CN109103849B - 一种过热保护装置、电机及其过热保护方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种过热保护装置、电机及其过热保护方法，该装置包括：温度监测单元、导热介质单元和控制单元；所述温度监测单元，通过所述导热介质单元，连接至待保护电机的功率器件；其中，所述温度监测单元，用于通过所述导热介质单元传送的所述功率器件的温度，监测得到所述功率器件的当前温度；所述控制单元，用于在所述当前温度达到设定的保护温度的情况下，发出用于关断所述功率器件的触发信号，以使所述待保护电机的控制器基于所述触发信号关断所述功率器件。本发明的方案，可以解决在MOS附近放置热敏电阻进行MOS温度监测的监测准确性差的问题，达到提升检测准确性的效果。

Description

一种过热保护装置、电机及其过热保护方法

技术领域

本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种过热保护装置、电机及其过热保护方法，尤其涉及一种精确监测MOS温度的装置、具有该装置的电机、以及该电机的过热保护方法。

背景技术

对于低压无刷直流电机，功率器件的选型通常以分立MOS为主，分立MOS以其开关响应速度快、开关损耗小、导通电阻小等特点得到广泛应用。

因应用于低压、大电流场合，MOS的发热会较为严重，温度过高会导致可通过电流较小、损耗较大，严重时会发生烧毁其(即MOS管)。因此MOS在使用时需进行温度监测，在温度达到一定值时将其关断，以保护MOS的可靠运行。

目前，常用的温度监测方式为在MOS附近放置热敏电阻，由于热敏电阻具有随温度变化阻值变化的特性，所以监测热敏电阻的阻值即可监测当前工作温度，在达到极限温度时，将MOS关断，停止工作。

此种方法在使用时，热敏电阻应尽量靠近MOS放置，以便热敏电阻感测的温度更接近MOS的实时工作温度。但热敏电阻所感测的温度，是由MOS发热后，通过空气辐射得到的，因此，热敏电阻实际感测的温度与MOS实际的温度有一定温差，尤其是当通过MOS的电流突然增大时，MOS的温度会急剧升高，但辐射到热敏电阻的温度却不会迅速增加，导致热敏电阻感测的温度与MOS的实际温度的温差增大；如此时MOS的温度达到极限温度时，则无法有效地通过热敏电阻体现出来，不能及时关断MOS，如此时继续工作下去，会导致MOS因过热而损坏。

发明内容

本发明的目的在于，针对上述缺陷，提供一种过热保护装置、电机及其过热保护方法，以解决现有技术中在MOS附近放置热敏电阻进行MOS温度监测的监测准确性差的问题，达到提升监测准确性的效果。

本发明提供一种过热保护装置，包括：温度监测单元、导热介质单元和控制单元；所述温度监测单元，通过所述导热介质单元，连接至待保护电机的功率器件；其中，所述温度监测单元，用于通过所述导热介质单元传送的所述功率器件的温度，监测得到所述功率器件的当前温度；所述控制单元，用于在所述当前温度达到设定的保护温度的情况下，发出用于关断所述功率器件的触发信号，以使所述待保护电机的控制器基于所述触发信号关断所述功率器件。

可选地，所述温度监测单元，包括：热敏电阻和分压电阻；所述控制单元，包括：三极管；其中，所述热敏电阻和所述分压电阻串联设置；所述热敏电阻和所述分压电阻的公共端，连接至所述三极管的基极；所述三极管的集电极，用于在所述当前温度达到设定的保护温度而使所述三极管导通的情况下，输出低电平信号，作为所述触发信号。

可选地，所述控制单元，还包括：限流电阻；所述限流电阻，连接在所述三极管的集电极与设定的直流电源之间，用于在所述当前温度未达到设定的保护温度的情况下，输出高电平信号至所述待保护电机的控制器时起到限流作用。

可选地，所述功率器件，包括：MOS器件；所述导热介质单元，包括：同一网络的铜箔，或同一散热器。

可选地，所述铜箔，包括：PCB板的铜箔；当所述温度监测单元包括热敏电阻时，所述热敏电阻和所述MOS器件，贴装于同一PCB板的同一铜箔上。

可选地，所述热敏电阻为贴片热敏电阻，所述MOS器件为贴片MOS器件；所述贴片MOS器件的底部自带有铜箔，所述铜箔与所述贴片MOS器件的漏极连接；所述贴片热敏电阻，连接于所述铜箔。

可选地，在所述贴片MOS器件底部的铜箔处，设置有焊盘；所述贴片MOS器件的漏极，通过焊锡贴装于所述焊盘上。

可选地，所述贴片热敏电阻，贴装于所述焊盘的延长段上。

可选地，所述热敏电阻为直插热敏电阻，所述MOS器件为直插MOS器件；所述散热器，安装于所述直插MOS器件的表面；所述直插热敏电阻，安装于所述散热器上。

与上述装置相匹配，本发明再一方面提供一种电机，包括：以上所述的过热保护装置。

与上述电机相匹配，本发明再一方面提供一种电机的过热保护方法，包括：通过经由导热介质单元与待保护电机的功率器件连接的温度监测单元，监测通过导热介质单元传送的待保护电机的功率器件的温度，得到所述功率器件的当前温度；通过控制单元，在所述当前温度达到设定的保护温度的情况下，发出用于关断所述功率器件的触发信号，以使所述待保护电机的控制器基于所述触发信号关断所述功率器件。

可选地，通过控制单元发出用于关断所述功率器件的触发信号，包括：当所述控制单元包括三极管时，通过所述三极管的集电极，在所述当前温度达到设定的保护温度而使所述三极管导通的情况下，输出低电平信号，作为所述触发信号。

本发明的方案，通过将热敏电阻与MOS通过一导热效果较好的介质相连接，MOS的热量可更快速地将MOS的温度传递到热敏电阻，使得热敏电阻感测的温度更加贴近MOS的实时温度，监测更加精准，保护更加有效。

进一步，本发明的方案，通过将热敏电阻与MOS通过一导热效果较好的介质相连接，可以解决因温度传递不及时导致MOS实时温度与热敏电阻监测的温度相差较大、保护精度较低，或在MOS过热时不能有效保护等问题；当MOS的温度急剧上升时，热敏电阻也能感测温度的急剧变化，实时有效地进行监测并进入保护状态关闭MOS。

进一步，本发明的方案，通过将热敏电阻与MOS通过一导热效果较好的介质相连接，解决因对MOS的实时温度监测不精确，在MOS到达极限温度时不能及时有效地监测出，未能及时关断，导致的过热烧毁异常等问题；可以更加精确地感测MOS的实时温度，在MOS到达极限温度时能及时关断MOS，防止其过热损坏，有效起到保护作用。

由此，本发明的方案，通过将热敏电阻与MOS通过导热介质相连接，使得MOS的热量通过导热介质传递到热敏电阻，使热敏电阻感测的温度更加贴近MOS的实时温度，解决现有技术中在MOS附近放置热敏电阻进行MOS温度监测的监测准确性差的问题，从而，克服现有技术中监测准确性差、以及保护的及时性差和可靠性低的缺陷，实现监测准确性好、以及保护的及时性好和可靠性高的有益效果。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

附图说明

图1为本发明的过热保护装置的一实施例的结构示意图；

图2为本发明的过热保护装置中热敏电阻与MOS器件贴于同一导热介质上的一实施例的结构示意图；

图3为本发明的过热保护装置的一实施例的MOS器件过热保护原理示意图。

图4为本发明的过热保护方法的一实施例的流程示意图。

结合附图，本发明实施例中附图标记如下：

10-温度监测单元；20-导热介质单元；30-控制单元。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

根据本发明的实施例，提供了一种过热保护装置。参见图1所示本发明的装置的一实施例的结构示意图。该过热保护装置可以包括：温度监测单元10、导热介质单元20和控制单元30。其中，所述温度监测单元10，通过所述导热介质单元20，连接至待保护电机的功率器件。

在一个可选例子中，所述温度监测单元10，可以用于通过所述导热介质单元20传送的所述功率器件的温度，监测得到所述功率器件的当前温度。

例如：将热敏电阻与MOS通过一导热效果较好的介质(即导热介质)相连接，MOS的热量可通过此介质传递到热敏电阻，使热敏电阻感测的温度更加贴近MOS的实时温度。可更快速地将MOS的温度传递到热敏电阻，使得热敏电阻感测的温度更加贴近MOS的实时温度，监测更加精准，保护更加有效；从而，可以解决现有技术因温度传递不及时导致MOS实时温度与热敏电阻监测的温度相差较大、保护精度较低，或在MOS过热时不能有效保护等问题；也可以解决因对MOS的实时温度监测不精确，在MOS到达极限温度时不能及时有效地监测出，未能及时关断，导致的过热烧毁异常等问题。

可选地，所述温度监测单元10，可以包括：热敏电阻和分压电阻(如电阻R1)。所述控制单元30，可以包括：三极管。

具体地，所述热敏电阻和所述分压电阻串联设置。所述热敏电阻和所述分压电阻的公共端，连接至所述三极管的基极。所述三极管的集电极，作为所述三极管的输出端，连接至所述待保护电机的控制器，可以用于在所述当前温度达到设定的保护温度而使所述三极管导通的情况下，输出低电平信号，作为所述触发信号。

其中，所述热敏电阻和所述分压电阻，串联在设定的第一直流电源(如24V直流电源)与地之间。所述三极管的发射极，连接至所述分压电阻远离所述公共端的一端，并接地。

例如：如图3所示是过热保护原理图，热敏电阻与R1相连分压，当温度上升，热敏电阻NTC的阻值降低，R1分得的电压增大，达到0.7V时，三极管Q1导通，FO为低电平，触发保护关断MOS管，起到保护MOS的作用。

由此，通过热敏电阻、分压电阻和三极管的配合设置，实现对功率器件的过温保护，结构简单、且可靠性高。

进一步可选地，所述控制单元30，还可以包括：限流电阻(如电阻R2)。

其中，所述限流电阻，连接在所述三极管的集电极与设定的直流电源(即第二直流电源，如5V直流电源)之间，可以用于在所述当前温度未达到设定的保护温度的情况下，输出高电平信号至所述待保护电机的控制器时起到限流作用。

例如：电阻R2的其作用是：在温度未达到保护温度三极管截止时，控制单元输出高电平信号至待保护电机的控制器时的限流作用。

由此，通过限流电阻，可以保护三极管的安全，进而可以提升对功率器件过热保护的可靠性和安全性。

可选地，所述功率器件，可以包括：MOS器件。所述导热介质单元20，可以包括：同一网络的铜箔，或同一散热器。

例如：通过同一网络的铜箔来传导热量，使热敏电阻与MOS始终处于同一温度值下，即热敏电阻感测的温度最贴近MOS的实时温度。这样，热敏电阻监测的温度更加贴近MOS管的温度，能更加精确有效的进行过热保护。如图2所示，热敏电阻与MOS器件贴于同一导热介质上，此导热介质可以根据实际使用情况选择不同的介质。

由此，通过使用同一网络的铜箔或同一散热器作为导热介质单元，导热性能好，且传热速度快，有利于热敏电阻及时感应到功率器件的温度，实现对MOS器件的过热保护，保护及时性好，且可靠性高、安全性强。

更可选地，所述铜箔，可以包括：PCB板的铜箔。

其中，当所述温度监测单元10可以包括热敏电阻时，所述热敏电阻和所述MOS器件，贴装于同一PCB板的同一铜箔上。

例如：使用贴片MOS时，可选择PCB板上的铜箔做为导热介质，即MOS贴装在PCB板铜箔上，热敏电阻和MOS贴装在同一块铜箔上，由于PCB板的铜箔导热性良好，所以MOS的热量可快速的通过铜箔传递到热敏电阻，且热敏电阻监测的温度基本等于MOS的实时温度，在MOS管达到极限温度时，能通过热敏电阻有效地保护。

由此，通过PCB板的铜箔，将热敏电阻和MOS器件贴装于同一PCB板的同一铜箔上，设置的结构简单，传热的速度和效率都可以得到保证。

进一步可选地，所述热敏电阻为贴片热敏电阻，所述MOS器件为贴片MOS器件。

其中，所述贴片MOS器件的底部自带有铜箔，所述铜箔与所述贴片MOS器件的漏极连接。所述贴片热敏电阻，连接于所述铜箔。例如：贴片MOS器件底部有一铜箔，是器件本身自带的，属于器件的一部分，此铜箔与MOS器件的漏极相连，热敏电阻可以贴在该铜箔的焊盘延长段上。

例如：如图2和图3所示，以贴片MOS和贴片热敏电阻为例，其中贴片MOS底部有一铜箔，此铜箔与MOS的漏极连接，MOS的热量也主要靠此铜箔进行散热，即此铜箔的温度近似于MOS的节温。

由此，通过贴片式结构，贴装方便，且占用空间小。

进一步可选地，在所述贴片MOS器件底部的铜箔处，设置有焊盘。

其中，所述贴片MOS器件的漏极，通过焊锡贴装于所述焊盘上。

例如：在MOS底部的铜箔处，需要设置一焊盘用于MOS的贴装；MOS通过焊锡，直接将其漏极铜箔贴装于此焊盘上。

由此，通过焊盘进行贴装，贴装的牢固性和可靠性可以得到保证。

进一步可选地，所述贴片热敏电阻，贴装于所述焊盘的延长段上。

例如：可以将MOS漏极贴装的焊盘延长，延长后，将热敏电阻直接贴装在焊盘的延长段，即MOS贴装的焊盘与热敏电阻贴装的焊盘为同一焊盘；此时，MOS工作时的实时温度将会通过焊盘直接传递到热敏电阻上，而热敏电阻检测的温度也更加贴近MOS管的实时工作温度，当MOS管因电流突然增大而温度急剧上升时，漏极贴装的焊盘的温度也会急剧上升，则热敏电阻的温度也会随之变化，阻值响应的改变。

由此，通过将热敏电阻贴装在焊盘的延长段上，有利于热敏电阻更及时、更可靠地感应到MOS器件的温度变化。

更可选地，所述热敏电阻为直插热敏电阻，所述MOS器件为直插MOS器件。

其中，所述散热器，安装于所述直插MOS器件的表面。所述直插热敏电阻，安装于所述散热器上。

例如：可以采用直插热敏电阻或MOS，在MOS表面安装散热器，将热敏电阻与MOS安装在同一散热器上，可实现同样效果。

由此，通过直插式结构直插在散热器上，设置方式简单，传热效率和传热及时性都可以得到保证。

在一个可选例子中，所述控制单元30，可以用于在所述当前温度达到设定的保护温度的情况下，发出可以用于关断所述功率器件的触发信号，以使所述待保护电机的控制器基于所述触发信号关断所述功率器件，实现在所述当前温度达到设定的保护温度的情况下使所述功率器件关断，从而实现对所述功率器件和所述待保护电机的过热保护。

例如：当MOS的温度急剧上升时，热敏电阻也能感测温度的急剧变化，实时有效地进行监测并进入保护状态关闭MOS。这样，可以更加精确地感测MOS的实时温度，在MOS到达极限温度时能及时关断MOS，防止其过热损坏，有效起到保护作用。

由此，通过监测连接至待保护电机的功率器件的导热介质单元的温度得到功率器件的当前温度，进而在该当前温度达到设定的保护温度时关断功率器件，一方面对功率器件的温度监测更加及时也更加准确，另一方面基于该监测的温度对功率器件的过热保护也更加及时和有效。

经大量的试验验证，采用本发明的技术方案，通过将热敏电阻与MOS通过一导热效果较好的介质相连接，MOS的热量可更快速地将MOS的温度传递到热敏电阻，使得热敏电阻感测的温度更加贴近MOS的实时温度，监测更加精准，保护更加有效。

根据本发明的实施例，还提供了对应于过热保护装置的一种电机。该电机可以可以包括：以上所述的过热保护装置。

在一个可选实施方式中，本发明提出一种能实时有效地监测MOS温度的方式，通过此方式可更快速地将MOS的温度传递到热敏电阻，使得热敏电阻感测的温度更加贴近MOS的实时温度，监测更加精准，保护更加有效。从而，可以解决现有技术因温度传递不及时导致MOS实时温度与热敏电阻监测的温度相差较大、保护精度较低，或在MOS过热时不能有效保护等问题；也可以解决因对MOS的实时温度监测不精确，在MOS到达极限温度时不能及时有效地监测出，未能及时关断，导致的过热烧毁异常等问题。

在一个可选例子中，本发明提出的一种精确监测MOS温度的方式，可以将热敏电阻与MOS通过一导热效果较好的介质(即导热介质)相连接，MOS的热量可通过此介质传递到热敏电阻，使热敏电阻感测的温度更加贴近MOS的实时温度。当MOS的温度急剧上升时，热敏电阻也能感测温度的急剧变化，实时有效地进行监测并进入保护状态关闭MOS。这样，可以更加精确地感测MOS的实时温度，在MOS到达极限温度时能及时关断MOS，防止其过热损坏，有效起到保护作用。

在一个可选具体实施方式中，可以结合图2和图3所示的例子，对本发明的方案的具体实现过程进行进一步说明。

如图2所示，热敏电阻与MOS器件贴于同一导热介质上，此导热介质可以根据实际使用情况选择不同的介质。如使用贴片MOS时，可选择PCB板上的铜箔做为导热介质，即MOS贴装在PCB板铜箔上，热敏电阻和MOS贴装在同一块铜箔上，由于PCB板的铜箔导热性良好，所以MOS的热量可快速的通过铜箔传递到热敏电阻，且热敏电阻监测的温度基本等于MOS的实时温度，在MOS管达到极限温度时，能通过热敏电阻有效地保护。

如图3所示是过热保护原理图，热敏电阻与R1相连分压，当温度上升，热敏电阻NTC的阻值降低，R1分得的电压增大，达到0.7V时，三极管Q1导通，FO为低电平，触发保护关断MOS管，起到保护MOS的作用。

在一个可选具体例子中，本发明提出的一种能实时有效监测MOS温度的方式，如图2和图3所示，以贴片MOS和贴片热敏电阻为例，其中贴片MOS底部有一铜箔，此铜箔与MOS的漏极连接，MOS的热量也主要靠此铜箔进行散热，即此铜箔的温度近似于MOS的节温。在进行Layout设计时，通常在MOS底部的铜箔处，需要设置一焊盘用于MOS的贴装；MOS通过焊锡，直接将其漏极铜箔贴装于此焊盘上。

MOS在实际工作时，MOS的温度通过自身底部的铜箔传递到PCB对应的焊盘上，则此时PCB焊盘的温度将最贴近MOS的温度(可近似等于MOS的温度)。所以，此时可以将MOS漏极贴装的焊盘延长，延长后，将热敏电阻直接贴装在焊盘的延长段，即MOS贴装的焊盘与热敏电阻贴装的焊盘为同一焊盘；此时，MOS工作时的实时温度将会通过焊盘直接传递到热敏电阻上，而热敏电阻检测的温度也更加贴近MOS管的实时工作温度，当MOS管因电流突然增大而温度急剧上升时，漏极贴装的焊盘的温度也会急剧上升，则热敏电阻的温度也会随之变化，阻值响应的改变，因此，在MOS到达极限温度时，可有效监测到，进而及时关断MOS，有效保护。

上述实施方式是以贴片器件为例，以通过同一网络的铜箔来传导热量，使热敏电阻与MOS始终处于同一温度值下，即热敏电阻感测的温度最贴近MOS的实时温度。这样，热敏电阻监测的温度更加贴近MOS管的温度，能更加精确有效的进行过热保护。

在一个可替代例子中，可以采用直插热敏电阻或MOS，在MOS表面安装散热器，将热敏电阻与MOS安装在同一散热器上，可实现同样效果。

由于本实施例的电机所实现的处理及功能基本相应于前述图1至图3所示的装置的实施例、原理和实例，故本实施例的描述中未详尽之处，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不做赘述。

经大量的试验验证，采用本发明的技术方案，通过将热敏电阻与MOS通过一导热效果较好的介质相连接，可以解决因温度传递不及时导致MOS实时温度与热敏电阻监测的温度相差较大、保护精度较低，或在MOS过热时不能有效保护等问题。当MOS的温度急剧上升时，热敏电阻也能感测温度的急剧变化，实时有效地进行监测并进入保护状态关闭MOS。

根据本发明的实施例，还提供了对应于电机的一种电机的过热保护方法，如图4所示本发明的方法的一实施例的流程示意图。该过热保护方法可以可以包括：步骤S110和步骤S120。

在步骤S110处，通过经由导热介质单元20与待保护电机的功率器件连接的温度监测单元10，监测通过导热介质单元20传送的待保护电机的功率器件的温度，得到所述功率器件的当前温度。

例如：将热敏电阻与MOS通过一导热效果较好的介质(即导热介质)相连接，MOS的热量可通过此介质传递到热敏电阻，使热敏电阻感测的温度更加贴近MOS的实时温度。可更快速地将MOS的温度传递到热敏电阻，使得热敏电阻感测的温度更加贴近MOS的实时温度，监测更加精准，保护更加有效；从而，可以解决现有技术因温度传递不及时导致MOS实时温度与热敏电阻监测的温度相差较大、保护精度较低，或在MOS过热时不能有效保护等问题；也可以解决因对MOS的实时温度监测不精确，在MOS到达极限温度时不能及时有效地监测出，未能及时关断，导致的过热烧毁异常等问题。

在步骤S120处，通过控制单元30，在所述当前温度达到设定的保护温度的情况下，发出可以用于关断所述功率器件的触发信号，以使所述待保护电机的控制器基于所述触发信号关断所述功率器件，实现在所述当前温度达到设定的保护温度的情况下使所述功率器件关断，从而实现对所述功率器件和所述待保护电机的过热保护。

例如：当MOS的温度急剧上升时，热敏电阻也能感测温度的急剧变化，实时有效地进行监测并进入保护状态关闭MOS。这样，可以更加精确地感测MOS的实时温度，在MOS到达极限温度时能及时关断MOS，防止其过热损坏，有效起到保护作用。

由此，通过监测连接至待保护电机的功率器件的导热介质单元的温度得到功率器件的当前温度，进而在该当前温度达到设定的保护温度时关断功率器件，一方面对功率器件的温度监测更加及时也更加准确，另一方面基于该监测的温度对功率器件的过热保护也更加及时和有效。

可选地，步骤S120中通过控制单元30发出可以用于关断所述功率器件的触发信号，可以包括：当所述控制单元30可以包括三极管时，通过所述三极管的集电极，在所述当前温度达到设定的保护温度而使所述三极管导通的情况下，输出低电平信号，作为所述触发信号。

例如：如图3所示是过热保护原理图，热敏电阻与R1相连分压，当温度上升，热敏电阻NTC的阻值降低，R1分得的电压增大，达到0.7V时，三极管Q1导通，FO为低电平，触发保护关断MOS管，起到保护MOS的作用。

由此，通过热敏电阻、分压电阻和三极管的配合设置，实现对功率器件的过温保护，结构简单、且可靠性高。

由于本实施例的方法所实现的处理及功能基本相应于前述图1至图3所示的电机的实施例、原理和实例，故本实施例的描述中未详尽之处，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不做赘述。

经大量的试验验证，采用本实施例的技术方案，通过将热敏电阻与MOS通过一导热效果较好的介质相连接，解决因对MOS的实时温度监测不精确，在MOS到达极限温度时不能及时有效地监测出，未能及时关断，导致的过热烧毁异常等问题；可以更加精确地感测MOS的实时温度，在MOS到达极限温度时能及时关断MOS，防止其过热损坏，有效起到保护作用。

综上，本领域技术人员容易理解的是，在不冲突的前提下，上述各有利方式可以自由地组合、叠加。

以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。

Claims (12)

1.一种过热保护装置，其特征在于，包括：温度监测单元(10)、导热介质单元(20)和控制单元(30)；所述温度监测单元(10)，通过所述导热介质单元(20)，连接至待保护电机的功率器件；其中，

所述温度监测单元(10)，用于通过所述导热介质单元(20)传送的所述功率器件的温度，监测得到所述功率器件的当前温度；

所述控制单元(30)，用于在所述当前温度达到设定的保护温度的情况下，发出用于关断所述功率器件的触发信号，以使所述待保护电机的控制器基于所述触发信号关断所述功率器件；

所述功率器件包括贴片MOS器件，选择PCB板上的铜箔做为导热介质，即贴片MOS器件贴装在PCB板铜箔上，热敏电阻和贴片MOS器件贴装在同一块铜箔上；贴片MOS器件底部有一铜箔，是贴片MOS器件本身自带的，属于贴片MOS器件的一部分，此铜箔与贴片MOS器件的漏极相连，热敏电阻能够贴在该铜箔的焊盘延长段上。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述温度监测单元(10)，包括：热敏电阻和分压电阻；所述控制单元(30)，包括：三极管；其中，

所述热敏电阻和所述分压电阻串联设置；所述热敏电阻和所述分压电阻的公共端，连接至所述三极管的基极；

所述三极管的集电极，用于在所述当前温度达到设定的保护温度而使所述三极管导通的情况下，输出低电平信号，作为所述触发信号。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述控制单元(30)，还包括：限流电阻；

所述限流电阻，连接在所述三极管的集电极与设定的直流电源之间，用于在所述当前温度未达到设定的保护温度的情况下，输出高电平信号至所述待保护电机的控制器时起到限流作用。

4.根据权利要求1-3之一所述的装置，其特征在于，所述功率器件，包括：MOS器件；所述导热介质单元(20)，包括：同一网络的铜箔，或同一散热器。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述铜箔，包括：PCB板的铜箔；

当所述温度监测单元(10)包括热敏电阻时，所述热敏电阻和所述MOS器件，贴装于同一PCB板的同一铜箔上。

6.根据权利要求4或5所述的装置，其特征在于，所述热敏电阻为贴片热敏电阻，所述MOS器件为贴片MOS器件；

所述贴片MOS器件的底部自带有铜箔，所述铜箔与所述贴片MOS器件的漏极连接；

所述贴片热敏电阻，连接于所述铜箔。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，在所述贴片MOS器件底部的铜箔处，设置有焊盘；

所述贴片MOS器件的漏极，通过焊锡贴装于所述焊盘上。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述贴片热敏电阻，贴装于所述焊盘的延长段上。

9.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述热敏电阻为直插热敏电阻，所述MOS器件为直插MOS器件；

所述散热器，安装于所述直插MOS器件的表面；

所述直插热敏电阻，安装于所述散热器上。

10.一种电机，其特征在于，包括：如权利要求1-9任一所述的过热保护装置。

11.一种如权利要求10所述的电机的过热保护方法，其特征在于，包括：

通过经由导热介质单元(20)与待保护电机的功率器件连接的温度监测单元(10)，监测通过导热介质单元(20)传送的待保护电机的功率器件的温度，得到所述功率器件的当前温度；

通过控制单元(30)，在所述当前温度达到设定的保护温度的情况下，发出用于关断所述功率器件的触发信号，以使所述待保护电机的控制器基于所述触发信号关断所述功率器件。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，通过控制单元(30)发出用于关断所述功率器件的触发信号，包括：

当所述控制单元(30)包括三极管时，通过所述三极管的集电极，在所述当前温度达到设定的保护温度而使所述三极管导通的情况下，输出低电平信号，作为所述触发信号。

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