CN109202059A - 金属纳米颗粒及其制备方法、qled器件 - Google Patents

金属纳米颗粒及其制备方法、qled器件 Download PDF

Info

Publication number
CN109202059A
CN109202059A CN201710542113.8A CN201710542113A CN109202059A CN 109202059 A CN109202059 A CN 109202059A CN 201710542113 A CN201710542113 A CN 201710542113A CN 109202059 A CN109202059 A CN 109202059A
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal nanoparticle
mercaptan
preparation
seed
ligand
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710542113.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109202059B (zh
Inventor
程陆玲
杨行
杨一行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Corp
Original Assignee
TCL Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Corp filed Critical TCL Corp
Priority to CN201710542113.8A priority Critical patent/CN109202059B/zh
Publication of CN109202059A publication Critical patent/CN109202059A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109202059B publication Critical patent/CN109202059B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/14—Treatment of metallic powder
    • B22F1/145—Chemical treatment, e.g. passivation or decarburisation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)

Abstract

本发明提供了一种金属纳米颗粒的制备方法，包括以下步骤：提供金属纳米颗粒种子，配置成金属纳米颗粒种子溶液；将所述金属纳米颗粒种子溶液分散处理后，加入硫醇搅拌处理1‑3小时，然后采用萃取剂从混合液中离心分离，得到含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子，分散处理后形成含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子溶液；在所述含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子溶液中添加卤化季铵盐和三卤代乙酸，在惰性氛围下搅拌反应，反应结束后加入淬灭剂，得到卤素钝化的金属纳米颗粒。

Description

金属纳米颗粒及其制备方法、QLED器件
技术领域
本发明属于量子点合成技术领域，尤其涉及一种金属纳米颗粒及其制备方法、QLED器件。
背景技术
由于具有独特的光学、电学、磁学、结晶性质，金属纳米颗粒在纳米晶领域有着重要的应用，如利用金属银纳米颗粒杀菌，在电学器件中利用金纳米颗粒改善器件的性能，利用银纳米线制作光伏器件的电极等。但是，由于金属纳米颗粒具有尺寸效应，而尺寸差异会引起光电性质差异，进而导致不同尺寸的金属纳米颗粒用途也不一样。特别是金纳米颗粒，在纳米尺度范围内，由于其价带和导带分开，随着尺寸的变化其相应的带隙也会发生变化，因此制备不同尺寸大小的金纳米颗粒对后续金纳米颗粒的应用具有很重要的意义。
目前，制备不同大小金纳米颗粒的传统方法主要是调节不同前驱体的比例以及反应时间，这样虽然也能相应的改变金纳米颗粒的大小，但得到的金纳米颗粒尺寸分布不均，进而造成发光峰变宽影响后续的应用。进一步制备较大颗粒尺寸(大于50nm)，往往会由于颗粒分布不均，对金纳米颗粒的光电性质造成的影响。为了改善这种纳米颗粒尺寸分布不均的问题，后续的科研工作者也做了相应的改进，如利用金纳米颗粒种子(较小尺寸<5nm)和表面修饰剂卟啉分子或吡啶分子的进行自组装，但是，由此得到的金纳米颗粒其相应的表面钝化效果和稳定性不佳。
发明内容
本发明的目的在于提供一种金属纳米颗粒及其制备方法，旨在解决现有方法制备的金属纳米颗粒的颗粒尺寸分布不均、表面钝化效果和稳定性不佳的问题。
本发明的另一目的在于提供一种含有金属纳米颗粒的QLED器件。
本发明是这样实现的，一种金属纳米颗粒的制备方法，包括以下步骤：
提供金属纳米颗粒种子，配置成金属纳米颗粒种子溶液；
将所述金属纳米颗粒种子溶液分散处理后，加入硫醇混合反应，然后采用萃取剂从混合液中离心分离，得到含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子，分散处理后形成含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子溶液；
在所述含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子溶液中添加卤化季铵盐和三卤代乙酸，在惰性氛围下搅拌反应，反应结束后加入淬灭剂，得到卤素钝化的金属纳米颗粒。
相应的，一种金属纳米颗粒，所述金属纳米颗粒由上述方法制备获得。
以及，一种QLED器件，包含电荷传输层，且所述电荷传输层由上述方法制备获得的金属纳米颗粒制成。
本发明提供的金属纳米颗粒的制备方法，先在配置的金属纳米颗粒种子溶液中加入硫醇，在金属纳米颗粒种子的表面引入硫醇配体。进一步通过在所述含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子溶液中添加卤化季铵盐和三卤代乙酸，所述卤化季铵盐和所述三卤代乙酸协同配合，促使含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子与卤素离子(所述卤化季铵盐提供)进行配体交换，自组装得到卤素钝化的金属纳米颗粒。采用该方法制备金属纳米颗粒，可以通过调控卤化季铵盐和三卤代乙酸的浓度和搅拌反应的温度来调控金属纳米颗粒尺寸，可以得到颗粒尺寸较大的金属纳米颗粒。本发明采用卤化季铵盐游离出卤素离子与金属纳米颗粒表面的巯基修饰剂先进行氧化还原反应，再进行配体交换，所述卤素离子最终在纳米晶体表面的金属阳离子空位的偶极效应形成的作用下形成化学键，完成纳米晶体的表面钝化以及组装过程。利用卤化季铵盐和三卤代乙酸对金属纳米颗粒表面的金属原子进行钝化，制备得到的金属纳米颗粒，不仅颗粒尺寸分布均匀(尺寸离散率小于10％)，而且具有很好的表面钝化效果和稳定性。
本发明提供的金属纳米颗粒，由上述方法制备获得，其金属纳米颗粒表面的阳离子空位与卤素离子之间形成化学键，完成金属纳米晶体的表面钝化和组装，从而使得得到的金属纳米颗粒，不仅颗粒尺寸分布均匀，而且具有很好的表面钝化效果和稳定性。
本发明提供的QLED器件，采用上述方法制备获得的金属纳米颗粒制备电荷传输层，能够增加电荷传输层的电荷迁移率，进而增强QLED的器件性能。
附图说明
图1是本发明实施例3提供的配体交换示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例提供了一种金属纳米颗粒的制备方法，包括以下步骤：
S01.提供金属纳米颗粒种子，配置成金属纳米颗粒种子溶液；
S02.将所述金属纳米颗粒种子溶液分散处理后，加入硫醇混合反应，然后采用萃取剂从混合液中离心分离，得到含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子，分散处理后形成含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子溶液；
S03.在所述含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子溶液中添加卤化季铵盐和三卤代乙酸，在惰性氛围下搅拌反应，反应结束后加入淬灭剂，得到卤素钝化的金属纳米颗粒。
具体的，上述步骤S01中，所述金属纳米颗粒种子的来源没有明确限定，可以购买获得，也可以通过制备获得。本发明实施例中，所述金属纳米颗粒种子是水相纳米颗粒，以便于在下述步骤S02中通过硫醇进行配体交换实现相转换。具体的，所述金属纳米颗粒种子包括金纳米颗粒、银纳米颗粒、铜纳米颗粒，但不限于此。
进一步的，将所述金属纳米颗粒种子分散在有机溶剂中配置成金属纳米颗粒种子溶液，所述有机溶剂优选但不限于乙醇。由于所述金属纳米颗粒表面具有水溶性的表面修饰剂，采用所述乙醇能够实现更好的分散效果。更进一步优选的，所述金属纳米颗粒种子溶液的浓度优选为15-20mg/ml，若所述金属纳米颗粒种子溶液的浓度过低会降低组装速率；所述金属纳米颗粒种子溶液的浓度过高会加快组装速率，造成尺寸分布不均。
上述步骤S02中，将所述金属纳米颗粒种子溶液分散处理分散剂可以采用配置所述金属纳米颗粒种子溶液的有机溶剂，如乙醇，但不限于此。本发明实施例中，优选将所述金属纳米颗粒种子溶液与所述分散剂以100mg:(5-10)ml的比例进行分散，以获得较好的分散效果，为后续硫醇配体的引入提供较好的溶液环境。
进一步的，在分散处理后的所述金属纳米颗粒种子溶液中加入硫醇，本发明实施例利用所述硫醇对金属纳米颗粒进行配体交换，使金属纳米颗粒表面的金属原子与巯基中的硫负离子进行结合，为后续的卤化季铵盐、三卤代乙酸与金属纳米颗粒的结合做准备。具体的，所述硫醇为含有一个巯基的硫醇，且所述硫醇的碳原子数为6～20。只有当所述硫醇中只含有一个巯基时，才能保证金属纳米颗粒表面的金属原子与巯基中的硫负离子的有效结合，并防止发生团聚，不利于在后续步骤S03中通过配体交换从金属纳米颗粒表面脱落。而采用碳原子数为6～20的所述硫醇，可以通过配体交换实现相转换。具体优选的，所述硫醇为八硫醇、十二硫醇、十四硫醇、1-壬硫醇、1-己硫醇、1-庚硫醇、1-庚硫醇、1-辛硫醇中的至少一种。
进一步优选的，所述硫醇的添加量满足：所述金属纳米颗粒种子的质量与所述硫醇的摩尔用量之比为100mg:(0.1-1)mmol。若所述硫醇含量过少，则对所述金属纳米颗粒的表面修饰不完全，后续步骤卤素离子进行交换时，也会存在缺陷，导致钝化效果不好。若所述硫醇含量过高，则由于硫醇在溶液体系中存在化学电离，过多的硫醇会促使化学平衡朝着不利于硫负离子释放的方向进行，从而抑制了金属纳米颗粒表面的金属原子与巯基中的硫负离子结合。
本发明实施例中，加入所述硫醇后强烈搅拌，搅拌处理的时间为1-3小时，以使得所述巯基充分结合在所述金属纳米颗粒种子表面，更优选为2小时。进一步采用萃取剂从混合液中离心分离，所述萃取剂将混合液中含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子充分分离处理，提高产品产量。本发明实施例所述萃取剂包括乙酸乙酯，但不限于此。
采用所述硫醇进行搅拌处理后，会得到含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子，如M-S-R(其中，M为金属原子；R为巯基上的烷烃链)所示的结合体。
进一步的，将含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子分散处理，形成含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子溶液。所述分散处理可以采用甲苯进行分散，当然，不限于此。所述含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子溶液的浓度优选为10-15mg/ml，若浓度过高，则下述步骤采用卤离子进行配体交换速度过程，自组装的过程中容易发生重叠，从而导致得到的产物钝化效果较差、稳定性不佳；若浓度过低，则得到的产品中，金属纳米颗粒的有效含量过低。
上述步骤S03中，在所述含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子溶液中添加卤化季铵盐和三卤代乙酸。其中，所述卤化季铵盐能电离提供相应的卤素离子，所述三卤代乙酸能够电离出H+。一方面H+与如M-S-R(其中，M为金属原子；R为巯基上的烷烃链)所示的结合体形成如M-H+S-R所示的含有质子化的配体；另一方面，卤素离子能够与金属纳米颗粒表面的含有质子化的巯基酸如M-H+S-R发生还原反应，使表面含有巯基配体的金属纳米颗粒生成如R-HS…R-S-M(其中，…为共价键)所示的结合体。形成的卤素原子在与金属原子进行共价结合的同时，R-HS…R-S-配体从金属原子表面脱离，并脱去H+，形成含有-S-S-键的游离R-S-S-R，而脱去的H+与三卤代乙酸的阴离子基团结合。
本发明实施例中，所述卤素离子发生氧化反应后以共价键的形式与金属原子进行结合。优选的，所述卤化季铵盐为烃基碳原子数为1-8的卤化季铵盐。例如，所述卤化季铵盐为四辛基溴化铵、四辛基氯化铵、四辛基碘化铵、四辛基氟化铵中的至少一种。
所述三卤代乙酸产生的H+与如M-S-R(其中，M为金属原子；R为巯基上的烷烃链)所示的结合体形成如M-H+S-R含有质子化的配体，从而促进金属纳米颗粒表面的配体交换，发挥催化剂的作用。优选的，所述三卤代乙酸为三氟乙酸、三氯乙酸、三溴乙酸、三碘乙酸中的至少一种。优选的三卤代乙酸，优先的三卤代乙酸具有较强的电离能力。
所述卤化季铵盐和所述三卤代乙酸共同作用，在金属纳米颗粒的表面发生过氧化还原反应后的卤素离子进行周期性的轮回反应实现金属纳米颗粒的合并，即自组装。
进一步优选的，所述卤化季铵盐和所述三卤代乙酸的摩尔比为5:1～5:4，从而保证所述金属纳米颗粒的充分钝化，并实现较好的钝化效果。在惰性氛围下搅拌反应，搅拌时间可根据所要得到的金属纳米颗粒的颗粒尺寸进行调整。由于金纳米颗粒的尺寸是由较小的金纳米颗粒种子在所述卤化季铵盐和所述三卤代乙酸的存在下进行自组装的得到的，本发明实施例可以通过调控所述卤化季铵盐和所述三卤代乙酸的浓度以及混合液搅拌温度来调控金纳米颗粒尺寸演变增加的速度。该过程中，可以定点抽取样品通过TEM测试检测样品的颗粒尺寸大小，调控金属纳米颗粒的尺寸。其中，惰性氛围包括但不限于氮气氛围。
为了结束反应，加入淬灭剂，其中，所述淬灭剂优选为三乙胺、二丙胺、三丁胺、三戊胺中的至少一种。优选的淬灭剂能够中和金属纳米颗粒表面带有电荷的卤素离子，使其终止下一步的氧化还原反应，进而停止增长。反应过程结束后，金属纳米颗粒表面的配体全部是卤素离子，而卤素原子在上述反应过程中同时也发生了还原反应，此时，所述卤素离子以共价键的形式与金属原子结合。
本发明实施例提供的金属纳米颗粒的制备方法，先在配置的金属纳米颗粒种子溶液中加入硫醇，在金属纳米颗粒种子的表面引入硫醇配体。进一步通过在所述含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子溶液中添加卤化季铵盐和三卤代乙酸，所述卤化季铵盐和所述三卤代乙酸协同配合，促使含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子与卤素离子(所述卤化季铵盐提供)进行配体交换，自组装得到卤素钝化的金属纳米颗粒。采用该方法制备金属纳米颗粒，可以通过调控卤化季铵盐和三卤代乙酸的浓度和搅拌反应的温度来调控金属纳米颗粒尺寸，可以得到颗粒尺寸较大的金属纳米颗粒。本发明实施例采用卤化季铵盐游离出卤素离子与金属纳米颗粒表面的巯基修饰剂先进行氧化还原反应，再进行配体交换，所述卤素离子最终在纳米晶体表面的金属阳离子空位的偶极效应形成的作用下形成化学键，完成纳米晶体的表面钝化以及组装过程。利用卤化季铵盐和三卤代乙酸对金属纳米颗粒表面的金属原子进行钝化，制备得到的金属纳米颗粒，不仅颗粒尺寸分布均匀(尺寸离散率小于10％)，而且具有很好的表面钝化效果和稳定性。
相应的，本发明实施例提供了一种金属纳米颗粒，所述金属纳米颗粒由上述方法制备获得。
本发明实施例提供的金属纳米颗粒，由上述方法制备获得，其金属纳米颗粒表面的阳离子空位与卤素离子之间形成化学键，完成金属纳米晶体的表面钝化和组装，从而使得得到的金属纳米颗粒，不仅颗粒尺寸分布均匀，而且具有很好的表面钝化效果和稳定性。
以及，本发明实施例还提供了一种QLED器件，包含电荷传输层，且所述电荷传输层由上述方法制备获得的金属纳米颗粒制成。
