CN109142492B - 一种气体检测装置及其制备方法、气体检测方法 - Google Patents

一种气体检测装置及其制备方法、气体检测方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109142492B
CN109142492B CN201811037628.3A CN201811037628A CN109142492B CN 109142492 B CN109142492 B CN 109142492B CN 201811037628 A CN201811037628 A CN 201811037628A CN 109142492 B CN109142492 B CN 109142492B
Authority
CN
China
Prior art keywords
thin film
gas
active layer
film transistor
detection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811037628.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109142492A (zh
Inventor
贺芳
顾仁权
尹东升
李东升
徐胜
吴慧利
何伟
李士佩
黎午升
姚琪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201811037628.3A priority Critical patent/CN109142492B/zh
Publication of CN109142492A publication Critical patent/CN109142492A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109142492B publication Critical patent/CN109142492B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
    • G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
    • G01N27/4141—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS specially adapted for gases
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
    • G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
    • G01N27/4148—Integrated circuits therefor, e.g. fabricated by CMOS processing

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Abstract

本发明提供一种气体检测装置及其制备方法、气体检测方法，属于气体检测技术领域，其可解决现有的气体检测系统体积大、速度慢、测试成本高的问题。本发明的气体检测装置是一种集成的薄膜晶体管的气体检测装置，其原理是控制部件向第一栅极提供信号，则共轭化合物构成的第一有源层与气体接触后可改变漏电流，这样检测漏电流的变化情况即可得到相应的气体的含量。该装置体积小、测试速度快、测试成本低。

Description

一种气体检测装置及其制备方法、气体检测方法
技术领域
本发明属于气体检测技术领域，具体涉及一种气体检测装置及其制备方法、气体检测方法。
背景技术
医疗或化工工业中常常用到检测气体浓度和成分的气体检测系统，它对于环境保护和安全监督方面起着极重要的作用。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题：现有的气体检测系统体积大、检测速度慢、测试成本高。
发明内容
本发明针对现有的气体检测系统体积大、速度慢、测试成本高的问题，提供一种气体检测装置及其制备方法、气体检测方法。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是：
一种气体检测装置，包括衬底，所述衬底上包括检测区，所述检测区设有至少一个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极，以及第一有源层，所述第一有源层由共轭化合物构成，用于与待检测气体接触，且所述共轭化合物与对应的响应气体接触后能改变第一有源层的传输特性；
所述气体检测装置还包括：
与第一栅极连接的控制部件，用于向第一栅极提供电信号；
与第一漏极连接的电流检测部件，用于检测漏极的电流。
可选的是，所述检测区设有多个第一薄膜晶体管，所述多个第一薄膜晶体管的第一有源层分别对应不同的响应气体。
可选的是，所述共轭化合物包括酞菁化合物。
可选的是，所述衬底上还包括显示区，所述显示区设有显示部件，用于根据电流检测部件的检测结果显示待检测气体中响应气体的信息。
可选的是，所述显示部件包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极，以及第二有源层。
可选的是，所述第一薄膜晶体管为底栅型，所述第二薄膜晶体管为顶栅型。
可选的是，所述第二栅极与第一源极、第一漏极同层设置，所述第二源极、第二漏极与第一栅极同层设置。
本发明还提供一种气体检测装置的制备方法，包括以下制备步骤：
在衬底上的检测区形成至少一个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极，以及第一有源层，所述第一有源层由共轭化合物构成，用于与待检测气体接触，且所述共轭化合物与对应的响应气体接触后能改变第一有源层的传输特性；
形成与第一栅极连接的控制部件，用于向第一栅极提供电信号；
形成与第一漏极连接的电流检测部件，用于检测漏极的电流。
可选的是，所述方法还包括在衬底上的显示区形成第二薄膜晶体管的步骤。
本发明还提供一种气体检测方法，采用上述的气体检测装置进行检测，所述检测方法包括以下检测步骤：
控制部件向第一栅极提供电信号；
第一有源层与待检测气体接触后发生反应，并改变第一有源层的传输特性；
电流检测部件检测漏极的电流。
附图说明
图1为本发明的实施例1的气体检测装置的结构示意图；
图2为本发明的实施例2的气体检测装置的一种结构示意图；
图3为本发明的实施例2的酞菁化合物的结构式；
图4为本发明的实施例2的金属酞菁的结构式；
图5为本发明的实施例2的气体检测装置的另一种结构示意图；
图6为本发明的实施例3的气体检测装置的制备方法流程示意图；
图7为本发明的实施例4的气体检测方法框架示意图；
图8为本发明的实施例4的气体检测方法流程示意图；
其中，附图标记为：100、衬底；10、检测区；11、第一薄膜晶体管；12、第一栅极；13、第一源极；14、第一漏极；15、第一有源层；20、显示区；21、显示部件；22、第二薄膜晶体管；23、第二源极；24、第二漏极；25、第二有源层；26、第二栅极；3、输入部件；4、控制部件；5、电流检测部件。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
实施例1：
本实施例提供一种气体检测装置，如图1所示，包括衬底100，所述衬底100上包括检测区，所述检测区设有至少一个第一薄膜晶体管11，所述第一薄膜晶体管11包括第一栅极12、第一源极13、第一漏极14，以及第一有源层15，所述第一有源层15由共轭化合物构成，用于与待检测气体接触，且所述共轭化合物与对应的响应气体接触后能改变第一有源层15的传输特性；
所述气体检测装置还包括控制部件(图中未示出)和电流检测部件(图中未示出)，其中，控制部件与第一栅极连接，用于向第一栅极提供电信号；电流检测部件与第一漏极连接，用于检测漏极的电流。
本实施例的气体检测装置是一种集成的薄膜晶体管的气体检测装置，其原理是控制部件向第一栅极提供信号，则共轭化合物构成的第一有源层与气体接触后可改变漏电流，这样检测漏电流的变化情况即可得到相应的气体的含量。该装置体积小、测试速度快、测试成本低。
实施例2：
本实施例提供一种气体检测装置，如图2所示，包括衬底，衬底上包括检测区10和显示区20，检测区10设有至少一个第一薄膜晶体管11，所述第一薄膜晶体管11包括第一栅极12、第一源极13、第一漏极14，以及第一有源层15，所述第一有源层15由共轭化合物构成，用于与待检测气体接触，且所述共轭化合物与对应的响应气体接触后能改变第一有源层15的传输特性；
所述气体检测装置还包括控制部件(图中未示出)和电流检测部件(图中未示出)，其中，控制部件与第一栅极12连接，用于向第一栅极12提供电信号；电流检测部件与第一漏极14连接，用于检测漏极的电流；
所述显示区20设有显示部件21，用于根据电流检测部件的检测结果显示待检测气体中响应气体的信息。
本实施例中将电流检测部件检出的响应气体的信息转化为显示信号输出，并且用于检测响应气体的部件第一薄膜晶体管11与显示部件21集成到同一衬底上，提高了气体检测装置的便携性。需要说明的是，控制部件可以是芯片，第一有源层15与栅极之间还设有绝缘层。
本实施例中不对共轭化合物的具体材料进行限定，可以根据具体的响应气体进行选择，共轭化合物包括各自共轭体系的物质，其中，单双键交替出现的体系称为共轭体系。具体的，在共轭体系中，由于原子间的相互影响而使体系内的π电子(或P电子)分布发生变化的一种效应称为电子共轭效应。凡共轭体系上的取代基能降低体系的π电子云密度，则这些基团有吸电子共轭效应；凡共轭体系上的取代基能增高共轭体系的π电子云密度，则这些基团有给电子共轭效应。根据待测气体的本身得失电子的程度，与敏感的第一有源层15相互作用会导致电子空穴的相互交换，引起第一有源层15的载流子浓度变化，引起载流子传输的变化，从而引起第一薄膜晶体管11的漏电流的变化。当第一有源层15与待检测气体分子接触时，待检测气体首先与第一有源层15即敏感层接触，然后通过渗透的方式逐渐影响第一有源层15与源漏金属接触界面以及第一有源层15与绝缘层接触界面，影响第一薄膜晶体管11的载流子传输，从而改变第一薄膜晶体管11的漏电流。漏电流的变化情况可以由电流检测部件，例如半导体测试仪直接测得。若保持第一栅极12的电压和第一漏极14的电压不变，可以得到漏电流随时间的变化曲线。
更具体的，第一有源层15的敏感薄膜可以由很多晶粒构成，晶粒表面和晶粒之间的空隙处可以看作吸附位，吸附位可以是不含氧的吸附位，也可以是含氧吸附位。当第一薄膜晶体管11对响应气体的响应过程结束后可以通以干燥空气进行解析，使得第一有源层15恢复，第一有源层15恢复后可进行下一次的检测。
在一个实施例中，所述检测区10设有多个第一薄膜晶体管11，所述多个第一薄膜晶体管11的第一有源层15分别对应不同的响应气体。
其中，不同的第一薄膜晶体管11的第一有源层15可以是由不同的共轭化合物材料构成，也就是说，不同的第一薄膜晶体管11可以分别选择与响应气体敏感材料形成，这样进行检测时，可以分别控制各自的第一栅极12的信号，实现对不同响应气体的检测。
作为本实施例的一种可选实施方案，所述共轭化合物包括酞菁化合物。
如图3所示，酞菁化合物是一种具有18π电子系的环状共轭化合物，酞菁环中心的两个氢原子可以被不同的金属M取代从而形成图4所示的金属酞菁，此外，酞菁分子四个外角处的苯环上的16个氢原子也可以被取代从而形成酞菁的衍生物，表现出导电性。并且由不同的金属酞菁类化合物或衍生物构成的第一有源层15可以对NO2、NH3、O3、H2S、有机挥发性气体(Volatile Organnci Vapors)和易爆炸类化学物质的模拟剂表现出响应特性。例如，酞菁铜对不同气体的响应速度均不同。
可选的是，所述显示部件21包括第二薄膜晶体管22，所述第二薄膜晶体管22包括第二栅极26、第二源极23、第二漏极24，以及第二有源层25。
其中显示部件21可以是显示面板，优选的气体检测装置还可以包括输入部件，其中，输入部件和显示部件21可以是触控显示面板，便于操作。显示面板中含有第二薄膜晶体管22，用于控制该显示面板显示，其显示内容为：根据电流检测部件的检测的待检测气体中响应气体的信息。
在一个实施例中，所述第一薄膜晶体管11为底栅型，所述第二薄膜晶体管22为顶栅型。
底栅型的第一薄膜晶体管11便于敏感材料与待测气体的充分接触，提高器件响应速度和灵敏度；顶栅型的第二薄膜晶体管22利于隔离水、氧气，提高显示区20器件的稳定性。
在一个优选实施例中，如图5所示，所述第二栅极26与第一源极13、第一漏极14同层设置，所述第二源极23、第二漏极24与第一栅极12同层设置。
也就是说，本实施例中检测区10的第一薄膜晶体管11可以与显示区20的第二薄膜晶体管22设置于同一衬底100上，第二栅极26与第一源极13、第一漏极14同层形成，第二源极23、第二漏极24与第一栅极12同层形成。这样的好处是便于制备，可以更大程度的实现显示与检测的集成，进一步减小装置的体积，降低产品的成本。
在本实施例对应的附图中，显示的结构层的大小、厚度等仅为示意。在工艺实现中，各结构层在衬底上的投影面积可以相同，也可以不同，此处不再列举，可以通过刻蚀工艺实现所需的各结构层投影面积；同时，附图所示结构也不限定各结构层的几何形状，例如可以是附图所示的矩形，还可以是梯形，或其它刻蚀所形成的形状，同样可通过刻蚀实现。
实施例3：
本实施例提供一种气体检测装置的制备方法，如图6所示，包括以下制备步骤：
S01a、在衬底100上的检测区10形成至少一个第一薄膜晶体管11，所述第一薄膜晶体管11包括第一栅极12、第一源极13、第一漏极14，以及第一有源层15，所述第一有源层15由共轭化合物构成，用于与待检测气体接触，且所述共轭化合物与对应的响应气体接触后能改变第一有源层15的传输特性；
可选的是，S01b、所述方法还包括在衬底100上的显示区20形成第二薄膜晶体管22；所述第二薄膜晶体管22包括第二栅极26、第二源极23、第二漏极24，以及第二有源层25。
需要说明的，S01a与S01b可以同步形成，具体的，参见图6，
Sa、在衬底100上沉积一层金属薄膜，图案化后，得到包括显示区20的第二薄膜晶体管22的第二源极23、第二漏极24以及检测区10的第一薄膜晶体管11的第一栅极12的图形；
Sb、完成上述步骤衬底100上检测区10沉积绝缘层薄膜；
Sc、完成上述步骤衬底100上显示区20和检测区10形成第一有源层15、第二有源层25的图案；
Sd、完成上述步骤衬底100上显示区20沉积绝缘层薄膜；
Se、完成上述步骤衬底100上再沉积一层金属薄膜，图案化后，得到包括显示区20的第二栅极26和检测区10的第一源极13、第一漏极14的图形。
S02、形成与第一栅极12连接的控制部件，用于向第一栅极12提供电信号；其中，控制部件可以是芯片，其可以通过绑定的方式与第一栅极12连接。
S03、形成与第一漏极14连接的电流检测部件，用于检测漏极的电流。其中，电流检测部件可以是半导体测试仪。
实施例4：
本实施例提供一种气体检测方法，如图7、图8所示，采用上述的气体检测装置进行检测，所述检测方法包括以下检测步骤：
S1、控制部件向第一栅极提供电信号；其中，当气体检测装置具有多个第一薄膜晶体管时，可以先通过输入部件3选择待检测选择检测气体种类；输入部件3将用户的选择信号传递至控制部件4，控制部件4的IC向不同的第一薄膜晶体管11的第一栅极输入不同的控制信号，使得与响应气体对应的第一薄膜晶体管11打开，而其他的第一薄膜晶体管11关闭。
S2、第一有源层与待检测气体接触后发生反应，并改变第一有源层的传输特性；
S3、电流检测部件5检测漏极的电流，并将检测结果反馈至显示部件21；
S4、显示部件21将电流检测部件检出的响应气体的信息转化为显示信号输出。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种气体检测装置，其特征在于，包括衬底，所述衬底上包括检测区，所述检测区设有多个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极，以及第一有源层，所述第一有源层由共轭化合物构成，用于与待检测气体接触，且所述共轭化合物与对应的响应气体接触后能改变第一有源层的传输特性，所述多个第一薄膜晶体管的第一有源层分别对应不同的响应气体；
所述气体检测装置还包括：
与第一栅极连接的控制部件，用于向第一栅极提供电信号；
与第一漏极连接的电流检测部件，用于检测漏极的电流；
输入部件，通过所述输入部件能够选择待检测气体种类，并且所述输入部件能够将用户的选择信号传递至控制部件，所述控制部件向不同的第一薄膜晶体管的第一栅极输入不同的控制信号，使得与响应气体对应的第一薄膜晶体管打开、其他第一薄膜晶体管关闭，
所述衬底上还包括显示区，所述显示区设有显示部件，用于根据电流检测部件的检测结果显示待检测气体中响应气体的信息，所述显示部件包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极，以及第二有源层，所述第一薄膜晶体管为底栅型，所述第二薄膜晶体管为顶栅型，
所述第一有源层的敏感薄膜由多个晶粒构成，所述晶粒的表面和所述晶粒之间的空隙为吸附位，所述吸附位是不含氧的吸附位，或者含氧吸附位。
2.根据权利要求1所述的气体检测装置，其特征在于，所述共轭化合物包括酞菁化合物。
3.根据权利要求1所述的气体检测装置，其特征在于，所述第二栅极与第一源极、第一漏极同层设置，所述第二源极、第二漏极与第一栅极同层设置。
4.一种气体检测装置的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：
在衬底上的检测区形成多个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极，以及第一有源层，所述第一有源层由共轭化合物构成，用于与待检测气体接触，且所述共轭化合物与对应的响应气体接触后能改变第一有源层的传输特性，多个第一薄膜晶体管的第一有源层分别对应不同的响应气体；
形成与第一栅极连接的控制部件，用于向第一栅极提供电信号；
形成与第一漏极连接的电流检测部件，用于检测漏极的电流；
形成输入部件，通过所述输入部件能够选择带检测气体种类，并且所述输入部件能够将用户的选择信号传递至控制部件，所述控制部件向不同的第一薄膜晶体管的第一栅极输入不同的控制信号，使得与响应气体对应的第一薄膜晶体管打开、其他第一薄膜晶体管关闭，
所述方法还包括在衬底上的显示区形成第二薄膜晶体管的步骤；
所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极，以及第二有源层，所述第一薄膜晶体管为底栅型，所述第二薄膜晶体管为顶栅型；
所述第一有源层的敏感薄膜由多个晶粒构成，所述晶粒表面和所述晶粒之间的空隙为吸附位，所述吸附位是不含氧的吸附位，或者含氧吸附位。
5.一种气体检测方法，其特征在于，采用权利要求1-3任一项所述的气体检测装置进行检测，所述检测方法包括以下检测步骤：
通过所述输入部件选择待检测气体种类；
通过所述输入部件能够将用户的选择信号传递至控制部件；
通过控制部件向第一栅极提供电信号，其中，所述控制部件向不同的第一薄膜晶体管的第一栅极输入不同的控制信号，使得与响应气体对应的第一薄膜晶体管打开、其他第一薄膜晶体管关闭；
第一有源层与待检测气体接触后发生反应，并改变第一有源层的传输特性，所述第一有源层的敏感薄膜由多个晶粒构成，所述晶粒的表面和所述晶粒之间的空隙为吸附位，所述吸附位是不含氧的吸附位，或者含氧吸附位；
电流检测部件检测漏极的电流。
CN201811037628.3A 2018-09-06 2018-09-06 一种气体检测装置及其制备方法、气体检测方法 Active CN109142492B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811037628.3A CN109142492B (zh) 2018-09-06 2018-09-06 一种气体检测装置及其制备方法、气体检测方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811037628.3A CN109142492B (zh) 2018-09-06 2018-09-06 一种气体检测装置及其制备方法、气体检测方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109142492A CN109142492A (zh) 2019-01-04
CN109142492B true CN109142492B (zh) 2022-02-08

Family

ID=64827361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811037628.3A Active CN109142492B (zh) 2018-09-06 2018-09-06 一种气体检测装置及其制备方法、气体检测方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109142492B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114784024A (zh) * 2022-05-19 2022-07-22 广州华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示面板的制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008129238A1 (en) * 2007-04-20 2008-10-30 Imperial Innovations Limited Improved oxide-based field-effect transistors
CN102435634A (zh) * 2011-11-14 2012-05-02 电子科技大学 一种otft集成传感器阵列及其制作方法
CN104122320A (zh) * 2014-07-11 2014-10-29 京东方科技集团股份有限公司 一种气体检测传感器件、显示面板及显示装置
CN105866215A (zh) * 2016-03-24 2016-08-17 电子科技大学 一种有机薄膜晶体管气体传感器及其制备方法
CN105914225A (zh) * 2016-05-05 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示装置
CN107064272A (zh) * 2017-04-17 2017-08-18 京东方科技集团股份有限公司 气敏感测设备与系统以及检测环境中的氧气的方法
CN107436313A (zh) * 2016-05-25 2017-12-05 松下知识产权经营株式会社 气体传感器装置、气体传感器模块及气体检测方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6703265B2 (en) * 2000-08-02 2004-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008129238A1 (en) * 2007-04-20 2008-10-30 Imperial Innovations Limited Improved oxide-based field-effect transistors
CN102435634A (zh) * 2011-11-14 2012-05-02 电子科技大学 一种otft集成传感器阵列及其制作方法
CN104122320A (zh) * 2014-07-11 2014-10-29 京东方科技集团股份有限公司 一种气体检测传感器件、显示面板及显示装置
CN105866215A (zh) * 2016-03-24 2016-08-17 电子科技大学 一种有机薄膜晶体管气体传感器及其制备方法
CN105914225A (zh) * 2016-05-05 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示装置
CN107436313A (zh) * 2016-05-25 2017-12-05 松下知识产权经营株式会社 气体传感器装置、气体传感器模块及气体检测方法
CN107064272A (zh) * 2017-04-17 2017-08-18 京东方科技集团股份有限公司 气敏感测设备与系统以及检测环境中的氧气的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109142492A (zh) 2019-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Skucha et al. Palladium/silicon nanowire Schottky barrier-based hydrogen sensors
CN103676354B (zh) 电极结构及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置
Kumar et al. thin-film transistors (TFTs) for highly sensitive biosensing applications: a review
CN107449812A (zh) 一种在cmos标准工艺下的生物化学传感器
CN105699463B (zh) 一种化学场效应晶体管气敏传感器及其制造方法
CN105866215A (zh) 一种有机薄膜晶体管气体传感器及其制备方法
CN108847424B (zh) 薄膜晶体管、传感器、生物检测装置和方法
Stoop et al. Charge noise in organic electrochemical transistors
Shi et al. Precise gas discrimination with cross-reactive graphene and metal oxide sensor arrays
CN109142492B (zh) 一种气体检测装置及其制备方法、气体检测方法
Shin et al. An accurate and stable humidity sensing characteristic of Si FET-type humidity sensor with MoS2 as a sensing layer by pulse measurement
CN104792848A (zh) 一种基于印刷晶体管的pH检测标签
Zhou et al. High performance gas sensors with dual response based on organic ambipolar transistors
Kettner et al. Ionic gel as gate dielectric for the easy characterization of graphene and polymer field-effect transistors and electrochemical resistance modification of graphene
US20230213474A1 (en) Detection device and detection method
Swaminathan et al. Effect of varying chain length of n-alcohols and n-alkanes detected with electrostatically-formed nanowire sensor
Hong et al. A new sensing mechanism of Si FET-based gas sensor using pre-bias
Dassi et al. Chemical modulation of conducting polymer gate electrode work function based double gate Mg2Si TFET for gas sensing applications
KR101330221B1 (ko) 탄소나노튜브를 이용한 이온 농도 측정용 센서 및 그 제조방법
Yuan et al. Room temperature VOC gas detection using a gated lateral BJT with an assembled solvatochromic dye
Brodský et al. Downsizing the channel length of vertical organic electrochemical transistors
CN103940884B (zh) 离子敏感场效应晶体管及其制备方法
Zamani et al. A new capacitive-type NO2 gas sensor combining an MIS with a solid electrolyte
Liu et al. Dopamine detection based on low-voltage oxide homojunction electric-double-layer thin-film transistors
Mlika et al. Calixarene membranes on semiconductor substrates for EIS chemical sensors

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant