CN109148612B - 一种晶硅太阳能电池系统 - Google Patents

一种晶硅太阳能电池系统 Download PDF

Info

Publication number
CN109148612B
CN109148612B CN201810964625.8A CN201810964625A CN109148612B CN 109148612 B CN109148612 B CN 109148612B CN 201810964625 A CN201810964625 A CN 201810964625A CN 109148612 B CN109148612 B CN 109148612B
Authority
CN
China
Prior art keywords
solar cell
layer
buffer
cell system
crystalline silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810964625.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109148612A (zh
Inventor
方结彬
林纲正
陈刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co Ltd
Guangdong Aiko Solar Energy Technology Co Ltd
Original Assignee
Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co Ltd
Guangdong Aiko Solar Energy Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co Ltd, Guangdong Aiko Solar Energy Technology Co Ltd filed Critical Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co Ltd
Priority to CN201810964625.8A priority Critical patent/CN109148612B/zh
Publication of CN109148612A publication Critical patent/CN109148612A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109148612B publication Critical patent/CN109148612B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0216Coatings
    • H01L31/02161Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022466Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H01L31/022483Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of zinc oxide [ZnO]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02SGENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S30/00Structural details of PV modules other than those related to light conversion
    • H02S30/10Frame structures
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02SGENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S40/00Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
    • H02S40/40Thermal components
    • H02S40/42Cooling means
    • H02S40/425Cooling means using a gaseous or a liquid coolant, e.g. air flow ventilation, water circulation
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种晶硅太阳能电池系统,包括电池箱、低铁钢化玻璃、第一EVA胶膜、太阳能电池本体、第二EVA胶膜、TPT背膜、电池安装槽、减震隔板、减震橡胶、缓冲座、缓冲滑块、滑槽、缓冲弹簧、支撑架、导热胶、散热槽、散热孔、安装支架和导流扇,所述电池箱的内部开设有电池安装槽,且电池安装槽的两侧通过螺栓安装有减震隔板,所述减震隔板的内部两侧通过螺栓安装有若干个缓冲座,所述缓冲座的一侧开设有滑槽,且滑槽的内部设置有缓冲弹簧,所述滑槽的另一侧配合安装有缓冲滑块,所述电池安装槽的内侧底部通过螺栓安装有支撑架,本发明,体积小巧,重量轻,具有较高的抗冲击效果以及良好的散热功能,大大提高了使用的安全性。

