CN109216518A - 抗静电led芯片制备方法及其应用 - Google Patents

抗静电led芯片制备方法及其应用 Download PDF

Info

Publication number
CN109216518A
CN109216518A CN201710521464.0A CN201710521464A CN109216518A CN 109216518 A CN109216518 A CN 109216518A CN 201710521464 A CN201710521464 A CN 201710521464A CN 109216518 A CN109216518 A CN 109216518A
Authority
CN
China
Prior art keywords
type layer
layer
electrode
quantum well
type
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710521464.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109216518B (zh
Inventor
杨晓隆
王怀兵
王辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SUZHOU NANOJOIN PHOTONICS CO Ltd
Original Assignee
SUZHOU NANOJOIN PHOTONICS CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SUZHOU NANOJOIN PHOTONICS CO Ltd filed Critical SUZHOU NANOJOIN PHOTONICS CO Ltd
Priority to CN201710521464.0A priority Critical patent/CN109216518B/zh
Publication of CN109216518A publication Critical patent/CN109216518A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109216518B publication Critical patent/CN109216518B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明提供了一种抗静电LED芯片，所述芯片包括一衬底，所述衬底上由下至上依次设置有第一P型层、量子阱层、N型层、量子阱层、第二P型层，所述第一P型层及第二P型层上外延生长有电容区。本发明通过增加电容区，当电压超过器件最大范围时，电容区将自动收集静电电荷，避免LED芯片或外延片受到冲击，损坏LED器件。

Description

抗静电LED芯片制备方法及其应用
技术领域
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种抗静电LED芯片及其制备方法。
背景技术
随着 LED 技术的快速发展以及 LED 光效的逐步提高，LED 的应用将越来越广泛。随着全球性能源短缺问题的日益严重，人们越来越关注 LED 在照明市场的发展前景，LED 将是取代白炽灯、钨丝灯和荧光灯的潜力光源。LED 照明市场发展空间广阔。LED 照明灯具应用已经从过去室外景观照明 LED 发展向室内照明应用。行业内，静电是造成LED器件失效的主要原因之一，其主要原因是由于静电释放会导致LED器件的漏电死灯现象，因此，为提高LED的可靠性能和寿命，使LED芯片具有抗静电将发挥异常重要的作用。
发明内容
本发明的目的在于解决上述的技术问题，提供了一种抗静电LED芯片制备及其应用。
本发明的目的通过以下技术方案来实现：
抗静电LED芯片制备方法，包括如下步骤：
S1、在氢气气氛下，高温处理衬底，并在衬底上生长非掺杂GaN层；
S2，在非掺杂GaN 层表面依次生长第一P型层、量子阱层、N型层及量子阱层、第二P型层；
所述第一P型层和所述第二P 型层上均设置有一用于收集电荷的电容区。
有选地，所述电容区为电极。
有选地，所述电极包括设置于第二P型层上的第二电极，及设置于所述第一P型层上的第一电极。
有选地，所述第一电极制备时，先通过在第二P型层上进行蚀刻露出第一P型层，在所述第一P型成上制备电极形成第一电极。
一种如权利要求1所述的抗静电LED芯片制备方法制得的抗静电LED芯片。
有选地，所述芯片包括一衬底，所述衬底上由下至上依次设置有第一P型层、量子阱层、N型层、量子阱层、第二P型层，所述第一P型层及第二P型层上外延生长有电容区。
本发明的原理为当通入正向电流时，N型层和第二P型层及中间的量子阱开始工作，电能转换为光能；当反向静电通入时，第一P型层，量子阱和N型层，开始吸收电荷，避免LED损伤。电极通过P和N的三层叠加，实现静电电荷的吸收，缓解静电冲击；
本发明的有益效果体现在：本发明通过增加电容区，当电压超过器件最大范围时，电容区将自动收集静电电荷，避免LED芯片或外延片受到冲击，损坏LED器件。
附图说明
图1：本发明的结构示意图。
具体实施方式
以下结合实施例具体阐述本发明的技术方案，本发明揭示了一种抗静电LED芯片及其制备方法。如图1所示，所述芯片包括一衬底，所述衬底上生长有非掺杂GaN层，所述非掺杂GaN层由下至上依次设置有第一P型层、量子阱层、N型层、量子阱层、第二P型层，所述第一P型层及第二P型层上外延生长有电容区。
本发明所述电容区实际为电极，所述电极包括设置于第二P型层上的第二电极，及设置于所述第一P型层上的第一电极。
所述第一电极制备时，先通过在第二P型层上进行蚀刻露出第一P型层，在所述第一P型成上制备电极形成第一电极。
所述芯片的结构也可以为其他形式，例如在P型层和量子阱层中生长有有源层等，芯片结构可采用现有技术中的任意结构，在此不再赘述。但采用本发明中通过电极将静电引出，为本发明之根本。
本发明尚有多种具体的实施方式。凡采用等同替换或者等效变换而形成的所有技术方案，均落在本发明要求保护的范围之内。

