CN109089881A - 一种耐寒天竺桂的不定芽诱导及增殖和植株再生方法 - Google Patents

一种耐寒天竺桂的不定芽诱导及增殖和植株再生方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种耐寒天竺桂的不定芽诱导及增殖和植株再生方法，步骤包括：1)选取无病害幼嫩的耐寒型天竺桂茎段，将其剪成带有1‑2个腋芽或顶芽的茎段，灭菌消毒备用；2)将灭菌消毒后的茎段垂直接种在不定芽诱导培养基上，培养28d以上。其中，不定芽诱导培养基的配方为：基本培养基+0～1mg/L生长素，生长素为TDZ、GA、NAA、BA中的1种以上；3)将增殖的不定芽逐个分开，选取伸长值1.0～2.0cm的不定芽垂直接种于生根培养基中，培养28d；其中，生根培养基配方为：基本培养基+生长素。该方法利用长势优良的天竺桂的幼嫩茎段作为外植体，通过基本培养基的选择，激素种类及浓度配比的筛选，建立高效的离体快速繁殖体系，为进一步的离体保存和繁育天竺桂奠定基础。

Description

一种耐寒天竺桂的不定芽诱导及增殖和植株再生方法
技术领域
本发明属于植物繁育技术领域，具体涉及一种耐寒天竺桂的不定芽诱导及增殖和植株再生方法。
背景技术
天竺桂(Cinnamomum japonicum Sieb.)，又名大叶天竺桂、竺香，山肉桂、土肉桂、土桂、山玉桂。樟目樟科植物，常绿乔木，高10-15米，胸径30-35厘米。枝条细弱，圆柱形，极无毛，红色或红褐色，具香气。叶近对生或在枝条上部者互生，卵圆状长圆形至长圆状披针形，长7-10厘米，宽3-3.5厘米，先端锐尖至渐尖，基部宽楔形或钝形，革质，上面绿色，光亮，下面灰绿色，晦暗，两面无毛，离基三出脉。圆锥花序腋生，长3-4.5(10)厘米，总梗长1.5-3厘米，与长5-7毫米的花梗均无毛，末端为3-5花的聚伞花序，花序无毛。花长约4.5 毫米。花被筒倒锥形，短小，长1.5毫米，花被裂片6，卵圆形，长约3毫米，宽约2毫米，先端锐尖，外面无毛，内面被柔毛。有很好的药用价值和观赏作用。产江苏、浙江、安徽、江西、福建及中国台湾等地。
现有的天竺桂育苗技术主要有播种繁育和扦插繁育两种。播种繁育：果实成熟时及时采摘，脱去果皮，漂洗干净后阴干，湿沙分层贮藏。早春三月播种，种子发芽率80％至90％。播后1个月出土，苗期需架设荫棚。当年苗高约15厘米，需移植1年后可出圃种植。果实成熟时及时采摘，脱去果皮，漂洗干净后阴干，湿沙分层贮藏。3月播种，种子发芽率80％至90％。
扦插繁殖：常于春末秋初用当年生的天竺桂枝条进行嫩枝扦插，或在早春时用往年生的枝条进行老枝扦插，其扦插成活率和生根率并不理想。
现有技术中还没有天竺桂的组织培养技术。
发明内容
发明目的：针对现有技术中存在的不足，本发明的目的是提供一种耐寒天竺桂的不定芽诱导及增殖和植株再生方法，
技术方案：为了实现上述发明目的，本发明采用的技术方案为：
一种耐寒天竺桂的不定芽诱导及增殖和植株再生方法，步骤如下：
1)选取无病害幼嫩的天竺桂茎段，将其剪成带有1-2个腋芽或顶芽的茎段，灭菌消毒备用；
2)将灭菌消毒后的茎段垂直接种在不定芽诱导培养基上，培养28d以上。其中，不定芽诱导培养基的配方为：基本培养基+0～1mg/L生长素，基本培养基为：3/4MS+5mg/L VC+30g/L蔗糖+2.5g/L洋菜，或，1/2MS+5mg/L VC+30g/L蔗糖+2.5g/L洋菜；生长素为TDZ、GA、NAA、BA中的1种以上；
3)将增殖的不定芽逐个分开，选取伸长值1.0～2.0cm的不定芽垂直接种于生根培养基中，培养28d；其中，生根培养基配方为：基本培养基+生长素；基本培养基为：1/2MS+5mg/L VC+1g/L AC+30g/L蔗糖+2.5g/L洋菜；生长素选自 IBA、NAA、BA。
步骤1)中，所述的灭菌消毒：用少量洗洁精清洗并流水冲洗2h，然后于超净工作台中用75％乙醇振荡浸泡45s，再用加有少量Tween20的20％次氯酸钠振荡浸泡20-30min，无菌水冲洗4-5次，放于灭菌的干燥滤纸上干燥。
步骤2)中，基本培养基为：1/2MS+5mg/L VC+30g/L蔗糖+2.5g/L洋菜；生长素为0.5mg/L BA+0.05mg/L NAA+0.2mg/L GA。
步骤3)中，基本培养基为：1/2MS+5mg/L VC+1g/LAC+30g/L蔗糖+2.5g/L 洋菜；生长素为0.5mg/L IBA。
步骤3)中，基本培养基为：1/2MS+5mg/L VC+1g/LAC+30g/L蔗糖+2.5g/L 洋菜；生长素为0.5mg/L NAA+0.1mg/L BA。
步骤3)中，基本培养基为：1/2MS+5mg/L VC+1g/LAC+30g/L蔗糖+2.5g/L 洋菜；生长素为0.5mg/L NAA+0.05mg/L BA。
有益效果：与现有技术相比，本发明的耐寒天竺桂的不定芽诱导及增殖和植株再生方法，利用长势优良的天竺桂的幼嫩茎段作为外植体，通过基本培养基的选择，激素种类及浓度配比的筛选，建立高效的离体快速繁殖体系，为进一步的离体保存和繁育天竺桂奠定基础。
附图说明
图1是天竺桂不定芽诱导及增殖照片图；
图2是天竺桂生根图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做进一步的说明。
实施例1
一种耐寒天竺桂的不定芽诱导及增殖和植株再生方法，步骤如下：
1)选取无病害幼嫩的天竺桂茎段，将其剪成带有1-2个腋芽或顶芽的茎段，用少量洗洁精清洗并流水冲洗2h，然后于超净工作台中用75％乙醇振荡浸泡45s，再用加有少量Tween20的20％次氯酸钠振荡浸泡20-30min，无菌水冲洗4-5次，放于灭菌的干燥滤纸上干燥，备用。
2)将灭菌消毒后的茎段垂直接种在不定芽诱导培养基上，光照强度 (2000lx)，光照时间14h/d，培养温度25℃左右，培养基pH5.7～5.8，培养28d。其中，不定芽诱导培养基的配方如表1所示。
表1不定芽诱导培养基的配方
编号 配方
A1 基本培养基1
A2 基本培养基1+0.005mg/L TDZ
A3 基本培养基1+0.05mg/L TDZ
A4 基本培养基1+0.1mg/L TDZ
A5 基本培养基1+0.2mg/L TDZ
A6 基本培养基1+0.5mg/L TDZ
A7 基本培养基1+1mg/L TDZ
A8 基本培养基1+0.2mg/L GA+1mg/L BA+0.01mg/L NAA
A9 基本培养基1+1mg/L BA+0.1mg/L NAA
A10 基本培养基1+0.5mg/L BA+0.05mg/L NAA
A11 基本培养基2+0.5mg/L BA+0.05mg/L NAA+0.5mg/L GA
A12 基本培养基2+0.5mg/L TDZ+0.05mg/L NAA+0.2mg/L GA
A13 基本培养基2+0.5mg/L BA+0.05mg/L NAA+0.2mg/L GA
表中，基本培养基1：3/4MS+5mg/L VC+30g/L蔗糖+2.5g/L洋菜；基本培养基2：1/2MS+5mg/L VC+30g/L蔗糖+2.5g/L洋菜。
28天后，统计各培养基诱导和增殖情况，具体如表2和图1所示。
注：每个培养基培养15个芽，数值均为平均值。
可见，天竺桂在A13培养基上增殖多且褐化少，同时加入GA促进不定芽的伸长。
3)将增殖的不定芽逐个分开，选取伸长值1.5cm左右的不定芽垂直接种于生根培养基中，光照强度(2000lx)，光照时间14h/d，培养温度25℃左右，培养基pH5.7～5.8，培养28d。生根培养基配方如表3所示。
表3生根培养基配方
编号 培养基配方
B1 基本培养基3+0.5mg/L IBA
B2 基本培养基3+0.5mg/L NAA+0.1mg/L BA
B3 基本培养基3+0.5mg/L NAA+0.05mg/L BA
其中，基本培养基3：1/2MS+5mg/L VC+1g/L AC+30g/L蔗糖+2.5g/L洋菜。
28d，统计生根率等生长情况，具体见表4。
表4生根及生长情况
注：每个培养基培养15根，生根时间为最早生根时间，生根率和根尺寸的数值是平均值。
天竺桂生根如图2所示，从图2和表4可知，将诱导出的不定芽放在B2培养基上可在基部直接诱导出灰白色较为粗壮的根系，且生根速度快，生根率高。

Claims (6)

1.一种耐寒天竺桂的不定芽诱导及增殖和植株再生方法，其特征在于，步骤如下：
1)选取无病害幼嫩的天竺桂茎段，将其剪成带有1-2个腋芽或顶芽的茎段，灭菌消毒备用；
2)将灭菌消毒后的茎段垂直接种在不定芽诱导培养基上，培养28d以上。其中，不定芽诱导培养基的配方为：基本培养基+0～1mg/L生长素，基本培养基为：3/4MS+5mg/L VC+30g/L蔗糖+2.5g/L洋菜，或，1/2MS+5mg/L VC+30g/L蔗糖+2.5g/L洋菜；生长素为TDZ、GA、NAA、BA中的1种以上；
3)将增殖的不定芽逐个分开，选取伸长值1.0～2.0cm的不定芽垂直接种于生根培养基中，培养28d；其中，生根培养基配方为：基本培养基+生长素；基本培养基为：1/2MS+5mg/LVC+1g/L AC+30g/L蔗糖+2.5g/L洋菜；生长素选自IBA、NAA、BA。
2.根据权利要求1所述的耐寒天竺桂的不定芽诱导及增殖和植株再生方法，其特征在于，步骤1)中，所述的灭菌消毒：用少量洗洁精清洗并流水冲洗2h，然后于超净工作台中用75％乙醇振荡浸泡45s，再用加有少量Tween20的20％次氯酸钠振荡浸泡20-30min，无菌水冲洗4-5次，放于灭菌的干燥滤纸上干燥。
3.根据权利要求1所述的耐寒天竺桂的不定芽诱导及增殖和植株再生方法，其特征在于，步骤2)中，基本培养基为：1/2MS+5mg/L VC+30g/L蔗糖+2.5g/L洋菜；生长素为0.5mg/LBA+0.05mg/L NAA+0.2mg/L GA。
4.根据权利要求1所述的耐寒天竺桂的不定芽诱导及增殖和植株再生方法，其特征在于，步骤3)中，基本培养基为：1/2MS+5mg/LVC+1g/LAC+30g/L蔗糖+2.5g/L洋菜；生长素为0.5mg/L IBA。
5.根据权利要求1所述的耐寒天竺桂的不定芽诱导及增殖和植株再生方法，其特征在于，步骤3)中，基本培养基为：1/2MS+5mg/LVC+1g/LAC+30g/L蔗糖+2.5g/L洋菜；生长素为0.5mg/L NAA+0.1mg/L BA。
6.根据权利要求1所述的耐寒天竺桂的不定芽诱导及增殖和植株再生方法，其特征在于，步骤3)中，基本培养基为：1/2MS+5mg/LVC+1g/LAC+30g/L蔗糖+2.5g/L洋菜；生长素为0.5mg/L NAA+0.05mg/L BA。
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Assignee: Nanjing jianhucheng Trading Co., Ltd

Assignor: Nanjing Forestry University

Contract record no.: X2019320000289

Denomination of invention: Adventitious bud induction and proliferation and plant regeneration method for cold-resistant cinnamomum japonicum

Granted publication date: 20190809

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Assignee: Sichuan Beidou Ecological Forestry Co., Ltd

Assignor: Nanjing Forestry University

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Denomination of invention: Adventitious bud induction and proliferation and plant regeneration method for cold-resistant cinnamomum japonicum

Granted publication date: 20190809

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Assignee: Fujian Jinshuo Biotechnology Co., Ltd.

Assignor: Nanjing Forestry University

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Denomination of invention: Adventitious bud induction and proliferation and plant regeneration method for cold-resistant cinnamomum japonicum

Granted publication date: 20190809

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