Description

一种晶硅太阳能电池系统
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,具体为一种晶硅太阳能电池系统。
背景技术
随着全球煤炭、石油等不可再生能源的减少,能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈,太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源,也不会产生任何环境污染,一般通过太阳能电池开发太阳能资源;晶体硅太阳能电池可分为单晶硅太阳能电池和多晶硅太阳能电池,是目前国际上的主流产品,占世界太阳能电池市场的80%;现有技术中的晶硅太阳能电池系统,抗冲击效果差,当受到冲击时,电池容易损坏,同时,现有技术中的晶硅太阳能电池系统,散热效果差,在长时间工作后,电池的温度会升高,具有一定的安全隐患,而且转换效率会降低,因此,设计一种晶硅太阳能电池系统是很有必要的。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶硅太阳能电池系统,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种晶硅太阳能电池系统,包括电池箱、低铁钢化玻璃、第一EVA胶膜、太阳能电池本体、第二EVA胶膜、TPT背膜、电池安装槽、减震隔板、减震橡胶、缓冲座、缓冲滑块、滑槽、缓冲弹簧、支撑架、导热胶、散热槽、散热孔、安装支架和导流扇,所述电池箱的内部开设有电池安装槽,且电池安装槽的两侧通过螺栓安装有减震隔板,所述减震隔板的内部两侧通过螺栓安装有若干个缓冲座,所述缓冲座的一侧开设有滑槽,且滑槽的内部设置有缓冲弹簧,所述滑槽的另一侧配合安装有缓冲滑块,所述电池安装槽的内侧底部通过螺栓安装有支撑架,所述支撑架的顶部设置有TPT背膜,且TPT背膜的顶部铺设有第二EVA胶膜,所述第二EVA胶膜的顶部设置有太阳能电池本体,且缓冲滑块穿过减震隔板与太阳能电池本体连接,所述太阳能电池本体包括防反射层、梳状栅极、透明导电层、接触网、N型单晶硅层、氧化保护层、P型单晶硅层、浓掺杂层和硅基衬底,所述太阳能电池本体的内侧顶部设置有防反射层,所述防反射层的底部铺设有透明导电层,所述透明导电层的底部铺设有接触网,所述接触网的底部铺设有N型单晶硅层,所述N型单晶硅层的底部设置有P型单晶硅层,所述P型单晶硅层的底部设置有硅基衬底,所述太阳能电池本体的顶部铺设有第一EVA胶膜,所述第一EVA胶膜的顶部铺设有低铁钢化玻璃,且低铁钢化玻璃穿过电池箱与外界连接,所述支撑架的底部开设有散热槽,且散热槽的顶部设置有导热胶,且导热胶与支撑架连接,所述导热胶的底部设置有若干个安装支架,所述安装支架的底部通过螺栓安装有导流扇。
根据上述技术方案,所述缓冲弹簧的一侧通过卡扣与缓冲座连接,所述缓冲弹簧的另一侧通过卡扣与缓冲滑块连接。
根据上述技术方案,所述太阳能电池本体的内侧顶部设置有梳状栅极。
根据上述技术方案,硅基衬底的顶部铺设有氧化保护层。
根据上述技术方案,所述P型单晶硅层的底部一侧设置有浓掺杂层。
根据上述技术方案,所述减震隔板的内部通过螺栓安装有两个缓冲座,且缓冲座的外侧填充有减震橡胶。
根据上述技术方案,所述导热胶的底部设置有三个安装支架,且安装支架通过螺栓与支撑架连接。
根据上述技术方案,所述电池箱的底部开设有散热孔,且散热槽通过散热孔与外界连接。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
1.防反射层为一种二氧化硅材料构件,能够降低光线的反射率,梳状栅极由不透光的银颗粒及玻璃体组成,有效降低梳状栅极遮挡造成的电池效率损失,透明导电层为一种氧化锌材料构件,能够便于进行导电,P型单晶硅层的底部一侧设置有浓掺杂层,使得P型单晶硅层与浓掺杂层形成一个内建电场,有利于增加光能利用的转换率;
2.发生震动时,减震橡胶吸收部分冲击,同时,震动对减震隔板造成冲击,使得缓冲滑块挤压缓冲弹簧,在缓冲座的滑槽上进行滑动,将冲击能转化为弹性势能,震动消失后,挤压的缓冲弹簧发生复位,推动缓冲滑块与太阳能电池本体接触,从而将震动缓解;
3.长时间使用后,支撑架底部的导热胶能够热量传递到散热槽内,安装支架一侧安装的导流扇能够将散热槽内的热量通过散热孔从电池箱的内部排放到外界,提高了散热效果。
附图说明
图1是本发明的整体结构示意图;
图2是本发明的太阳能电池本体的结构示意图;
图3是本发明的太阳能电池本体的剖视图;
图4是本发明的P型单晶硅层的结构示意图;
图5是本发明的电池箱的内部结构示意图;
图6是本发明的减震隔板的内部结构示意图;
图中标号:1、电池箱;2、低铁钢化玻璃;3、第一EVA胶膜;4、太阳能电池本体;5、防反射层;6、梳状栅极;7、透明导电层;8、接触网;9、N型单晶硅层;10、氧化保护层;11、P型单晶硅层;12、浓掺杂层;13、硅基衬底;14、第二EVA胶膜;15、TPT背膜;16、电池安装槽;17、减震隔板;18、减震橡胶;19、缓冲座;20、缓冲滑块;21、滑槽;22、缓冲弹簧;23、支撑架;24、导热胶;25、散热槽;26、散热孔;27、安装支架;28、导流扇。
实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-6,本发明提供提供一种技术方案:一种晶硅太阳能电池系统,包括电池箱1、低铁钢化玻璃2、第一EVA胶膜3、太阳能电池本体4、第二EVA胶膜14、TPT背膜15、电池安装槽16、减震隔板17、减震橡胶18、缓冲座19、缓冲滑块20、滑槽21、缓冲弹簧22、支撑架23、导热胶24、散热槽25、散热孔26、安装支架27和导流扇28,电池箱1的内部开设有电池安装槽16,且电池安装槽16的两侧通过螺栓安装有减震隔板17,减震隔板17的内部两侧通过螺栓安装有三个缓冲座19,且缓冲座19的外侧填充有减震橡胶18,能够有效吸收震动降低冲击效果,缓冲座19的一侧开设有滑槽21,且滑槽21的内部设置有缓冲弹簧22,滑槽21的另一侧配合安装有缓冲滑块20,缓冲弹簧22的一侧通过卡扣与缓冲座19连接,缓冲弹簧22的另一侧通过卡扣与缓冲滑块20连接,便于缓冲滑块22挤压缓冲弹簧22,电池安装槽16的内侧底部通过螺栓安装有支撑架23,支撑架23的顶部设置有TPT背膜15,且TPT背膜15的顶部铺设有第二EVA胶膜14,第二EVA胶膜14的顶部设置有太阳能电池本体4,且缓冲滑块20穿过减震隔板17与太阳能电池本体4连接,太阳能电池本体4包括防反射层5、梳状栅极6、透明导电层7、接触网8、N型单晶硅层9、氧化保护层10、P型单晶硅层11、浓掺杂层12和硅基衬底13,太阳能电池本体4的内侧顶部设置有梳状栅极6,梳状栅极6由不透光的银颗粒及玻璃体组成,有效降低梳状栅极6遮挡造成的电池效率损失,太阳能电池本体4的内侧顶部设置有防反射层5,防反射层5的底部铺设有透明导电层7,透明导电层7的底部铺设有接触网8,接触网8的底部铺设有N型单晶硅层9,N型单晶硅层9的底部设置有P型单晶硅层11,P型单晶硅层11的底部一侧设置有浓掺杂层12,使得P型单晶硅层11与浓掺杂层12形成一个内建电场,有利于增加光能利用的转换率,P型单晶硅层11的底部设置有硅基衬底13,硅基衬底13的顶部铺设有氧化保护层10,能够有效保护硅基衬底13,避免硅基衬底13发生氧化腐蚀,太阳能电池本体4的顶部铺设有第一EVA胶膜3,第一EVA胶膜3的顶部铺设有低铁钢化玻璃2,且低铁钢化玻璃2穿过电池箱1与外界连接,支撑架23的底部开设有散热槽25,且散热槽25的顶部设置有导热胶24,且导热胶24与支撑架23连接,导热胶24的底部设置有三个安装支架27,且安装支架27通过螺栓与支撑架23连接,有利于提高安装支架27的结构稳定性,导热胶24的底部设置有若干个安装支架27,安装支架27的底部通过螺栓安装有导流扇28,电池箱1的底部开设有散热孔26,且散热槽25通过散热孔26与外界连接,通过散热孔26,能够便于与外界进行空气流通,提高散热效果;本发明使用时,电池箱1顶部的低铁钢化玻璃2能够提高该太阳能电池的结构强度,通过第一EVA胶膜3光线传递到太阳能电池本体4,防反射层5为一种二氧化硅材料构件,能够降低光线的反射率,梳状栅极6由不透光的银颗粒及玻璃体组成,有效降低梳状栅极6遮挡造成的电池效率损失,透明导电层7为一种氧化锌材料构件,能够便于进行导电,当光线传递到接触网8、N型单晶硅层9与P型单晶硅层11时,浓掺杂层12以及硅基衬底13能够有效的进行光能转换,第二EVA胶膜14和TPT背膜15能够有效的保护太阳能电池本体4,发生震动时,减震橡胶18吸收部分冲击,同时,震动对减震隔板17造成冲击,使得缓冲滑块20挤压缓冲弹簧22,在缓冲座19的滑槽21上进行滑动,将冲击能转化为弹性势能,震动消失后,挤压的缓冲弹簧22发生复位,推动缓冲滑块20与太阳能电池本体4接触,从而将震动缓解,长时间使用后,支撑架23底部的导热胶24能够热量传递到散热槽25内,安装支架27一侧安装的导流扇28能够将散热槽25内的热量通过散热孔26从电池箱1的内部排放到外界,提高了散热效果。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (8)

1.一种晶硅太阳能电池系统,包括电池箱(1)、低铁钢化玻璃(2)、第一EVA胶膜(3)、太阳能电池本体(4)、第二EVA胶膜(14)、TPT背膜(15)、电池安装槽(16)、减震隔板(17)、减震橡胶(18)、缓冲座(19)、缓冲滑块(20)、滑槽(21)、缓冲弹簧(22)、支撑架(23)、导热胶(24)、散热槽(25)、散热孔(26)、安装支架(27)和导流扇(28),其特征在于:所述电池箱(1)的内部开设有电池安装槽(16),且电池安装槽(16)的两侧通过螺栓安装有减震隔板(17),所述减震隔板(17)的内部两侧通过螺栓安装有若干个缓冲座(19),所述缓冲座(19)的一侧开设有滑槽(21),且滑槽(21)的内部设置有缓冲弹簧(22),所述滑槽(21)的另一侧配合安装有缓冲滑块(20),所述电池安装槽(16)的内侧底部通过螺栓安装有支撑架(23),所述支撑架(23)的顶部设置有TPT背膜(15),且TPT背膜(15)的顶部铺设有第二EVA胶膜(14),所述第二EVA胶膜(14)的顶部设置有太阳能电池本体(4),且缓冲滑块(20)穿过减震隔板(17)与太阳能电池本体(4)连接,所述太阳能电池本体(4)包括防反射层(5)、梳状栅极(6)、透明导电层(7)、接触网(8)、N型单晶硅层(9)、氧化保护层(10)、P型单晶硅层(11)、浓掺杂层(12)和硅基衬底(13),所述太阳能电池本体(4)的内侧顶部设置有防反射层(5),所述防反射层(5)的底部铺设有透明导电层(7),所述透明导电层(7)的底部铺设有接触网(8),所述接触网(8)的底部铺设有N型单晶硅层(9),所述N型单晶硅层(9)的底部设置有P型单晶硅层(11),所述P型单晶硅层(11)的底部设置有硅基衬底(13),所述太阳能电池本体(4)的顶部铺设有第一EVA胶膜(3),所述第一EVA胶膜(3)的顶部铺设有低铁钢化玻璃(2),且低铁钢化玻璃(2)穿过电池箱(1)与外界连接,所述支撑架(23)的底部开设有散热槽(25),且散热槽(25)的顶部设置有导热胶(24),且导热胶(24)与支撑架(23)连接,所述导热胶(24)的底部设置有若干个安装支架(27),所述安装支架(27)的底部通过螺栓安装有导流扇(28)。
2.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池系统,其特征在于:所述缓冲弹簧(22)的一侧通过卡扣与缓冲座(19)连接,所述缓冲弹簧(22)的另一侧通过卡扣与缓冲滑块(20)连接。
3.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池系统,其特征在于:所述太阳能电池本体(4)的内侧顶部设置有梳状栅极(6)。
4.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池系统,其特征在于:硅基衬底(13)的顶部铺设有氧化保护层(10)。
5.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池系统,其特征在于:所述P型单晶硅层(11)的底部一侧设置有浓掺杂层(12)。
6.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池系统,其特征在于:所述减震隔板(17)的内部通过螺栓安装有两个缓冲座(19),且缓冲座(19)的外侧填充有减震橡胶(18)。
7.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池系统,其特征在于:所述导热胶(24)的底部设置有三个安装支架(27),且安装支架(27)通过螺栓与支撑架(23)连接。
8.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池系统,其特征在于:所述电池箱(1)的底部开设有散热孔(26),且散热槽(25)通过散热孔(26)与外界连接。
CN201810964625.8A 2018-08-23 2018-08-23 一种晶硅太阳能电池系统 Active CN109148612B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810964625.8A CN109148612B (zh) 2018-08-23 2018-08-23 一种晶硅太阳能电池系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810964625.8A CN109148612B (zh) 2018-08-23 2018-08-23 一种晶硅太阳能电池系统

