CN109136834B

CN109136834B - 一种掩膜版、oled显示基板及其制备方法

Info

Publication number: CN109136834B
Application number: CN201811043801.0A
Authority: CN
Inventors: 李国伟; 孙泉钦; 李端明; 杨晓东; 郜明浩; 张杨扬; 刘丹
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date: 2018-09-07
Filing date: 2018-09-07
Publication date: 2021-03-05
Anticipated expiration: 2038-09-07
Also published as: CN109136834A

Abstract

本发明提供一种OLED显示基板及其制备方法、OLED显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的OLED的像素界定结构的坡度角太大会影响封装层的有机膜的问题。本发明的OLED显示基板的制备方法简单易行，只需在像素限定结构的侧面形成至少三个坡，即可减小像素限定结构的坡度角，较小的坡度角不会影响后续形成的封装层的有机膜。

Description

一种掩膜版、OLED显示基板及其制备方法

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种掩膜版、OLED显示基板及其制备方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板具有宽视角、高亮度、高对比度、低驱动电压和快速响应的优点，近些年得到了快速发展。

发明人发现现有技术中至少存在如下问题：OLED的封装层一般为多层无机膜、有机膜交替叠置的结构。其中的有机膜是将液态有机墨水在基板上流平后再固化形成，如果基板上的像素界定结构(PDL)的坡度角太大，则不利于液体有机墨水流平，这将导致显示亮度不均、气泡等不良。目前改善此不良的方法为增加有机墨水厚度来覆盖PDL，从而形成平整的有机层，但是此方法增加了产品的厚度，不适用于超薄显示产品，也不适用于曲面显示产品的弯折。

发明内容

本发明针对现有的OLED的PDL坡度角太大会影响封装层的有机膜的问题，提供一种掩膜版、OLED显示基板及其制备方法。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是：

一种掩膜版，包括遮光区、开口区，以及设于所述遮光区、开口区之间的多个半透光区；所述半透光区的透光率不同，且由靠近遮光区一侧的半透光区至靠近开口区一侧的半透光区的透光率依次递增或递减。

本发明还提供一种OLED显示基板的制备方法，包括以下制备步骤：

在衬底上方形成像素限定层；

采用上述的掩膜版进行曝光以将所述像素限定层图案化形成多个像素限定结构。

可选的是，在形成多个像素限定结构之后还包括形成封装结构的步骤。

可选的是，所述形成封装结构包括形成有机封装层。

可选的是，所述形成有机封装层是采用液态有机墨水流平后再固化形成。

本发明还提供一种OLED显示基板，包括衬底，以及设于所述衬底上方的多个像素限定结构，所述多个像素限定结构限定出像素区域，其中，每个像素限定结构靠近衬底的侧为第一面，背离衬底的侧为第二面，第一面与第二面之间通过侧面连接，所述侧面具有至少三个坡。

可选的是，最靠近衬底的坡的坡度角小于或等于20°。

可选的是，所述像素限定结构背离衬底的一侧设有封装结构。

可选的是，所述封装结构包括有机封装层；所述有机封装层的厚度小于或等于6μm。

可选的是，所述封装结构包括多层有机封装层和多层无机封装层，所述多层有机封装层和多层无机封装层相互交替叠置设置。

本发明还提供一种OLED显示装置，包括上述的OLED显示基板。

附图说明

图1为本发明的实施例1的掩膜版的俯视示意图；

图2为本发明的实施例2的OLED显示基板的制备方法的流程示意图；

图3为本发明的实施例3的OLED显示基板的制备方法的流程示意图；

图4为本发明的实施例4的OLED显示基板的结构图；

图5为本发明的实施例4的OLED显示基板的局部结构图；

其中，附图标记为：1、衬底；2、像素限定层；20、像素限定结构；21、坡；3、掩膜版；31、遮光区；32、开口区；33、半透光区。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

实施例1：

本实施例提供一种掩膜版，如图1所示，其包括遮光区31、开口区32，以及设于所述遮光区31、开口区32之间的多个半透光区33；所述半透光区33的透光率不同，且由靠近遮光区31一侧的半透光区33至靠近开口区32一侧的半透光区33的透光率依次递增或递减。

本实施例的掩膜版在遮光区与开口区之间设有多个透光率不同的半透光区，且半透光区的透光率依次递增或递减，这样当其用于曝光刻蚀工艺中时，可以使得光刻胶得到不同程度的曝光，最终使得膜层得到多个不同的厚度，不同的厚度之间均具有较小的坡度角。

实施例2：

本实施例提供一种OLED显示基板的制备方法，如图2所示，包括以下制备步骤：

S01、在衬底上方形成像素限定层；

S02、采用上述实施例1的掩膜版进行曝光以将所述像素限定层图案化形成多个像素限定结构。

本实施例的OLED显示基板的制备方法简单易行，只需一步工艺即可在像素限定结构的侧面形成至少三个坡，即可减小像素限定结构的坡度角，较小的坡度角不会影响后续形成的封装层的有机膜。

实施例3：

本实施例提供一种OLED显示基板的制备方法，如图3所示，包括以下制备步骤：

S01、在衬底1上方形成像素限定层2；

其中，衬底1作为OLED中各个功能膜层的依托，它可以由具有一定的防水汽和氧气渗透能力的材料构成，并具有较好的表面平整性，一般可以采用玻璃、或柔性基片等制成。如果选用柔性基片，可采用聚酯类，聚酞亚胺或者较薄的金属制成。

具体的，可以采用聚酰亚胺、双酚A聚碳酸酯、亚克力等材料形成厚度为1-3微米的像素限定层2。

S02、采用上述实施例1的掩膜版进行曝光以将所述像素限定层2图案化，使得遮光区的光刻胶完全保留，开口区的光刻胶完全除去，半透光区的光刻胶部分保留，且由靠近遮光区一侧的半透光区至靠近开口区一侧的半透光区的保留量依次减少，以形成多个像素限定结构20，所述多个像素限定结构20限定出像素区域；且每个像素限定结构20靠近衬底1的面为第一面，背离衬底1的面为第二面，所述第一面与第二面之间通过侧面连接，所述侧面具有至少三个坡。

在此不限定形成的每个像素限定结构20的具体尺寸，可以根据需要进行调整，通常相邻的像素限定结构20的间距可以是15-100微米。本实施例也不对像素限定结构20的具体形状进行限定，可以是多个叠至的梯形体形成多个坡。这样设计的好处是可使得最靠近衬底1的坡度角较小，利于后续形成封装层时的有机材料流平。此外，多个坡构成的像素限定结构20不会降低显示产品的开口率。

作为本实施例中的一种可选实施方案，所述将所述像素限定层2图案化是采用掩膜版3进行曝光以将像素限定层2图案化。其中，采用掩膜版3进行曝光具体包括：

S02a、先形成光刻胶层，可以选用正性光刻胶也可选用负性光刻胶形成，具体的，正性光刻胶受光照部分发生降解反应而能被显影液所溶解，留下的非曝光部分的图形与掩模版一致。正性光刻胶受光照部分产生交联反应而成为不溶物，非曝光部分被显影液溶解，获得的图形与掩模版图形互补。

S02b、将光刻胶层图案化，其中，光刻胶保留的位置可以保护下方的像素限定层2，具体的，可以将掩膜版3与光刻胶层对准，并进行曝光、显影得到与掩膜版3相同的或互补的图案。

其中，形成多个坡的方式有多种，本实施例中，所述掩膜版3在对应每个像素限定结构20处包括遮光区31、开口区32，以及设于所述遮光区31、开口区32之间的多个半透光区33；所述半透光区33的透光率不同，且由靠近遮光区31一侧的半透光区33至靠近开口区32一侧的半透光区33的透光率依次递增或递减。

也就是说，由内之外，从开口区32至遮光区31掩膜版3对光的透过率不同，形成阶梯式的透过率。采用具有多透过率的同一掩膜版3，形成多梯度的几个较小的坡度角。

可选的是，S03、还包括在像素限定结构20限定的区域内形成发光单元的步骤，具体的，形成发光单元包括：

S03a、采用无机金属氧化物(比如：氧化铟锡ITO，氧化锌ZnO等)、有机导电聚合物(比如：聚3，4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐PEDOT：PSS，聚苯胺PANI等)或高功函数金属材料(比如：金、铜、银、铂等)形成阳极。

S03b、采用真空蒸镀工艺依次形成备空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层；在此不限定各功能层的材料、厚度、尺寸，可以根据实际需要进行选择。

S03c、通常采用低功函数金属材料，比如：锂、镁、钙、锶、铝、铟等或上述金属与铜、金、银的合金制成阴极。

可选的是，S04、还包括形成封装结构的步骤。具体的，可以采用有机材料、无机材料交替形成多层的封装层。更具体的，可以通过化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积等工艺形成无机材料的封装层，可以采用喷墨打印工艺形成有机材料的封装层。

在一个实施例中，所述形成封装结构包括形成有机封装层。优选的是，所述形成有机封装层是采用液态有机墨水流平后再固化形成。

其中，本实施例中由于像素限定结构20的最下方的坡度角较小，有利于有机墨水在衬底1表面流平，从而可将有机封装层的厚度降低至6um，不仅可以降低产品的厚度，还可以提高柔性屏幕的可弯折性能。

在本实施例对应的附图中，显示了附图所示各结构层的大小、厚度等仅为示意。在工艺实现中，各结构层在衬底上的投影面积可以相同，也可以不同，可以通过刻蚀工艺实现所需的各结构层投影面积；同时，附图所示结构也不限定各结构层的几何形状，例如可以是附图所示的矩形，还可以是梯形，或其它刻蚀所形成的形状，同样可通过刻蚀实现。

实施例4：

本实施例提供一种OLED显示基板，如图4、图5所示，包括衬底1，以及设于所述衬底1上方的多个像素限定结构20，所述多个像素限定结构20限定出像素区域，其中，每个像素限定结构20靠近衬底1的侧为第一面，背离衬底1的侧为第二面，第一面与第二面之间通过侧面连接，所述侧面具有至少三个坡21。

本实施例的OLED显示基板中，像素限定结构20的侧面由至少三个坡21构成，相当于将现有技术中较大的坡度角分梯度降低为几个较小的坡度角，这样利于后续的有机膜层的墨水原料流平，不会产生显示亮度不均、气泡等不良。固相当于降低有机封装层的厚度，这样不仅可以降低产品的厚度，还可以提高柔性屏幕的可弯折性能。本实施例的OLED显示基板可以是LTPS背板。

在一个实施例中，如图5所示，最靠近衬底1的坡21的坡度角小于或等于20°。

也就是说，本实施例中采用多梯度的透光率的掩膜版3形成多梯度的坡，这样每个坡的角度均较小，尤其是最下方的坡小于或等于20°利于后续的有机膜层的墨水原料流平。

可选的是，所述像素限定结构20背离衬底1的一侧设有封装结构。

在一个实施例中，所述封装结构包括多层有机封装层和多层无机封装层，所述多层有机封装层和多层无机封装层相互交替叠置设置。

在一个实施例中，所述封装结构包括有机封装层；所述有机封装层的厚度小于或等于6μm。

本实施例中的有机封装层不仅厚度较低，且其表面平整，用于曲面产品后，其弯折性好。

实施例5：

本实施例提供了一种显示装置，其包括上述任意一种OLED显示基板。所述显示装置可以为：电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims

1.一种OLED显示基板的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：

在衬底上方形成像素限定层；

采用掩膜版进行曝光以将所述像素限定层图案化得到多个像素限定结构；所述掩膜版包括遮光区、开口区，以及设于所述遮光区、开口区之间的多个半透光区；所述半透光区的透光率不同，且由靠近遮光区一侧的半透光区至靠近开口区一侧的半透光区的透光率依次递增；

形成封装结构。

2.根据权利要求1所述的OLED显示基板的制备方法，其特征在于，所述形成封装结构包括形成有机封装层。

3.根据权利要求2所述的OLED显示基板的制备方法，其特征在于，所述形成有机封装层是采用液态有机墨水流平后再固化形成。

4.一种OLED显示基板，其特征在于，包括衬底，以及设于所述衬底上方的多个像素限定结构，所述多个像素限定结构限定出像素区域，其中，每个像素限定结构靠近衬底的侧为第一面，背离衬底的侧为第二面，第一面与第二面之间通过侧面连接，所述侧面具有至少三个坡；所述像素限定结构背离衬底的一侧设有封装结构。

5.根据权利要求4所述的OLED显示基板，其特征在于，最靠近衬底的坡的坡度角小于或等于20°。

6.根据权利要求4所述的OLED显示基板，其特征在于，所述像素限定结构背离衬底的一侧设有封装结构。

7.根据权利要求6所述的OLED显示基板，其特征在于，所述封装结构包括有机封装层；所述有机封装层的厚度小于或等于6μm。

8.根据权利要求6所述的OLED显示基板，其特征在于，所述封装结构包括多层有机封装层和多层无机封装层，所述多层有机封装层和多层无机封装层相互交替叠置设置。