CN109238516A - 一种高精度温度传感器校准方法及电路 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种高精度温度传感器校准方法及电路,从芯片外部引入有一个高精度已知电压值的电压VIN,其与偏置电流Ibias1流到芯片内的晶体管Q1上产生的电压VBE,以及偏置电流Ibias1和Ibias2分别流到芯片内晶体管Q1和Q2上产生的电压差值ΔVBE,分别通过切换开关连接到sigma delta ADC的输入端并由切换开关控制是否接通。先后使sigma delta ADC采样ΔVBE/‑VIN及采样ΔVBE/‑VBE;或者,先后使sigma delta ADC采样VIN/‑VBE及采样ΔVBE/‑VBE;或者,先后使sigma delta ADC采样ΔVBE/‑VIN及采样VIN/‑VBE;根据输出的数字温度信号求取VBE的实际值,与VBE的理想值比较得到需修正的误差。本发明可以在温度未知的情况下得到温度信号的误差,避免了高精度传感器校准时需要提供高精度温度环境的需求,降低了测试条件需求和测试成本。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路设计和测试领域,特别涉及一种高精度温度传感器校准方法及电路。
背景技术
随着应用需求的不断提高,温度传感器的精度也在不断提高。在温度传感器制造的过程中,由于工艺因素,不可避免地会引入误差。为了保证温度传感器检测温度的准确性,需要通过各种方式对这些误差进行消除或降低到足够小的范围。常见的消除误差的方式是在芯片制造完成后进行校准。校准是通过测试的方式得到传感器的误差,再利用电路将误差消除。为了测试传感器的误差,需要传感器工作在足够高精度的温度环境中,即环境中温度误差要小于传感器精度要求的温度误差。通常情况下,为了降低测试成本,温度传感器校准都是在晶圆上进行,而当前晶圆测试能提供的环境温度精度通常为±1℃左右。如果传感器精度要求高于±1℃,则测试环境很难达到传感器的校准要求。
发明内容
本发明提供一种高精度温度传感器校准方法及电路,可以在温度环境未知的情况下精确得到传感器的误差,然后利用电路消除该误差。
本发明提供的一种高精度温度传感器校准电路,在待校准的温度传感器的芯片内,偏置电流Ibias1流到芯片内的晶体管Q1上产生电压VBE,偏置电流Ibias1和Ibias2分别流到芯片内晶体管Q1和Q2上产生电压差值ΔVBE;通过切换开关将电压VBE和电压差值ΔVBE分别连接到sigma delta ADC的两个输入端;sigma delta ADC的输出端获得信号BS,其连接到切换开关处对sigma delta ADC的采样进行切换控制,还连接到降采样滤波器进行滤波后产生量化的数字温度信号;从芯片外部引入有一个高精度已知电压值的电压VIN,通过所述切换开关将其连接到sigma delta ADC的另一个输入端。
第一个方案提供的高精度温度传感器校准电路,先后两次控制切换开关的相应节点导通,第一次使sigma delta ADC在BS=0时采样ΔVBE,并且在BS=1时采样-VIN;第二次使sigma delta ADC在BS=0时采样ΔVBE,并且在BS=1时采样-VBE。
第二个方案提供的高精度温度传感器校准电路,先后两次控制切换开关的相应节点导通,第一次使sigma delta ADC在BS=0时采样VIN,并且在BS=1时采样-VBE;第二次使sigma delta ADC在BS=0时采样ΔVBE,并且在BS=1时采样-VBE。
第三个方案提供的高精度温度传感器校准电路,先后两次控制切换开关的相应节点导通,第一次使sigma delta ADC在BS=0时采样ΔVBE,并且在BS=1时采样-VIN;第二次使sigma delta ADC在BS=0时采样VIN,并且在BS=1时采样-VBE。
本发明的一种高精度温度传感器校准方法,使用第一个方案的高精度温度传感器校准电路,所述校准方法包含以下过程:
第一步,利用待测的温度传感器获得当前实际温度;
sigma delta ADC在BS=0时采样ΔVBE,在BS=1时采样-VIN;sigma delta ADC的输出信号滤波后得到Dout11;
α为采样时的放大倍数,是由sigma delta ADC实现的已知数值;
求得当前实际温度为
k为波尔兹曼常数,q为电子电荷,m为芯片内晶体管Q1和Q2的电流密度比;
第二步,sigma delta ADC在BS=0时采样ΔVBE,并且在BS=1时采样-VBE;在sigmadelta ADC的输出信号滤波后得到Dout12;
其中,代入第一步求得的ΔVBE的实际值;将求得的VBE的实际值与VBE的理想值进行比较,得到需修正的误差。
本发明的另一种高精度温度传感器校准方法,使用第二个方案的高精度温度传感器校准电路,所述校准方法包含以下过程:
第一步,sigma delta ADC在BS=0时采样VIN,在BS=1时采样-VBE;在sigma deltaADC的输出信号滤波后得到Dout21;
α为采样时的放大倍数,是由sigma delta ADC实现的已知数值;
第二步,sigma delta ADC在BS=0时采样ΔVBE,在BS=1时采样-VBE;在sigmadelta ADC的输出信号滤波后得到Dout22;
求得当前实际温度
k为波尔兹曼常数,q为电子电荷,m为芯片内晶体管Q1和Q2的电流密度比;
查询当前实际温度对应的VBE的理想值,与第一步求得的VBE的实际值进行比较,得到需修正的误差。
本发明的又一种高精度温度传感器校准方法,使用第三个方案的高精度温度传感器校准电路,所述校准方法包含以下过程:
第一步,利用待测的温度传感器获得当前实际温度;
sigma delta ADC在BS=0时采样ΔVBE,在BS=1时采样-VIN;在sigma delta ADC的输出信号滤波后得到Dout31;
α为采样时的放大倍数,是由sigma delta ADC实现的已知数值;
求得当前实际温度为
k为波尔兹曼常数,q为电子电荷,m为芯片内晶体管Q1和Q2的电流密度比;
第二步,使sigma delta ADC在BS=0时采样VIN,并且在BS=1时采样-VBE;在sigmadelta ADC的输出信号滤波后得到Dout32;
查询第一步的当前实际温度对应的VBE的理想值,与第二步求得的VBE的实际值进行比较,得到需修正的误差。
综上所述,本发明公开的这种高精度温度传感器校准方法及电路,可以在温度未知的情况下得到温度信号的误差,避免了高精度传感器校准时需要提供高精度温度环境的需求,降低了测试条件需求和测试成本。
附图说明
图1是温度传感器电路原理图;
图2是本发明给出的校准方式电路原理图;
图3a是第一校准方案的第一步示意图;
图3b是第一校准方案的第二步示意图;
图4a是第二校准方案的第一步示意图;
图4b是第二校准方案的第二步示意图;
图5a是第三校准方案的第一步示意图;
图5b是第三校准方案的第二步示意图。
具体实施方式
图1是温度传感器的一个结构原理图,偏置电流Ibias1流到晶体管(bipolar管)Q1上,产生电压VBE;两个偏置电流Ibias1和Ibias2分别流到晶体管Q1和Q2上,产生两个VBE,其差值为ΔVBE。
Sigma delta ADC负责对VBE和ΔVBE进行采样,产生BS信号,并反馈控制输入端采样;当BS=0时,输入采样ΔVBE,当BS=1时,输入采样-VBE;BS经过降采样滤波器(decimation filter)滤波后,最终产生量化的数字温度信号Dout。
图1中输出的温度信号可以表示为
其中α为ΔVBE在采样时的放大倍数,该功能在sigma delta ADC中实现。
从式(1)中可以看出,输出温度的误差主要来源于三个参数,即VBE,ΔVBE和α。在电路设计时,ΔVBE和α中的误差通常可以通过各种技术进行消除,因此在电路中可以认为其误差足够小,以至于可以忽略,而VBE中的误差则需要通过校准的方式进行修正。
当测试时,环境温度精确知道时,可以利用下式求得ΔVBE,
其中k为波尔兹曼常数,T为绝对温度,q为电子电荷,m为Q1管与Q2管的电流密度比。
式(1)中Dout可以通过sigma delta ADC获得,α为设计参数,该参数已知,则可以通过式(1)的变化求得VBE的值。
利用式(3)求得VBE后,与理想的VBE进行比较,即可获得实际芯片中VBE的误差。
在上面的计算中,式(2)需要精确知道测试时环境温度,但是由于设备的限制,当温度精度要求高于一定值时,测试条件很难满足。
图2是本发明给出的一个校准电路。图2中从芯片外部引入一个高精度已知电压VIN,通过切换开关引入sigma delta ADC的其中一个输入端,sigma delta ADC的另两个输入端则通过该切换开关分别引入VBE和ΔVBE。利用图2中的电路,可以产生3种校准方案。
方案一:
方案一的第一步操作如图3a所示,当BS=0时,ADC采样ΔVBE,当BS=1时,ADC采样-VIN,则此时ADC输出可以表示为
对式(4)进行变形可得
则利用式(5)可以求得参数ΔVBE,再结合式(2),可得当前温度为
则图3a的第一步操作可以利用传感器本身获得当前实际温度。
第二步操作如图3b所示,将外部输入电压VIN撤掉,换成晶体管的VBE。此时ADC输出温度可以表示为
则晶体管的VBE可以表示为
式(8)中α已知,ΔVBE由式(5)获得,Dout12可以从ADC获取,因此,利用式(8)可以求得VBE的值。将式(8)中求得的VBE误差与理想情况下VBE进行比较,可得实际芯片中VBE中的误差,从而可以修正该误差。
方案二:
方案二的第一步如图4a所示,当BS=0时,ADC采样VIN,当BS=1时,ADC采样-VBE,则此时ADC输出可以表示为
利用式(9)可以求得VBE的值如下
方案二的第二步如图4b所示,此时将外部电压VIN撤掉,换成芯片内部的ΔVBE,此时ADC的输出可以表示为,
利用该式可以求得当前ΔVBE如下
则利用下式可以求得当前温度
当温度已知后,即可获得当前温度下的VBE理想值,将理想值与式(10)求得的值进行比较,可得VBE中的误差。
方案三:
方案三的第一步操作如图5a所示,当BS=0时,ADC采样ΔVBE,当BS=1时,ADC采样-VIN,则此时ADC输出可以表示为
对式(14)进行变形可得
则利用式(15)可以求得参数ΔVBE,再结合式(2),可得当前温度为
则图5a的第一步操作可以利用传感器本身获得当前实际温度。
方案三的第二步如图5b所示,当BS=0时,ADC采样VIN,当BS=1时,ADC采样-VBE,则此时ADC输出可以表示为
利用式(17)可以求得VBE的值如下
根据式(16)求得的当前温度,可以得到VBE的理想值,再根据式(18)求得的VBE实际值,可以得到实际芯片中VBE的误差。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍,但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后,对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此,本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。
Claims (7)
1.一种高精度温度传感器校准电路,其特征在于,
在待校准的温度传感器的芯片内,偏置电流Ibias1流到芯片内的晶体管Q1上产生电压VBE,偏置电流Ibias1和Ibias2分别流到芯片内晶体管Q1和Q2上产生电压差值ΔVBE;通过切换开关将电压VBE和电压差值ΔVBE分别连接到sigma delta ADC的两个输入端;sigma deltaADC的输出端获得信号BS,其连接到切换开关处对sigma delta ADC的采样进行切换控制,还连接到降采样滤波器进行滤波后产生量化的数字温度信号;
从芯片外部引入有一个高精度已知电压值的电压VIN,通过所述切换开关将其连接到sigma delta ADC的另一个输入端。
2.如权利要求1所述高精度温度传感器校准电路,其特征在于,
先后两次控制切换开关的相应节点导通,第一次使sigma delta ADC在BS=0时采样ΔVBE,并且在BS=1时采样-VIN;第二次使sigma delta ADC在BS=0时采样ΔVBE,并且在BS=1时采样-VBE。
3.如权利要求1所述高精度温度传感器校准电路,其特征在于,
先后两次控制切换开关的相应节点导通,第一次使sigma delta ADC在BS=0时采样VIN,并且在BS=1时采样-VBE;第二次使sigma delta ADC在BS=0时采样ΔVBE,并且在BS=1时采样-VBE。
4.如权利要求1所述高精度温度传感器校准电路,其特征在于,
先后两次控制切换开关的相应节点导通,第一次使sigma delta ADC在BS=0时采样ΔVBE,并且在BS=1时采样-VIN;第二次使sigma delta ADC在BS=0时采样VIN,并且在BS=1时采样-VBE。
5.一种高精度温度传感器校准方法,使用权利要求1或2的高精度温度传感器校准电路,其特征在于,所述校准方法包含以下过程:
第一步,利用待测的温度传感器获得当前实际温度;
sigma delta ADC在BS=0时采样ΔVBE,在BS=1时采样-VIN;sigma delta ADC的输出信号滤波后得到Doutll;
求得ΔVBE的
α为采样时的放大倍数,是由sigma delta ADC实现的已知数值;
求得当前实际温度为
k为波尔兹曼常数,q为电子电荷,m为芯片内晶体管Q1和Q2的电流密度比;
第二步,sigma delta ADC在BS=0时采样ΔVBE,并且在BS=1时采样-VBE;在sigmadelta ADC的输出信号滤波后得到Dout12;
求得VBE的其中,代入第一步求得的ΔVBE的实际值;将求得的VBE的实际值与VBE的理想值进行比较,得到需修正的误差。
6.一种高精度温度传感器校准方法,使用权利要求1或3的高精度温度传感器校准电路,其特征在于,所述校准方法包含以下过程:
第一步,sigma delta ADC在BS=0时采样VIN,在BS=1时采样-VBE;在sigma delta ADC的输出信号滤波后得到Dout21;
求取VBE的
α为采样时的放大倍数,是由sigma delta ADC实现的已知数值;
第二步,sigma delta ADC在BS=0时采样ΔVBE,在BS=1时采样-VBE;在sigma deltaADC的输出信号滤波后得到Dout22;
求得ΔVBE的
求得当前实际温度
k为波尔兹曼常数,q为电子电荷,m为芯片内晶体管Q1和Q2的电流密度比;
查询当前实际温度对应的VBE的理想值,与第一步求得的VBE的实际值进行比较,得到需修正的误差。
7.一种高精度温度传感器校准方法,使用权利要求1或4的高精度温度传感器校准电路,其特征在于,所述校准方法包含以下过程:
第一步,利用待测的温度传感器获得当前实际温度;
sigma delta ADC在BS=0时采样ΔVBE,在BS=1时采样-VIN;在sigma delta ADC的输出信号滤波后得到Dout31;
求取ΔVBE的
α为采样时的放大倍数,是由sigma delta ADC实现的已知数值;
求得当前实际温度为
k为波尔兹曼常数,q为电子电荷,m为芯片内晶体管Q1和Q2的电流密度比;
第二步,使sigma delta ADC在BS=0时采样VIN,并且在BS=1时采样-VBE;在sigmadelta ADC的输出信号滤波后得到Dout32;
求得VBE的
查询第一步的当前实际温度对应的VBE的理想值,与第二步求得的VBE的实际值进行比较,得到需修正的误差。
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