CN109139500A - 单相交流泵新型驱动方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种单相交流泵新型驱动方法,包括交流泵和H桥驱动电路,直流供电系统通过交替导通H桥实现直流电逆变为交流电,H桥驱动电路与交流泵电性相连,用以驱动交流泵;其中H桥驱动电路包括第一控制臂1与第二控制臂2,第一控制臂1包括第一MOS管T1与第二MOS管T2,第二控制臂2包括第三MOS管T3与第四MOS管T4;所述H桥驱动电路包括第一输入端IO1与第二输入端IO2。本发明能够通过交替导通H桥实现直流电逆变为交流电,为交流气泵提供交流电。
Description
技术领域
本发明涉及交直流电变换领域,特别是一种单相交流泵新型驱动方法。
背景技术
目前单相交流气泵一般只能用于交流供电场合,通用控制一般采用继电器开关直接控制供电电源从而进行启动控制,或者采用可控硅进行移相、过零触发进行电压及速度的控制。上述技术只能用于交流供电场合,采用继电器控制只能控制导通和断开两种状态,采用可控硅过零触发容易出现低频干扰,由于工作连续很容易出现闪烁现象,并且采用可控硅移相触发会照成输出电压畸变,容易产生电磁干扰。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的是提出一种单相交流泵新型驱动方法,能够通过交替导通H桥实现直流逆变为交流,为交流气泵提供交流电。
本发明采用以下方案实现:一种单相交流泵新型驱动方法,包括交流泵和H桥驱动电路,直流供电系统通过交替导通H桥实现直流电逆变为交流电,所述H桥驱动电路与交流泵电性相连,用以驱动交流泵;
其中H桥驱动电路包括第一控制臂1与第二控制臂2,第一控制臂1包括第一MOS管T1与第二MOS管T2,第二控制臂2包括第三MOS管T3与第四MOS管T4;所述H桥驱动电路包括第一输入端IO1与第二输入端IO2;
所述的单相交流泵新型驱动方法包括以下步骤:
步骤S1:对H桥驱动电路的第一输入端IO1和H桥驱动电路的第二输入端IO2进行初始化,并判断是否开启气泵,如果气泵开启则进行步骤S2,如果气泵没有开启则关闭输出。
步骤S2:当H桥驱动电路的第一输入端IO1按预设占空比置高电平,H桥驱动电路的第二输入端IO2置低电平时第一MOS管T1,第四MOS管T4导通;
步骤S3:判断步骤S2中第一MOS管T1、第四MOS管T4是否到达导通时间,如果到达导通时间则进行步骤S4,如果没有到达导通时间则返回步骤S2;
步骤S4:当H桥驱动电路的第一输入端IO1置低电平,H桥驱动电路的第二输入端IO2按预设占空比置高电平时,此时第二MOS管T2,第三MOS管T3导通;
步骤S5:判断步骤S4中第二MOS管T2,第三MOS管T3是否到达导通时间,如果到达导通时间则返回步骤S2,如果没有到达导通时间则返回步骤S4。
进一步地,所述的H桥驱动电路包括P-N H桥电路、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一三极管Q1、第一二极管D1、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第二三极管Q2、第二二极管D2;
所述H桥驱动电路的第一输入端IO1分别连接第一电阻R1的一端和第十一电阻R11的一端,所述第一电阻R1的另一端连接第一三极管Q1的基极,所述第一三极管Q1的发射极接地,所述第一三极管Q1的集电极连接第三电阻R3的一端,所述第三电阻R3的另一端分别连接第二电阻R2的一端、第四电阻R4的一端和第一二极管D1的阴极,所述第二电阻R2的另一端连接所述第一MOS管T1的源极,所述第四电阻R4的另一端连接所述第一二极管D1的阳极并均连接至所述第一MOS管T1的栅极,所述H桥驱动电路的第二输入端IO2分别连接第五电阻R5的一端和第七电阻R7的一端,第五电阻R5的另一端连接第六电阻R6的一端,并均连接至所述第二MOS管T2的栅极,第六电阻R6的另一端连接所述所述第二MOS管T2的源极,所述第八电阻R8的一端连接第九电阻R9的一端、第十电阻R10的一端和第二二极管D2的阴极,所述第八电阻R8的另一端连接所述第三MOS管T3的源极,所述第十电阻R10的另一端和第二二极管D2的阳极连接并均连接到第三MOS管T3的栅极,所述第九电阻R9的另一端连接第二三极管Q2的集电极,所述第二三极管Q2的基极连接第七电阻R7的另一端,所述第二三极管Q2的发射极接地,所述第十一电阻R11的另一端连接第十二电阻R12的一端,并均连接到第四MOS管T4的栅极,所述第十二电阻R12的另一端连接所述第四MOS管T4的源极,所述第一MOS管T1的源极还连接所述第三MOS管T3的源极并均连接24V电压,所述第二MOS管T2的源极还连接第四MOS管T4的源极并均接地;所述第一MOS管T1漏极与第二MOS管T2漏极连接并均连接至交流泵J1的输入端口1,所述第三MOS管T3的漏极与第四MOS管T4的漏极连接并均连接至交流泵J1输入端口2。
进一步地,所述的H桥驱动电路还包括N-N H桥电路、第一驱动芯片U1、第二驱动芯片U2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第一二极管D1、第二二极管D2、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4;
所述H桥驱动电路的第一输入端IO1分别连接第一电阻R1的一端和第六电阻R6的一端,所述H桥驱动电路的第二输入端IO2分别连接第二电阻R2的一端和第五电阻R5的一端,所述第一电阻R1的另一端、第二电阻R2的另一端分别连接至第一驱动芯片U1的逻辑高端输入HIN、逻辑低端输入LIN,所述第一二极管D1的阳极与第一电容C1的一端连接并连接至第一驱动芯片U1的低端固定电压VCC,所述低端固定电压VCC为15V,所述第一电容C1的另一端接地,所述第一驱动芯片U1的接地端GND接地,所述第三电阻R3的一端连接所述第一驱动芯片U1的高端输出HO,所述第二电容C2的一端连接所述第一驱动芯片U1的高端浮置偏移电压VS,所述第二电容C2的另一端与第一二极管D1的阴极连接并连接至第一驱动芯片U1的高端浮置电源电压VB,所述第四电阻R4的一端连接所述第一驱动芯片U1的低端输出LO,所述第三电阻R3的另一端和所述第四电阻R4的另一端分别连接至N-N H桥电路的第一控制桥臂1中的两个开关管的驱动端,所述第五电阻R5的另一端连接所述第二驱动芯片U2的逻辑高端输入HIN,所述第六电阻R6的另一端连接所述第二驱动芯片U2的逻辑低端输入LIN,所述第二二极管D2的阳极与所述第三电容C3的一端连接并连接至第二驱动芯片U2的低端固定电压VCC,所述低端固定电压VCC为15V,所述第三电容C3的另一端接地,所述第二驱动芯片U2的接地端GND接地,所述第二二极管D2的阴极连接第四电容C4的一端并连接到第二驱动芯片U2的高端浮置电源电压VB,所述第四电容C4的另一端连接所述第二驱动芯片U2的高端浮置电源偏移电压VS,所述第七电阻R7的一端连接所述第二驱动芯片U2的高端输出HO,所述第八电阻R8的一端连接至所述第二驱动芯片U2的低端输出LO,所述第七电阻R7的另一端和第八电阻R8的另一端分别连接至N-N H桥电路的第二控制桥臂2中的两个开关管的驱动端,所述第九电阻R9的一端连接至N-N H桥第二控制桥臂2的其中一个开关管的衬底,所述第九电阻R9的另一端接地;
所述N-N H桥电路的两个输出端分别连接至交流泵J1的两个交流输入端。
进一步地,所述第一MOS管T1的源极与第二MOS管T2漏极相连并连接至交流泵J1的输入端口1,所述交流泵J1的输入端口1还连接所述第一驱动芯片U1的高端浮置电源偏移电压VS,所述第一MOS管T1与第二MOS管T2所在的支路作为N-N H桥电路的第一控制桥臂1,所述第三电阻R3的另一端连接第一MOS管T1的栅极,所述第四电阻R4的另一端连接第二MOS管T2的栅极,所述第三MOS管T3的源极与所述第四MOS管T4的漏极连接并连接至交流泵J1的第二输入端2,所述第三MOS管T3和第四MOS管T4所在的支路作为N-N H桥电路的控制桥臂2,所述第七电阻R7的另一端连接第三MOS管T3的栅极,所述第八电阻R8的另一端连接第四MOS管T4的栅极,所述第九电阻R9的一端和第四MOS管T4的源极S连接并连接至第二MOS管T2的源极S,所述第一MOS管T1的漏极和第三MOS管T3的漏极均连接至输入电压VIN。
进一步地,所述的第一驱动芯片U1型号为IR2101。
进一步地,所述第二驱动芯片U2型号为IR2101。
进一步地,第一MOS管T1、第二MOS管T2、第三MOS管T3及第四MOS管T4的漏极与源极均并联一个二级管。
进一步地,所述的H桥驱动电路的第一输入端IO1与第二输入端IO2由一控制器控制,控制器为单片机,型号为:SH88F4051,由该控制器给出高低电平。
与现有技术相比,本发明有以下有益效果:
本发明能够通过交替导通H桥实现直流电逆变为交流电,为交流气泵提供交流电,且控制简单,可实现输出电压、频率宽范围控制,电压畸变低,干扰小。
附图说明
图1为本发明实施例的流程图。
图2为本发明实施例的N-P型H桥驱动电路原理图。
图3为本发明实施例的N-N型H桥驱动电路原理图。
图4为本发明实施例中传统过零、移相触发的输出波形示意图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明做进一步说明。
如图1所示,本实施例提供了一种单相交流泵新型驱动方法,包括交流泵和H桥驱动电路,直流供电系统通过交替导通H桥实现直流电逆变为交流电,所述H桥驱动电路与交流泵电性相连,用以驱动交流泵;
其中H桥驱动电路包括第一控制臂1与第二控制臂2,第一控制臂1包括第一MOS管T1与第二MOS管T2,第二控制臂2包括第三MOS管T3与第四MOS管T4;所述H桥驱动电路包括第一输入端IO1与第二输入端IO2;
所述的单相交流泵新型驱动方法包括以下步骤:
步骤S1:对H桥驱动电路的第一输入端IO1和H桥驱动电路的第二输入端IO2进行初始化,并判断是否开启气泵,如果气泵开启则进行步骤S2,如果气泵没有开启则关闭输出。
步骤S2:当H桥驱动电路的第一输入端IO1按预设占空比置高电平,H桥驱动电路的第二输入端IO2置低电平时第一MOS管T1,第四MOS管T4导通;
步骤S3:判断步骤S2中第一MOS管T1、第四MOS管T4是否到达导通时间,如果到达导通时间则进行步骤S4,如果没有到达导通时间则返回步骤S2;
步骤S4:当H桥驱动电路的第一输入端IO1置低电平,H桥驱动电路的第二输入端IO2按预设占空比置高电平时,此时第二MOS管T2,第三MOS管T3导通;
步骤S5:判断步骤S4中第二MOS管T2,第三MOS管T3是否到达导通时间,如果到达导通时间则返回步骤S2,如果没有到达导通时间则返回步骤S4。
如图2所示,在本实施例中,所述的H桥驱动电路包括P-N H桥电路、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一三极管Q1、第一二极管D1、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第二三极管Q2、第二二极管D2;
所述H桥驱动电路的第一输入端IO1分别连接第一电阻R1的一端和第十一电阻R11的一端,所述第一电阻R1的另一端连接第一三极管Q1的基极,所述第一三极管Q1的发射极接地,所述第一三极管Q1的集电极连接第三电阻R3的一端,所述第三电阻R3的另一端分别连接第二电阻R2的一端、第四电阻R4的一端和第一二极管D1的阴极,所述第二电阻R2的另一端连接所述第一MOS管T1的源极,所述第四电阻R4的另一端连接所述第一二极管D1的阳极并均连接至所述第一MOS管T1的栅极,所述H桥驱动电路的第二输入端IO2分别连接第五电阻R5的一端和第七电阻R7的一端,第五电阻R5的另一端连接第六电阻R6的一端,并均连接至所述第二MOS管T2的栅极,第六电阻R6的另一端连接所述所述第二MOS管T2的源极,所述第八电阻R8的一端连接第九电阻R9的一端、第十电阻R10的一端和第二二极管D2的阴极,所述第八电阻R8的另一端连接所述第三MOS管T3的源极,所述第十电阻R10的另一端和第二二极管D2的阳极连接并均连接到第三MOS管T3的栅极,所述第九电阻R9的另一端连接第二三极管Q2的集电极,所述第二三极管Q2的基极连接第七电阻R7的另一端,所述第二三极管Q2的发射极接地,所述第十一电阻R11的另一端连接第十二电阻R12的一端,并均连接到第四MOS管T4的栅极,所述第十二电阻R12的另一端连接所述第四MOS管T4的源极,所述第一MOS管T1的源极还连接所述第三MOS管T3的源极并均连接24V电压,所述第二MOS管T2的源极还连接第四MOS管T4的源极并均接地;所述第一MOS管T1漏极与第二MOS管T2漏极连接并均连接至交流泵J1的输入端口1,所述第三MOS管T3的漏极与第四MOS管T4的漏极连接并均连接至交流泵J1输入端口2。
在本实施例中,第一MOS管T1、第二MOS管T2、第三MOS管T3及第四MOS管T4的漏极与源极均并联一个二级管。
特别的,本实施例的P-N H桥驱动电路的实现原理为:
步骤S1:当H桥驱动电路的第一输入端IO1和H桥驱动电路的第二输入端IO2均为低电平时,第一三极管Q1、第二三极管Q2、第一MOS管T1、第二MOS管T2、第三MOS管T3和第四MOS管T4全部截止,气泵端无输出;
步骤S2:启动气泵,H桥驱动电路的第一输入端IO1按预设占空比置高电平,H桥驱动电路的第二输入端IO2为低电平,此时第一三极管Q1、第一MOS管T1和第四MOS管T1导通,第二三极管Q2、第二MOS管T2和第三MOS管T3截止,电流从24V电压端流经第一MOS管T1、交流泵J1的输出端口1、交流泵J1的输出端口2、第四MOS管T4和地;
步骤S3:当达到设定频率时H桥驱动电路的第一输入端IO1为低电平,H桥驱动电路的第二输入端IO2按一预设空比置高电平,此时第一三极管Q1、第一MOS管T1和第四MOS管T1截止,第二三极管Q2、第二MOS管T2和第三MOS管T3导通,电流从24V电压端流经第三MOS管T3、交流泵J1的输入端口2、交流泵J1的输入端口1、第二MOS管T2和地;
步骤S4:按照一定的频率使H桥驱动电路的第一输入端IO1和H桥驱动电路的第二输入端IO2交替输出高低电平,实现电流在交流泵J1的输入端口1和交流泵J1的输入端口2交替变化从而实现交流泵在直流通电系统上的运用。
在本实施例中,所述的H桥驱动电路还包括N-N H桥电路、第一驱动芯片U1、第二驱动芯片U2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第一二极管D1、第二二极管D2、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4;
所述H桥驱动电路的第一输入端IO1分别连接第一电阻R1的一端和第六电阻R6的一端,所述H桥驱动电路的第二输入端IO2分别连接第二电阻R2的一端和第五电阻R5的一端,所述第一电阻R1的另一端、第二电阻R2的另一端分别连接至第一驱动芯片U1的逻辑高端输入HIN、逻辑低端输入LIN,所述第一二极管D1的阳极与第一电容C1的一端连接并连接至第一驱动芯片U1的低端固定电压VCC,所述低端固定电压VCC为15V,所述第一电容C1的另一端接地,所述第一驱动芯片U1的接地端GND接地,所述第三电阻R3的一端连接所述第一驱动芯片U1的高端输出HO,所述第二电容C2的一端连接所述第一驱动芯片U1的高端浮置偏移电压VS,所述第二电容C2的另一端与第一二极管D1的阴极连接并连接至第一驱动芯片U1的高端浮置电源电压VB,所述第四电阻R4的一端连接所述第一驱动芯片U1的低端输出LO,所述第三电阻R3的另一端和所述第四电阻R4的另一端分别连接至N-N H桥电路的第一控制桥臂1中的两个开关管的驱动端,所述第五电阻R5的另一端连接所述第二驱动芯片U2的逻辑高端输入HIN,所述第六电阻R6的另一端连接所述第二驱动芯片U2的逻辑低端输入LIN,所述第二二极管D2的阳极与所述第三电容C3的一端连接并连接至第二驱动芯片U2的低端固定电压VCC,所述低端固定电压VCC为15V,所述第三电容C3的另一端接地,所述第二驱动芯片U2的接地端GND接地,所述第二二极管D2的阴极连接第四电容C4的一端并连接到第二驱动芯片U2的高端浮置电源电压VB,所述第四电容C4的另一端连接所述第二驱动芯片U2的高端浮置电源偏移电压VS,所述第七电阻R7的一端连接所述第二驱动芯片U2的高端输出HO,所述第八电阻R8的一端连接至所述第二驱动芯片U2的低端输出LO,所述第七电阻R7的另一端和第八电阻R8的另一端分别连接至N-N H桥电路的第二控制桥臂2中的两个开关管的驱动端,所述第九电阻R9的一端连接至N-N H桥第二控制桥臂2的其中一个开关管的衬底,所述第九电阻R9的另一端接地;
所述N-N H桥电路的两个输出端分别连接至交流泵J1的两个交流输入端。
在本实施例中,所述的N-N H桥电路的所述第一MOS管T1的源极与第二MOS管T2漏极相连并连接至交流泵J1的输入端口1,所述交流泵J1的输入端口1还连接所述第一驱动芯片U1的高端浮置电源偏移电压VS,所述第一MOS管T1与第二MOS管T2所在的支路作为N-N H桥电路的第一控制桥臂1,所述第三电阻R3的另一端连接第一MOS管T1的栅极,所述第四电阻R4的另一端连接第二MOS管T2的栅极,所述第三MOS管T3的源极与所述第四MOS管T4的漏极连接并连接至交流泵J1的第二输入端2,所述第三MOS管T3和第四MOS管T4所在的支路作为N-N H桥电路的控制桥臂2,所述第七电阻R7的另一端连接第三MOS管T3的栅极,所述第八电阻R8的另一端连接第四MOS管T4的栅极,所述第九电阻R9的一端和第四MOS管T4的源极S连接并连接至第二MOS管T2的源极S,所述第一MOS管T1的漏极和第三MOS管T3的漏极均连接至输入电压VIN。
在本实施例中,所述的第一驱动芯片U1型号为IR2101。
在本实施例中,所述第二驱动芯片U2型号为IR2101。
在本实施例中,所述的H桥驱动电路的第一输入端IO1与第二输入端IO2由一控制器控制,控制器为单片机,型号为:SH88F4051,由该控制器给出高低电平。
特别的,本实施例N-N H桥电路的具体实现原理为:
步骤S1:当H桥驱动电路的第一输入端IO1和H桥驱动电路的第二输入端IO2均为低电平时,第一MOS管T1、第二MOS管T2、第三MOS管T3和第四MOS管T4全部截止,气泵端无输出;
步骤S2:启动气泵,H桥驱动电路的第一输入端IO1按预设占空比置高电平,H桥驱动电路的第二输入端IO2为低电平,此时第一MOS管T1和第四MOS管T1导通,第二MOS管T2和第三MOS管T3截止,电流从24V电压端流经第一MOS管T1、交流泵J1的输出端口1、交流泵J1的输出端口2、第四MOS管T4和地;
步骤S3:当达到设定频率时H桥驱动电路的第一输入端IO1为低电平,H桥驱动电路的第二输入端IO2按预设占空比置高电平,此时第一MOS管T1和第四MOS管T1截止,第二MOS管T2和第三MOS管T3导通,电流从24V电压端流经第三MOS管T3、交流泵J1的输出端口2、交流泵J1的输出端口1、第二MOS管T2和地;
步骤S4:按照一定的频率使H桥驱动电路的第一输入端IO1和H桥驱动电路的第二输入端IO2交替输出高低电平,实现电流在交流泵J1的输出端口1和交流泵J1的输出端口2交替变化从而实现交流泵在直流通电系统上的运用。
特别地,通过改变H桥驱动电路的第一输入端IO1和H桥驱动电路的第二输入端IO2的导通频率从而实现交流泵的供电频率变化进而实现交流泵转速及流量的变化。
较佳的,本实施例控制简单,可实现宽范围控制,电压畸变低,干扰小。
灵活方便控制、宽范围控制:通过调整不同占空比可实现定频调制,预设占空比可在1%-100%范围内调制,具体可根据应用调整。通过调整频率可实现调频控制,频率调整可在0.1HZ到几KHZ 范围变化。针对不同运行需求采样不同控制方式可实现灵活方便的控制。
防止电压畸变:传统移相调制会照成输出波形缺失畸变造成电磁干扰,本方案输出直接通过直流逆变不存在波形畸变问题。
低频干扰:传统过零触发只能交流电过零点进行触发输出,工作是断续的,容易出现闪烁现象。如图4所示,如果是在刚刚过红色箭头处触发则为过零触发,触发信号起始点之后的几乎整个半波是全导通的状态。如果是在其他时间触发,如图4中A处,则为移相触发,此次触发电源的有效范围是从触发起到下次零点前的那一部分即图中A处半波的阴影范围;本实施例采用的就是移相触发。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰,皆应属本发明的涵盖范围。
Claims (8)
1.一种单相交流泵新型驱动方法,其特征在于:包括交流泵和H桥驱动电路,直流供电系统通过交替导通H桥实现直流电逆变为交流电,所述H桥驱动电路与交流泵电性相连,用以驱动交流泵;
其中H桥驱动电路包括第一控制臂1与第二控制臂2,第一控制臂1包括第一MOS管T1与第二MOS管T2,第二控制臂2包括第三MOS管T3与第四MOS管T4;所述H桥驱动电路包括第一输入端IO1与第二输入端IO2;
所述的单相交流泵新型驱动方法包括以下步骤:
步骤S1:对H桥驱动电路的第一输入端IO1和H桥驱动电路的第二输入端IO2进行初始化,并判断是否开启气泵,如果气泵开启则进行步骤S2,如果气泵没有开启则关闭输出;
步骤S2:当H桥驱动电路的第一输入端IO1按预设占空比置高电平,H桥驱动电路的第二输入端IO2置低电平时第一MOS管T1,第四MOS管T4导通;
步骤S3:判断步骤S2中第一MOS管T1、第四MOS管T4是否到达导通时间,如果到达导通时间则进行步骤S4,如果没有到达导通时间则返回步骤S2;
步骤S4:当H桥驱动电路的第一输入端IO1置低电平,H桥驱动电路的第二输入端IO2按预设占空比置高电平时,此时第二MOS管T2,第三MOS管T3导通;
步骤S5:判断步骤S4中第二MOS管T2,第三MOS管T3是否到达导通时间,如果到达导通时间则返回步骤S2,如果没有到达导通时间则返回步骤S4。
2.根据权利要求1所述的一种单相交流泵新型驱动方法,其特征在于:所述的H桥驱动电路包括P-N H桥电路、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一三极管Q1、第一二极管D1、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第二三极管Q2、第二二极管D2;
所述H桥驱动电路的第一输入端IO1分别连接第一电阻R1的一端和第十一电阻R11的一端,所述第一电阻R1的另一端连接第一三极管Q1的基极,所述第一三极管Q1的发射极接地,所述第一三极管Q1的集电极连接第三电阻R3的一端,所述第三电阻R3的另一端分别连接第二电阻R2的一端、第四电阻R4的一端和第一二极管D1的阴极,所述第二电阻R2的另一端连接所述第一MOS管T1的源极,所述第四电阻R4的另一端连接所述第一二极管D1的阳极并均连接至所述第一MOS管T1的栅极,所述H桥驱动电路的第二输入端IO2分别连接第五电阻R5的一端和第七电阻R7的一端,第五电阻R5的另一端连接第六电阻R6的一端,并均连接至所述第二MOS管T2的栅极,第六电阻R6的另一端连接所述第二MOS管T2的源极,所述第八电阻R8的一端连接第九电阻R9的一端、第十电阻R10的一端和第二二极管D2的阴极,所述第八电阻R8的另一端连接所述第三MOS管T3的源极,所述第十电阻R10的另一端和第二二极管D2的阳极连接并均连接到第三MOS管T3的栅极,所述第九电阻R9的另一端连接第二三极管Q2的集电极,所述第二三极管Q2的基极连接第七电阻R7的另一端,所述第二三极管Q2的发射极接地,所述第十一电阻R11的另一端连接第十二电阻R12的一端,并均连接到第四MOS管T4的栅极,所述第十二电阻R12的另一端连接所述第四MOS管T4的源极,所述第一MOS管T1的源极还连接所述第三MOS管T3的源极并均连接24V电压,所述第二MOS管T2的源极还连接第四MOS管T4的源极并均接地;所述第一MOS管T1漏极与第二MOS管T2漏极连接并均连接至交流泵J1的输入端口1,所述第三MOS管T3的漏极与第四MOS管T4的漏极连接并均连接至交流泵J1输入端口2。
3.根据权利要求1所述的一种单相交流泵新型驱动方法,其特征在于:所述的H桥驱动电路还包括N-N H桥电路、第一驱动芯片U1、第二驱动芯片U2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第一二极管D1、第二二极管D2、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4;
所述H桥驱动电路的第一输入端IO1分别连接第一电阻R1的一端和第六电阻R6的一端,所述H桥驱动电路的第二输入端IO2分别连接第二电阻R2的一端和第五电阻R5的一端,所述第一电阻R1的另一端、第二电阻R2的另一端分别连接至第一驱动芯片U1的逻辑高端输入HIN、逻辑低端输入LIN,所述第一二极管D1的阳极与第一电容C1的一端连接并连接至第一驱动芯片U1的低端固定电压VCC,所述第一电容C1的另一端接地,所述第三电阻R3的一端连接所述第一驱动芯片U1的高端输出HO,所述第二电容C2的一端连接所述第一驱动芯片U1的高端浮置偏移电压VS,所述第二电容C2的另一端与第一二极管D1的阴极连接并连接至第一驱动芯片U1的高端浮置电源电压VB,所述第四电阻R4的一端连接所述第一驱动芯片U1的低端输出LO,所述第三电阻R3的另一端和所述第四电阻R4的另一端分别连接至N-N H桥电路的第一控制桥臂1中的两个开关管的驱动端,所述第五电阻R5的另一端连接所述第二驱动芯片U2的逻辑高端输入HIN,所述第六电阻R6的另一端连接所述第二驱动芯片U2的逻辑低端输入LIN,所述第二二极管D2的阳极与所述第三电容C3的一端连接并连接至第二驱动芯片U2的低端固定电压VCC,所述第三电容C3的另一端接地,所述第二二极管D2的阴极连接第四电容C4的一端并连接到第二驱动芯片U2的高端浮置电源电压VB,所述第四电容C4的另一端连接所述第二驱动芯片U2的高端浮置电源偏移电压VS,所述第七电阻R7的一端连接所述第二驱动芯片U2的高端输出HO,所述第八电阻R8的一端连接至所述第二驱动芯片U2的低端输出LO,所述第七电阻R7的另一端和第八电阻R8的另一端分别连接至N-N H桥电路的第二控制桥臂2中的两个开关管的驱动端,所述第九电阻R9的一端连接至N-N H桥第二控制桥臂2的其中一个开关管的衬底,所述第九电阻R9的另一端接地;
所述N-N H桥电路的两个输出端分别连接至交流泵J1的两个交流输入端。
4.根据权利要求3所述的一种单相交流泵新型驱动方法,其特征在于:所述的N-N H桥电路的所述第一MOS管T1的源极与第二MOS管T2漏极相连并连接至交流泵J1的输入端口1,所述交流泵J1的输入端口1还连接所述第一驱动芯片U1的高端浮置电源偏移电压VS,所述第一MOS管T1与第二MOS管T2所在的支路作为N-N H桥电路的第一控制桥臂1,所述第三电阻R3的另一端连接第一MOS管T1的栅极,所述第四电阻R4的另一端连接第二MOS管T2的栅极,所述第三MOS管T3的源极与所述第四MOS管T4的漏极连接并连接至交流泵J1的第二输入端2,所述第三MOS管T3和第四MOS管T4所在的支路作为N-N H桥电路的控制桥臂2,所述第七电阻R7的另一端连接第三MOS管T3的栅极,所述第八电阻R8的另一端连接第四MOS管T4的栅极,所述第九电阻R9的一端和第四MOS管T4的源极S连接并连接至第二MOS管T2的源极S,所述第一MOS管T1的漏极和第三MOS管T3的漏极均连接至输入电压VIN。
5.根据权利要求4所述的一种单相交流泵新型驱动方法,其特征在于:所述的第一驱动芯片U1型号为IR2101。
6.根据权利要求4所述的一种单相交流泵新型驱动方法,其特征在于:所述第二驱动芯片U2型号为IR2101。
7.根据权利要求2、3或4所述的一种单相交流泵新型驱动方法,其特征在于:所述第一MOS管T1、第二MOS管T2、第三MOS管T3及第四MOS管T4的漏极与源极均并联一个二级管。
8.根据权利要求1所述的一种单相交流泵新型驱动方法,其特征在于:所述的H桥驱动电路的第一输入端IO1与第二输入端IO2由一控制器控制,由该控制器给出高低电平。
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