CN109188864B - 一种光阻组合物及其剥离方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种光阻组合物及其剥离方法，该光阻组合物包括：光阻和光致形变物质，其中，在光照条件下，所述光阻组合物中的所述光致形变物质自身发生变形，以使所述光阻组合物发生收缩变形。通过上述方式，本发明能够提高所述光阻组合物的剥离效率。
Description
技术领域
本发明涉及光阻技术领域，特别是涉及一种光阻组合物及其剥离方法。
背景技术
液晶显示等技术领域通常会使用光阻对需要制备的图案进行覆盖保护，并在图案形成之后将光阻剥离。
现有技术中，为实现光阻的快速剥离，通常采用负光阻切口技术(negative PRundercut)、双层光阻切口技术(double PR undercut)、或植绒技术等方法增大脱膜液光阻的接触面积或便于脱膜液渗入光阻与相邻膜层之间。但是，这些方法的光阻剥离效率仍较低，不能满足生产过程的需求。
本申请的发明人在长期的研发过程中，发现现有的光阻剥离过程中，光阻的剥离效率低。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种光阻组合物及其剥离方法，能够提高光阻组合物的剥离效率。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种光阻组合物。
其中，该光阻组合物包括：
光阻和光致形变物质，其中，在光照条件下，该光阻组合物中的该光致形变物质自身发生变形，以使该光阻组合物发生收缩变形。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种光阻组合物的剥离方法。
其中，该方法包括：
提供一衬底基板；
在该衬底基板上涂布任一该的光阻组合物，形成光阻组合物层；
在光照条件下，对该光阻组合物层进行光照处理；
对经过光照处理后的光阻组合物层进行剥离处理，以使该光阻组合物层剥离。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明通过在该光阻组合物中添加在光照条件下发生形变的光致形变物质，通过光致形变物质的形变作用，使得该光阻组合物发生收缩形变。这样，经光照后的该光阻组合物与相邻膜层之间会产生间隙，使得二者之间的粘附性降低，便于该光阻组合物的高效剥离。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
图1是本发明一种光阻组合物一实施方式的结构示意图；
图2是本发明一种光阻组合物另一实施方式的结构示意图；
图3是本发明一种光阻组合物的剥离方法一实施方式的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
参阅图1和图2，图1是一种光阻组合物一实施方式的结构示意图，图2是本发明一种光阻组合物另一实施方式的结构示意图，该光阻组合物100包括：光阻110和光致形变物质120，其中，在光照条件下，该光阻组合物100中的该光致形变物质120自身发生变形，以使该光阻组合物100发生收缩变形。
在本实施方式中，通过在该光阻组合物100中添加在光照条件下发生形变的该光致形变物质120，通过该光致形变物质120的形变作用，使得该光阻组合物100发生收缩形变。这样，经光照后的该光阻组合物100与相邻膜层(图未示)之间会产生间隙，使得二者之间的粘附性降低，便于该光阻组合物100的高效剥离。
进一步的，该光阻110包括树脂、感光剂及溶剂等，通过覆盖保护的方式获得预设图案。在该光致形变物质120自身发生变形后，将形变传递给该光阻110，宏观上使得该光阻组合物100发生收缩形变。
在一个实施方式中，该光致形变物质120是光照条件下可以发生收缩形变的物质。具体的，该光致形变物质120为偶氮化合物，该偶氮化合物的氮氮双键在光照条件下发生一定角度的弯曲，使得自身发生收缩形变，之后，将该收缩形变传递给该光阻110中的树脂，且该树脂为高分子聚合物；进一步的，为获得较好的光致形变效果并进一步降低生产成本，该偶氮化合物为偶氮苯。
在一个实施方式中，该光照条件为预定波长下单次照射，在预定波长下反复照射或在不同波上下反复照射。由于该光致形变物质120的在不同波长的紫外光的照射和/或加热条件下会发生收缩形变和形变的恢复，也即，该光阻组合物100也会发生收缩形变和形变的恢复，在多次形变和恢复的过程中，该光阻组合物100与相邻膜层的界面结合产生疲劳效应，从而降低该光阻组合物100与相邻膜层的黏附力，便于该光阻组合物100与相邻膜层的剥离。
进一步的，该光照过程采用的是波长范围为360nm-445nm的紫外光进行照射，具体的，该波长包括360nm、380nm、400nm、420nm或445nm等。更进一步的，使得该光致形变物质120发生收缩形变的波长为360nm-400nm，使得该光致形变物质120恢复该收缩形变的波长为405nm-445nm，该光阻组合物100的发生收缩形变的时长和恢复形变的时长都很短，基本小于1s，如，0.2s、0.4s、0.6s、0.8s或1s等。为获得较好的形变效果，并提高操作效率，使该光致形变物质120为偶氮苯，其发生收缩形变的波长为360nm，恢复该收缩形变的波长为445nm，该光阻组合物100的发生收缩形变的时长和恢复形变的时长均小于0.6s。
在另一个实施方式中，该光阻组合物100还包括填充在该光致形变物质120之间的亲水性非光学反应性物质(图未示)，该亲水性非光学反应性物质在该光致形变物质发生变形和该光阻发生收缩变形时，可以从该光致形变物质中析出。该亲水性非光学反应性物质填充在该光致形变物质120之间，当该光致形变物质120发生收缩形变时，填充在该光致形变物质120之间的亲水性非光学反应性物质因受到挤压而从该光阻组合物中析出，容置在该光阻组合物100与相邻膜层间。这样，在该光阻组合物100与相邻膜层间存在一层低粘度亲水性液态薄膜，便于脱膜液的渗入，进一步提高该光阻组合物100的剥离效率。当然，对含有该亲水性非光学反应性物质的该光阻组合物100进行不同波长的紫外光的照射和/或加热时，该光阻组合物100也会发生收缩形变和形变的恢复，且在该形变的恢复过程中，该亲水性非光学反应性物质也会重新扩散进入该光阻组合物100。进一步的，当该光致形变物质120具有环链结构(如偶氮苯)时，该亲水性非光学反应性物质容置在该环链间。
更进一步的，该亲水性非光学反应性物质为CH3-(CH2)7-(C6H4)2-CN；在该光阻组合物100中，该亲水性非光学反应性物质的质量分数为30％-70％，如，30％、40％、50％、60％或70％等。
为解决上述技术问题，本发明还公开了一种光阻混合物的剥离方法。
请参考图3，图3是本发明一种光阻混合物的剥离方法一实施方式的流程示意图，该方法包括：
S100、提供一衬底基板。
在该步骤S100中，该衬底基本为玻璃基板、树脂基板等。
S200、在该衬底基板上涂布任一的光阻组合物，形成光阻组合物层。
在该步骤S200中，该的光阻组合物包括：光阻和光致形变物质，其中，在光照条件下，该光阻组合物中的该光致形变物质自身发生变形，以使该光阻组合物发生收缩变形。
进一步的，该光致形变物质为偶氮化合物；该偶氮化合物为偶氮苯。
进一步的，该光阻组合物还包括填充在该光致形变物质之间的亲水性非光学反应性物质，该亲水性非光学反应性物质在该光致形变物质发生变形和该光阻发生收缩变形时，可以从该光致形变物质中析出。
更进一步的，该亲水性非光学反应性物质为CH3-(CH2)7-(C6H4)2-CN；在该光阻组合物中，该亲水性非光学反应性物质的质量分数为30％-70％。
相关的技术细节与技术好处已经在光阻组合物部分进行了详细阐述，故此处不再赘述。
此外，根据产品的需求，该光阻组合物层的涂布厚度不同，在一个实施方式中，该光阻的涂布厚度为10-300nm，如，10nm、100nm、150nm、200nm、250nm或300nm等。
S300、在光照条件下，对该光阻组合物层进行光照处理。
在该步骤S300中，通过光照处理，该光致形变物质自身发生变形，以使该光阻组合物层发生收缩变形，使该光阻组合物层与相邻膜层间的黏附力减弱。
S400、对经过光照处理后的光阻组合物层进行剥离处理，以使该光阻组合物层剥离。
在该步骤S400中，由于该光阻组合物层与相邻膜层间的黏附力减弱，该光阻组合物层能够较容易地与相邻膜层进行剥离，提高该光阻组合物层的剥离效率，有利于产品生产效率的提高。
进一步的，该剥离处理还包括将光照处理后的该光阻组合物及该基板浸入脱膜液中，便于该脱膜液进入该光阻组合物与相邻膜层的间隙。
在一个实施方式中，该对该光阻组合物层进行光照处理之前，包括：在形成该光阻组合物层的衬底基板上沉积一层薄膜，形成覆盖在该衬底基板上的第一薄膜层和形成在该光阻组合物层上的第二薄膜层。当该衬底基板上还沉积有该第一薄膜层和该第二薄膜层时，该对经过光照处理后的光阻组合物层进行剥离处理，以使该光阻组合物层剥离，包括：对经过光照处理后的光阻组合物层进行剥离处理，以使该光阻组合物层和形成在该光阻组合物层上的该第二薄膜层均剥离。更进一步的，该第二薄膜层为透光膜层，这样，照射的紫外光能够穿透该第二薄膜层对所述光阻组合物进行处理，以实现该光阻组合物层与该第二薄膜层和/或该第一薄膜层剥离。
在一个实施方式中，该光阻的剥离方法为OLED制备过程中光阻的剥离方法，而OLED通常包括；基板、置于基板上的ITO透明阳极、置于ITO透明阳极上的空穴注入层、置于空穴注入层上的空穴传输层(HTL)、置于空穴传输层上的发光层(EML)、置于发光层上的电子传输层(ETL)、置于电子传输层上的电子注入层(EIL)以及置于电子注入层上的阴极。在OLED的制备过程中，光阻剥离是在半导体或显示器的黄光微影工艺的最后一个步骤，就是将上道蚀刻步骤中保护图案的光阻去除，避免光阻残留污染下一道黄光微影工艺，以获得干净的有线路图案的基板。在本实施方式中，该薄膜为ITO薄膜，该ITO薄膜作为OLED中电极层。
在一个实施方式中，该光照条件是以波长范围为360nm-445nm的紫外光进行照射。具体的，该波长包括360nm、380nm、400nm、420nm或445nm等。更进一步的，使得该光致形变物质发生收缩形变的波长为360nm-400nm，使得该光致形变物质恢复该收缩形变的波长为405nm-445nm，该光阻组合物的发生收缩形变的时长和恢复形变的时长都很短，基本小于1s，如，0.2s、0.4s、0.6s、0.8s或1s等。为获得较好的形变效果，并提高操作效率，使该光致形变物质为偶氮苯时，其发生收缩形变的波长为360nm，且恢复该收缩形变的波长为445nm，该光阻组合物的发生收缩形变的时长和恢复形变的时长均小于0.6s。
在另一个实施方式中，该光照条件是在预定波长下单次照射，或者在预定波长下反复照射，也可以是不同波长的反复照射。在该预定波长下单次照射和在预定波长下反复照射都可以使该光致形变物质发生收缩形变，采用反复照射的方式能够使该光致形变物质发生的收缩形变幅度更大，进一步提高该光阻组合物的剥离效率。而对于不同的该光致形变物质或不同含量的该光致形变物质的该光阻组合物，为获得较好的光致形变效果，该预定波长不同。为获得相同的光致形变效果，当该光致形变物质的含量降低时，需要采用更多次的光照。
在另一个实施方式中，该光照条件是分别在第一波长和第二波长下反复照射。采用不同的波长进行照射容易获得更好的光致形变效果。
当该光阻组合物还包括填充在该光致形变物质之间的亲水性非光学反应性物质时，对含有该亲水性非光学反应性物质的该光阻组合物进行不同波长的紫外光的照射和/或加热时，该光阻组合物也会发生收缩形变和形变的恢复，且在该形变的恢复过程中，该亲水性非光学反应性物质也会重新扩散进入该光阻组合物。进一步的，为获得较好的光致形变效果，分别在第一波长和第二波长下反复照射对含有该亲水性非光学反应性物质的该光阻组合物后，还对该光阻组合物层进行加热处理。
综上所述，本发明公开了一种光阻组合物及其剥离方法，该光阻组合物包括：光阻和光致形变物质，其中，在光照条件下，所述光阻组合物中的所述光致形变物质自身发生变形，以使所述光阻组合物发生收缩变形。通过上述方式，本发明能够提高所述光阻组合物的剥离效率。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (7)
1.一种光阻组合物，其特征在于，所述光阻组合物包括：光阻和光致形变物质，其中，在光照条件下，所述光阻组合物中的所述光致形变物质自身发生变形，以使所述光阻组合物发生收缩变形；
所述光阻组合物还包括填充在所述光致形变物质之间的亲水性非光学反应性物质，所述亲水性非光学反应性物质在所述光致形变物质发生变形和所述光阻发生收缩变形时，可以从所述光致形变物质中析出；
所述光致形变物质为偶氮化合物；所述偶氮化合物为偶氮苯；
所述亲水性非光学反应性物质为CH-(CH)-(CH)-CN；在所述光阻组合物中，所述亲水性非光学反应性物质的质量分数为30％-70％。
2.一种光阻混合物的剥离方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上涂布如权利要求1所述的光阻组合物，形成光阻组合物层；
在光照条件下，对所述光阻组合物层进行光照处理；
对经过光照处理后的光阻组合物层进行剥离处理，以使所述光阻组合物层剥离。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述光阻组合物层进行光照处理之前，包括：
在形成所述光阻组合物层的衬底基板上沉积一层薄膜，形成覆盖在所述衬底基板上的第一薄膜层和形成在所述光阻组合物层上的第二薄膜层；
所述对经过光照处理后的光阻组合物层进行剥离处理，以使所述光阻组合物层剥离，包括：
对经过光照处理后的光阻组合物层进行剥离处理，以使所述光阻组合物层和形成在所述光阻组合物层上的所述第二薄膜层均剥离。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述薄膜为ITO薄膜。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述光照条件是以波长范围为360nm-445nm的紫外光进行照射。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述光照条件是在预定波长下单次照射，或者在预定波长下反复照射。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述光照条件是分别在第一波长和第二波长下反复照射；
当所述光阻组合物还包括填充在所述光致形变物质之间的亲水性非光学反应性物质时，分别在第一波长和第二波长下反复照射后，还对所述光阻组合物层进行加热处理。
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Legal Events
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
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