Claims (6)

1.抗静电LED芯片制备方法，包括如下步骤：
S1、在氢气气氛下，高温处理衬底，并在衬底上生长非掺杂GaN 层；
S2，在非掺杂GaN 层表面依次生长第一P型层、量子阱层、N型层及量子阱层、第二P型层；
其特征在于：所述第一P型层和所述第二P型层上均设置有一用于收集电荷的电容区。
2.如权利要求1所述的抗静电LED芯片制备方法，其特征在于：所述电容区为电极。
3.如权利要求2所述的抗静电LED芯片制备方法，其特征在于：所述电极包括设置于第二P型层上的第二电极，及设置于所述第一P型层上的第一电极。
4.如权利要求1所述的抗静电LED芯片制备方法，其特征在于：所述第一电极制备时，先通过在第二P型层上进行蚀刻露出第一P型层，在所述第一P型成上制备电极形成第一电极。
5.一种如权利要求1所述的抗静电LED芯片制备方法制得的抗静电LED芯片。
6.如权利要求5所述的抗静电LED芯片，其特征在于：所述芯片包括一衬底，所述衬底上由下至上依次设置有第一P型层、量子阱层、N型层、量子阱层、第二P型层，所述第一P型层及第二P型层上外延生长有电容区。
CN201710521464.0A 2017-06-30 2017-06-30 抗静电led芯片制备方法及其应用 Expired - Fee Related CN109216518B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710521464.0A CN109216518B (zh) 2017-06-30 2017-06-30 抗静电led芯片制备方法及其应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710521464.0A CN109216518B (zh) 2017-06-30 2017-06-30 抗静电led芯片制备方法及其应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109216518A true CN109216518A (zh) 2019-01-15
CN109216518B CN109216518B (zh) 2020-06-12

Family

ID=64960846

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710521464.0A Expired - Fee Related CN109216518B (zh) 2017-06-30 2017-06-30 抗静电led芯片制备方法及其应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109216518B (zh)

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004342885A (ja) * 2003-05-16 2004-12-02 Sumitomo Chem Co Ltd 発光素子および発光装置
WO2005122292A1 (en) * 2004-06-10 2005-12-22 Epivalley Co., Ltd. Iii-nitride semiconductor light emitting device
KR100649642B1 (ko) * 2005-05-31 2006-11-27 삼성전기주식회사 Ｅｓｄ 보호 소자를 구비한 화합물 반도체 발광 소자 및 그제조 방법
US20070254394A1 (en) * 2005-01-19 2007-11-01 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Gallium nitride-based light emitting device having ESD protection capacity and method for manufacturing the same
CN101335313A (zh) * 2007-06-29 2008-12-31 上海蓝光科技有限公司 提高氮化镓基led抗静电能力的方法及氮化镓基led结构
KR20090048030A (ko) * 2007-11-09 2009-05-13 (주)더리즈 발광 다이오드 소자와 그 제조 방법
CN101752480A (zh) * 2008-12-16 2010-06-23 大连路美芯片科技有限公司 一种氮化镓基led外延片及其生长方法
CN101814531A (zh) * 2009-02-19 2010-08-25 中国科学院微电子研究所 利用半导体pn结结电容构成的电容器及其制作方法
CN102074635A (zh) * 2009-10-22 2011-05-25 Lg伊诺特有限公司 发光器件、发光器件封装和照明系统
KR20130057675A (ko) * 2011-11-24 2013-06-03 삼성전자주식회사 발광소자 및 발광소자 패키지
CN103489972A (zh) * 2013-09-24 2014-01-01 西安神光皓瑞光电科技有限公司 一种抗静电击穿的led结构
CN105390574A (zh) * 2015-11-03 2016-03-09 湘能华磊光电股份有限公司 Led外延层生长方法及通过此方法获得的led芯片
KR20160069592A (ko) * 2014-12-08 2016-06-17 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 소자, 발광 다이오드 패키지 및 백라이트 유닛
CN106129207A (zh) * 2016-07-29 2016-11-16 华灿光电（浙江）有限公司 一种氮化镓基发光二极管的外延片及制备方法
CN106784173A (zh) * 2016-11-11 2017-05-31 聚灿光电科技股份有限公司 具有电容结构的led芯片及其制备方法
CN106784184A (zh) * 2016-12-21 2017-05-31 湘能华磊光电股份有限公司 复合P型GaN层的LED外延结构及其制备方法

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004342885A (ja) * 2003-05-16 2004-12-02 Sumitomo Chem Co Ltd 発光素子および発光装置
WO2005122292A1 (en) * 2004-06-10 2005-12-22 Epivalley Co., Ltd. Iii-nitride semiconductor light emitting device
US20070254394A1 (en) * 2005-01-19 2007-11-01 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Gallium nitride-based light emitting device having ESD protection capacity and method for manufacturing the same
KR100649642B1 (ko) * 2005-05-31 2006-11-27 삼성전기주식회사 Ｅｓｄ 보호 소자를 구비한 화합물 반도체 발광 소자 및 그제조 방법
CN101335313A (zh) * 2007-06-29 2008-12-31 上海蓝光科技有限公司 提高氮化镓基led抗静电能力的方法及氮化镓基led结构
KR20090048030A (ko) * 2007-11-09 2009-05-13 (주)더리즈 발광 다이오드 소자와 그 제조 방법
CN101752480A (zh) * 2008-12-16 2010-06-23 大连路美芯片科技有限公司 一种氮化镓基led外延片及其生长方法
CN101814531A (zh) * 2009-02-19 2010-08-25 中国科学院微电子研究所 利用半导体pn结结电容构成的电容器及其制作方法
CN102074635A (zh) * 2009-10-22 2011-05-25 Lg伊诺特有限公司 发光器件、发光器件封装和照明系统
KR20130057675A (ko) * 2011-11-24 2013-06-03 삼성전자주식회사 발광소자 및 발광소자 패키지
CN103489972A (zh) * 2013-09-24 2014-01-01 西安神光皓瑞光电科技有限公司 一种抗静电击穿的led结构
KR20160069592A (ko) * 2014-12-08 2016-06-17 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 소자, 발광 다이오드 패키지 및 백라이트 유닛
CN105390574A (zh) * 2015-11-03 2016-03-09 湘能华磊光电股份有限公司 Led外延层生长方法及通过此方法获得的led芯片
CN106129207A (zh) * 2016-07-29 2016-11-16 华灿光电（浙江）有限公司 一种氮化镓基发光二极管的外延片及制备方法
CN106784173A (zh) * 2016-11-11 2017-05-31 聚灿光电科技股份有限公司 具有电容结构的led芯片及其制备方法
CN106784184A (zh) * 2016-12-21 2017-05-31 湘能华磊光电股份有限公司 复合P型GaN层的LED外延结构及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109216518B (zh) 2020-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20140083502A1 (en) Solar cell
CN102683468A (zh) 一种晶硅异质结太阳电池的发射极结构
CN103124046B (zh) 一种半导体激光器
US20110308607A1 (en) Group iii-v solar cell and method of manufacturing the same
US20110297213A1 (en) Triple Junction Solar Cell
CN103022211B (zh) 极化增强的p-i-n结InGaN太阳电池
CN109216518A (zh) 抗静电led芯片制备方法及其应用
CN104538417B (zh) 基于二极管链的led开路保护集成芯片及其制造方法
CN110364603A (zh) 一种抗静电的外延结构及其制作方法
US20130081681A1 (en) Photovoltaic device
CN102569474A (zh) 硅纳米线阵列或硅纳米孔阵列肖特基结型太阳能电池及其制备方法
CN101645467B (zh) 光电转换元件
CN205723602U (zh) 一种防顶伤倒装led芯片
CN103094430B (zh) 一种发光结构
CN110112272A (zh) 一种具有异质外延结型电子阻挡层的led结构
CN110854231B (zh) 一种基于光子增强热电子发射的高温太阳能光电转化结构
CN204732420U (zh) 一种光电二极管
CN202855746U (zh) 一种高转化率的太阳能组件
CN110098293B (zh) 具有异质外延nip结型多量子阱发光层终端的led结构
CN101707220A (zh) 平面式排布的pn结阵列器件
TWI411116B (zh) 一種高效率太陽能電池
CN106229357A (zh) 一种太阳能光伏电池
CN210403742U (zh) 一种局域发射极同质结晶体硅双面太阳电池结构
CN202695456U (zh) 一种带保护层的太阳能组件
CN205985007U (zh) 一种高强度太阳能硅片

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20200612

Termination date: 20210630

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee