CN109045437A - 一种影响脑电波的助眠方法和装置 - Google Patents

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Abstract

本发明属于助眠装置的技术领域，具体涉及一种影响脑电波的助眠方法和装置；解决的技术问题为：提供一种可有效模仿人睡眠的脑电波、助眠效果较好的一种影响脑电波的助眠方法和装置；采用的技术方案为：一种影响脑电波的助眠方法，包括：存储脉冲波执行指令；读取脉冲波执行指令，输出动作指令；执行动作指令，产生脉冲波；所述脉冲波包括：助眠波，以及每分钟随机或间隔方式在助眠波中，插入2至5次的纺锤波；所述助眠波，频率为1Hz至8Hz；其中：起始频率为：8Hz，逐渐递减至1Hz；所述纺锤波，频率为5Hz至25Hz。

Description

一种影响脑电波的助眠方法和装置
技术领域
本发明属于助眠装置的技术领域，具体涉及一种影响脑电波的助眠方法和装置。
背景技术
睡眠是人类重要的生理过程，良好的睡眠是人们身心健康的标志；随着日益加快的生活节奏，许多人都面临着生活压力大、睡眠质量差的问题，而经常性的睡眠质量低下，甚至经常性失眠，如此对人体有较大的伤害，不利于保护人们的身体健康。
目前，大部分失眠患者都采用药物治疗，但药物治疗会产生很多副作用，使得人们需要一种无需药物，使用方便而且有效的助眠方法。
现有的助眠装置借助声音，光线，震动，电磁波等方式的刺激帮助大脑进入睡眠状态；如：专利申请CN103239789A提供了一种利用电磁场变化的助眠系统，其原理是产生与人类睡眠相近的电场，电场频率从9Hz到4Hz再到0.4Hz，从而引导人入睡，但是随着对人类睡眠的深入研究，人类睡眠时候不但产生相应频率的脑电波，并且伴有其他特征，比如睡眠纺锤波；最新的研究发现，睡眠质量与睡眠纺锤波出现的频率密切相关，那些纺锤波频率出现更高的睡眠者更不容易被外界干扰唤醒；睡眠纺锤波代表着丘脑正在阻止感官刺激到达大脑皮层乃至扰乱睡眠。
发明内容
本发明克服现有技术存在的不足，所要解决的技术问题为：提供一种可有效模仿人睡眠的脑电波、助眠效果较好的一种影响脑电波的助眠方法和装置。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：
一种影响脑电波的助眠方法，包括：存储脉冲波执行指令；读取脉冲波执行指令，输出动作指令；执行动作指令，产生脉冲波；所述脉冲波包括：助眠波，以及每分钟随机或间隔方式在助眠波中，插入2至5次的纺锤波；所述助眠波，频率为1Hz至8Hz；其中：起始频率为：8Hz，逐渐递减至1Hz；所述纺锤波，频率为5Hz至25Hz。
优选地，所述存储脉冲波执行指令，具体包括：脉冲持续时间和脉冲间隔时间；所述脉冲持续时间为多个，每个脉冲持续时间分别对应相应的磁场强度；所述脉冲间隔时间为多个，每个脉冲间隔时间分别对应相应的脉冲周期和脉冲频率。
优选地，所述存储脉冲波执行指令，具体包括：脉冲持续时间；所述脉冲持续时间为多个，每个脉冲持续时间分别对应相应的磁场强度；读取脉冲波执行指令，输出动作指令；所述的动作指令，包括脉冲周期和与脉冲周期相对应的脉冲频率；所述脉冲周期按照线性或者指数或者其他函数关系由起始频率下降到结束频率。
相应地，一种影响脑电波的助眠装置，包括：
存储器，用于存储脉冲波执行指令；
微处理器，用于读取存储器中的脉冲波执行指令，输出动作指令至磁场产生器；
磁场产生器，用于执行微处理器输出的动作指令，产生脉冲波，所述脉冲波包括：助眠波，以及每分钟随机或间隔方式在助眠波中，插入2至5次的纺锤波；所述助眠波，频率为1Hz至8Hz；其中：起始频率为：8Hz，逐渐递减至1Hz；所述纺锤波，频率为5Hz至25Hz；
电源，用于控制磁场产生器的通断；并为存储器、微处理器、磁场产生器提供电源供给。
优选地，所述存储器中的脉冲波执行指令，具体包括：脉冲持续时间和脉冲间隔时间；所述脉冲持续时间为多个，每个脉冲持续时间分别对应相应的磁场强度；所述脉冲间隔时间为多个，每个脉冲间隔时间分别对应相应的脉冲周期和脉冲频率。
优选地，所述存储器中的脉冲波执行指令，具体包括：脉冲持续时间；所述脉冲持续时间为多个，每个脉冲持续时间分别对应相应的磁场强度；所述微处理器中输出的动作指令，包括：脉冲周期和与脉冲周期相对应的脉冲频率；所述脉冲周期为：按照线性或者指数或者其他函数关系由起始频率下降到结束频率。
本发明与现有技术相比具有以下有益效果：
本发明中，通过存储器、微处理器、磁场产生器，可以产生的脉冲波包括：助眠波，以及每分钟随机或间隔方式在助眠波中，插入2至5次的纺锤波；所述助眠波，频率为1Hz至8Hz；其中：起始频率为：8Hz，逐渐递减至1Hz；所述纺锤波，频率为5Hz至25Hz；可以更好的模仿人睡眠的脑电波，助眠效果好。
附图说明
下面结合附图对本发明做进一步详细的说明；
图1为本发明实施例一提供的一种影响脑电波的助眠方法的流程示意图；
图2为本发明实施例一提供的一种影响脑电波的助眠装置的结构示意图；
图3为本发明实施例一提供的磁场产生器的工作流程示意图；
图4为本发明实施例一提供的磁场产生器的电路示意图；
图中：10为存储器，20为微处理器，30为磁场产生器，40为电源。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例；基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1为本发明实施例一提供的一种影响脑电波的助眠方法的流程示意图，如图1所示，一种影响脑电波的助眠方法，包括：存储脉冲波执行指令；读取脉冲波执行指令，输出动作指令；执行动作指令，产生脉冲波；其中，所述脉冲波包括：助眠波，以及每分钟随机或间隔方式在助眠波中，插入2至5次的纺锤波；所述助眠波，频率为1Hz至8Hz；其中：起始频率为：8Hz，逐渐递减至1Hz；所述纺锤波，频率为5Hz至25Hz。
本发明中：插入的纺锤波，可以是单次脉冲插入，也可以是多个连续脉冲插入，持续时间可以从单次脉冲到1.5秒；本实施例中：纺锤波的频率范围可为5Hz至25Hz，优选为：9Hz-16Hz。
为了对本发明进行更好的说明，下面提供了几个更具体的实施例。
磁场脉冲周期由脉冲持续时间和脉冲间隔时间决定，由于通常脉冲持续时间非常短，在0.1ms左右，但是脉冲频率(1至20Hz)的周期在50-1000ms之间，脉冲持续时间相对于周期非常短，可以忽略不计，所以脉冲间隔决定这整个脉冲的周期和频率。
实施例二中，脉冲波有接通、断开脉冲两种状态组成，脉冲周期，有两个时序变量：脉冲持续时间(导通时间)和脉冲间隔时间(次脉冲的停止和下一脉冲开始之间的断开时间或者延迟时间)；因此，所述存储脉冲波执行指令，具体包括：脉冲持续时间和脉冲间隔时间；
所述脉冲持续时间为多个，每个脉冲持续时间分别对应相应的磁场强度；由于磁场强度与电流成正比，当线圈有磁芯时，在磁通密度达到饱和之前，磁场强度与电流成正比，当达到饱和磁通密度时，最大磁场强度等于饱和磁通密度，这一导通时间存储于存储器，可根据应用需求，调整脉冲磁场强度；通电时间越长，电流越大。
所述脉冲间隔时间为多个，每个脉冲间隔时间分别对应相应的脉冲周期和脉冲频率；所述每一个脉冲周期参数可作为一个存储单元形成参数阵列，假设每个参数由两个字节表示，则25分钟的运行时间，大约需要10-15kB的存储空间。
实施例三中，所述存储脉冲波执行指令，具体包括：脉冲持续时间；所述脉冲持续时间为多个，每个脉冲持续时间分别对应相应的磁场强度；其工作原理与实施例二相同。
所述的脉冲间隔时间可由微处理器计算所得，因此，读取脉冲波执行指令，输出动作指令；所述的动作指令，包括脉冲周期和与脉冲周期相对应的脉冲频率；所述脉冲周期按照线性或者指数或者其他函数关系由起始频率下降到结束频率；假如每分钟插入4次高频脉冲，则在计数到15秒时，插入一个或者多个高频脉冲，其周期对应的频率可以是5-25Hz，其高频脉冲频率可以是固定频率或者随机进行频率挑选。
本发明中，通过存储器、微处理器、磁场产生器，可以产生的脉冲波包括：助眠波，以及每分钟随机或间隔方式在助眠波中，插入2至5次的纺锤波；所述助眠波，频率为1Hz至8Hz；其中：起始频率为：8Hz，逐渐递减至1Hz；所述纺锤波，频率为5Hz至25Hz；可以更好的模仿人睡眠的脑电波，可以大大改善失眠患者的睡眠状况，助眠效果好。
具体地，脉冲波的周期随着时间不断变化，程序起始频率由8Hz到开始，频率逐渐降低，直到15-25分钟后，到程序结束时，频率为1Hz；为模仿人的正常睡眠产生的纺锤波，在程序运行过程中，每分钟随机或者固定插入2-5次高频率脉冲(5Hz至25Hz)，该高频率脉冲可以是一次，也可以是连续多次，高频率脉冲持续时间可以为从单次脉冲到1.5秒钟。
图2为本发明实施例一提供的一种影响脑电波的助眠装置的结构示意图，如图2所示，一种影响脑电波的助眠装置，包括：
存储器10，用于存储脉冲波执行指令；
微处理器20，用于读取存储器10中的脉冲波执行指令，输出动作指令至磁场产生器30；
磁场产生器30，用于执行微处理器20输出的动作指令，产生脉冲波；其中，所述脉冲波包括：助眠波，以及每分钟随机或间隔方式在助眠波中，插入2至5次的纺锤波；所述助眠波，频率为1Hz至8Hz；其中：起始频率为：8Hz，逐渐递减至1Hz；所述纺锤波，频率为5Hz至25Hz。
电源40，用于控制磁场产生器30的通断；并为存储器10、微处理器20、磁场产生器30提供电源供给。
具体地，所述存储器10中的脉冲波执行指令，具体包括：脉冲持续时间和脉冲间隔时间；所述脉冲持续时间为多个，每个脉冲持续时间分别对应相应的磁场强度；所述脉冲间隔时间为多个，每个脉冲间隔时间分别对应相应的脉冲周期和脉冲频率。
进一步地，所述存储器10中的脉冲波执行指令，具体包括：脉冲持续时间；所述脉冲持续时间为多个，每个脉冲持续时间分别对应相应的磁场强度；所述的存储器10可为RAM存储器；
所述微处理器20中输出的动作指令，包括：脉冲周期和与脉冲周期相对应的脉冲频率；所述脉冲周期为：按照线性或者指数或者其他函数关系由起始频率下降到结束频率。
更进一步地，所述磁场产生器20产生的脉冲波包括：助眠波，以及每分钟随机或间隔方式在助眠波中，插入2至5次的纺锤波；所述助眠波，频率为1Hz至8Hz；其中：起始频率为：8Hz，逐渐递减至1Hz；所述纺锤波，频率为5Hz至25Hz。
图3为本发明实施例一提供的磁场产生器的工作流程示意图；运行开始后：
S301，微处理器读取脉冲波执行指令(脉冲周期、脉冲强度、脉冲间隔)并设定计数时间后，使得磁场产生器的线圈导通，开始工作；
S302，计数结束后，关闭线圈，读取脉冲间隔时间参数，并设定计数器时间；
S303，判断是否为最后一个周期，如是，则结束，如否，则执行步骤S301。
图4为本发明实施例一提供的磁场产生器的电路示意图，如图4所示，本实施例中，磁场由线圈产生，流经线圈的电流决定磁场，线圈可以等效为一个理想电感L2串联一个电阻R3，根据电感公式Ldi/dt＝V，如果加一个固定电压在电感上，随着时间的增加，通过电感的电流会持续增加；因为有线圈电阻的存在，电感电流不会线性增加，电流增加的速度会逐渐变缓；
当线圈没有磁芯的时候，不存在磁场饱和的情况，线圈电流会持续增加，最终的电流值由V/R决定，但因为空气的磁导率非常小，为得到更大的磁场，更常用带磁芯的线圈，磁芯通常具有饱和磁感应强度，当磁感应强度达到饱和之后，电流的增加引起的磁场增加将会变的很小，通常都会避免磁芯磁场饱和，如果电感寄生的电阻不够大的时候，为了避免电流过大致使磁芯饱和，会外加一个电阻用来限定电流峰值。具体的数值，会根据不同的磁芯的饱和电流和DCR决定。CR5是续流二极管，当开关MOSFET关断时，为了给电感一个通流回路，避免电感感应电压过高，破坏MOSFET或者电源电路，续流二极管可以帮助限制电感感应电压。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (6)

1.一种影响脑电波的助眠方法，其特征在于：包括：
存储脉冲波执行指令；
读取脉冲波执行指令，输出动作指令；
执行动作指令，产生脉冲波；其中，所述脉冲波包括：助眠波，以及每分钟随机或间隔方式在助眠波中，插入2至5次的纺锤波；
所述助眠波，频率为1Hz至8Hz；其中：起始频率为：8Hz，逐渐递减至1Hz；
所述纺锤波，频率为5Hz至25Hz。
2.根据权利要求1所述的一种影响脑电波的助眠方法，其特征在于：所述存储脉冲波执行指令，具体包括：脉冲持续时间和脉冲间隔时间；
所述脉冲持续时间为多个，每个脉冲持续时间分别对应相应的磁场强度；
所述脉冲间隔时间为多个，每个脉冲间隔时间分别对应相应的脉冲周期和脉冲频率。
3.根据权利要求1所述的一种影响脑电波的助眠方法，其特征在于：所述存储脉冲波执行指令，具体包括：脉冲持续时间；
所述脉冲持续时间为多个，每个脉冲持续时间分别对应相应的磁场强度；
读取脉冲波执行指令，输出动作指令；所述的动作指令，包括脉冲周期和与脉冲周期相对应的脉冲频率；
所述脉冲周期按照线性或者指数或者其他函数关系由起始频率下降到结束频率。
4.一种影响脑电波的助眠装置，其特征在于：包括：
存储器(10)，用于存储脉冲波执行指令；
微处理器(20)，用于读取存储器(10)中的脉冲波执行指令，输出动作指令至磁场产生器(30)；
磁场产生器(30)，用于执行微处理器(20)输出的动作指令，产生脉冲波；所述脉冲波包括：助眠波，以及每分钟随机或间隔方式在助眠波中，插入2至5次的纺锤波；所述助眠波，频率为1Hz至8Hz；其中：起始频率为：8Hz，逐渐递减至1Hz；所述纺锤波，频率为5Hz至25Hz；
电源(40)，用于控制磁场产生器(30)的通断；并为存储器(10)、微处理器(20)、磁场产生器(30)提供电源供给。
5.根据权利要求4所述的一种影响脑电波的助眠装置，其特征在于：
所述存储器(10)中的脉冲波执行指令，具体包括：脉冲持续时间和脉冲间隔时间；
所述脉冲持续时间为多个，每个脉冲持续时间分别对应相应的磁场强度；
所述脉冲间隔时间为多个，每个脉冲间隔时间分别对应相应的脉冲周期和脉冲频率。
6.根据权利要求4所述的一种影响脑电波的助眠装置，其特征在于：所述存储器(10)中的脉冲波执行指令，具体包括：脉冲持续时间；
所述脉冲持续时间为多个，每个脉冲持续时间分别对应相应的磁场强度；
所述微处理器(20)中输出的动作指令，包括：脉冲周期和与脉冲周期相对应的脉冲频率；
所述脉冲周期为：按照线性或者指数或者其他函数关系由起始频率下降到结束频率。
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