CN109065734A - 一种抗辐照的钙钛矿太阳能电池 - Google Patents

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杨生胜
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崔平
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Abstract

本发明公开了一种抗辐照的钙钛矿太阳能电池，所述的太阳能电池自下而上依次设有导电玻璃电极层，电子传输层，钙钛矿光敏层和碳电极，所述的电子传输层、钙钛矿光敏层和碳电极中均填充有钙钛矿材料；本发明中钙钛矿太阳能电池具有良好的光电性能，同时抗辐照性能优异；无需借助其它添加材料，而且制备过程简易、材料成本低。

Description

一种抗辐照的钙钛矿太阳能电池
技术领域
本发明涉及空间能源利用技术领域，尤其涉及一种具有优良抗辐照性能的钙钛矿太阳能电池。
背景技术
随着社会的进步和科技的发展，对于电能的需求愈来愈大，同时迫切需要特殊工作环境(比如太空)下的电能。清洁能源之一的太阳能转化为电能是关注的重点。太阳光照在半导体p-n结上，形成新的空穴-电子对，在p-n结内建电场的作用下，光生空穴流向p区，光生电子流向n区，接通电路后就产生电流。这就是光电效应太阳能电池的工作原理。目前常见的太阳能电池有硅电池、碲化镉薄膜电池、铜铟镓硒薄膜电池、染料敏化电池等。而近几年来用钙钛矿材料制备的太阳能电池效率从2009年的3.8％增长到目前的22.1％。因其较高的光吸收系数、较低的成本和易于制备等优势，钙钛矿太阳能电池获得了人们的广泛关注。
在空间飞行器中，太阳能电池得到了大量和普遍的应用。众所周知，通常基于半导体p-n结工作原理的太阳能电池的抗太空辐照能力较差，而诸如卫星等空间飞行器上的太阳能电池一般是直接暴露在复杂的空间辐照环境之中。空间辐照对太阳能电池的损伤破坏主要有三种方式：总剂量电离损伤、单粒子效应和位移损伤。因此，在空间飞行器中实际应用的太阳能电池抗辐照性能亟待提高。
复杂的空间辐照环境中，辐照源主要是质子，此外还有电子、中子和α射线等。近几年，地面模拟实验结果表明辐照对太阳能电池会造成不可逆的损伤，以至严重降低传统太阳能电池的光电性能(Bourgoin J C,Angelis N D.Radiation-induced defects insolar cell materials[J].Solar Energy Materials&Solar Cells,2001,66(1):467-477.)。同时，为增强太阳能电池的抗辐照性能，有人提出给太阳能电池增加防护片(WangR,Guo Z,Wang G.Low-energy proton irradiation effects on GaAs/Ge solar cells[J].Solar Energy Materials&Solar Cells,2006,90(7):1052-1057.)。但实验结果表明随着质子能量的增加，防护片的防护效果下降，从而达不到理想的抗辐照效果。
上述已有技术存在以下不足：常见的太阳能电池不具备良好的抗辐照性能，而且防护手段有限，以至在太空环境中不能展现出优良光电性能，影响诸如卫星等空间飞行器的正常工作。因此，为解决空间飞行器的电源问题，迫切需要抗辐照性能优良的新型太阳能电池。
发明内容
针对上述存在的问题，本发明目的在于提供一种制备简单、成本低廉，并且具有良好抗辐照性能的钙钛矿太阳能电池。
为了达到上述目的，本发明采用的技术方案如下：一种抗辐照的钙钛矿太阳能电池，所述的太阳能电池自下而上依次设有导电玻璃电极层，电子传输层，钙钛矿光敏层和碳电极，所述的电子传输层、钙钛矿光敏层和碳电极中均填充有钙钛矿材料。
本发明的电子传输层的材料选用Al2O3、SiO2、SnO2、TiO2、ZnO、ZrO2中的一种，其中优选TiO2。
本发明的钙钛矿光敏层的材料选用ZrO2；钙钛矿光敏层中的添加的钙钛矿作为吸光材料的同时，也作为空穴传输材料，不需要额外设计空穴传输层；
本发明的钙钛矿材料为MAPbI3结构，其中MA为CH3NH3。
本发明的导电玻璃电极层为FTO导电玻璃，具体为掺杂氟的SnO2透明导电玻璃。
本发明提供的一种抗辐照的钙钛矿太阳能电池生产工艺，生产工艺如下：
1)对导电玻璃进行刻蚀，将致密层溶液均匀喷涂在其表面；
2)将TiO2浆料、ZrO2浆料、碳浆料依次印刷在导电玻璃的致密层上，形成三层介观层；
3)采用溶液浸涂法将钙钛矿材料填充到三层介观层中。
本发明所述的致密层溶液为二(二乙酰丙酮基)钛酸二异丙酯的乙醇溶液；
本发明的优点在于：本发明提供的钙钛矿太阳能电池具有优良抗辐照性能；实验测试结果表明在辐照后，钙钛矿太阳能电池的光电性能没有受到严重性破坏，且光电转换效率与辐照前的相差无几；于此同时，本发明的钙钛矿太阳能电池不但无需借助其它添加材料，而且制备过程简易、材料成本低。
附图说明
图1为本发明的太阳能电池结构示意图；
图2为1MeV质子辐照前后的钙钛矿太阳能电池I-V特性曲线；
图3为Stopping and Range of Ions in Matter(SRIM)模拟1MeV质子辐照铜铟镓硒太阳电池(CIGS)和钙钛矿太阳能电池(PSC)后产生的空位缺陷对比图。
图4为SRIM模拟电极分别采用Ag、Au、Al、C的钙钛矿太阳能电池辐照后产生的空位缺陷对比图。
其中，图1中1导电玻璃电极层，2电子传输层，3钙钛矿光敏层，4碳电极。
具体实施方式
下面结合附图说明和具体实施方式对本发明作进一步详细的描述。
以下实施例中：采用的是兰州空间物理研究所的双束加速器；该双束加速器由直线电子加速器、电子束流管、直线质子加速器、质子束流管以及真空样品室五大部分构成。
采用不同注量的1MeV质子对钙钛矿太阳能电池进行辐照，并且辐照前后对电池进行I-V特性测试，以表征其光电性能在辐照前后的变化。
理论分析上采用SRIM软件模拟质子辐照后钙钛矿太阳能电池的空位缺陷分布，作为对比，也模拟了在相同辐照条件下的铜铟镓硒太阳能电池的空位缺陷分布。
实施例1：如图1所示，本发明提供的抗辐照的钙钛矿太阳能电池，所述的太阳能电池自下而上依次设有导电玻璃电极层1，电子传输层2，钙钛矿光敏层3和碳电极4，所述的电子传输层2、钙钛矿光敏层3和碳电极4中均填充有钙钛矿材料。
钙钛矿光敏层3是电池中最重要的部分；钙钛矿具有高吸光系数和良好的电子迁移率，能使电池具有更优异的光电性能；光敏层3中的钙钛矿既是吸光材料，又是空穴传输材料，所以不需要设计额外的空穴传输层；采用的碳电极4不仅降低了电池制备成本，而且保证了电池光电性能的稳定；电子传输层2、钙钛矿光敏层3和碳电极4中均含有通过溶液浸涂法填充的钙钛矿材料，这是本发明的电池具有良好抗辐照性能的关键。
实施例2：如图1所示，本发明提供的抗辐照的钙钛矿太阳能电池，电子传输层的材料选用TiO2；钙钛矿光敏层的材料选用ZrO2；钙钛矿光敏层中的添加的钙钛矿作为吸光材料的同时，也作为空穴传输材料，不需要额外设计空穴传输层；钙钛矿材料为MAPbI3结构，其中MA为CH3NH3；导电玻璃电极层为FTO导电玻璃，具体为掺杂氟的SnO2透明导电玻璃。
实施例3：如图1所示，本发明提供的一种抗辐照的钙钛矿太阳能电池生产工艺，生产工艺如下：
1)首先刻蚀FTO玻璃，用高温胶带将无需刻蚀部分保护起来，锌粉混合去离子水涂在需要刻蚀的部分。
2)刻蚀好的FTO玻璃，依次经过洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、去离子水清洗20min，然后氮气吹干备用。
3)FTO玻璃置于高温热台，待高温热台温度升至500摄氏度后，使用喷雾器将致密层溶液(二(二乙酰丙酮基)钛酸二异丙酯的乙醇溶液)在其上均匀喷涂，然后冷却至室温。
4)使用丝网印刷机将TiO2浆料印刷在致密层上，在高温500摄氏度下，烧结30min。然后将其浸泡在70摄氏度的40μmol TiCl4的水溶液中，时间30min，使用乙醇与水冲洗后，高温500摄氏度烧结30min。
5)使用丝网印刷机将ZrO2浆料印刷在TiO2多孔层上，高温450摄氏度，烧结30min。
6)使用丝网印刷机将碳浆料印刷在ZrO2多孔层上，高温400摄氏度，烧结30min。
7)使用移液枪吸取6μL的MAPbI3前驱体在碳电极上。然后60摄氏度烘干，直到电池底部钙钛矿变成黑色。
其中，TiO2浆料的制备方法：将TiO2粉末与乙基纤维素加入到松油醇与乙醇中，球磨24h，得到TiO2浆料。
ZrO2浆料的制备方法：将ZrO2粉末与乙基纤维素加入到松油醇与乙醇中，球磨24h，得到ZrO2浆料。
碳浆料的制备方法：将石墨与炭黑混合，加入一定质量的ZrO2后，分散在松油醇与乙醇中。超声40min后，球磨24h，得到碳浆料。
钙钛矿MAPbI3(MA＝CH3NH3)的制备方法：将PbI2与的MAI溶入丁内酯中，震荡溶解，得到钙钛矿MAPbI3。
实施例4：将本发明的实施例3中的电池进行抗辐照性能测试：
选用多组性能相差无几的钙钛矿太阳能电池(编号1～5)进行辐照，并在辐照前后进行电性能测试。表1表示1MeV质子辐照前钙钛矿太阳能电池开路电压(Voc0)、短路电流(Isc0)、填充因子(FF0)和转换效率(η0)以及辐照后钙钛矿太阳能电池开路电压(Voc)、短路电流(Isc)、填充因子(FF)和转换效率(η)。
根据此表我们可以进一步计算得到辐照前后比值变化情况。辐照前后Voc、Isc、FF、η的变化比值分别是(107±4)％、(159±12)％、(88±8)％、(111±13)％。可以看出，相比于辐照前，辐照后电池开路电压，短路电流升高，填充因子略微下降，光电转换效率无下降趋势。
表1 1MeV质子辐照下钙钛矿太阳能电池电性能参数变化
图2表示1MeV质子辐照前后的钙钛矿太阳能电池I-V特性曲线。辐照后的电池I-V特性曲线位于辐照前的上方，短路电流略微升高，开路电压基本不变。说明质子辐照并未严重破坏钙钛矿太阳能电池内部结构，所以电池在辐照后也能表现出稳定的光电性能。
空位(Vacancies)指的是晶格中某个原子被移去后所形成的缺陷，是判断电池性能下降的重要参量。图3中横坐标为相对深度(即深度与电池总厚度的比值)，纵坐标为空位量。如图3所示，通过SRIM模拟可以看出，辐照后钙钛矿太阳能电池中产生的空位缺陷量比铜铟镓硒太阳电池中产生的少很多。这说明钙钛矿太阳能电池抗质子辐照效果更好，这和实验测试的结果相吻合。而已有研究表明，铜铟镓硒太阳电池的质子抗辐照性能优于其它太阳能电池。因此，可以推断相比于其它太阳能电池，本发明提出的钙钛矿太阳能电池具有优良的抗辐照性能。
进一步研究发现，本发明采用的钙钛矿材料具有特殊的有机无机杂化结构，分子式为MAPbI3，其中PbI6构成八面体，并相互接触组成了三维结构框架。并且电子传输层、钙钛矿光敏层和碳电极中都加入了该钙钛矿材料，提升了电池结构的稳定性。即使是高能质子撞击也难以破坏其内部结构。所以在质子辐照前后电池光电性能稳定，从而该钙钛矿太阳能电池具有优良的抗辐射性能。
实施例5：将钙钛矿太阳能电池碳电极分别换成Ag、Au、Al电极，并用SRIM模拟1MeV质子辐照后产生的空位缺陷图，结果如图4所示。
由图所示，在深度为0～3μm时，四条线段基本重合；在深度为3～14.6μm时，Ag、Au电极组成的钙钛矿太阳能电池中的空位量均较大于Al、C电极的空位量，并且Al电极组成的钙钛矿太阳能电池的空位量略大于C电极的空位量。
这可以说明采用上述四种材料中C电极组成的钙钛矿太阳能电池在辐照前后性能最为稳定，且考虑碳材料成本较低，故碳电极为此案例中的优选结构。
实施例6：将钙钛矿太阳能电池中电子传输层材料分别换成Al2O3、SiO2、SnO2、TiO2、ZnO、ZrO2并用SRIM模拟1MeV质子辐照后产生的空位缺陷图，其结果如下表所示：
由上表所示，采用上述材料制成的本发明中所述的钙钛矿太阳能电池，在相同实验条件下辐照后，其电池的空位缺陷差距不大，辐照后的性能稳定性差距不大，采用二氧化钛作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池具有一定的优势，而且采用致密的TiO2作为电子传输层能有效地提高太阳能电池的电学性能，因此优选TiO2为电子传输层的优选材料。
实施例7：在其他条件不变的情况下，对本发明实施例3中的部分材料进行调整，对比的实验结果如下表所示：
由上表所示，说明只有当电子传输层2、钙钛矿光敏层3和碳电极4中均填充有钙钛矿材料，最终生成的太阳能电池，才具有较好的抗辐照性能，材料的稳定性更好。
需要说明的是，上述仅仅是本发明的较佳实施例，并非用来限定本发明的保护范围，在上述实施例的基础上所做出的任意组合或等同变换均属于本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种抗辐照的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述的太阳能电池自下而上依次设有导电玻璃电极层，电子传输层，钙钛矿光敏层和碳电极，所述的电子传输层、钙钛矿光敏层和碳电极中均填充有钙钛矿材料。
2.根据权利要求1所述的抗辐照的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述的电子传输层的材料选用TiO2。
3.根据权利要求1所述的抗辐照的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述的钙钛矿光敏层的材料选用ZrO2。
4.根据权利要求1所述的抗辐照的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述的钙钛矿材料为
MAPbI3结构，其中MA为CH3NH3。
5.根据权利要求1所述的抗辐照的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述的导电玻璃电极层为FTO导电玻璃，具体为掺杂氟的SnO2透明导电玻璃。
6.一种根据权利要求1所述的抗辐照的钙钛矿太阳能电池生产工艺，其特征在于，所述的生产工艺如下：
1)对导电玻璃进行刻蚀，将致密层溶液均匀喷涂在其表面；
2)将TiO2浆料、ZrO2浆料、碳浆料依次印刷在导电玻璃的致密层上，形成三层介观层；
3)采用溶液浸涂法将钙钛矿材料填充到三层介观层中。
7.根据权利要求6所述的抗辐照的钙钛矿太阳能电池生产工艺，其特征在于，所述的致密层溶液为二(二乙酰丙酮基)钛酸二异丙酯的乙醇溶液。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113097387A (zh) * 2021-04-02 2021-07-09 西安电子科技大学 抗辐照光伏储能一体化装置及其制备方法
WO2023141275A1 (en) * 2022-01-20 2023-07-27 Alliance For Sustainable Energy, Llc Ultralight-weight protective barriers for space-based perovskite photovoltaics

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104241411A (zh) * 2014-07-04 2014-12-24 华南理工大学 一种阳极界面修饰的高效碲化镉纳米晶肖特基结太阳电池及其制备方法
CN105895804A (zh) * 2016-04-08 2016-08-24 武汉理工大学 一种低成本钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN107331774A (zh) * 2017-04-21 2017-11-07 青岛科技大学 双钝化层结构的钙钛矿太阳能电池

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104241411A (zh) * 2014-07-04 2014-12-24 华南理工大学 一种阳极界面修饰的高效碲化镉纳米晶肖特基结太阳电池及其制备方法
CN105895804A (zh) * 2016-04-08 2016-08-24 武汉理工大学 一种低成本钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN107331774A (zh) * 2017-04-21 2017-11-07 青岛科技大学 双钝化层结构的钙钛矿太阳能电池

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113097387A (zh) * 2021-04-02 2021-07-09 西安电子科技大学 抗辐照光伏储能一体化装置及其制备方法
CN113097387B (zh) * 2021-04-02 2022-12-27 西安电子科技大学 抗辐照光伏储能一体化装置及其制备方法
WO2023141275A1 (en) * 2022-01-20 2023-07-27 Alliance For Sustainable Energy, Llc Ultralight-weight protective barriers for space-based perovskite photovoltaics

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