本发明实施例提供的QLED器件，采用上述方法制备获得的金属纳米颗粒制备电荷传输层，能够增加电荷传输层的电荷迁移率，进而增强QLED的器件性能。
下面结合具体实施例进行说明。
实施例1
一种卤素钝化的金纳米颗粒，由下述步骤制成：
S11.金纳米颗粒种子的制备：取0.5ml的的氢氧化钠溶液(含0.2mmol NaOH)和0.3ml的四羟甲基氯化磷溶液{(HOCH2)4PCl}(纯度级别：HPLC)充分混合，然后再将混合液稀释成1.2ml，得到羟甲基氯化磷质量分数为80wt％的水溶液，充分搅拌10min，取0.6ml的质量分数为1wt％的次氯金酸(HAuCl4)采用一定的速率逐滴滴加到上述混合液中并伴随搅拌，滴加完后再搅拌15min得到金纳米颗粒，最后通过高速离心的方法得到固态的金纳米颗粒然后在通过尺寸选择的方法分离出尺寸较小的金纳米颗粒种子，最后再分散在乙醇当中制备成15-20mg/ml的溶液避光低温保存备用。
S12.对金纳米颗粒种子进行配体交换：
取上述步骤S11中的金属纳米颗粒种子溶液(15-20mg/ml)3ml分散到5ml的乙醇中，然后再向混合液中添加200ml的十二硫醇(DT)进行强烈搅拌2h，通过添加乙酸乙酯将混合液中含有硫醇配体的金纳米颗粒离心分离出来，最后分散在甲苯当中制备成10-15mg/ml的金纳米颗粒种子溶液(DT-Au NPs)。
S13.利用表面修饰剂三氯乙酸、四辛基氯化铵、三乙胺和金纳米颗粒种子制备均一的大颗粒金纳米晶体：
取上述步骤S12中3ml含有硫醇配体的金纳米颗粒种子(DT-Au NPs)甲苯溶液加入到25ml的三口烧瓶中，再向三口烧瓶中添加5ml的甲苯溶液，然后再向三口烧瓶中添加50mmol四辛基氯化铵和20mmol的三氯乙酸，在氮气氛围下室温搅拌。通过添加三乙胺来淬灭金纳米颗粒的增长，生长结束后利用甲醇将混合液中的颗粒尺寸较大的金纳米颗粒通过离心分离沉淀出来，最终得到的金纳米颗粒的表面主要含有卤素氯原子对金纳米颗粒进行钝化(Cl-Au NPs)。
实施例2
一种QLED器件，采用下述方法制备获得：
将PEDPOT:PSS(AI4083)溶液利用0.45微米的滤头进行过滤后，采用4000rpm的转速为在清洗干净的ITO玻璃片上旋涂60s，然后采用150℃退火15min；采用同样的转速和时间旋涂空穴传输层和电子阻挡层(其中电子阻挡层是由PVK氯苯溶液制成，且PVK氯苯溶液的浓度为6mg/ml)，然后将实施例1制备的氯原子钝化的金纳米颗粒溶液在手套箱中采用转速为2000rpm的条件旋涂沉积60s，随后再采用为1000rpm的转速、时间为30s的条件旋涂量子点发光层，最后在高真空2x104Pa压强下通过一个掩膜版采用热蒸的形式沉积40nm厚的TPBI和150nm厚的铝电极，制备的QLED器件面积为4cm2。
实施例3
一种卤素钝化的金纳米颗粒，由下述步骤制成：
S31.金纳米颗粒种子的制备：取0.5ml的的氢氧化钠溶液(含0.2mmol NaOH)和0.3ml的四羟甲基氯化磷溶液(纯度级别：HPLC)充分混合，然后再将混合液稀释成1.2ml，得到羟甲基氯化磷质量分数为80wt％的水溶液，充分搅拌10min，取0.6ml的质量分数为1wt％的次氯金酸采用一定的速率逐滴滴加到上述混合液中并伴随搅拌，滴加完后再搅拌15min得到金纳米颗粒，最后通过高速离心的方法得到固态的金纳米颗粒然后在通过尺寸选择的方法分离出尺寸较小的金纳米颗粒种子，最后再分散在乙醇当中制备成15-20mg/ml的溶液避光低温保存备用。
S32.对金纳米颗粒种子进行配体交换：
取上述步骤S11中的金属纳米颗粒种子溶液(15-20mg/ml)3ml分散到5ml的乙醇中，然后再向混合液中添加200ml的十二硫醇进行强烈搅拌2h，通过添加乙酸乙酯将混合液中含有硫醇配体的金纳米颗粒离心分离出来，最后分散在甲苯当中制备成10-15mg/ml的金纳米颗粒种子溶液(DT-Au NPs)。
S33.利用表面修饰剂三氟乙酸、四辛基溴化铵、三乙胺和金纳米颗粒种子制备均一的大颗粒金纳米晶体：
取上述步骤S32中3ml含有硫醇配体的金纳米颗粒种子(DT-Au NPs)甲苯溶液加入到25ml的三口烧瓶中，再向三口烧瓶中添加5ml的甲苯溶液，然后再向三口烧瓶中添加50mmol四辛基溴化铵和20mmol的三氟乙酸，在氮气氛围下室温搅拌。通过添加三乙胺来淬灭金纳米颗粒的增长，生长结束后利用甲醇将混合液中的颗粒尺寸较大的金纳米颗粒通过离心分离沉淀出来，最终得到的金纳米颗粒的表面主要含有卤素氯原子对金纳米颗粒进行钝化(Cl-Au NPs)。本发明实施例配体交换示意图如图1所示。
实施例4
一种QLED器件，采用下述方法制备获得：
将PEDPOT:PSS(AI4083)溶液利用0.45微米的滤头进行过滤后，采用4000rpm的转速为在清洗干净的ITO玻璃片上旋涂60s，然后采用150℃退火15min；采用同样的转速和时间旋涂空穴传输层和电子阻挡层(其中电子阻挡层是由PVK氯苯溶液制成，且PVK氯苯溶液的浓度为6mg/ml)，然后将实施例3制备的氯原子钝化的金纳米颗粒溶液在手套箱中采用转速为2000rpm的条件旋涂沉积60s，随后再采用为1000rpm的转速、时间为30s的条件旋涂量子点发光层，最后在高真空2x104Pa压强下通过一个掩膜版采用热蒸的形式沉积40nm厚的TPBI和150nm厚的铝电极，制备的QLED器件面积为4cm2。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种金属纳米颗粒的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供金属纳米颗粒种子，配置成金属纳米颗粒种子溶液；
将所述金属纳米颗粒种子溶液分散处理后，加入硫醇混合反应，然后采用萃取剂从混合液中离心分离，得到含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子，分散处理后形成含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子溶液；
在所述含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子溶液中添加卤化季铵盐和三卤代乙酸，在惰性氛围下搅拌反应，反应结束后加入淬灭剂，得到卤素钝化的金属纳米颗粒。
2.如权利要求1所述的金属纳米颗粒的制备方法，其特征在于，所述卤化季铵盐为烃基碳原子数为1-8的卤化季铵盐；和/或
所述三卤代乙酸为三氟乙酸、三氯乙酸、三溴乙酸、三碘乙酸中的至少一种。
3.如权利要求1所述的金属纳米颗粒的制备方法，其特征在于，所述卤化季铵盐和所述三卤代乙酸的摩尔比为5:1～5:4。
4.如权利要求1-3任一所述的金属纳米颗粒的制备方法，其特征在于，所述硫醇为含有一个巯基的硫醇，且所述硫醇的碳原子数为6～20。
5.如权利要求4所述的金属纳米颗粒的制备方法，其特征在于，所述硫醇为八硫醇、十二硫醇、十四硫醇、1-壬硫醇、1-己硫醇、1-庚硫醇、1-庚硫醇、1-辛硫醇中的至少一种。
6.如权利要求1-3任一所述的金属纳米颗粒的制备方法，其特征在于，所述硫醇的添加量满足：所述金属纳米颗粒种子的质量与所述硫醇的摩尔用量之比为100mg:(0.1-1)mmol。
7.如权利要求1-3任一所述的金属纳米颗粒的制备方法，其特征在于，所述淬灭剂为三乙胺、二丙胺、三丁胺、三戊胺中的至少一种。
8.如权利要求1-3任一所述的金属纳米颗粒的制备方法，其特征在于，所述金属纳米颗粒种子包括金纳米颗粒、银纳米颗粒、铜纳米颗粒。
9.一种金属纳米颗粒，其特征在于，所述金属纳米颗粒由权利要求1-8任一所述方法制备获得。
10.一种QLED器件，其特征在于，包含电荷传输层，且所述电荷传输层由权利要求1-8任一所述方法制备获得的金属纳米颗粒制成。
CN201710542113.8A 2017-07-05 2017-07-05 金属纳米颗粒及其制备方法、qled器件 Active CN109202059B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710542113.8A CN109202059B (zh) 2017-07-05 2017-07-05 金属纳米颗粒及其制备方法、qled器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710542113.8A CN109202059B (zh) 2017-07-05 2017-07-05 金属纳米颗粒及其制备方法、qled器件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109202059A true CN109202059A (zh) 2019-01-15
CN109202059B CN109202059B (zh) 2020-01-03

Family

ID=64993525

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710542113.8A Active CN109202059B (zh) 2017-07-05 2017-07-05 金属纳米颗粒及其制备方法、qled器件

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109202059B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110885674A (zh) * 2018-09-07 2020-03-17 Tcl集团股份有限公司 一种复合材料及其制备方法
WO2024065031A1 (en) * 2022-09-27 2024-04-04 The Governing Council Of The University Of Toronto Method of transitory synthesis of nanoparticles

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1741484A1 (en) * 2005-07-05 2007-01-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanoparticle thin film, method for dispersing nanoparticles and method for producing nanoparticle thin film using the same
CN102875626A (zh) * 2012-09-27 2013-01-16 江南大学 一种具有表面拉曼增强活性的纳米星二聚体的制备方法
CN103341623A (zh) * 2013-06-25 2013-10-09 江南大学 一种静电作用力诱导的金纳米棒组装体的制备方法
CN103409750A (zh) * 2013-08-15 2013-11-27 南京邮电大学 一种表面修饰金纳米颗粒的阵列型银纳米棒及其制备方法
CN106496603A (zh) * 2016-10-19 2017-03-15 大连工业大学 基于阳离子型两亲性聚合物的自组装纳米胶束的制备方法
KR20170030383A (ko) * 2015-09-09 2017-03-17 성균관대학교산학협력단 꽃-모양 금속 나노 입자 및 이의 제조 방법
CN106660784A (zh) * 2014-05-09 2017-05-10 麻省理工学院 通过配体交换的纳米晶体的能级修饰

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1741484A1 (en) * 2005-07-05 2007-01-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanoparticle thin film, method for dispersing nanoparticles and method for producing nanoparticle thin film using the same
CN102875626A (zh) * 2012-09-27 2013-01-16 江南大学 一种具有表面拉曼增强活性的纳米星二聚体的制备方法
CN103341623A (zh) * 2013-06-25 2013-10-09 江南大学 一种静电作用力诱导的金纳米棒组装体的制备方法
CN103409750A (zh) * 2013-08-15 2013-11-27 南京邮电大学 一种表面修饰金纳米颗粒的阵列型银纳米棒及其制备方法
CN106660784A (zh) * 2014-05-09 2017-05-10 麻省理工学院 通过配体交换的纳米晶体的能级修饰
KR20170030383A (ko) * 2015-09-09 2017-03-17 성균관대학교산학협력단 꽃-모양 금속 나노 입자 및 이의 제조 방법
CN106496603A (zh) * 2016-10-19 2017-03-15 大连工业大学 基于阳离子型两亲性聚合物的自组装纳米胶束的制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110885674A (zh) * 2018-09-07 2020-03-17 Tcl集团股份有限公司 一种复合材料及其制备方法
WO2024065031A1 (en) * 2022-09-27 2024-04-04 The Governing Council Of The University Of Toronto Method of transitory synthesis of nanoparticles

Also Published As

Publication number Publication date
CN109202059B (zh) 2020-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Mansur et al. CdSe quantum dots stabilized by carboxylic-functionalized PVA: synthesis and UV–vis spectroscopy characterization
Liu et al. A novel cetyltrimethyl ammonium silver bromide complex and silver bromide nanoparticles obtained by the surfactant counterion
Zou et al. Shape and phase control of CdS nanocrystals using cationic surfactant in noninjection synthesis
Wu et al. Large-scale synthesis of bismuth sulfide nanorods by microwave irradiation
CN109021970A (zh) 一种AgInS2或CuInS2超小量子点及其制备方法和应用
Li et al. Synthesis of colloidal SnSe quantum dots by electron beam irradiation
Kim et al. Metal sulfide nanoparticles synthesized via enzyme treatment of biopolymer stabilized nanosuspensions
Dinh et al. A solvothermal single‐step route towards shape‐controlled titanium dioxide nanocrystals
JPWO2006059664A1 (ja) 安定化無機ナノ粒子、安定化無機ナノ粒子群、安定化無機ナノ粒子の製造方法及び安定化無機ナノ粒子の利用方法
CN109202059A (zh) 金属纳米颗粒及其制备方法、qled器件
Samanta et al. Enhanced photoluminescence from gold nanoparticle decorated polyaniline nanowire bundles
Wang et al. Facile synthesis and optical properties of polymer-laced ZnO-Au hybrid nanoparticles
Shan et al. The effect of PVP on the formation and optical properties ZnO/Ag nanocomposites
Bose et al. In-situ green synthesis of fluorescent silica–silver conjugate nanodendrites using nanoporous frustules of diatoms: An unprecedented approach
Cao et al. Lattice-matched carbon dots induced the oriented self-assembly of Cu nanoparticles
TW202200491A (zh) 硒奈米粒子膠體溶液的製法
Yıldırım et al. Effect of precipitation temperature and organic additives on size and morphology of ZnO nanoparticles
CN108971513B (zh) 一种纳米铜颗粒及其低成本绿色环保制备方法
Morselli et al. Double role of polyethylene glycol in the microwaves-assisted non-hydrolytic synthesis of nanometric TiO 2: Oxygen source and stabilizing agent
Zhang et al. pH-Dependent shape changes of water-soluble CdS nanoparticles
Bala et al. Fabrication of Noble metal-semiconductor hybrid nanostructures using phase transfer
JPWO2012026150A1 (ja) 半導体ナノ粒子集積体及び半導体ナノ粒子集積体の製造方法
Emamdoust et al. Synthesis and characterization of aqueous MPA-capped CdS–ZnS core–shell quantum dots
Jiang et al. Preparation of silver quantum dots embedded water-soluble silica/PAAc hybrid nanoparticles and their bactericidal activity
CN114350364B (zh) 一种高荧光产率全无机胶体纳米晶体的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant