CN109073832B - 光纤熔接构造以及激光装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供能够实现熔接部及其附近的光纤的加强、光的泄漏防止、以及异常的检测的光纤熔接构造以及激光装置的制造方法。光纤熔接构造(1)具备:熔接部(30),其使从覆层(25、26)露出的素线(23、24)彼此相互熔接;光纤收容部(10),其沿着光纤(21、22)的轴向而形成有光纤收容槽(12),该光纤收容槽(12)收容包括熔接部(30)在内的光纤的一部分;固定树脂(41、42),其在隔着熔接部(30)的两侧使覆层(25、26)的一部分固定于光纤收容槽(12)内。固定树脂(41、42)形成为沿深度方向填埋光纤收容槽(12)。使红外线透过的管部件(50)以覆盖在隔着熔接部(30)的两侧的固定树脂(41、42)之间形成的光纤收容槽(12)内的空间的方式安装于光纤收容部(10)的周围。
Description
技术领域
本发明涉及光纤熔接构造,特别是涉及将光纤彼此熔接的光纤熔接构造以及包括这样的光纤熔接构造的激光装置的制造方法。
背景技术
例如,在将光纤彼此连接的情况下,多将光纤的覆层除去而使光纤的素线彼此熔融连接,但像这样光纤的覆层被除去的部分对外力耐受程度较弱,有可能在施加了冲击、振动时断裂。因此,为了保护上述部分不受外力影响而需要对光纤的熔接部进行加强。另一方面,例如在使光纤激光器等中使用的激发光传播的光纤中,激发光容易从熔接部泄漏,从而也需要在熔接部中防止这样的激发光的泄漏。
因此,提出一种构造,其由具有光纤的包层或者覆层的折射率以下的折射率的树脂对熔接部进行再覆盖,通过加强套筒来覆盖该树脂而在金属外壳的内部保持熔接部(例如,参照专利文献1)。根据这样的构造,通过再覆盖的树脂能够防止熔接部的激发光的泄漏,并且能够通过加强套筒以及金属外壳保护熔接部免受外力的影响。
然而,在制造包括这样的熔接部的激光装置时,需要在熔接部中确认光纤没有异常。这样的熔接部的光纤的异常的检测通过在与通常运转时相同的条件或者与通常运转时不同的条件下使激光装置工作,测定熔接部的温度而对熔接部中是否有异常的发热进行判断来进行。这样的温度的测定多通过利用例如红外分析装置(热成像设备)检测从熔接部辐射的红外线来进行。
然而,在上述的专利文献1所公开的构造中,熔接部被树脂和加强套筒覆盖,因此导致从熔接部辐射的红外线被树脂和加强套筒遮挡。因此,难以通过红外分析装置来正确地测定从熔接部辐射的红外线,即使在熔接部产生异常的发热,也难以由红外分析装置检测到熔接部的温度上升。因此,在额定输出的范围内无法检测出熔接部存在异常,认为有时在光纤烧损后才判明产生了异常的发热。
专利文献1:日本特开2009-115918号公报
发明内容
本发明是鉴于这样的现有技术的问题点而完成的,其第一目的在于提供能够加强熔接部及其附近的光纤、防止光的泄漏、以及检测由低输出光引起的异常发热的光纤熔接构造。
另外,本发明的第二目的在于提供能够制造可凭借低输出光检测出实现熔接部及其附近的光纤的加强以及光的泄漏防止的光纤熔接构造的异常发热,并具有良好的特性的激光装置的激光装置的制造方法。
根据本发明的第一方式,提供能够加强熔接部及其附近的光纤、防止光的泄漏、以及检测由低输出光引起的异常发热的光纤熔接构造。该光纤熔接构造为了用于将具有素线和覆盖该素线的覆层的两根以上的光纤熔接而使用。上述光纤熔接构造具备:熔接部,其将从上述覆层露出的上述素线彼此相互熔接;光纤收容部,其沿着上述光纤的轴向形成有光纤收容槽,该光纤收容槽收容包括上述熔接部在内的上述光纤的一部分;以及固定树脂,其在隔着上述熔接部的两侧将上述覆层的一部分固定于上述光纤收容槽内。上述固定树脂形成为沿深度方向填埋上述光纤收容槽。上述光纤熔接构造具备管部件,该管部件以覆盖在隔着上述熔接部的两侧的固定树脂之间形成的上述光纤收容槽内的空间的方式安装于上述光纤收容部的周围。该管部件使红外线透过。
这样,通过将光纤的熔接部及其附近的素线收容于光纤收容部的光纤收容槽,从而能够通过光纤收容部对熔接部及其附近的素线进行加强而保护其免受外力的影响。另外,管部件覆盖在隔着熔接部的两侧的固定树脂之间形成的光纤收容槽内的空间,因此能够在配置有熔接部的光纤收容槽内形成封闭空间。由此,防止在从光纤的覆层露出的素线附着来自封闭空间的外部的异物,进而能够防止这样的异物附着于光纤的素线而使光从该异物泄漏。
另外,管部件使红外线透过,因此在上述封闭空间内的光纤中产生了发热的情况下,由该发热产生的红外线透过管部件而向外部辐射。因此,如上述那样通过光纤收容部对熔接部及其附近进行了加强后,使用红外分析装置(热成像设备)等检测其红外线,由此对熔接部及其附近的光纤的温度进行测定,而能够检测出熔接部及其附近的光纤的异常发热。
另外,在从覆层露出的素线与覆层之间的边界部、熔接部中存在光的泄漏变多的趋势,因此优选在这些部分与上述光纤收容槽的内表面之间形成有空气包层。
上述光纤收容部也可以具有在长方体形成有上述光纤收容槽的形状。另外,上述光纤中的至少一个也可以为了传播来自激发光源的激发光而使用。
根据本发明的第二方式,提供能够制造在低输出光下对实现熔接部及其附近的光纤的加强以及光的泄漏防止的光纤熔接构造的异常发热进行检测而具有良好的特性的激光装置的激光装置的制造方法。该方法为了制造包括将具有素线和覆盖该素线的覆层的两根以上的光纤熔接而成的光纤熔接构造在内的激光装置而使用。在该方法中,使从上述覆层露出的上述素线彼此相互熔接而形成熔接部,将包括上述熔接部在内的上述光纤的一部分收容于沿着上述光纤的轴向而形成的光纤收容部的光纤收容槽内,在将上述光纤保持于上述光纤收容槽内的状态下,在隔着上述熔接部的两侧的位置以沿深度方向填埋上述光纤收容槽的方式形成固定树脂,将上述光纤的上述覆层固定于上述光纤收容槽内。并且,以覆盖在隔着上述熔接部的两侧的固定树脂之间形成的上述光纤收容槽内的空间的方式将使红外线透过的管部件安装于上述光纤收容部的周围,在上述光纤的至少一根连接激光源,使激光从上述激光源在上述光纤传播,对在使上述激光在上述光纤传播时透过上述管部件的红外线进行测定。通过确认上述测定的红外线为规定的阈值以下来判断装置的完成。
根据这样的方法,如上述那样,能够制造包括在熔接部及其附近实现光纤的加强以及光的泄漏防止的光纤熔接构造在内的激光装置。并且,管部件使红外线透过,因此在由熔接部及其附近的光纤产生了发热的情况下,由该发热产生的红外线透过管部件而向外部辐射,因此在通过光纤收容部对熔接部及其附近进行了加强后,能够使用红外分析装置(热成像设备)等来检测其红外线。因此,能够对熔接部及其附近的光纤的温度进行测定,而在低输出光下检测熔接部及其附近的光纤的异常发热。此时,通过确认测定的红外线为规定的阈值以下来判断装置的完成,由此将包括产生了异常发热的光纤的激光装置作为不合格产品排除,能够制造具有良好特性的激光装置。
根据本发明,通过将光纤的熔接部及其附近的素线收容于光纤收容部的光纤收容槽,从而能够通过光纤收容部对熔接部及其附近的素线进行加强而保护其免受外力影响。另外,管部件覆盖在隔着熔接部的两侧的固定树脂之间形成的光纤收容槽内的空间,因此能够在配置有熔接部的光纤收容槽内形成封闭空间。由此,防止在从光纤的覆层露出的素线附着有来自封闭空间的外部的异物,从而能够防止这样的异物附着于光纤的素线而使光从该异物泄漏。
另外,管部件使红外线透过,因此在上述封闭空间内的光纤产生了发热的情况下,由该发热产生的红外线透过管部件而向外部辐射。因此,在通过光纤收容部对熔接部及其附近进行了加强后,使用红外分析装置(热成像设备)等对其红外线进行检测,由此对熔接部及其附近的光纤的温度进行测定,从而能够检测熔接部及其附近的光纤的异常发热。
附图说明
图1是示意性地示出本发明的一实施方式的光纤熔接构造的俯视图。
图2是图1所示的光纤熔接构造的A-A线剖视图。
图3是图2所示的光纤熔接构造的B-B线剖视图。
图4是图2所示的光纤熔接构造的C-C线剖视图。
图5是对图1所示的光纤熔接构造的管部件进行了透视的状态的俯视图。
图6A是表示包括本发明的一实施方式的光纤熔接构造的激光装置的制造工序的剖视图。
图6B是表示包括本发明的一实施方式的光纤熔接构造的激光装置的制造工序的剖视图。
图6C是表示包括本发明的一实施方式的光纤熔接构造的激光装置的制造工序的剖视图。
图6D是表示包括本发明的一实施方式的光纤熔接构造的激光装置的制造工序的剖视图。
图6E是表示包括本发明的一实施方式的光纤熔接构造的激光装置的制造工序的剖视图。
图7是示意性地示出能够应用本发明的光纤熔接构造的光纤激光器装置的结构的框图。
图8是示意性地示出比较例的光纤熔接构造的剖视图。
具体实施方式
以下,参照图1~图7对本发明的光纤熔接构造以及包括它的激光装置的制造方法的实施方式详细地进行说明。此外,在图1~图7中,对相同或者相当的构成要素标注相同的附图标记而省略重复的说明。另外,在图1~图7中,有时将各构成要素的比例尺、尺寸夸张地示出、省略一部分构成要素。
图1是示意性地示出本发明的一实施方式的光纤熔接构造1的俯视图,图2是图1的A-A线剖视图,图3是图2的B-B线剖视图,图4是图2的C-C线剖视图,图5是对后述的管部件50进行了透视的状态的俯视图。如图1~图5所示,本实施方式的光纤熔接构造1是将沿着X方向延伸的两根光纤21、22熔接的构造。光纤21具有:包括纤芯以及包层的素线23、和覆盖该素线23的覆层25,光纤22具有:包括纤芯以及包层的素线24、和覆盖该素线24的覆层26。此外,在图2中,为了容易理解,省略光纤21、22的剖面的图示。此外,光纤21、22可以是单包层光纤,或者也可以是具有双层以上包层的光纤。
如图2所示,将光纤21的覆层25从端部遍及一定距离而除去,素线23从覆层25露出。同样,将光纤22的覆层26从端部遍及一定距离而除去,素线24从覆层26露出。将上述露出的光纤21、22的素线23、24彼此相互熔接,形成熔接部30。
如图1~图5所示,光纤熔接构造1具有大致长方体状的光纤收容部10,在该光纤收容部10形成有沿光纤21、22的轴向(X方向)延伸的光纤收容槽12。即,如图3以及图4所示,由于光纤收容槽12而使光纤收容部10的YZ剖面成为凹字状。该光纤收容槽12收容有包括上述的熔接部30在内的光纤21、22的一部分。此外,光纤收容部10优选由热传导性好的材料(例如氮化铝等)形成。
光纤21通过形成于光纤收容槽12内的固定树脂41而固定在光纤收容槽12内,光纤22通过形成于光纤收容槽12内的固定树脂42而固定在光纤收容槽12内。这些固定树脂41、42隔着熔接部30而位于X方向的两侧,固定树脂41对光纤21的覆层25进行固定,固定树脂42对光纤22的覆层26进行固定。此外,固定树脂41的折射率优选与光纤21的包层的折射率相等或者为光纤21的包层的折射率以下,固定树脂42的折射率优选为与光纤22的包层的折射率相等或者为光纤22的包层的折射率以下。
如图3所示,固定树脂41以沿深度方向(Z方向)填埋光纤收容槽12的方式即从光纤收容槽12的底面12A直至光纤收容部10的上表面10A的高度而形成。另外,如图4所示,固定树脂42以沿深度方向(Z方向)填埋光纤收容槽12的方式即从光纤收容槽12的底面12A直至光纤收容部10的上表面10A的高度而形成。此外,在图示的例子中,示出固定树脂41、42的表面处于与光纤收容部10的上表面10A相同的平面上,但只要如后述那样管部件50与固定树脂41、42的表面以及光纤收容部10的外表面10A、10B、10C、10D紧贴而在光纤收容槽12内形成封闭空间S,则也可以使固定树脂41、42升高至比光纤收容部10的上表面10A高的位置。
如图1~图4所示,在光纤收容部10的周围安装有管部件50。该管部件50以使固定树脂41与固定树脂42相互连接的方式沿X方向延伸,以与固定树脂41、42的表面以及光纤收容部10的外表面10A、10B、10C、10D紧贴的方式安装于光纤收容部10的周围。通过这样的管部件50而在配置有熔接部30的光纤收容槽12内形成封闭空间S。作为这样的管部件50,能够使用例如热收缩管。
在由管部件50形成的封闭空间S的内部存在有从光纤21的覆层25露出的素线23、从光纤22的覆层26露出的素线24、光纤21的覆层25的一部分、以及光纤22的覆层26的一部分。因此,能够防止来自封闭空间S的外部的异物附着于素线23、素线24,从而能够有效地防止光从附着于光纤的素线23、24的异物泄漏。
另外,通过封闭空间S内的空气,在从光纤21的覆层25露出的素线23以及从光纤22的覆层26露出的素线24、与光纤收容槽12的内表面12A、12B、12C(参照图3以及图4)之间形成有空气包层。通过这样的空气包层来防止在光纤21、22内传播的光的泄漏。特别是,在露出的素线23、24与覆层25、26的边界部33、34、熔接部30中有光的泄漏变多的趋势,因此优选在这些部分与光纤收容槽12的内表面12A、12B、12C之间形成空气包层。另外,通过形成这样的空气包层,即使万一异物附着于露出的素线23、24而使光向该异物泄漏而发热,周围也不存在可燃的部分,因此光纤21、22烧损的可能性变低。
此处,管部件50由使红外线透过的材料形成,作为这样的材料,例如可举出四氟乙烯/六氟丙烯共聚物(FEP)等。此处,管部件50的红外线透过率优选为80%以上。通过使用这样的管部件50,在封闭空间S内的光纤21、22产生了发热的情况下,由于该发热而产生的红外线透过管部件50而向外部辐射。因此,通过使用红外分析装置(热成像设备)等来检测该红外线,从而能够测定熔接部30及其附近的光纤21、22的温度。
根据本实施方式,通过使光纤21、22的熔接部30及其附近的素线23、24收容于光纤收容部10的光纤收容槽12,从而能够通过光纤收容部10对熔接部30及其附近的素线23、24进行加强,进而能够保护其免受外力影响。另外,由于将光纤21、22保持于光纤收容部10的光纤收容槽12内,所以容易恒定地维持红外分析装置与光纤21、22之间的距离,从而能够更正确地进行基于红外分析装置的红外线的测定。特别是,在本实施方式中,在长方体状的光纤收容部10形成光纤收容槽12,因此容易恒定地维持从光纤收容部10的底面10D直至光纤21、22的距离。因此,通过将光纤收容部10的底面10D放置在平面上,从而容易恒定地保持红外分析装置与光纤21、22之间的距离,能够更正确地进行基于红外分析装置的红外线的测定。
在上述的实施方式中,对将两根光纤21、22熔接的情况进行了说明,但在将三根以上光纤熔接的情况下也能够应用本发明是自不必说的。
接下来,参照图6A~图6C对包括这样的结构的光纤熔接构造的激光装置的制造方法进行说明。首先,如图6A所示,准备:从端部遍及一定距离将覆层25除去而使素线23露出的光纤21、和从端部遍及一定距离将覆层26除去而使素线24露出的光纤22,使露出的素线23、24彼此对接熔融而相互连接,形成熔接部30。
如图6B所示,使包括这样形成的熔接部30的光纤21、22收容于光纤收容部10的光纤收容槽12内。此时,光纤21、22优选保持为不与光纤收容槽12的底面12A以及侧面12B、12C(参照图3以及图4)接触,以使得光纤21、22不受到来自光纤收容部10的振动等的影响。另外,从容易使由发热产生的红外线到达后述的红外分析装置70(参照图6E)的观点出发,也可以使光纤21、22位于比光纤收容槽12的Z方向中央靠上方而缩短光纤21、22与红外分析装置70之间的距离。
接下来,如图6C所示,在光纤收容槽12的一方的端部填充固定树脂41,将光纤21的覆层25的一部分固定于光纤收容槽12内。同样,在光纤收容槽12的另一方的端部填充固定树脂42,将光纤22的覆层26的一部分固定于光纤收容槽12内。由此,在使熔接部30位于光纤收容槽12内的状态下将光纤21、22固定于光纤收容槽12内。
其后,如图6D所示,使作为管部件50的热收缩管从光纤21、22的一方的端部移动至光纤收容部10,例如使用热板、加热用的治具而对热收缩管50进行加热。由此热收缩管50收缩而与固定树脂41、42的表面以及光纤收容部10的外表面10A、10B、10C、10D(参照图3以及图4)紧贴。通过该热收缩管50的收缩,在配置有熔接部30的光纤收容槽12内形成封闭空间S,在从光纤21的覆层25露出的素线23以及从光纤22的覆层26露出的素线24与光纤收容槽12的内表面12A、12B、12C之间形成空气包层。
接下来,使光纤21、22的一方连接于激光源(例如半导体激光二极管),使该光源以与通常运转时相同的条件或者与通常运转时不同的条件工作,在光纤21、22内传播激光。此时,如图6E所示,在熔接部30的上方配置红外分析装置(热成像设备)70,对从光纤21、22发出的红外线进行测定,由此对光纤21、22的温度进行测定。
在光纤21、22的熔接部30、其附近产生异常发热的情况下,比周围高的能量的红外线从发热部辐射,但如上述那样,管部件50由使红外线透过的材料形成,因此该红外线透过管部件50而到达红外分析装置70。因此,即使在激光源的输出低的情况下,也能够通过红外分析装置70来检测熔接部30、其附近的温度上升,从而能够检测这些部分的异常的发热。
更具体而言,对由红外分析装置70测定到的红外线是否为规定的阈值量以下(温度是否为规定的阈值以下)进行判断,在超过规定的阈值时,判断为产生由光纤21、22的异常发热引起的温度上升,进行制作中的激光装置的再检查或者再组装。在由红外分析装置70测定的红外线为规定的阈值以下的情况下,判断为没有异常的合格品,激光装置完成。
上述的光纤熔接构造1能够应用于各种激光装置。图7是示意性地示出能够应用上述的光纤熔接构造1的光纤激光器装置100的框图。该光纤激光器装置100具备:添加了例如Yb(镱)等稀土类元素的放大用光纤110、从后方向放大用光纤110导入激发光的多个后方激发光源120A、将来自后方激发光源120A的激发光合波的光合波器122A、从前方向放大用光纤110导入激发光的多个前方激发光源120B、将来自前方激发光源120B的激发光合波的光合波器122B、以及使来自放大用光纤110的输出激光朝向例如被加工物射出的激光射出部130。在放大用光纤110的前方形成有高反射光纤布拉格光栅(Fiber Bragg Grating(FBG))112,在放大用光纤110的后方形成有低反射FBG114。例如,放大用光纤110具有:具备内侧包层、和比内侧包层的折射率低的外侧包层的双包层构造。高反射FBG112、放大用光纤110以及低反射FBG114构成生成激光振荡状态的谐振器。
作为激发光源120A、120B例如能够使用波长915nm的高输出多模半导体激光(LD)。来自后方激发光源120A的激发光由光合波器122A合波,从高反射FBG112侧向放大用光纤110的内侧包层导入。同样,来自前方激发光源120B的激发光由光合波器122B合波,从低反射FBG114侧向放大用光纤110的内侧包层导入。
具有与放大用光纤110的纤芯光学地耦合的纤芯的光纤143从光合波器122A延伸,在该光纤143的端部设置有将光转换为热的散热部124。另外,在光合波器122B与激光射出部130之间设置有将从光纤泄漏的光转换为热的散热部126。
从各个激发光源120A射出的激发光通过光纤140A、142A而由光合波器122A合波,向放大用光纤110入射,主要在内侧包层内传播。另外,从各个激发光源120B射出的激发光通过光纤140B、142B而由光合波器122B合波,向放大用光纤110入射,主要在内侧包层内传播。
在放大用光纤110的内侧包层传播的激发光在通过纤芯时对添加于纤芯的活性元素进行激发,成为激发状态的活性元素发出特定的波段的自发辐射光。该自发辐射光中的被高反射FBG112以及低反射FBG114反射的波长的光在高反射FBG112与低反射FBG114之间往返,该光在放大用光纤110的纤芯传播时激发状态的活性元素产生受激辐射,将该光放大而在谐振器内的增益与损失相等时成为激光振荡状态。而且,激光振荡光的一部分透过低反射FBG114而从激光射出部130输出。
在这样的光纤激光器装置100中,上述的光纤熔接构造1例如能够应用于以下的位置。
1)将从后方激发光源120A延伸的光纤140A与同光合波器122A连接的光纤142A连接的熔接部151
2)将从前方激发光源120B延伸的光纤140B与同光合波器122B连接的光纤142B连接的熔接部152
3)光合波器122A
4)光合波器122B
5)将从散热部126延伸的光纤144与同激光射出部130连接的光纤146连接的熔接部153
另外,在将上述的光纤激光器装置100多台组合使用的情况下,在将来自各个光纤激光器装置100的激光射出部130的激光合波的光合波器中也能够应用上述的光纤熔接构造1。
在图示的例子中,在放大用光纤110的前方和后方设置有激发光源120A、120B和光合波器122A、122B,成为双向激发型的光纤激光器装置,但也可以仅在放大用光纤110的前方与后方的任一方设置激发光源和合波器。
另外,上文中,对将上述的光纤熔接构造1应用于光纤激光器装置100的熔接部的例子进行了说明,但本发明的熔接构造也能够在其他激光装置的熔接部中应用。例如,本发明的熔接构造也能够在CO2激光装置、盘式激光装置、激光二极管阵列激光(Direct DiodeLaser(DDL))装置等激光装置的熔接部中应用。另外,在制造这些激光装置时,能够使用本发明的激光装置的制造方法。
实施例1
为了确认本发明的有效性,进行了以下那样的实验。首先,在光纤收容部10的周围安装管部件50前的状态(图6C所示的状态)下,在光纤21连接半导体激光二极管,将半导体激光二极管的输出提高至额定输出18A(约200W)。由红外分析装置(热成像设备)70来测定此时的光纤21、22的温度上升,在测定范围内记录最高的温度。另外,在光纤收容部10的周围安装了管部件50的状态(图6D所示的状态)下,进行相同的测定,在测定范围内记录最高的温度。实验样本全部制成36个,将它们分成6个组进行了实验。该实验结果成为以下的表1那样。
表1
另外,作为比较例,对图8所示那样的光纤熔接构造也进行了相同的实验。即,如图8所示,针对将与光纤21、22的包层的折射率相等或者为光纤21、22的包层的折射率以下的树脂300填充于光纤收容槽12内而由树脂300覆盖素线23、24而成的光纤熔接构造,通过红外分析装置对树脂300的填充前和填充后的温度上升进行了测定。在测定时,在光纤21连接半导体激光二极管,提高半导体激光二极管的输出直至180W,通过红外分析装置对光纤21、22的温度上升进行了测定。该实验结果如以下的表2那样。
表2
根据表2的结果,可知:在树脂300的填充前与填充后之间测定的最高温度有较大不同。这意味着在由树脂300覆盖光纤21、22的素线23、24的情况下,由于光纤21、22内的发热而辐射的红外线未透过树脂300,而无法通过红外分析装置正确地检测温度上升。相对于此,从表1的结果可知:在管部件50的安装前与安装后之间测定的最高温度没有较大变化,被抑制在±5℃的范围。这意味着由于光纤21、22内的发热而辐射的红外线透过管部件50,因此能够通过红外分析装置而正确地检测温度上升。
至此为止对本发明优选的实施方式进行了说明,但本发明不限定于上述的实施方式,在其技术思想的范围内可以通过各种不同方式来实施是自不必说的。
工业上的可利用性
本发明在包括将光纤彼此熔接的光纤熔接构造的激光装置中适当地使用。
附图标记说明
1...光纤熔接构造;10...光纤收容部;10A~10D...外表面;12...光纤收容槽;12A~12C...内表面;21、22...光纤;23、24...素线;25、26...覆层;30...熔接部;33、34...边界部;41、42...固定树脂;50...管部件;70...红外分析装置;100...光纤激光器装置;110...放大用光纤;112...高反射FBG;114...低反射FBG;120A、120B...激发光源;122A、120B...光合波器;124、126...散热部;130...激光射出部;140A、140B、142A、142B、143、144、146...光纤;151、152、153...熔接部;S...封闭空间。
Claims (7)
1.一种光纤熔接构造,其将具有素线和覆盖该素线的覆层的两根以上的光纤熔接,其中,所述光纤熔接构造具备:
熔接部,其使从所述覆层露出的所述素线彼此相互熔接;
光纤收容部,其沿着所述光纤的轴向而形成有光纤收容槽,该光纤收容槽收容包括所述熔接部在内的所述光纤的一部分;
固定树脂,其在隔着所述熔接部的两侧使所述覆层的一部分固定于所述光纤收容槽内,且形成为沿深度方向填埋所述光纤收容槽;以及
管部件,其以覆盖在隔着所述熔接部的两侧的固定树脂之间形成的所述光纤收容槽内的空间的方式安装于所述光纤收容部的周围,且使红外线透过,以检测由所述光纤的异常发热产生的红外线。
2.根据权利要求1所述的光纤熔接构造,其中,
在所述熔接部与所述光纤收容槽的内表面之间形成有空气包层。
3.根据权利要求1或2所述的光纤熔接构造,其中,
在边界部与所述光纤收容槽的内表面之间形成有空气包层,所述边界部为从所述覆层露出的所述素线和所述覆层的边界。
4.根据权利要求1或2所述的光纤熔接构造,其中,
所述光纤收容部构成为大致长方体状。
5.根据权利要求1或2所述的光纤熔接构造,其中,
所述两根以上的光纤中的至少一根为了传播来自激发光源的激发光而使用。
6.根据权利要求1或2所述的光纤熔接构造,其中,
所述管部件的红外线透过率为80%以上。
7.一种激光装置的制造方法,其为制造包括光纤熔接构造的激光装置的方法,该光纤熔接构造将具有素线和覆盖该素线的覆层的两根以上的光纤熔接,
其中,
使从所述覆层露出的所述素线彼此相互熔接而形成熔接部,
将包括所述熔接部在内的所述光纤的一部分收容于沿着所述光纤的轴向形成的光纤收容部的光纤收容槽内,
在将所述光纤保持于所述光纤收容槽内的状态下,在隔着所述熔接部的两侧的位置以沿深度方向填埋所述光纤收容槽的方式形成固定树脂,将所述光纤的所述覆层固定于所述光纤收容槽内,
以覆盖在隔着所述熔接部的两侧的固定树脂之间形成的所述光纤收容槽内的空间的方式将使红外线透过的管部件安装于所述光纤收容部的周围,
将激光源连接于所述两根以上的光纤中的至少一根,使激光从所述激光源在所述光纤传播,
对在使所述激光在所述光纤传播时透过所述管部件的红外线进行测定,
通过确认所述测定的红外线为规定的阈值以下来判断装置的完成。
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