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109148612A CN109148612A (zh) 2019-01-04
CN109148612B true CN109148612B (zh) 2024-01-12

Family

ID=64791321

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810964625.8A Active CN109148612B (zh) 2018-08-23 2018-08-23 一种晶硅太阳能电池系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109148612B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112018204B (zh) * 2020-08-19 2022-01-14 广州华邦电器工业有限公司 一种太阳能电池片及太阳能电池板

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017017060A (ja) * 2015-06-26 2017-01-19 パナソニックIpマネジメント株式会社 太陽電池モジュール
CN106788143A (zh) * 2016-12-19 2017-05-31 张家港长丰能源有限公司 一种抗震太阳能电池片组件
CN207588758U (zh) * 2017-12-19 2018-07-06 温州海旭科技有限公司 一种抗震防摔的太阳能电池片
CN108305909A (zh) * 2018-01-30 2018-07-20 通威太阳能(合肥)有限公司 一种抗震太阳能电池盖板玻璃及其太阳能电池组件
CN209104160U (zh) * 2018-08-23 2019-07-12 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种晶硅太阳能电池系统

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017017060A (ja) * 2015-06-26 2017-01-19 パナソニックIpマネジメント株式会社 太陽電池モジュール
CN106788143A (zh) * 2016-12-19 2017-05-31 张家港长丰能源有限公司 一种抗震太阳能电池片组件
CN207588758U (zh) * 2017-12-19 2018-07-06 温州海旭科技有限公司 一种抗震防摔的太阳能电池片
CN108305909A (zh) * 2018-01-30 2018-07-20 通威太阳能(合肥)有限公司 一种抗震太阳能电池盖板玻璃及其太阳能电池组件
CN209104160U (zh) * 2018-08-23 2019-07-12 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种晶硅太阳能电池系统

Also Published As

Publication number Publication date
CN109148612A (zh) 2019-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109148612B (zh) 一种晶硅太阳能电池系统
CN202562085U (zh) 平板中空太阳能热电一体化装置
CN206179882U (zh) 新型太阳能电池板
CN209104160U (zh) 一种晶硅太阳能电池系统
CN203536455U (zh) 太阳能电池板
CN207568012U (zh) 一种透光性强的太阳能光伏玻璃幕墙
CN102148273A (zh) 一种有自动清洁功能的光伏组件
CN204652297U (zh) 一种bipv光伏组件
CN208337481U (zh) 多晶太阳能电池板
CN104241427B (zh) 高散热太阳能电池组件
CN211654832U (zh) 一种耐候高效太阳能组件
CN206364029U (zh) 一种加强型太阳能光伏组件
CN204102919U (zh) 高散热太阳能电池组件
CN201655814U (zh) 一种双斜面反射聚光太阳能光伏电池组件
CN203659893U (zh) 一种光伏组件背板
CN109216488B (zh) 一种轻便自清洁散热型高发电增益光伏瓦
CN202328875U (zh) 基于柔性太阳能电池的内管容工质式太阳能真空管
CN204905272U (zh) 一种抗pid耐风沙晶硅太阳能电池组件
CN202205790U (zh) 光电/光热一体化器件
CN205104506U (zh) 一种导光太阳能组件
CN102299194A (zh) 光电/光热一体化器件
CN205355064U (zh) 一种玻璃幕墙式太阳能电池组件
CN219287446U (zh) 一种光伏发电组件
CN204465453U (zh) 一种太阳能光热光伏复合式集热器
CN210110801U (zh) 一种光伏多晶硅太阳能组件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant