8A CN109239023B (zh) | 2018-08-28 | 2018-08-28 | 一种基于自由载流子吸收成像的半导体材料特性测量方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109239023A true CN109239023A (zh) | 2019-01-18 |
CN109239023B CN109239023B (zh) | 2020-11-17 |
Family
ID=65068637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810986128.8A Expired - Fee Related CN109239023B (zh) | 2018-08-28 | 2018-08-28 | 一种基于自由载流子吸收成像的半导体材料特性测量方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109239023B (zh) |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4273421A (en) * | 1977-01-17 | 1981-06-16 | Motorola, Inc. | Semiconductor lifetime measurement method |
WO2000008478A1 (en) * | 1998-08-07 | 2000-02-17 | Intel Corporation | Method and apparatus using an infrared laser probe for measuring voltages directly in an integrated circuit |
JP3123514B2 (ja) * | 1998-06-17 | 2001-01-15 | 日本電気株式会社 | 半導体の評価装置とその評価方法 |
CN101490517A (zh) * | 2006-05-05 | 2009-07-22 | Bt成像股份有限公司 | 利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和系统 |
CN101551324A (zh) * | 2009-05-08 | 2009-10-07 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种基于双探测光束的半导体材料特性测量装置及方法 |
CN102483378A (zh) * | 2009-07-20 | 2012-05-30 | Bt成像股份有限公司 | 半导体材料光致发光测量中掺杂浓度和少数载流子寿命分离 |
CN103543130A (zh) * | 2013-10-15 | 2014-01-29 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种消除光载流子辐射技术半导体材料特性测量装置的系统频率响应影响的方法 |
CN103868595A (zh) * | 2014-03-06 | 2014-06-18 | 湖南大学 | 一种空间分离的泵浦-探测瞬态吸收光谱仪及实现方法 |
US8879137B2 (en) * | 2011-03-31 | 2014-11-04 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Ultrafast transient grating radiation to optical image converter |
CN105829866A (zh) * | 2013-11-15 | 2016-08-03 | 派克米瑞斯有限责任公司 | 用于使用太赫兹辐射确定片状电介质样本的至少一种性质的系统 |
CN107843560A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-03-27 | 中国人民解放军国防科技大学 | 一种高空间分辨的泵浦‑探测微区测量装置、系统及方法 |
-
2018
- 2018-08-28 CN CN201810986128.8A patent/CN109239023B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4273421A (en) * | 1977-01-17 | 1981-06-16 | Motorola, Inc. | Semiconductor lifetime measurement method |
JP3123514B2 (ja) * | 1998-06-17 | 2001-01-15 | 日本電気株式会社 | 半導体の評価装置とその評価方法 |
WO2000008478A1 (en) * | 1998-08-07 | 2000-02-17 | Intel Corporation | Method and apparatus using an infrared laser probe for measuring voltages directly in an integrated circuit |
CN101490517A (zh) * | 2006-05-05 | 2009-07-22 | Bt成像股份有限公司 | 利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和系统 |
CN101551324A (zh) * | 2009-05-08 | 2009-10-07 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种基于双探测光束的半导体材料特性测量装置及方法 |
CN102483378A (zh) * | 2009-07-20 | 2012-05-30 | Bt成像股份有限公司 | 半导体材料光致发光测量中掺杂浓度和少数载流子寿命分离 |
US8879137B2 (en) * | 2011-03-31 | 2014-11-04 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Ultrafast transient grating radiation to optical image converter |
CN103543130A (zh) * | 2013-10-15 | 2014-01-29 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种消除光载流子辐射技术半导体材料特性测量装置的系统频率响应影响的方法 |
CN105829866A (zh) * | 2013-11-15 | 2016-08-03 | 派克米瑞斯有限责任公司 | 用于使用太赫兹辐射确定片状电介质样本的至少一种性质的系统 |
CN103868595A (zh) * | 2014-03-06 | 2014-06-18 | 湖南大学 | 一种空间分离的泵浦-探测瞬态吸收光谱仪及实现方法 |
CN107843560A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-03-27 | 中国人民解放军国防科技大学 | 一种高空间分辨的泵浦‑探测微区测量装置、系统及方法 |
Non-Patent Citations (5)
Title |
---|
DAVID LEVY 等: "Threedimensional excess carrier distribution in semiconductor imaging arrays", 《JOURNAL OF APPLIED PHYSICS》 * |
TIM CREAZZO 等: "Free-carrier absorption modulation in silicon nanocrystal slot waveguides", 《OPTICS LETTERS》 * |
WEI LI 等: "Analysis of modulated free-carrier absorption measurement of electronic transport properties of silicon wafers", 《JOURNAL OF PHYSICS: CONFERENCE SERIES》 * |
张希仁 等: "调制自由载流子吸收测量半导体载流子输运参数的三维理论", 《物理学报》 * |
王谦: "半导体材料特性的光载流子辐射监测技术研究", 《中国博士学位论文全文数据库 信息科技辑》 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109239023B (zh) | 2020-11-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6552513B2 (ja) | 明視野検査、暗視野検査、光熱検査を組み合わせた装置及び方法 | |
US5196716A (en) | Method and apparatus for measuring internal defects for position and depth | |
TWI606233B (zh) | 用於樣本之光譜成像之光學測量系統 | |
KR101785405B1 (ko) | 결함 검사 및 광발광 측정 시스템 | |
US9297759B2 (en) | Classification of surface features using fluorescence | |
CN101527273B (zh) | 一种半导体材料特性的测量装置 | |
WO2020007370A1 (zh) | 一种检测设备及方法 | |
KR20150008453A (ko) | 표면 피처들 맵핑 | |
CN111426700B (zh) | 吸收性缺陷单光束光热测量装置和测量方法 | |
US9360434B2 (en) | Optical inspection apparatus and method thereof | |
CN103543130B (zh) | 一种消除光载流子辐射技术半导体材料特性测量装置的系统频率响应影响的方法 | |
CN210220974U (zh) | 一种激光光斑焦点的自动化检测与定位装置 | |
US20210270733A1 (en) | Method and system for performing terahertz near-field measurements | |
CN104914050B (zh) | 一种提高光声光谱检测灵敏度的装置及方法 | |
CN111122397B (zh) | 一种光学材料性能检测装置 | |
JP5686348B2 (ja) | 光誘起キャリアライフタイム測定方法、光入射効率測定方法、光誘起キャリアライフタイム測定装置、および光入射効率測定装置 | |
CN110646384B (zh) | 一种半导体材料电阻率光学测量方法 | |
CN110470639B (zh) | 一种基于激光诱导光热效应的多模式扫描显微镜成像系统 | |
US5008558A (en) | System for detecting minute particles on or above a substrate | |
CN109239023A (zh) | 一种基于自由载流子吸收成像的半导体材料特性测量方法 | |
KR20140144673A (ko) | 미세결함을 검출하는 방법 및 장치 | |
CN212646516U (zh) | 吸收性缺陷单光束光热测量装置 | |
CN109632114B (zh) | 一种超导单光子探测系统中光纤对准装置及光纤对准方法 | |
CN113109282A (zh) | 一种广波长覆盖的光热偏转光谱测试装置 | |
EP3206226B1 (en) | Analysis system and analysis method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20201117 |