CN109238477A - 红外焦平面读出电路及红外焦平面探测器 - Google Patents

红外焦平面读出电路及红外焦平面探测器 Download PDF

Info

Publication number
CN109238477A
CN109238477A CN201811269742.9A CN201811269742A CN109238477A CN 109238477 A CN109238477 A CN 109238477A CN 201811269742 A CN201811269742 A CN 201811269742A CN 109238477 A CN109238477 A CN 109238477A
Authority
CN
China
Prior art keywords
picture dot
subelement
electrically connected
unit
alternative
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811269742.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109238477B (zh
Inventor
许正
许正一
张仁富
李忠明
陈敏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanjing Fang Xuzhi Core Microelectronic Technology Co Ltd
Original Assignee
Nanjing Fang Xuzhi Core Microelectronic Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanjing Fang Xuzhi Core Microelectronic Technology Co Ltd filed Critical Nanjing Fang Xuzhi Core Microelectronic Technology Co Ltd
Priority to CN201811269742.9A priority Critical patent/CN109238477B/zh
Publication of CN109238477A publication Critical patent/CN109238477A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109238477B publication Critical patent/CN109238477B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
    • G01J5/22—Electrical features thereof
    • G01J5/24—Use of specially adapted circuits, e.g. bridge circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00—Details of television systems
    • H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
    • H04N5/33—Transforming infrared radiation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J2005/0077—Imaging
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
    • G01J2005/202—Arrays

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Radiation Pyrometers (AREA)

Abstract

本申请实施例提供一种红外焦平面读出电路及红外焦平面探测器。该电路包括：有效象元阵列单元、备选单元、参考盲象元单元、电容跨阻放大器单元及选择输出单元。备选单元包括选择子单元及多个备选参考象元子单元。参考盲象元单元包括一行参考盲象元子单元，其中一个参考盲象元子单元经选择子单元与每个备选参考象元子单元电性连接，剩余的其它每个参考盲象元子单元与有效象元阵列单元中对应的一列有效象元子单元电性连接。由此，可根据实际情况从备选单元中选出无加工缺陷的备选参考象元子单元作为参考象元子单元，以使电路正常工作，该电路具有良率高的特点。

Description

红外焦平面读出电路及红外焦平面探测器
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种红外焦平面读出电路及红外焦平面探测器。
背景技术
红外热成像技术分为制冷型和非制冷型，该技术的核心技术是探测器。微测辐射热计焦平面阵列具有较高的灵敏度，是应用最广泛的一种非制冷红外焦平面阵列(Infrared Focal Plane Array，IRFPA)探测器，由红外敏感阵列和读出电路(ReadoutIntegrated Circuit，ROIC)两部分组成。一般读出电路的电流信号是通过参考盲象元来抵消有效象元的直流信号，从而得到目标的有效温度信号。其中，非制冷红外焦平面阵列探测器可在常温下工作，无需制冷设备。
在现有的实施方式中，读出电路中一般仅设置有一个参考象元，利用该参考象元，通过一参考盲象元抵消与该参考盲象元对应的有效象元的直流信号。由于参考象元有一定的概率存在加工缺陷，若读出电路中设置的该参考象元存在加工缺陷，将导致整个电路不能正常工作。
发明内容
为了克服现有技术中的上述不足，本申请实施例的目的在于提供一种红外焦平面读出电路及红外焦平面探测器，其能够通过设置包括多个备选参考象元子单元的备选单元，使得可以根据实际情况从备选单元中选出无加工缺陷的备选参考象元子单元作为参考象元子单元，以保证电路正常工作，避免电路由于仅设置一个参考象元子单元且该参考象元子单元存在加工缺陷而导致电路不能正常工作的情况发生。
第一方面，本申请实施例提供一种红外焦平面读出电路，包括：有效象元阵列单元、备选单元、参考盲象元单元、电容跨阻放大器单元及选择输出单元，
所述有效象元阵列单元包括多个阵列排布的有效象元子单元，所述参考盲象元单元包括一行参考盲象元子单元，所述备选单元包括选择子单元及多个备选参考象元子单元；其中，所述一行参考盲象元子单元中的其中一个参考盲象元子单元通过所述选择子单元与每个备选参考象元子单元电性连接，剩余的其它每个参考盲象元子单元与对应的一列有效象元子单元中的每个有效象元子单元电性连接；
所述电容跨阻放大器单元包括一行电容跨阻放大器，每个电容跨阻放大器包括正相输入端、反相输入端及输出端，该正相输入端电性连接于一个所述参考盲象元子单元与所述备选单元之间、反相输入端电性连接于对应的一个所述参考盲象元子单元与一列有效象元子单元之间、输出端与所述选择输出单元电性连接，以经所述选择输出单元依次输出与每个有效象元子单元对应的积分信号。
可选地，在本申请实施例中，所述电路还包括控制单元；
所述备选单元包括至少一列备选参考象元子单元；
所述选择子单元包括至少一个列选择开关，每个列选择开关与对应的一列备选参考象元子单元中的每个备选参考象元子单元电性连接；
每个备选参考象元子单元包括一个备选参考象元及与该备选参考象元电性连接的第二开关元件；其中，位于同一行的第二开关元件与同一条第二行选线电性连接；
所述控制单元与列选择开关电性连接，并经第二行选线与第二开关元件电性连接，用于控制每个第二开关元件和每个列选择开关的状态。
可选地，在本申请实施例中，每个有效象元子单元包括一个有效象元及与该有效象元电性连接的第一开关元件；
所述控制单元还经第一行选线和电性连接于该第一行选线上的多个第一开关元件电性连接，用于控制每个第一开关元件的状态；其中，所述第一行选线为多条，位于同一行的多个第一开关元件与同一条第一行选线电性连接。
可选地，在本申请实施例中，所述备选参考象元为参考遮光象元，备选参考象元子单元的行数与所述有效象元阵列单元中有效象元子单元的行数相同，备选参考象元子单元的列数为多列，其中，所述第二行选线为多条。
可选地，在本申请实施例中，所述控制单元还与所述选择输出单元电性连接，用于控制所述选择输出单元依次输出与每个有效象元对应的积分信号。
第二方面，本申请实施例提供一种红外焦平面读出电路，包括：有效象元阵列单元、备选单元、电流镜单元、电流控制单元、电容跨阻放大器单元及选择输出单元，
所述有效象元阵列单元包括多个阵列排布的有效象元子单元，所述电流镜单元包括一行PMOS管，所述电流控制单元包括一行NMOS管；所述备选单元包括选择子单元及多个备选参考象元子单元；所述一行PMOS管中包括一个第一PMOS管及多个第二PMOS管，第一PMOS管经对应的一个NMOS管及所述选择子单元与每个备选参考象元子单元电性连接，每个第二PMOS管分别经一个NMOS管与对应的一列有效象元子单元中的每个有效象元子单元电性连接；其中，第一PMOS管的栅极与漏极电性连接，并经栅极与每个第二PMOS管的栅极电性连接；每个NMOS管的栅极分别与第一偏置电压输入端电性连接；
所述电容跨阻放大器单元包括一行电容跨阻放大器，每个电容跨阻放大器包括正相输入端、反相输入端及输出端，所有正相输入端与第二偏置电压输入端电性连接、该反相输入端电性连接于对应的一个第二PMOS管与一个NMOS管之间、输出端与所述选择输出单元电性连接，以经所述选择输出单元依次输出与每个有效象元子单元对应的积分信号。
可选地，在本申请实施例中，所述电路还包括控制单元；
所述备选单元包括至少一列备选参考象元子单元；
所述选择子单元包括至少一个列选择开关，每个列选择开关与对应的一列备选参考象元子单元中的每个备选参考象元子单元电性连接；
每个备选参考象元子单元包括一个备选参考象元及与该备选参考象元电性连接的第二开关元件；其中，位于同一行的第二开关元件与同一条第二行选线电性连接；
所述控制单元与列选择开关电性连接，并经第二行选线与第二开关元件电性连接，用于控制每个第二开关元件和每个列选择开关的状态；
所述控制单元还与所述选择输出单元电性连接，用于控制所述选择输出单元依次输出与每个有效象元子单元对应的积分信号。
可选地，在本申请实施例中，每个有效象元子单元包括一个有效象元及与该有效象元电性连接的第一开关元件；
所述控制单元还经第一行选线和电性连接于该第一行选线上的多个第一开关元件电性连接，用于控制每个第一开关元件的状态；其中，所述第一行选线为多条，位于同一行的多个第一开关元件与同一条第一行选线电性连接。
可选地，在本申请实施例中，所述备选参考象元为参考遮光象元，备选参考象元子单元的行数与所述有效象元阵列单元中有效象元子单元的行数相同，备选参考象元子单元的列数为多列，其中，所述第二行选线为多条。
第三方面，本申请实施例提供一种红外焦平面探测器，包括所述的红外焦平面读出电路。
相对于现有技术而言，本申请具有以下有益效果：
本申请实施例提供一种红外焦平面读出电路及红外焦平面探测器。该电路包括有效象元阵列单元、备选单元、参考盲象元单元、电容跨阻放大器单元及选择输出单元。备选单元包括选择子单元及多个备选参考象元子单元；每个备选参考象元子单元通过该选择子单元与参考盲象元单元中的同一个参考盲象元子单元电性连接。参考盲象元单元中剩余的其它每个参考盲象元子单元与有效象元阵列单元中对应的一列有效象元子单元电性连接。电容跨阻放大器单元中的每个电容跨阻放大器的正相输入端电性连接于一个参考盲象元子单元与备选单元之间、反相输入端电性连接于一个参考盲象元子单元与对应的一列有效象元子单元之间、输出端与选择输出单元电性连接。选择输出单元用于依次输出与每个有效象元子单元对应的积分信号。由此，即使电路当前使用的参考象元子单元存在缺陷，也可以从备选单元中重新选取无加工缺陷的备选参考象元子单元作为新的参考象元子单元，从而保证电路可正常工作。因此，该红外焦平面读出电路良率极高。
为使申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举本申请较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1是本申请实施例提供的红外焦平面读出电路的示意图之一。
图2是本申请实施例提供的红外焦平面读出电路的示意图之二。
图3是本申请实施例提供的红外焦平面读出电路的示意图之三。
图4是本申请实施例提供的红外焦平面读出电路的示意图之四。
图标：100-红外焦平面读出电路；110-有效象元阵列单元；111-第一行选线；113-有效象元子单元；114-第一开关元件；120-备选单元；121-第二行选线；123-备选参考象元子单元；124-第二开关元件；127-选择子单元；130-参考盲象元单元；140-电容跨阻放大器单元；150-选择输出单元；160-控制单元；170-电流镜单元；180-电流控制单元。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
此外，术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
在本申请的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
下面结合附图，对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
请参照图1，图1是本申请实施例提供的红外焦平面读出电路100的示意图之一。红外焦平面读出电路100为非制冷焦平面阵列探测器的关键部件之一，主要功能为：将红外敏感阵列的信号变化转换成电信号(其中包括积分、采样、驱动输出等)，在一定的帧频下获得最大的信噪比(Signal to Noise Ratio，SNR)。
如图1所示，所述红外焦平面读出电路100包括：有效象元阵列单元110、备选单元120、参考盲象元单元130、电容跨阻放大器单元140及选择输出单元150。其中，所述备选单元120包括多个备选参考象元子单元123。所述备选单元120中的备选参考象元子单元123可被选作为该红外焦平面读出电路100的参考象元子单元。若当前使用的参考象元子单元存在加工缺陷，则可以从备选单元120中重新选取无加工缺陷的备选参考象元子单元123作为新的参考象元子单元，从而保证红外焦平面读出电路100可正常工作，避免在仅设置一个参考象元子单元时，由于该参考象元子单元存在加工缺陷而使得整个电路不能正常工作，导致整个电路成为废品。由此可看出，该红外焦平面读出电路100具有高良率的特点。
在本实施例中，所述有效象元阵列单元110包括多个阵列排布的有效象元子单元113。所述参考盲象元单元130包括一行参考盲象元子单元。所述备选单元120还包括与每个备选参考象元子单元123电性连接的选择子单元127。其中，所述一行参考盲象元子单元中的其中一个参考盲象元子单元经所述选择子单元127与所述备选单元120中的每个备选参考象元子单元123电性连接，剩余的其它每个参考盲象元子单元与所述有效象元阵列单元110中对应的一列有效象元子单元113中的每个有效象元子单元113电性连接。
可选地，所述参考盲象元子单元的数量比所述有效象元阵列单元110中有效象元子单元113的列数多1。每列有效象元子单元113与一个参考盲象元子单元对应设置。如图1所示，Rb2所在的参考盲象元子单元与有效象元子单元列C1对应设置，Rb2所在的参考盲象元子单元与有效象元子单元列C1中的每个有效象元子单元113电性连接。
在本实施例中，所述电容跨阻放大器单元140包括一行电容跨阻放大器(Capacitor Trans-Impedance Amplifier，CTIA)，每个电容跨阻放大器均包括正相输入端、反相输入端及输出端。所有电容跨阻放大器的正相输入端电性连接于同一个参考盲象元子单元与所述备选单元120之间。反相输入端电性连接于对应的一个参考盲象元子单元与一列有效象元子单元113之间。输出端与所述选择输出单元150电性连接，以经所述选择输出单元150依次输出与每个有效象元子单元113对应的积分信号。如图1所示，每个电容跨阻放大器的正相输入端均电性连接于Rb0所在的参考盲象元子单元与备选单元120之间，电容跨阻放大器2的反相输入端则电性连接于Rb2所在的参考盲象元子单元与对应的有效象元子单元列C1之间。
在上述设置中，由于所述备选单元120中设置有多个备选参考象元子单元123。若当前在红外焦平面读出电路100中作为参考象元子单元的备选参考象元子单元123存在加工缺陷，则可从所述备选单元120中重新选择无加工缺陷的备选参考象元子单元123作为新的参考象元子单元，然后通过参考盲象元子单元以抵消对应的有效象元子单元113的直流信号，由此可保证整个电路正常工作，不会由于参考象元子单元存在加工缺陷而使整个电路直接成为废品。
可选地，在本实施例的一种实施方式中，所述选择输出单元150为多路复用开关选择器(Multiplexer，MUX)。
请参照图2，图2是本申请实施例提供的红外焦平面读出电路100的示意图之二。电容跨阻放大器，也称积分器。如图2所示，一个电容跨阻放大器包括一个运算放大器(OpAmps，OP)及一个电容C。该电容C的一端与该运算放大器的反相输入端电性连接，该电容C的另一端与该运算放大器的输出端电性连接。其中，该运算放大器的正相输入端为该电容跨阻放大器的正相输入端，该运算放大器的反相输入端为该电容跨阻放大器的反相输入端，该运算放大器的输出端为该电容跨阻放大器的输出端。
请参照图3，图3是本申请实施例提供的红外焦平面读出电路100的示意图之三。所述红外焦平面读出电路100还包括控制单元160。该控制单元160可以是，但不限于，数字逻辑控制电路。所述备选单元120包括至少一列备选参考象元子单元123，每列备选参考象元子单元123中包括至少一个备选参考象元子单元123。所述选择子单元127包括至少一个列选择开关SEL，每个列选择开关SEL与对应的一列备选参考象元子单元123中的每个备选参考象元子单元123电性连接。
每个备选参考象元子单元123包括一个备选参考象元Rs及一个第二开关元件124。该备选参考象元Rs的一端接地；另一端经该第二开关元件124及对应的一个列选择开关SEL，与对应的一个参考盲象元子单元Rb电性连接。如图3所示，备选参考象元Rs1_1经一个第二开关元件124、列选择开关SEL1与Rb0所在的参考盲象元子单元电性连接。
所述控制单元160与所有的第二开关元件124及所有的列选择开关SEL电性连接，用于控制每个第二开关元件124及每个列选择开关SEL的状态，以从所述备选单元120中选出合适的备选参考象元作为参考象元。
可选地，所述控制单元160经第二行选线121与连接于该第二行选线121上的第二开关元件124电性连接。其中，位于同一行的第二开关元件124与同一条第二行选线121电性连接。
在本实施例中的实施方式中，若该备选单元120中的备选参考象元子单元123为一列N行，此时可设置有一个列选择开关SEL及多条第二行选线121，一条第二行选线121仅与一个第二开关元件124电性连接。
若该备选单元120中的备选参考象元子单元123为一行Y列，此时可设置有多个列选择开关SEL及一条第二行选线121，一条第二行选线121与多个第二开关元件124电性连接。
若该备选单元120中的备选参考象元子单元123为Y列N行，此时可设置有Y个列选择开关SEL及N条第二行选线121，每个列选择开关SEL与对应的一列备选参考象元子单元123电性连接，位于同一行的多个第二开关元件124与同一条第二行选线121电性连接。如图3所示，列选择开关SEL1与备选参考象元Rs1_1～Rs1_N(Ra1_1、Ra1_2、…、Ra1_N)所在的备选参考象元子单元列电性连接，与备选参考象元Rs1_1～RsY_1(Ra1_1、Ra2_1、…、RaY_1)电性连接的第二开关元件124与同一条第二行选线121电性连接。当然可以理解的是，上述仅为举例，备选单元120也可以采用其他设置方式，只要保证可通过对第二开关元件124及列选择开关SEL的控制，选出参考象元即可。
请再次参照图3，每个有效象元子单元113包括一个有效象元Ra及一个第一开关元件114，该有效象元Ra的一端经该第一开关元件114与对应的参考盲象元子单元电性连接，另一端接地。所述控制单元160还与每个第一开关元件114电性连接，用于通过控制每个第一开关元件114的状态，以控制对应的有效象元Ra是否通电。
可选地，所述控制单元160经第一行选线111和电性连接于该第一行选线111上的多个第一开关元件114电性连接。其中，第一行选线111为多条。如图3所示，分别与有效象元Ra1_1～RaM_1(Ra1_1、Ra2_1、…、RaM_1)电性连接的第一开关元件114与同一条第一行选线111电性连接。也就是说，位于同一行的多个第一开关元件114与同一条第一行选线111电性连接。
在本实施例的实施方式中，若仅需从所述备选单元120中选出一个备选参考象元子单元123作为参考象元子单元，仅控制一个参考象元子单元对应的列选择开关SEL及第二开关元件124处于闭合状态，即可利用上述设置保证整个电路正常工作。进一步地，为避免由于参考象元子单元与有效象元子单元113受到的焦耳热影响不同，而对获取的有效温度信号有影响，还可以设置TEC(Thermoelectric Cooler，半导体致冷器)以使该红外焦平面读出电路100处于恒定的环境温度下，从而达到较好的性能。
在本实施例中，所述控制单元160还与所述选择输出单元150电性连接，用于通过向所述控制选择输出单元150发送列选信号，以控制所述选择输出单元150依次输出与每个有效象元Ra对应的积分信号，从而得到有效温度信号。
请再次参照图3，每个参考盲象元子单元包括一个参考盲象元Rb，所述参考盲象元Rb的一端与对应的一列有效象元子单元113或备选单元120电性连接；另一端与参考电压端电性连接，以获得参考电压VSK。其中，所有参考盲象元Rb得到的参考电压相同，均为VSK。
可选地，所述备选参考象元可以为参考盲象元，也可以为参考遮光象元。参考盲象元，对探测目标的温度不敏感，只会随着环境温度变化而变化电阻值。有效象元，对探测目标的温度敏感，也会随着环境温度变化而变化电阻值，还会由于正常工作时的电学焦耳热变化电阻值(不同的温度下焦耳热不同)。参考遮光象元，对探测目标的温度不敏感，会随着环境温度变化而变化电阻值，还会由于正常工作时的电学焦耳热变化电阻值(不同的温度下焦耳热不同)。其中，参考遮光象元的结构与有效象元的结构相同，只是在有效象元上面增加阻挡层，不让探测目标的红外光照射到参考遮光象元上。
在本实施例的一种实施方式中，所述备选参考象元为参考遮光象元。备选参考象元子单元123的行数与所述有效象元阵列单元110中的行数相同，备选参考象元子单元123的列数为多列。其中，第二行选线121为多条。
在上述设置下，既可以从备选单元120中选出一个备选参考象元子单元123作为参考象元子单元，也可以可从备选单元120中选出一列备选参考象元子单元123作为参考象元子单元。
在从备选单元120中选出一列备选参考象元子单元123作为参考象元子单元时，通过控制单元160控制该列参考象元子单元对应的列选择开关SEL处于闭合状态，并控制位于同一行的第一开关元件114及第二开关元件124处于相同的工作状态，可保证位于同一行的参考遮光象元Rs与有效象元Ra通电时间相同，因焦耳热而变化的电阻值相同。由此，通过所述控制单元160控制位于同一行的参考遮光象元Rs、有效象元Ra同时通电及同时断电，可保证受到的焦耳热影响相同。由此，既可以保证整个电路不会由于参考象元存在加工缺陷而直接成为废品，还可以使该电路在不单独设置TEC的情况下，可以抵消有效象元的直流信号。
下面结合图3对红外焦平面读出电路100进行举例说明。
该红外焦平面读出电路100包括：控制单元160、MxN阵列有效象元Ra、YxN阵列参考遮光象元Rs、M+1列参考盲象元Rb、M列电容跨阻放大器、多路复用开关选择器。其中，每个有效象元Ra一端接地，另一端通过一个第一开关元件114与对应的一个参考盲象元Rb电性连接。每个参考遮光象元Rs一端接地，另一端通过一个第二开关元件124及一个列选择开关SEL与对应的一个参考盲象元(如图3中的参考盲象元Rb0)电性连接。其中，一列参考遮光象元Rs中的每个参考遮光象元Rs分别通过一个第二开关元件124与同一个列选择开关SEL电性连接。每个参考盲象元Rb一端与一个参考电压端电性连接，以获得参考电压VSK；另一端经第一开关元件114与对应的有效象元Ra电性连接、或经列选择开关SEL及第二开关元件124与对应的参考遮光象元Rs电性连接。每个电容跨阻放大器的反向输入端电性连接于对应的参考盲象元Rb与一列有效象元Ra之间。所有电容跨阻放大器的正相输入端电性连接于一个参考盲象元Rb与YxN阵列参考遮光象元Rs之间，输出端与多路复用开关选择器电性连接。
在从YxN阵列参考遮光象元Rs中选出一列参考遮光象元Rs后，所述控制单元160通过第一行选线111及第二行选线121，控制位于同一行的第一开关元件114与第二开关元件124的状态，以保证位于同一行的参考遮光象元Rs与有效象元Ra通电时间相同，焦耳热相同。其中，该电路中包括惠斯通电桥，一个典型的惠斯通电桥由参考盲象元Rb0、参考盲象元Rb1、参考遮光象元RsY_1和有效象元Ra1_1组成。
若选择第一列(即列选择开关SEL1闭合)，正常工作时，第一行选信号ROW1及第二行选信号ROW1+FIX打开，与参考遮光象元Rs1_1电性连接的第二开关元件124及与有效象元Ra1_1～RaM_1电性连接的第一开关元件114闭合；跨阻电容放大器对目标的红外光信号进行积分，输出列积分电压VCOL1～VCOLM；通过多路复用开关选择器将第1行积分电压分时输出到视频信号VOUT。接着第一行选信号ROW2及第二行选信号ROW2&FIXB打开，与参考遮光象元Rs1_2连接的第二开关元件124和与有效象元Ra1_2～RaM_2连接的第一开关元件114闭合；跨阻电容放大器对目标的红外光信号进行积分，输出列积分电压VCOL1～VCOLM；通过多路复用开关选择器将第2行积分电压分时输出到视频信号VOUT。依次循环将所有行的积分信号输出。
其中，列输出电压VCOL计算公式为：
其中，VREF为电桥参考电压，TINT为积分时间，CINT为积分电容。
结合图3，假设红外焦平面读出电路仅设置一个与参考盲象元Rb0一直电性连接的Rs。由上述公式可知，若Rs为参考盲象元，当无目标红外光进行照射时，Rb0等于Rs，VREF等于0.5VSK(VSK为偏置电压)，Ra由于电学焦耳热引起电阻值变小，导致直流电流无法有效抵消，因此列输出信号VCOL变大。焦耳热引起的电阻变化与通电时间成正比，Ra的通电时间为积分时间TINT。在不同的环境温度下，焦耳热大为不同，直流电流变化增大，导致VCOL输出电压饱和，无法在系统级进行校准。
若Rs为参考遮光象元，当无目标红外光进行照射时，Rs一直通电，通电时间比Ra长非常多，因此Rs的焦耳热比Ra的焦耳热大很多，导致直流电流无法有效抵消。在不同的环境温度下，Rs和Ra的焦耳热差异不同，直流电流变化增大，导致VCOL输出电压饱和，无法在系统级进行校准。
而在本实施例的上述实施方式中，当无目标红外光进行照射时，Rb0等于Rb1～RbM；由于Rs和Ra对应的开关元件的状态相同，因此其通电时间相同，均为TINT。由于Rs和Ra结构完全一致，在通电时间相同时，在不同环境温度下焦耳热也完全相同，因此Rs等于Ra，基于VCOL的计算公式可计算出直流电流完全抵消，VCOL都为VREF，直流电流信号不会引起输出积分电压变化。因此在保证该电路具有高良率的基础上，无需专门设置TEC，该红外焦平面读出电路100也能达到很好的性能。
在本实施例中，在可选出一列无加工缺陷的参考遮光象元Rs的情况下，所述控制单元160可向有效象元阵列单元110依次发送第一行选信号ROW1、ROW2、ROW3、…、ROWN，向YxN阵列参考遮光象元Rs依次发送第二行选信号ROW1+FIX、ROW2&FIXB、ROW3&FIXB、…、ROWN&FIXB。其中，FIX与FIXB互反。此时，FIX为0，FIXB为1。Ra与Rs操作方式相同，均使用行选功能。
在不能选出一列无加工缺陷的参考遮光象元的情况下，则可使FIX为1，FIXB为0，通过列选择开关SEL从1行Y列中选一个固定的无加工缺陷的参考遮光象元Rs作为电路的参考象元。其中，FIX和FIXB可以选择第一行，也可以选择N行中的任意一行。此时，Rs无需使用行选功能，工作方式与有效象元Ra不同。上述方式可降低控制单元160的复杂程度。
通过上述设置，可通过列选择开关SEL选择其中一列参考遮光象元作为参考象元消除电学自热效应带来的直流电流信号偏差，这样有很大概率选中一列N行无加工缺陷的参考遮光象元，可极大地提高红外焦平面读出电路100的良率。
即使在Y列中不能选出一列N行无加工缺陷的参考遮光象元作为参考象元，也可以通过控制列选择开关SEL及配置信号FIX为0、FIXB为1，选出一个无加工缺陷的参考遮光象元作为参考象元，使得红外焦平面读出电路100的良率得到最大化提高。
当然可以理解的是，所述控制单元160也可以通过对第二开关元件124及列选择开关SEL的控制，依次从每行参考遮光象元中任意地选出一个无加工缺陷的参考遮光象元作为参考象元，从而得到一列参考象元。其中，该一列参考象元中每个参考象元与一行有效象元Ra对应。
请参照图4，图4是本申请实施例提供的红外焦平面读出电路100的示意图之四。所述红外焦平面读出电路100包括：有效象元阵列单元110、备选单元120、电流镜单元170、电流控制单元180、电容跨阻放大器单元140及选择输出单元150。
所述有效象元阵列单元110包括多个阵列排布的有效象元子单元113。所述电流镜单元170包括一行PMOS(Positive channel Metal Oxide Semiconductor，P型金属氧化物半导体)管，所述电流控制单元180包括一行NMOS(Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor,N型金属氧化物半导体)管。所述备选单元120包括选择子单元127及多个备选参考象元子单元123。所述一行PMOS管中包括一个第一PMOS管及多个第二PMOS管，第一PMOS管经对应的一个NMOS管及所述选择子单元127与每个备选参考象元子单元123电性连接，每个第二PMOS管分别经一个NMOS管与对应的一列有效象元子单元113中的每个有效象元子单元113电性连接。其中，第一PMOS管的栅极与漏极电性连接，并经栅极与每个第二PMOS管的栅极电性连接；每个NMOS管的栅极分别与第一偏置电压输入端电性连接，以得到第一偏置电压VBN。
其中，上述PMOS管为镜像电流管，NMOS管为偏压控制NMOS管。
所述电容跨阻放大器单元140包括一行电容跨阻放大器，每个电容跨阻放大器包括正相输入端、反相输入端及输出端，所有正相输入端与第二偏置电压输入端电性连接，以获得第二偏置电压VBUS；该反相输入端电性连接于对应的一个第二PMOS管与一个NMOS管之间；输出端与所述选择输出单元150电性连接，以经所述选择输出单元150依次输出与每个有效象元子单元113对应的积分信号。
请再次参照图4，所述红外焦平面读出电路100还包括控制单元160。所述备选单元120包括至少一列备选参考象元子单元123。所述选择子单元127包括至少一个列选择开关SEL，每个列选择开关SEL与对应的一列备选参考象元子单元123中的每个备选参考象元子单元123电性连接。每个备选参考象元子单元123包括一个备选参考象元Rs及与该备选参考象元Rs电性连接的第二开关元件124。其中，位于同一行的第二开关元件124与同一条第二行选线121电性连接。所述控制单元160与第二开关元件124电性连接，并经第二行选线121与列选择开关SEL电性连接，用于控制每个第二开关元件124和每个列选择开关SEL的状态。
在本实施例中，所述控制单元160还与所述选择输出单元150电性连接，用于控制所述选择输出单元150依次输出与每个有效象元子单元113对应的积分信号。
在本实施例中，每个有效象元子单元113包括一个有效象元Ra及与该有效象元Ra电性连接的第一开关元件114。所述控制单元160还经第一行选线111和电性连接于该第一行选线111上的多个第一开关元件114电性连接，用于控制每个第一开关元件114的状态。其中，所述第一行选线111为多条，位于同一行的多个第一开关元件114与同一条第一行选线111电性连接。
在本实施例中，所述备选参考象元为参考遮光象元，备选参考象元子单元123的行数与所述有效象元阵列单元110中有效象元子单元113的行数相同，备选参考象元子单元123的列数为多列。其中，所述第二行选线121为多条。
在本实施例中，偏压信号VBN通过控制参考遮光象元Rs和有效象元Ra的偏置电压大小来控制参考遮光象元Rs和有效象元Ra的偏置电流大小。参考遮光象元Rs的偏置电流通过镜像电流管MP0(即第一PMOS管)镜像给第二PMOS管MP1～MPM，与偏压管MN1～MNM的偏置电流抵消。
在可选出一列无加工缺陷的参考遮光象元的情况下，由于参考遮光象元Rs和有效象元Ra结构完全一致，在通电时间相同的情况下，在不同环境温度下焦耳热也完全相同，VCOL都为偏压信号VBUS，直流电流信号不会引起输出积分电压变化，因此无需专门设置TEC也能达到很好的性能。
关于图4中的有效象元阵列单元110、备选单元120、电容跨阻放大器单元140、选择输出单元150及控制单元160的描述可以参见上文对图1～图3的描述，在此不再赘述。
在本实施例的实施方式中，图1～图4所示的红外焦平面读出电路100还可以根据实际需求包括其他单元，比如，偏置产生单元、温度检测单元等。
在本实施例中，可以理解的是，YxN阵列参考遮光象元结构不仅可以应用于惠斯通电桥架构，也可以应用于电流镜抵消直流电流信号架构中，还可以应用在其他抵消有效象元直流电流信号的架构中。
本申请实施例还提供一种红外焦平面探测器，包括上述的红外焦平面读出电路100。该红外焦平面探测器具有质量轻、体积小、功耗低、启动快、成本低等优点。
综上所述，本申请实施例提供一种红外焦平面读出电路及红外焦平面探测器。该电路包括有效象元阵列单元、备选单元、参考盲象元单元、电容跨阻放大器单元及选择输出单元。备选单元包括选择子单元及多个备选参考象元子单元；每个备选参考象元子单元通过该选择子单元与参考盲象元单元中的同一个参考盲象元子单元电性连接。参考盲象元单元中剩余的其它每个参考盲象元子单元与有效象元阵列单元中对应的一列有效象元子单元电性连接。电容跨阻放大器单元中的每个电容跨阻放大器的正相输入端电性连接于一个参考盲象元子单元与备选单元之间、反相输入端电性连接于一个参考盲象元子单元与对应的一列有效象元子单元之间、输出端与选择输出单元电性连接。选择输出单元用于依次输出与每个有效象元子单元对应的积分信号。由此，即使电路当前使用的参考象元子单元存在缺陷，也可以从备选单元中重新选取无加工缺陷的备选参考象元子单元作为新的参考象元子单元，从而保证电路可正常工作。因此，该红外焦平面读出电路良率极高。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种红外焦平面读出电路，其特征在于，包括：有效象元阵列单元、备选单元、参考盲象元单元、电容跨阻放大器单元及选择输出单元，
所述有效象元阵列单元包括多个阵列排布的有效象元子单元，所述参考盲象元单元包括一行参考盲象元子单元，所述备选单元包括选择子单元及多个备选参考象元子单元；其中，所述一行参考盲象元子单元中的其中一个参考盲象元子单元通过所述选择子单元与每个备选参考象元子单元电性连接，剩余的其它每个参考盲象元子单元与对应的一列有效象元子单元中的每个有效象元子单元电性连接；
所述电容跨阻放大器单元包括一行电容跨阻放大器，每个电容跨阻放大器包括正相输入端、反相输入端及输出端，该正相输入端电性连接于一个所述参考盲象元子单元与所述备选单元之间、反相输入端电性连接于对应的一个所述参考盲象元子单元与一列有效象元子单元之间、输出端与所述选择输出单元电性连接，以经所述选择输出单元依次输出与每个有效象元子单元对应的积分信号。
2.根据权利要求1所述的红外焦平面读出电路，其特征在于，所述电路还包括控制单元；
所述备选单元包括至少一列备选参考象元子单元；
所述选择子单元包括至少一个列选择开关，每个列选择开关与对应的一列备选参考象元子单元中的每个备选参考象元子单元电性连接；
每个备选参考象元子单元包括一个备选参考象元及与该备选参考象元电性连接的第二开关元件；其中，位于同一行的第二开关元件与同一条第二行选线电性连接；
所述控制单元与列选择开关电性连接，并经第二行选线与第二开关元件电性连接，用于控制每个第二开关元件和每个列选择开关的状态。
3.根据权利要求2所述的红外焦平面读出电路，其特征在于，
每个有效象元子单元包括一个有效象元及与该有效象元电性连接的第一开关元件；
所述控制单元还经第一行选线和电性连接于该第一行选线上的多个第一开关元件电性连接，用于控制每个第一开关元件的状态；其中，所述第一行选线为多条，位于同一行的多个第一开关元件与同一条第一行选线电性连接。
4.根据权利要求2或3所述的红外焦平面读出电路，其特征在于，所述备选参考象元为参考遮光象元，备选参考象元子单元的行数与所述有效象元阵列单元中有效象元子单元的行数相同，备选参考象元子单元的列数为多列，其中，所述第二行选线为多条。
5.根据权利要求3所述的红外焦平面读出电路，其特征在于，所述控制单元还与所述选择输出单元电性连接，用于控制所述选择输出单元依次输出与每个有效象元对应的积分信号。
6.一种红外焦平面读出电路，其特征在于，包括：有效象元阵列单元、备选单元、电流镜单元、电流控制单元、电容跨阻放大器单元及选择输出单元，
所述有效象元阵列单元包括多个阵列排布的有效象元子单元，所述电流镜单元包括一行PMOS管，所述电流控制单元包括一行NMOS管；所述备选单元包括选择子单元及多个备选参考象元子单元；所述一行PMOS管中包括一个第一PMOS管及多个第二PMOS管，第一PMOS管经对应的一个NMOS管及所述选择子单元与每个备选参考象元子单元电性连接，每个第二PMOS管分别经一个NMOS管与对应的一列有效象元子单元中的每个有效象元子单元电性连接；其中，第一PMOS管的栅极与漏极电性连接，并经栅极与每个第二PMOS管的栅极电性连接；每个NMOS管的栅极分别与第一偏置电压输入端电性连接；
所述电容跨阻放大器单元包括一行电容跨阻放大器，每个电容跨阻放大器包括正相输入端、反相输入端及输出端，所有正相输入端与第二偏置电压输入端电性连接、该反相输入端电性连接于对应的一个第二PMOS管与一个NMOS管之间、输出端与所述选择输出单元电性连接，以经所述选择输出单元依次输出与每个有效象元子单元对应的积分信号。
7.根据权利要求6所述的红外焦平面读出电路，其特征在于，所述电路还包括控制单元；
所述备选单元包括至少一列备选参考象元子单元；
所述选择子单元包括至少一个列选择开关，每个列选择开关与对应的一列备选参考象元子单元中的每个备选参考象元子单元电性连接；
每个备选参考象元子单元包括一个备选参考象元及与该备选参考象元电性连接的第二开关元件；其中，位于同一行的第二开关元件与同一条第二行选线电性连接；
所述控制单元与列选择开关电性连接，并经第二行选线与第二开关元件电性连接，用于控制每个第二开关元件和每个列选择开关的状态；
所述控制单元还与所述选择输出单元电性连接，用于控制所述选择输出单元依次输出与每个有效象元子单元对应的积分信号。
8.根据权利要求7所述的红外焦平面读出电路，其特征在于，
每个有效象元子单元包括一个有效象元及与该有效象元电性连接的第一开关元件；
所述控制单元还经第一行选线和电性连接于该第一行选线上的多个第一开关元件电性连接，用于控制每个第一开关元件的状态；其中，所述第一行选线为多条，位于同一行的多个第一开关元件与同一条第一行选线电性连接。
9.根据权利要求7或8所述的红外焦平面读出电路，其特征在于，所述备选参考象元为参考遮光象元，备选参考象元子单元的行数与所述有效象元阵列单元中有效象元子单元的行数相同，备选参考象元子单元的列数为多列，其中，所述第二行选线为多条。
10.一种红外焦平面探测器，其特征在于，包括权利要求1-9中任意一项所述的红外焦平面读出电路。
CN201811269742.9A 2018-10-29 2018-10-29 红外焦平面读出电路及红外焦平面探测器 Active CN109238477B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811269742.9A CN109238477B (zh) 2018-10-29 2018-10-29 红外焦平面读出电路及红外焦平面探测器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811269742.9A CN109238477B (zh) 2018-10-29 2018-10-29 红外焦平面读出电路及红外焦平面探测器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109238477A true CN109238477A (zh) 2019-01-18
CN109238477B CN109238477B (zh) 2024-05-28

Family

ID=65079073

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811269742.9A Active CN109238477B (zh) 2018-10-29 2018-10-29 红外焦平面读出电路及红外焦平面探测器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109238477B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116086621A (zh) * 2023-03-31 2023-05-09 杭州海康微影传感科技有限公司 一种红外读出电路及红外读出电路的控制方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5811808A (en) * 1996-09-12 1998-09-22 Amber Engineering, Inc. Infrared imaging system employing on-focal plane nonuniformity correction
US20060181627A1 (en) * 2005-01-06 2006-08-17 Recon/Optical, Inc. Hybrid infrared detector array and CMOS readout integrated circuit with improved dynamic range
CN201497578U (zh) * 2009-08-13 2010-06-02 武汉高德红外股份有限公司 高灵敏度读出电路
CN102004219A (zh) * 2010-09-17 2011-04-06 南京理工大学 一种红外焦平面阵列探测器模拟装置及模拟方法
CN102147292A (zh) * 2011-01-12 2011-08-10 北京广微积电科技有限公司 红外焦平面阵列及其读出电路
CN103308184A (zh) * 2013-05-13 2013-09-18 浙江大立科技股份有限公司 红外焦平面阵列探测器单元、红外成像系统及校正方法
CN103776544A (zh) * 2014-01-09 2014-05-07 电子科技大学 一种非制冷红外焦平面阵列的读出电路
CN106872048A (zh) * 2015-12-13 2017-06-20 田佳聪 一种带背景抑制的红外读出电路
CN108414093A (zh) * 2018-01-12 2018-08-17 武汉高德红外股份有限公司 一种非制冷红外焦平面探测器的读出电路及提高良率的方法
CN208780348U (zh) * 2018-10-29 2019-04-23 南京方旭智芯微电子科技有限公司 红外焦平面读出电路及红外焦平面探测器

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5811808A (en) * 1996-09-12 1998-09-22 Amber Engineering, Inc. Infrared imaging system employing on-focal plane nonuniformity correction
US20060181627A1 (en) * 2005-01-06 2006-08-17 Recon/Optical, Inc. Hybrid infrared detector array and CMOS readout integrated circuit with improved dynamic range
CN201497578U (zh) * 2009-08-13 2010-06-02 武汉高德红外股份有限公司 高灵敏度读出电路
CN102004219A (zh) * 2010-09-17 2011-04-06 南京理工大学 一种红外焦平面阵列探测器模拟装置及模拟方法
CN102147292A (zh) * 2011-01-12 2011-08-10 北京广微积电科技有限公司 红外焦平面阵列及其读出电路
CN103308184A (zh) * 2013-05-13 2013-09-18 浙江大立科技股份有限公司 红外焦平面阵列探测器单元、红外成像系统及校正方法
CN103776544A (zh) * 2014-01-09 2014-05-07 电子科技大学 一种非制冷红外焦平面阵列的读出电路
CN106872048A (zh) * 2015-12-13 2017-06-20 田佳聪 一种带背景抑制的红外读出电路
CN108414093A (zh) * 2018-01-12 2018-08-17 武汉高德红外股份有限公司 一种非制冷红外焦平面探测器的读出电路及提高良率的方法
CN208780348U (zh) * 2018-10-29 2019-04-23 南京方旭智芯微电子科技有限公司 红外焦平面读出电路及红外焦平面探测器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116086621A (zh) * 2023-03-31 2023-05-09 杭州海康微影传感科技有限公司 一种红外读出电路及红外读出电路的控制方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109238477B (zh) 2024-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI528819B (zh) 用於改善位元線之電源供應拒斥比之前饋技術
US6593562B1 (en) Electro-optical sensor arrays with reduced sensitivity to defects
CN102735344B (zh) 一种红外焦平面阵列探测器的读出电路
CN101949737B (zh) 一种红外焦平面阵列的行选通电路
RU2550584C2 (ru) Устройство для детектирования электромагнитного излучения с низкой чувствительностью к пространственному шуму
WO2007135850A1 (ja) 赤外線アレイセンサ
JP5292689B2 (ja) 熱型赤外線撮像装置及びその動作方法
CN102494781A (zh) 一种读出电路偏置结构
US6344651B1 (en) Differential current mode output circuit for electro-optical sensor arrays
JP2008268155A (ja) 熱型赤外線固体撮像素子
CN208780348U (zh) 红外焦平面读出电路及红外焦平面探测器
US20150241282A1 (en) Imaging device
CN109238477A (zh) 红外焦平面读出电路及红外焦平面探测器
CN208795370U (zh) 红外焦平面读出电路及红外焦平面探测器
CN102346074B (zh) 一种读出电路偏置结构
CN210513428U (zh) 一种快速稳定的非制冷红外焦平面读出电路
CN109238476A (zh) 红外焦平面读出电路及红外焦平面探测器
CN208780347U (zh) 红外焦平面读出电路及红外焦平面探测器
CN109000805B (zh) 非制冷红外焦平面阵列
Yu et al. A new CMOS readout circuit for uncooled bolometric infrared focal plane arrays
CN105352606A (zh) 一种非制冷红外焦平面阵列探测器的读出电路
CN109238478A (zh) 红外焦平面读出电路及红外焦平面探测器
JP3974902B2 (ja) 熱型赤外線検出素子
KR101804860B1 (ko) 적외선 검출기
Eminoğlu Uncooled Infrared Focal Plane Arrays with Integrated Readout Circuritry Using MEMS and Standard CMOS Technologies

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant