CN109037293B - 显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示面板及其制作方法、显示装置。该显示面板包括：衬底基板、发光器件和光电转换结构；发光器件设置于所述衬底基板上；光电转换结构设置于所述衬底基板上，配置为接收所述发光器件所发出的光的一部分，将其接收到的光转化为电能且将所述电能供给所述发光器件。该显示面板可以通过光电转换结构实现将其接收到的来自发光器件的侧漏光转换为电能且将该电能供给发光器件以用于发光，从而能够提高显示面板的光能利用率，并提高电源的续航能力。

Description

显示面板及其制作方法、显示装置
技术领域
本公开至少一实施例涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)在柔性、透明等高新显示领域展现出了巨大的潜力，与此同时，在照明领域也有着很好的发展。
OLED显示装置在满足用户需求的同时，还应考虑到电力续航的问题，不论是对厂商还是消费者来说都是非常有意义的。
以手机为例，目前增加手机续航能力的方法基本都是围绕增加电池容量、减少手机中用电设备的功耗展开的。增加电池容量就意味着使用高容量的电池，而高容量的电池存在一定安全隐患。另外，随着手机制造技术的不断成熟，以及为满足用户的各项需求，减少手机用电设备的功耗变得越来越难。
发明内容
本公开至少一实施例提供一种显示面板，该显示面板包括：衬底基板、发光器件和光电转换结构；发光器件设置于所述衬底基板上；光电转换结构设置于所述衬底基板上且配置为接收所述发光器件所发出的光的一部分，将其接收到的光转化为电能且将所述电能供给所述发光器件。
例如，本公开一实施例提供的显示面板中，所述光电转换结构包括：第一电极、第二电极以及光电转换层。第一电极设置于所述衬底基板上；第二电极设置于所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧；光电转换层设置于所述第一电极与所述第二电极之间且配置为将其接收到的光转化成电能。
例如，本公开一实施例提供的显示面板中，所述光电转换层为PIN结，所述PIN结包括：P型半导体层、N型半导体层和本征半导体层。N型半导体层与所述P型半导体层层叠设置；本征半导体层位于所述P型半导体层与所述N型半导体层之间。
例如，本公开一实施例提供的显示面板中，所述P型半导体层、所述N型半导体层和所述本征半导体层的材料均为非晶硅。
例如，本公开一实施例提供的显示面板中，所述第一电极为不透明的反射型电极，所述第二电极为透明电极或不透明的反射型电极。
例如，本公开一实施例提供的显示面板还包括电源，所述发光器件包括依次远离所述衬底基板设置的阳极、发光层和阴极；所述光电转换结构的第一电极和所述光电转换结构的第二电极与所述电源的输入端子电连接；所述发光器件的阳极和所述发光器件的阴极与所述电源的输出端子电连接。
例如，本公开一实施例提供的显示面板还包括：呈阵列排布的多个像素单元和像素界定层；所述多个像素单元中的每个包括所述发光器件；透光的像素界定层位于所述多个像素单元中相邻的像素单元之间以限定出所述多个像素单元；所述光电转换结构在所述衬底基板上的投影位于所述像素界定层在所述衬底基板上的投影内。
例如，本公开一实施例提供的显示面板中，所述光电转换结构位于所述像素界定层和所述发光器件的靠近所述衬底基板的一侧。
例如，本公开一实施例提供的显示面板还包括用于驱动所述像素单元的驱动电路层，所述驱动电路层包括薄膜晶体管，所述光电转换结构的第一电极与所述薄膜晶体管的漏极和源极同层设置。
例如，本公开一实施例提供的显示面板中，所述发光器件为顶发光器件，所述薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影的至少部分与所述发光器件在所述衬底基板上的正投影重合。
例如，本公开一实施例提供的显示面板中，所述光电转换结构的朝向所述衬底基板的表面与所述衬底基板之间的距离、所述发光器件的朝向所述衬底基板的表面与所述衬底基板之间的距离、以及所述像素界定层朝向所述衬底基板的表面与所述衬底基板之间的距离彼此相等。
例如，本公开一实施例提供的显示面板中，所述发光器件包括依次远离所述衬底基板设置的阳极、发光层和阴极；并且所述第一电极与所述发光器件的阳极同层设置。
例如，本公开一实施例提供的显示面板中，所述像素界定层包括凹槽，所述凹槽包括与所述衬底基板平行的底面，与所述底面相交的侧面；所述光电转换结构在所述衬底基板上的正投影位于所述底面和所述侧面在所述衬底基板上的正投影内；所述凹槽配置为所述发光层发出的光的一部分经其所述侧面反射后入射至所述光电转换结构。
例如，本公开一实施例提供的显示面板中，所述侧面与所述底面之间的夹角为钝角。
例如，本公开一实施例提供的显示面板中，所述侧面与所述凹槽的底面之间的夹角均为110°～170°；所述侧面在所述衬底基板上的投影分别与所述光电转换结构在所述衬底基板上的投影的一部分重合，该重合的部分沿平行于所述衬底基板方向的宽度均为所述光电转换结构在所述衬底基板上的投影沿平行于所述衬底基板方向的宽度的1/3；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述底面与所述像素界定层的除了所述凹槽之外的部分的远离所述衬底基板的第一表面之间的距离大于所述像素界定层的靠近所述衬底基板的第二表面与所述像素界定层的第一表面之间的距离的2/3。
例如，本公开一实施例提供的显示面板还包括：反射结构，设置于所述侧面的至少一部分上。
例如，本公开一实施例提供的显示面板中，所述侧面为朝向远离所述底面的方向凹陷的曲面，所述曲面的切线与所述凹槽的所述底面之间的夹角为钝角。
本公开至少一实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括本公开实施例提供的任意一种显示面板。
本公开至少一实施例还提供一种显示面板制作方法，该方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成发光器件和光电转换结构；其中，所述光电转换结构配置为接收所述发光器件所发出的光的一部分并将其接收到的光转化为电能且将所述电能供给所述发光器件。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
图1A为本公开一实施例提供的一种显示面板的平面示意图；
图1B为本公开一实施例提供的显示面板的另一平面示意图；
图1C为本公开一实施例提供的显示面板的又一平面示意图；
图2A为沿图1A-图1C中任意一个中的A-A’线的一种剖面示意图；
图2B为沿图1A-图1C中任意一个中的A-A’线的另一种剖面示意图；
图2C为沿图1A-图1C中任意一个中的A-A’线的又一种剖面示意图；
图2D为沿图1A-图1C中任意一个中的A-A’线的再一种剖面示意图；
图3为本公开一实施例中提供的显示面板中的光电转换结构的工作原理示意图；
图4为本公开一实施例提供的一种设置有光电转换结构的区域的显示面板的平面示意图；
图5为本公开一实施例提供的一种显示装置示意图；
图6A-6L为本公开一实施例提供的一种显示面板制作方法示意图；
图7A-7E为本公开一实施例提供的另一种显示面板制作方法示意图；
图8A-8H为本公开一实施例提供的又一种显示面板制作方法示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
本公开所使用的附图的尺寸并不是严格按实际比例绘制，显示面板中光电转换结构和像素单元的个数也不是限定为图中所示的数量，各个结构的具体尺寸和数量可根据实际需要进行确定。本公开中的附图仅是结构示意图。
本公开至少一实施例提供一种显示面板，该显示面板包括：衬底基板、发光器件和光电转换结构；发光器件设置于所述衬底基板上；光电转换结构设置于所述衬底基板上，配置为接收所述发光器件所发出的光的一部分，将其接收到的光转化为电能且将所述电能供给所述发光器件。
示范性地，图1A为本公开一实施例提供的显示面板的平面示意图，图1B为本公开一实施例提供的显示面板的另一平面示意图，图1C为本公开一实施例提供的显示面板的又一平面示意图，图2A为沿图1A-图1C中任意一个中的A-A’线的一种剖面示意图。如图1A和图2A所示，显示面板10包括衬底基板1、光电转换结构2和发光器件3。发光器件3设置于衬底基板1上。光电转换结构2设置于衬底基板1上，配置为接收发光器件3所发出的光的一部分，将其接收到的光转化为电能且将该电能供给发光器件3。例如，可以将该电能供给显示面板10的电源，然后电源再将该电能供给发光器件3。在本公开提供的显示面板中，光电转换结构2可以将其接收到的来自发光器件3的例如侧漏光(如图2A所示)转换为电能且将该电能供给发光器件3以用于发光，从而能够提高显示面板的光能利用率，并提高电源的续航能力。显示面板10还包括呈阵列排布的多个像素单元，发光器件3设置于多个像素单元的每一个中，光电转换结构2吸收利用发光器件3的至少部分侧漏光，还能够防止像素单元的侧漏光对相邻像素单元的显示造成干扰。
例如，如图2A所示，光电转换结构包括：第一电极21、第二电极25和光电转换层20。第一电极21设置于衬底基板1上；第二电极25设置于第一电极21的远离衬底基板1的一侧；光电转换层20设置于第一电极21与第二电极25之间且配置为将其接收到的光转化成电能。光电转换层20能够实现将来自发光器件3的侧漏光转换成电能，并能够通过第一电极21和第二电极25将产生的电能传导至显示面板10的电源，最终给发光器件3供电。
例如，光电转换层20为PIN结，该PIN结包括：P型半导体层22、N型半导体层24和本征半导体层23。P型半导体层22与N型半导体层24层叠设置，本征半导体层23位于P型半导体层22与N型半导体层24之间。在光照条件下，PIN结能够产生光伏效应，从而产生电流。
需要说明的是，在图2A所示的显示面板10中，P型半导体层22位于本征半导体层23的靠近衬底基板1的一侧，N型半导体层24位于本征半导体层23的远离衬底基板1的一侧。但是，在本公开的其他实施例中，也可以是P型半导体层22位于本征半导体层23的远离衬底基板1的一侧，N型半导体层24位于本征半导体层23的靠近衬底基板1的一侧。
图3为本公开一实施例中提供的显示面板中的光电转换结构的工作原理示意图。例如，显示面板10还包括电源，电源包括用于充电的输入端子和用于供电的输出端子。发光器件3包括依次远离衬底基板1设置的阳极31、发光层32和阴极33。光电转换结构2的第一电极21和光电转换结构2的第二电极25与电源的输入端子电连接。发光器件3的阳极31和发光器件3的阴极33与电源的输出端子(图未示出)电连接。具体的连接方式和电线布置，本领域技术人员可根据本领域常规技术进行设计。例如，发光器件3可以是发光二极管器件，例如有机发光二极管(OLED)器件等。
参考图3，当PIN结被光照时，PIN结对光子的本征吸收和非本征吸收都将产生光生载流子(电子-空穴对)。但能引起光伏效应的只能是本征吸收所激发的载流子。因P型半导体层22产生的光生空穴，N型半导体层24产生的光生电子属多子，都被势垒阻挡而不能过结。只有P区(P型半导体层22)的光生电子和N区(N型半导体层24)的光生空穴和结区(本征半导体层23)的电子空穴对(少子)扩散到结电场附近时能在内建电场作用下漂移过结。光生电子被拉向N区，光生空穴被拉向P区，即电子空穴对被内建电场分离。这导致在N区的靠近结区的边界附近有光生电子积累，在P区的靠近结区的边界附近有光生空穴积累。它们产生一个与PIN结的内建电场方向相反的光生电场，其方向由P区指向N区。此电场使势垒降低，其减小量即光生电势差，此时费米能级分离，因而产生压降。由于光伏效应而产生的光生载流子中的电子的移动方向是：由P型半导体层22经本征半导体层23移动至N型半导体层，将位于光电转换层3两侧的第一电极21和第二电极25与显示面板10的电源连接，即可产生电流，从而给电源充电。与PN结相比，PIN结中的本征半导体层能够增大结区，从而增大在结附近平均扩散距离，有利于增多对光电流有贡献的光生载流子的数量且有利于对光电流有贡献的载流子的传输，从而提高光电转化效率。
例如，P型半导体层22、N型半导体层24和本征半导体层23的材料均为非晶硅。由于采用非晶硅在显示面板中制作上述结构的过程中，温度较低，制备条件容易达到，且不会影响显示面板的其他功能层(例如发光器件、驱动电路等)的性能。
例如，第一电极21可以为不透明的反射型电极，第二电极25可以为透明电极或不透明的反射型电极。在图2A所示的显示面板10中，光电转换结构2位于发光器件3的靠近衬底基板1的一侧，这种情况下，来自发光器件3的侧漏光能够通过透明的第二电极25照射到光电转换层20，也可以通过光电转换结构2的靠近相应发光器件的侧面照射到光电转换层20，如此，光电转换层20能够吸收以及利用更多的侧漏光，有利于提高光的利用率；同时，光电转换结构2还可以同时吸收经由透明的第二电极25照射到光电转换层20的环境光，从而使得光电转换结构2还可以同时吸收外界环境中的环境光，将所吸收的环境光的光能转化成电能，且将该电能提供给发光器件3，从而进一步提高光的利用率。当第一电极21和第二电极25均为不透明的反射型电极时，从光电转换结构2的侧面(图2A中光电转换结构2的垂直于衬底基板的面)照射到光电转换层20的光能够在第一电极21和第二电极25之间发生多次反射而不会透过第一电极21或第二电极25，从而能够增加光电转换层20对光线的吸收。
例如，当第一电极21为不透明的反射型电极，第二电极25为透明电极时，第一电极21的材料可以为金属材料，例如Al、Cu、Mo等。第二电极25的材料可以是透明导电材料，例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。当第一电极21和第二电极25均为不透明的反射型电极时，第一电极21和第二电极25的材料均可以为上述金属材料。当然，本公开实施例中的第一电极和第二电极的材料不限于是上述列举的种类，本公开对此不作限定。
如图1A和图2A所示，显示面板10还包括：呈阵列排布的多个像素单元14以及像素界定层4。多个像素单元中14的每个包括所述发光器件3；像素界定层4位于多个像素单元14中相邻的像素单元14之间以限定出所述多个像素单元14。光电转换结构2在衬底基板1上的投影位于像素界定层4在衬底基板1上的投影内。如此，光电转换结构2不会影响显示面板10的开口率。例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板10中，像素界定层4为透光的，例如像素界定层4是透明的，如此，一方面，来自发光器件3的侧漏光能够穿过透明像素界定层4入射至光电转换结构2而被光电转换结构2利用；另一方面，环境光能够穿过透明的像素界定层4入射至光电转换结构而被光电转换结构2利用。如此，光利用率得到提高，也有利于更好地提高显示面板电源的续航能力。
例如，光电转换结构2在显示面板10的平面图中的位置可根据实际应用需求进行设定。例如，显示面板10可以包括多个光电转换结构2。如图1A所示，每个光电转换结构2可以设置于相邻的四个像素单元14之间；又例如，如图1B所示，每个光电转换结构2可以设置于相邻的两个像素单元14之间；再例如，如图1C所示，在对电源充电速度和充电量需求较低的情况下，可以每三个显示像素14对应于一个光电转换结构2，由此可以降低光电转换结构2的设置数目以及制造成本。图1A、图1B和图1C只是光电转换结构2在衬底基板1上的投影位于像素界定层4在衬底基板1上的投影内的情况的几种示例。本公开实施例对光电转换结构2的具体位置和排布方式不作限定。
例如，在本公开的一个实施例中，如图2A所示，光电转换结构2可以位于像素界定层4和发光器件3的靠近衬底基板1的一侧。这种情况下，来自发光器件3的侧漏光可以从光电转换结构2的远离衬底基板1的表面和靠近光电转换结构2的侧面入射至光电转换结构2，从而被光电转换层20利用，将光能转换为电能并将该电能提供给发光器件3以用于发光。
例如，如图2A所示，显示面板10还可以包括用于驱动像素单元14的驱动电路层，驱动电路层包括用于驱动像素的像素驱动电路，像素驱动电路包括薄膜晶体管5，光电转换结构2的第一电极21与薄膜晶体管5的漏极51和源极52同层设置，这有利于简化显示面板10的结构以及显示面板10的薄化，而且有利于简化显示面板10的制作工艺。
例如，薄膜晶体管5的半导体层可以为低温多晶硅，这样，在光电转换结构(例如PIN)的制备过程对薄膜晶体管5的半导体层的性能影响比较小。
例如，在显示面板中，当薄膜晶体管在衬底基板上的正投影位于像素界定层在衬底基板上的正投影内时，光电转换结构还能够减少或防止来自发光器件的侧漏光照射到薄膜晶体管的沟道区。
需要说明的是，本公开实施例中的侧漏光包括直接由发光层32射出的光、经阴极33反射后再从发光器件的靠近像素界定层4的侧面射出的光、以及经阳极31反射后再从发光器件的靠近像素界定层4的侧面射出的光等。
例如，如图2A所示，发光器件3为顶发光型，薄膜晶体管5在衬底基板1上的正投影的至少部分与发光器件3在衬底基板上的正投影重合。顶发光结构中，如此，发光器件3可以遮挡薄膜晶体管5的沟道区，避免因沟道区受到光照而影响薄膜晶体管5的性能。
例如，在本公开的其他实施例中，发光器件也可以为底发光型，这种情况下，薄膜晶体管可以设置为其在衬底基板上的正投影位于像素界定层在衬底基板上的正投影内，并且进一步地，薄膜晶体管可以设置为其在衬底基板上的正投影位于光电转换结构在衬底基板上的正投影内。如此，薄膜晶体管的沟道区可被光电转换结构遮挡，以防止来自发光器件的光照射到薄膜晶体管的沟道区。或者，可以在采用顶栅型薄膜晶体管，栅极同时可以为薄膜晶体管的沟道区遮光。或者，可以为薄膜晶体管的沟道区单独设置遮光层。本领域技术人员可以根据实际情况进行设计。
例如，光电转换结构2与像素驱动电路之间、光电转换结构2与发光器件3之间均相互绝缘。例如，光电转换结构2与像素驱动电路不直接接触。例如，光电转换结构2与像素驱动电路之间设置有第一绝缘层60，以使光电转换结构2与像素驱动电路的除了薄膜晶体管的漏极和源极之外的部分绝缘，光电转换结构2与发光器件3之间设置有平坦层61以及第二绝缘层62，以避免光电转换结构2与发光器件3导通。同时，可以通过调节光电转换结构2与发光器件3之间的第二绝缘层62的厚度，来确保二者之间无寄生电容的影响，示例的，光电转换结构2与发光器件3之间的第二绝缘层62的厚度为3～6μm。
例如，光电转换结构2的与电源连接的电线(未示出)可以设置于第二绝缘层62与平坦层61之间，当然也可以单独设置布线层，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。
例如，显示面板10还包括薄膜封装层11，薄膜封装层11覆盖多个像素单元14和像素界定层4，以防止水汽、氧气等物质与发光器件3接触而影响发光器件3的寿命。本领域技术人员可根据本领域常规技术选择薄膜封装层11的种类。
在本公开的另一个示例中，光电转换结构可以位于像素界定层内。例如，图2B为沿图1A-图1C中任意一个中的A-A’线的另一种剖面示意图。图2B所示的显示面板与图2A所示的显示面板的区别在于，光电转换结构2的朝向衬底基板1的表面与衬底基板1之间的距离、发光器件3的朝向衬底基板1的表面与衬底基板1之间的距离以及像素界定层4朝向衬底基板1的表面与衬底基板1之间的距离彼此相等。这种情况下，来自发光器件3的侧漏光主要从光电转换结构2的侧面入射至光电转换层20，而且光电转换结构2可以位于像素界定层4内的结构有利于显示面板10的薄化，不会因设置光电转换结构2而额外增加显示面板10的厚度。
例如，如图2B所示，第一电极21与发光器件3的阳极31可以同层设置，这有利于简化显示面板10的结构以及显示面板10的薄化，而且有利于简化显示面板10的制作工艺。
图2B所示的显示面板的其他特征均与图2A中的相同，请参考之前的描述，在此不再赘述。
例如，图2C为沿图1A-图1C中任意一个中的A-A’线的又一种剖面示意图。图2C所示的显示面板与图2A所示的显示面板的区别在于，像素界定层4包括凹槽9，凹槽9包括与衬底基板1平行的底面90，与底面90相交的侧面。例如，凹槽9包括多个所述侧面，例如第一侧面91和第二侧面92，光电转换结构2在衬底基板1上的正投影位于底面90和侧面在衬底基板1上的正投影内。凹槽9配置为发光层32发出的光的一部分(例如，所述侧漏光)经其侧面反射后入射至光电转换结构2。与图2B所示的显示面板相比，凹槽9能够使更多的来自发光层20的侧漏光进入光电转换结构2而被光电转换结构2利用，从而有利于提供光的利用率以及提高显示面板的电源的续航能力。
例如，凹槽9的侧面与底面90之间的夹角为钝角。例如，第一侧面91与底面90之间的夹角α和第二侧面92与底面90之间的夹角β均为钝角。这样有利于使更多的入射至侧面的侧漏光满足全反射条件而发生全反射，从而使更多的侧漏光入射至光电转换结构2而得到利用，光利用率得到提高。
例如，侧面与凹槽9的底面90之间的夹角均为110°～170°。例如，角α和角β均为110°～170°。侧面在衬底基板1上的投影分别与光电转换结构2在衬底基板1上的投影的一部分重合，该重合的部分沿平行于衬底基板1方向的宽度均为光电转换结构2在衬底基板1上的投影沿平行于衬底基板1方向的宽度的1/3。例如，第一侧面91在衬底基板1上的投影与光电转换结构2在衬底基板1上的投影重合的部分沿平行于衬底基板1方向的宽度l1为光电转换结构2在衬底基板1上的投影沿平行于衬底基板方向的宽度L的1/3，第二侧面92在衬底基板1上的投影与光电转换结构2在衬底基板1上的投影重合的部分沿平行于衬底基板1方向的宽度l2为光电转换结构2在衬底基板1上的投影沿平行于衬底基板方向的宽度L的1/3。在垂直于衬底基板1的方向上，底面90与像素界定层4的除了凹槽9之外的部分的远离衬底基板1的第一表面41之间的距离h大于像素界定层4的靠近衬底基板1的第二表面42与像素界定层4的第一表面41之间的距离H的2/3。这种情况下，更多的光能够被凹槽的侧面反射至光电转换结构2中，从而提高光的利用率。
例如，如图2C所示，显示面板10还包括：设置于侧面的至少一部分上的反射结构15。例如，在图2C中，反射结构15设置在整个第一侧面91和整个第二侧面92上，在其他实施例中，反射结构15也可以设置在第一侧面91的一部分上以及第二侧面92的一部分上。反射结构15能够增加侧漏光在凹槽的侧面上的反射率，使更多的光入射至光电转换结构2，从而提高光的利用率。例如，反射结构15为反射膜，例如为金属反射膜。该金属反射膜的材料例如可以为铜、铝、铜合金或铝合金等。例如，当阴极33由金属材料形成时，反射结构15可以与阴极33由同一材料经由同一同时形成。
图2C所示的显示面板的其他特征均与图2A中的相同，请参考之前的描述，在此不再赘述。
例如，图2D为沿图1A-图1C中任意一个中的A-A’线的再一种剖面示意图。图2D所示的显示面板与图2C所示的显示面板的区别在于，侧面为朝向远离底面90的方向凹陷的曲面，曲面的切线与凹槽9的底面90之间的夹角，例如角α和角β，为钝角。该曲面可以使传播方向相同的光在凹槽的侧面上不同的位置处的入射角不同，能够使更多的光满足全反射条件而发生全反射。
图4为本公开一实施例提供的一种设置有光电转换结构的显示面板的平面示意图。如图4所示，在显示面板中，光电转换结构可以设置于光电转换区域12。例如，在图1A所示的示例中，光电转换区域12可以对应于显示面板10的显示区域的一部分。当然，在其他示例中，光电转换区域12也可以对应于显示区域的整个显示区域，以增大光电转换区域的面积，将更多的光能转换成电能，以提高对电源的充电量以及速度。
本公开至少一实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括本公开实施例提供的任意一种显示面板。
例如，图5为本公开一实施例提供的一种显示装置示意图。如图5所示，该显示装置13包括本公开实施例提供的任意一种显示面板10。本公开实施例提供的显示装置可以通过光电转换结构实现将其接收到的来自发光器件的侧漏光(如图2A所示)转换为电能且将该电能供给发光器件以用于发光，从而能够提高显示面板的光能利用率，并提高电源的续航能力。同时，还能够防止显示面板的像素单元的侧漏光对相邻像素单元造成干扰。
例如，该显示装置13可以为发光二极管显示装置等，例如有机发光二极管显示装置。例如，该显示装置13可以实现为如下的产品：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、电子广告屏等任何具有显示功能的产品或部件。
图5只是一个包括本公开实施例提供的任意一种显示面板的显示装置的示意图，未示出显示装置的其他结构，本领域技术人员可参考常规技术，本实施例对此不作限定。
本公开至少一实施例还提供一种显示面板制作方法，该方法包括：提供衬底基板，以及在衬底基板上形成发光器件和光电转换结构，其中，光电转换结构配置为接收发光器件所发出的光的一部分并将其接收到的光转化为电能且将该电能供给发光器件。
示范性地，图6A-6L为本公开一实施例提供的一种显示面板制作方法示意图。
如图6A所示，提供衬底基板1，例如，当制作柔性显示面板时，可以在衬底基板1上依次形成柔性层7和缓冲层8，例如，柔性层7的材料可以为聚酰亚胺(PI)，缓冲层8的材料可以为无机材料，例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等。再通过半导体工艺在缓冲层8上依次形成薄膜晶体管的半导体层53、栅绝缘层54和栅极55(以顶栅型薄膜晶体管为例)。例如，薄膜晶体管5的半导体层53可以为低温多晶硅，这样，后续的光电转换结构(例如PIN)的制备过程对薄膜晶体管的半导体层的性能影响比较小。再形成覆盖半导体层53、栅绝缘层54和栅极55的第一绝缘层60，同时第一绝缘层60的远离衬底基板1的表面为平坦的，以便于后续在该表面上制作光电转换结构。
如图6B所示，通过构图工艺例如光刻工艺在第一绝缘层60中形成暴露半导体层53的第一过孔601。
如图6C所示，在第一绝缘层60上形成第一金属层500，第一金属层500通过第一过孔601与薄膜晶体管的半导体层53接触。例如，可以采用蒸镀或化学气相沉积的方法形成第一金属层500。例如，第一金属层500的材料可以是铜、铝、铜合金或铝合金等，当然第一金属层500的材料不限于上述列举种类，本公开实施例对此不作限定。
如图6D所示，通过同一构图工艺同时形成光电转换结构的第一电极21以及薄膜晶体管的漏极51和源极52，漏极51和源极52通过第一过孔601与半导体层53接触，有利于简化制作工艺。例如，通过光刻工艺利用第一金属层500同时形成第一电极21和薄膜晶体管的漏极51和源极52。
如图6E所示，形成与第一电极21堆叠的第二电极25以及位于第一电极21与第二电极25之间的光电转换层20。例如，光电转换层20为PIN结，形成光电转换层20包括通过半导体工艺在第一电极21上依次形成P型半导体层22、本征半导体层23和N型半导体层24。然后，在半导体成24上通过构图工艺形成第二电极25，从而得到光电转换结构2。第一电极24和第二电极25的材料请参考之前实施例中的描述，在此不再赘述。形成第二电极25的构图工艺的具体步骤本领域技术人员可根据第二电极25的具体材料进行设计。
如图6F所示，形成覆盖光电转换结构2的平坦层60，例如，平坦层60的材料可以为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等，例如，可以采用化学气相沉积或蒸镀方法形成平坦层60。
如图6G所示，在平坦层60上形成第二绝缘层62，第二绝缘层62的材料可以为无机绝缘材料或有机绝缘材料，可参考本领域常规技术。例如，可以在第二绝缘层62中设置用于将第一电极21和第二电极25与显示面板的电源的输入端子连接的导线。
如图6H所示，在平坦层60和第二绝缘层62中形成暴露漏极51的第二过孔602，例如可以通过光刻工艺形成第二过孔602。
如图6I所示，在第二绝缘层62形成像素界定材料层401，用于形成像素界定层。像素界定材料层401的材料可以是透明的有机材料，例如透明树脂，也可以是透明的无机材料，例如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等。
如图6J所示，对像素界定材料层401进行构图工艺形成像素界定层4，限定出多个像素单元。
如图6K所示，在多个像素单元的每个中形成发光器件，以发光器件为OLED器件为例进行说明。在像素单元的每个中依次形成阳极31、发光层32和阴极33，具体方法本领域技术人员可参考常规技术。
对OLED器件进行封装，得到如图6L所示的显示面板。例如，采用薄膜封装层11覆盖OLED器件和像素界定层，以防止水汽、氧气等物质与OLED器件接触。
需要说明的是，本公开对各个步骤的顺序不作限定，只要能获得最终所需要的结构即可。例如，也可以先形成像素界定层4，再形成第二过孔602。
本公开实施例主要对形成包括所述光电转换结构的显示面板的主要步骤进行了描述，其他工艺步骤可参考本领域常规技术。
图7A-7E为本公开一实施例提供的显示面板制作方法另一示意图，该方法与图6A-6L所示的方法的区别在于，在执行了图6A-6I所示的步骤之后，执行图7A-7E所示的步骤。
如图7A所示，对图6I中所示的像素界定材料层401进行构图工艺，例如光刻工艺，形成包括凹槽9的像素界定层4，或者，形成如图7B所示的具有曲面的凹槽9。关于凹槽9的特征请参考之前实施例中的描述，在此不再赘述。
如图7C所示，采用与图6K中相同的方法形成发光器件。
如图7D所示，在凹槽9的侧面的至少部分上形成反射结构15，例如，可以通过光刻工艺形成反射结构15。反射结构15的结构及材料请参考之前实施例中的描述。在本公开的其他实施例中，当阴极33为不透明的反射电极时，也可以在形成阴极33的同时，利用形成阴极33的金属层通过同一次构图工艺形成反射结构15，即反射结构15与阴极33采用同一材料同时形成，以简化显示面板的制作工艺。
如图7E所示，采用与图6L中相同的方法对发光器件进行封装，从而得到显示面板。
图8A-8H为本公开一实施例提供的显示面板制作方法又一示意图。该方法与图6A-6L所示的方法的区别在于，在执行了图6A-6C所示额步骤之后，执行图8A-8H所示的步骤。
如图8A所示，第一金属层500通过光刻工艺利用图6C所示的第一金属层500形成薄膜晶体管的漏极51和源极52。并且，依次形成覆盖漏极51、源极52的平坦层61和第二绝缘层62，具体方法请参考之前的描述。
如图8B所示，在平坦层60和第二绝缘层62中形成暴露漏极51的第二过孔602，例如可以通过光刻工艺形成第二过孔602。
如图8C所示，在第二绝缘层62上形成第二金属层700，第二金属层700通过第二过孔602与漏极51接触。例如，可以采用蒸镀或化学气相沉积的方法形成第二金属层700。例如，第二金属层700的材料可以是铜、铝、铜合金或铝合金等，当然第二金属层700的材料不限于上述列举种类，本公开实施例对此不作限定。
如图8D所示，通过同一工艺同时形成光电转换结构的第一电极21和发光器件的阳极31，阳极31通过第二过孔602与漏极51接触，有利于简化制作工艺。例如，通过光刻工艺利用第二金属层700同时形成第一电极21和阳极31。
如图8E所示，形成与第一电极21堆叠的第二电极25以及位于第一电极21与第二电极25之间的光电转换层20，具体步骤请参考之前实施例中的描述，在此不再赘述。
如图8F所示，形成像素界定层4，光电转换结2位于像素界定层4内，此时，光电转换结构2的朝向衬底基板1的表面与衬底基板1之间的距离、发光器件3的朝向衬底基板1的表面与衬底基板1之间的距离以及像素界定层4朝向衬底基板1的表面与衬底基板1之间的距离彼此相等。
如图8G所示，采用与图6K中相同的方法形成发光器件的发光层32与阴极33。
如图8H所示，采用与图6L中相同的方法对发光器件进行封装，从而得到显示面板。采用这种方法形成的显示面板的厚度不会因设置光电转换结构而增加。
以上所述仅是本发明的示范性实施方式，而非用于限制本发明的保护范围，本发明的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims (17)

1.一种显示面板，包括：
衬底基板；
发光器件，设置于所述衬底基板上，且包括发光层；以及
光电转换结构，设置于所述衬底基板上，配置为接收所述发光器件所发出的光的一部分，将其接收到的光转化为电能且将所述电能供给所述发光器件；
所述显示面板还包括：
呈阵列排布的多个像素单元，其中，所述多个像素单元中的每个包括所述发光器件；以及
像素界定层，位于所述多个像素单元中相邻的像素单元之间以限定出所述多个像素单元，其中，
所述光电转换结构在所述衬底基板上的投影位于所述像素界定层在所述衬底基板上的投影内；
所述像素界定层包括凹槽，所述凹槽包括与所述衬底基板平行的底面以及与所述底面相交的侧面；
所述光电转换结构在所述衬底基板上的正投影位于所述底面和所述侧面在所述衬底基板上的正投影内；
所述凹槽配置为所述发光层发出的光的一部分经其所述侧面反射后入射至所述光电转换结构。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述光电转换结构包括：
第一电极，设置于所述衬底基板上；
第二电极，设置于所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧；以及
光电转换层，设置于所述第一电极与所述第二电极之间且配置为将其接收到的光转化成电能。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述光电转换结构位于所述像素界定层和所述发光器件的靠近所述衬底基板的一侧。
4.根据权利要求3所述的显示面板，还包括用于驱动所述像素单元的驱动电路层，所述驱动电路层包括薄膜晶体管，所述光电转换结构的第一电极与所述薄膜晶体管的漏极和源极同层设置。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其中，所述发光器件为顶发光器件，所述薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影的至少部分与所述发光器件在所述衬底基板上的正投影重合。
6.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述光电转换结构的朝向所述衬底基板的表面与所述衬底基板之间的距离、所述发光器件的朝向所述衬底基板的表面与所述衬底基板之间的距离、以及所述像素界定层朝向所述衬底基板的表面与所述衬底基板之间的距离彼此相等。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其中，
所述发光器件还包括阳极和阴极，所述阳极、所述发光层和所述阴极依次远离所述衬底基板设置；并且
所述第一电极与所述发光器件的阳极同层设置。
8.根据权利要求2-5任一所述的显示面板，其中，所述侧面与所述底面之间的夹角为钝角。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其中，
所述侧面与所述凹槽的底面之间的夹角均为110°～170°；
所述侧面在所述衬底基板上的投影分别与所述光电转换结构在所述衬底基板上的投影的一部分重合，该重合的部分沿平行于所述衬底基板方向的宽度均为所述光电转换结构在所述衬底基板上的投影沿平行于所述衬底基板方向的宽度的1/3；
在垂直于所述衬底基板的方向上，所述底面与所述像素界定层的除了所述凹槽之外的部分的远离所述衬底基板的第一表面之间的距离大于所述像素界定层的靠近所述衬底基板的第二表面与所述像素界定层的所述第一表面之间的距离的2/3。
10.根据权利要求2-5任一所述的显示面板，还包括：
反射结构，设置于所述侧面的至少一部分上。
11.根据权利要求2-5任一所述的显示面板，其中，所述侧面为朝向远离所述底面的方向凹陷的曲面，所述曲面的切线与所述凹槽的所述底面之间的夹角为钝角。
12.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述光电转换层为PIN结，所述PIN结包括：
P型半导体层；
N型半导体层，与所述P型半导体层层叠设置；
本征半导体层，位于所述N型半导体层与所述P型半导体层之间。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其中，所述P型半导体层、所述N型半导体层和所述本征半导体层的材料均为非晶硅。
14.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述第一电极为不透明的反射型电极，所述第二电极为透明电极或不透明的反射型电极。
15.根据权利要求2所述的显示面板，还包括电源，其中，
所述发光器件包括依次远离所述衬底基板设置的阳极、发光层和阴极；
所述光电转换结构的第一电极和所述光电转换结构的第二电极与所述电源的输入端子电连接；
所述发光器件的阳极和所述发光器件的阴极与所述电源的输出端子电连接。
16.一种显示装置，包括权利要求1-15任一所述的显示面板。
17.一种显示面板制作方法，包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上形成发光器件和光电转换结构，其中，所述发光器件包括发光层；
其中，所述光电转换结构配置为接收所述发光器件所发出的光的一部分并将其接收到的光转化为电能且将所述电能供给所述发光器件；
所述显示面板制作方法还包括：
在所述衬底基板上形成呈阵列排布的多个像素单元，其中，所述多个像素单元中的每个包括所述发光器件；
形成像素界定层，其中，所述像素界定层位于所述多个像素单元中相邻的像素单元之间以限定出所述多个像素单元，所述光电转换结构在所述衬底基板上的投影位于所述像素界定层在所述衬底基板上的投影内；以及
在所述像素界定层中形成凹槽，其中，所述凹槽包括与所述衬底基板平行的底面以及与所述底面相交的侧面，所述光电转换结构在所述衬底基板上的正投影位于所述底面和所述侧面在所述衬底基板上的正投影内，
所述凹槽配置为所述发光层发出的光的一部分经其所述侧面反射后入射至所述光电转换结构。
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